L’effet photovoltaïque

L’effet photovoltaïque a été découvert par Alexandre Edmond Becquerel en 1839. Il est
obtenu par absorption des photons dans un matériau semi-conducteur, lequel génère alors une
tension électrique. Les cellules photovoltaïques produisent du courant continu à partir du
rayonnement solaire qui peut être utilisé pour alimenter un appareil ou recharger une batterie.
(Source : EF4, facilitateur photovoltaïque).

 Un matériau semi-conducteur
 Un effet photoélectrique interne
 Une jonction PN

Un matériau semi-conducteur 
Un matériau semi-conducteur est un matériau dont la conductibilité électrique peut varier en
fonction des conditions dans lesquelles il se trouve.

C’est la mécanique quantique et la théorie des bandes qui permettent d’expliquer ce

comportement. Schématiquement, le phénomène peut être représenté de la manière suivante :

Le niveau d’énergie d’un électron d’un atome ne peut prendre qu’un certain nombre de
valeurs discrètes. Ces plages sont appelées "bandes d’énergie". Suivant leur niveau d’énergie,
les électrons peuvent soit se trouver dans une bande de valence ou dans une bande de
conduction. Dans le premier cas, ils contribueront aux liaisons de l’ atome, dans l’autre, à la
conductibilité du matériau.  Entre ces bandes,  il existe des bandes dites "interdites",
correspondant aux valeurs énergétiques que l’électron ne peut prendre.

Pour les matériaux conducteurs, cette bande interdite n’existe pas.  Les électrons de liaisons
contribuent alors directement à la conductibilité. Pour les matériaux isolants, cette bande est
quasi infranchissable tant l’énergie nécessaire est importante. Pour les semi-conducteurs, cette
bande interdite est suffisamment petite pour permettre un passage aisé des électrons de la
bande de valence à la bande de conduction.

Cette représentation permet d’expliquer la différence de comportement à la chaleur des

conducteurs et des semi-conducteurs. Dans un métal, les électrons de valence soumis à la
chaleur s’agitent, diminuant la zone conductrice de la bande d’énergie. La résistance
augmente donc avec la température. Pour les semi-conducteurs, une augmentation de la
température favorise le passage des électrons situés sur la bande de valence vers la bande de
conduction, améliorant la conductibilité de l’atome (diminution de la résistance).

Remarque : le niveau de fermi représente le plus haut niveau d’énergie que les électrons
peuvent prendre à une température de 0K.

Il est possible d’augmenter la conductibilité d’un semi-conducteur par un procédé chimique,

appelé  dopage, qui consiste à insérer des impuretés dans le semi-conducteur.

On réalise ainsi des semi-conducteurs de type n et des semi-conducteurs de type p.

Pour obtenir un matériau de type n, on dope le matériau semi-conducteur (généralement du

silicium) avec un élément de valence supérieure (possédant plus d’électrons que le semi-
conducteur), comme le phosphore, afin d’ajouter des électrons à la bande de conduction. La
conduction est alors assurée par le déplacement de ces électrons.
Pour  obtenir un matériau de type p, on dope le matériau semi-conducteur par un élément de
valence moins importante, comme le Bore, afin de diminuer le nombre d’électrons de la
bande de valence.  La conduction est  alors assurée par le déplacement de porteurs chargés
positivement (trous correspondant au manque d’électrons).

Un effet photoélectrique interne

Le rayonnement solaire est constitué de photons dont l’énergie est décrite par la relation suivante :

E [J]=hv=h.c/λ

Avec,
  h : constante de Planck.
 λ : longueur d’onde [m].
 v : fréquence [Hz].

Quand un photon  heurte la cellule, il transmet son énergie aux électrons des semi-
conducteurs. Si l’énergie absorbée est suffisante pour permettre le passage de la bande
interdite (hv > Egap = Econcuction - Evalence), ces électrons quittent leur bande de valence et
entrent dans la bande dite de conduction. Cette émission d'électrons et des trous
correspondants (on parle de paires électron-trou) due à l'action de la lumière est appelée effet
photoélectrique interne (car les électrons ne sont pas éjectés en dehors de l’atome). Les
propriétés physiques du matériau sont alors modifiées et celui-ci devient conducteur
(photoconductivité). Si à l’inverse l’énergie du photon n’est pas suffisante, il traverse le
matériau sans transmettre d’énergie.

Ainsi, un matériau semi-conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.7 et 0.4 eV
est un matériau dit photovoltaïque du spectre solaire.

Le défi est de récupérer la paire électron-trou ainsi généré, car si celle-ci n’est pas récupérée
suffisamment rapidement il y a recombinaison entre l’électron et le trou. Pour pouvoir
valoriser le potentiel électrique de cet effet, on utilisera la différence de potentiel induite par
une jonction pn.

Une jonction PN
Une cellule solaire est composée d’une jonction p-n, la couche supérieure étant un matériau
de type n et la couche inférieure de type p. Pour fabriquer ces jonctions, on effectue un
traitement de surface pour déposer un semi-conducteur de type n sur la surface externe d’un
matériau de type p.
La mise en contact de ces matériaux génère une barrière de potentiel à la base du champ
électrique permanent. Cette barrière, appelée zone de déplétion, est formée par recombinaison
du surplus de trous et d’électrons  des zones p et n remis en contact. Le schéma suivant
représente les niveaux d’énergie au voisinage de la jonction :

Si la température d’une telle jonction augmente, les électrons rempliront progressivement tous
les états d’énergie, annulant la bande interdite et par là, l’effet de la jonction p-n.

Une telle jonction présente un comportement bien caractéristique selon qu’elle soit soumise à
une différence de potentiel dans le sens direct ou dans le sens inverse.

La polarisation directe de la jonction (en respectant les bornes) provoque un abaissement de

la barrière de potentiel et permet un passage important de courant dû aux porteurs
majoritaires.
La polarisation inverse provoque un renforcement de la barrière de potentiel (élargissement
de la zone de déplétion par recombinaison) et un courant dû aux porteurs minoritaires (trous
dans le type n et électrons dans le type p). Ce courant, très faible, varie peu en fonction de la
tension.

Cette caractéristique est à la base des diodes électriques, composant électronique qui ne
permet le passage de courant que dans un sens.

Ce schéma montre la relation  typique entre l’intensité du courant et le potentiel d’un tel
composant :
Pour créer un courant utilisable dans cette jonction p-n, deux moyens sont possibles :

 Soit  abaisser la barrière de potentiel (grâce à une polarisation directe). La jonction est
alors réceptrice (diodes de redressement).

 Soit, fournir une énergie supplémentaire (d’origine lumineuse, thermique…) aux

porteurs de la bande de valence. La jonction est alors génératrice.

Il ne reste alors plus qu’à collecter les charges avant leur recombinaison.

Influence de l’éclairement

L'effet du rayonnement lorsqu’il fournit assez d'énergie (si celle-ci est supérieure à la largeur
de la bande interdite) fait apparaître des paires supplémentaires d’électron trou porteur
(apparition simultanée d'un porteur n et d'un porteur p) dans la jonction.

Les porteurs p ainsi créés ont tendance à migrer vers le matériau p et les porteurs n vers le
matériau  n, renforçant la barrière de potentiel. Une partie des porteurs générés par le
rayonnement sera elle aussi soumise à divers phénomènes de recombinaison (disparition
simultanée d'un porteur n et d'un porteur p).
L’éclairement a deux effets sur le fonctionnement :

Si le système fonctionne en mode récepteur (quadrant III) : la résistance diminue avec

l’éclairement, c’est la photorésistance.

Si le système fonctionne en mode  générateur (quadrant IV) : le courant "court-circuit" est

proportionnel à l’éclairement et la tension à vide est celle de la diode en polarisation directe.
C’est la cellule photovoltaïque à jonction PN. C’est sur ce quadrant IV que sont basées
les caractéristiques des cellules :

Représentation théorique et équation d’une "cellule idéale".

Avec,

 Icc [A] : courant de court-circuit dû à l’éclairement E

 Vco : tension en circuit ouvert.

Pour créer un courant, on place des électrodes sur chacun des matériaux et on les relie par un
circuit électrique. Ces raccordements et leur fabrication provoqueront des effets résistifs
parasites qui différencieront les caractéristiques réelles des cellules de ce comportement
théorique.

> Pour en savoir plus sur les caractéristiques des cellules.