TP2: ETUDE DES PREAMPLIFICATEURS
PREPARATION TP N°2 : ETUDE DES PREAMPLIFICATEURS
I/ETAGE A TRANSISTOR
MONTAGE PROPOSE
Choix du transistor T : 2N2222 (NPN ; TO18 ; 0.5A ; 0.5w)
1 –ETUDE THEORIQUE
VCC=12V ; hfe=200 ; hFE=150 ; hie=2kΩ ; VBE=0.6V
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a /Fonctionnement statique
Eth=
Eth=1.83V
Rth=R1//R
-Eth+Rth =0
ICQ=
AN:ICQ= ICQ=3.3mA
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IBQ= IBQ=22uA
-VCC+RC.ICQ+VCEQ+RE.ICQ=0
VCEQ=VCC-ICQ (RE+RC)
AN: VCEQ=12-3.3(1.8+0.22)=5.34V VCEQ=5.34V
-VBM+VBEQ+RE.ICQ=0
VBM=VBEQ+RE.ICQ
AN: VBM=0.6+0.22 VBM=1.32V
-VEM+RE.ICQ=0
VEM=RE.ICQ
AN: VEM=3.3 VEM=0.72V
-VCM-RC.ICQ+VCC=0
VCM=VCC-RC.IC
AN: VCM=12-1.8 =6V VCM=6V
I2= I2=48.8uA
I1=I2+IBQ=70.8uA I1=70.8uA
Les valeurs normalisées des composants
Les résistances
P1= R1 =150KΩ 70.8uA) 2=7.5.10-4 W ; Pn≥2P1=15.10-4W
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R1 (150KΩ ; 0.25W)
P2= R2 =27KΩ 48.8uA) 2=6 ,42.10-5 W ; Pn≥2P2=12.10-5W
R2 (70KΩ ; 0.25W)
PE= RE =0.22KΩ 3mA) 2=1,98.10 -6W ; Pn≥2PE=4.10-6W
RE (220Ω ; 0.25W)
PC= RC =1.8KΩ 3mA) 2=0.01W ; Pn≥2PC=0.02W
RC (1.8KΩ ; 0.25W)
LES CONDENSATEURS
Us≥2.Vcc≥24v
C1=C2=CE=100uF ,24V
b/Fonctionnement dynamique
Amplification à vide
AV0=- AV0=-180
L’impédance d’entrée
ZE0=hie//Rth=1.8kΩ ZE=1.8kΩ
L’impédance de sortie
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ZS0=RC=1.8KΩ ZS=1.8kΩ
Amplification en charge
AV=--
RU=RC//RL =1.6kΩ
AV=-- =-160 AV=-160
ZS=RU=1.6kΩ ZS=1.6kΩ
ZE=1.8KΩ ZE=1.8kΩ
C/ La bande passante
C1=C2=CE=100uf, 25V
A vide
Soit B= //RE= //0.22= 0.0095
Fb =
FH=
WB0 [ ]
En charge
Fb
FH=
WB0 [ ]
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2 /ETUDE PRATIQUE
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a/Etude statique
hFE= =205
b- Etude dynamique
Les oscillogrammes aux différents points
A entrée du montage
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Vemax=1mV; f=1KHZ; T=1ms;
A la base par rapport à la masse Vb(t)
Vbmax=1.451V ; Vbmin=1.449V ; f=1KHZ ; T=1ms ;
Au collecteur par rapport à la masse Vc(t)
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Vcmax=6.01V ; Vcmin=5.61V ; f=1KHZ; T=1ms;
A la sortie (à vide)
Vsmax=200mV ; f=1KHZ; T=1ms;
Av0=
Limite d’écrêtage: Vemax=7mv Vsmax=1.4V
Diagramme de BODE
Gain
Gv=46.2db
Fb=167HZ
Fh=1.5MHZ
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WB0 [ ]
Phase
A la sortie du montage(en charge)
Vsmax=178.5mV ; f=1KHZ; T=1ms;
AV=-
Limite d’ecretage: Vemax:8Mv Vsmax=1.42V
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Diagramme de BODE
Gain
Gv=45.2dB
Fb=167HZ
Fh=1.68MHZ
WB [ ]
Phase
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Mesure de l’impédance d’entrée
Sensibilité voie A=2 sensibilité voie B ; ZE=1.7kΩ
Mesure de l’impédance de sortie
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VoieA =Vs0(R débranchée)
Voie A=Vs (tension en charge)
Zs = ( -1) R
Si Vs0=2
Donc ZS=1.8kΩ
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Confrontation des valeurs théoriques aux valeurs simulées
VALEURS THERIQUES VALEURS SIMULEES
ICQ 3,3mA 3,44mA
IBQ 22UA 16,7UA
VCEQ 5,34V 5,05V
VBM 1,32V 1,45V
VEM 0,72V 0,76V
VCM 6V 5,81V
I2 48,8UA 53,6UA
I1 70,8UA 70,4UA
AV0 -180 -200
AV -160 -178,5
ZE 1,8KΩ 1,7Ω
ZS 1,8KΩ 1,8KΩ
WB (159HZ, 1,87MHZ) (167HZ; 1,68MHZ)
WB0 (159HZ;1,66MHZ) (167HZ; 1,5MHZ)
Hfe 150 205
Les valeurs théoriques sont en concordance avec les valeurs simulées
II/ ETAGE A AOP A AOP
Av= 10 ⇒ R2= 10R1
WB Є (160HZ, 16KHz) ⇒ 00⇒ 00 donc
C1=1000C2
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Pour R 0KΩ, C 0.1uF ainsi C2=0.1nf et
R 00KΩ
LM318 (Sr=70V/us, ft=15MHz) donc flimit= 928 KHz
D’où le montage dimensionné suivant
Les oscillogrammes aux différents point du montage
A l’entrée
Vemax= 100mV, f= 1KHz ; T=1ms
A la sortie du montage
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Vsmax= 1V, f= 1KHz ; T=1ms, Av=10
Le diagramme de BODE
Gain
Fb=160HZ,
FH= 15.9KHZ,
WB Є (160HZ, 15.9KHz)
Gv=20dB
Phase
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Φb=-135°
Φh=135°
Amplitude avant écrêtage : Vemax=1V et Vsmax= 10V
L’IMPEDANCE D’ENTREE
Ze=10kΩ
MESURE DE L’IMPEDANCE DE SORTIE
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Sensibilité voie A=2 sensibilité voie B ; ZE=1.7kΩ
VoieA =Vs0(R débranchée)
Voie A=Vs (tension en charge)
Zs = ( -1) R
Si Vs0=2 é
Donc ZS est infinie
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