Chapitre I Matériaux semi-conducteurs et hétérojonction

: AlGaAs/GaAs.
I.1 Introduction :
Le succès industriel des dispositifs à semi-conducteurs est en grande partie dû aux
technologies de pointe qui ont été développées pour leur préparation. Les semi-conducteurs
ont pris une importance considérable dans notre société. Ils sont à la base de tous les
composants électroniques et optoélectroniques utilisés dans les systèmes informatiques, la
télécommunication, la télévision, les voitures et les appareils électroménagers, etc.
Dans tous les matériaux semi-conducteurs, les composés III-V sont d’une classe bien définie
avec des propriétés qui sont des sources d'intérêt en termes de connaissances et d'applications
fondamentale. En effet, le GaAs est à gap direct ayant une largeur proche de la valeur idéale
de 1.5 eV qui en résulte dans une efficacité maximale de conversion photovoltaïque assurée
par une cellule solaire même à unique jonction. Des rendements de conversion autour de
25.7 % ont été atteints par de telle cellule au spectre AM1.5.
Ce chapitre couvre des notions sur les matériaux semi-conducteurs en général, les
composés binaires (III-V) et ternaires, et l’hétérojonction AlGaAs/GaAs.
I.2 Notion générale sur les matériaux semi-conducteurs :
I.2.1 Classification des matériaux :
Une manière commune de classer un matériel est par ses propriétés électriques. Selon le
niveau de la résistivité d'un élément, elle peut être classée par catégorie comme isolateur,
conducteur, ou semi-conducteur. La capacité de résister ou de conduire l'électricité d'un
matériel dépend de beaucoup de facteurs; la structure de réseau, les électrons libres, l’énergie
de bande interdite, et la température. Quelques matériaux ont des propriétés électriques très
discrètes qui les définissent en tant qu'un isolateur ou conducteur. Cependant, d'autres
matériaux tels que le silicium et l'arséniure de gallium peuvent agir en tant qu'isolateur ou
conducteur et sont donc considérés des semi-conducteurs. La figure I-1 montre la gamme
typique des conductivités pour des isolateurs, des conducteurs, et des semi-conducteurs.
Des semi-conducteurs peuvent être trouvés sous la forme élémentaire ou composée. Le
silicium et le germanium sont des exemples des semi-conducteurs élémentaires, qui
appartiennent au groupe IV dans le tableau périodique. La figure I-2 montre une table
périodique partielle. En plus des semi-conducteurs du groupe IV, des composés peuvent être
faits avec des éléments à partir des groupes III et V. Les exemples des semi-conducteurs III-V
incluent le phosphure en aluminium (AlP), nitrure de gallium (GaN), phosphure d'indium
(InP), arséniure de gallium (GaAs). Notamment, Il est possible de faire des composés de
semi-conducteur à partir des groupes II-VI, tel que l'oxyde de zinc (ZnO), tellurure de
cadmium (CdTe), sulfure de Mercurey (HgS).

1 6
 Résistivité ρ (Ω-cm)

Argent
Germanium (Ge)
Verre
Silicium Cuivre
Oxyde de nickel (Pure)

Aluminium
Arséniure de Gallium (GaAs)
Diamant
(Pure)
Phosphure de Gallium (GaP) Platine

Soufre

Sulfure de Cadmium (CdS) Bismuth

Quartz Fondue

Conductivité σ (S/cm)

Isolateur Semi-conducteur Conducteur

Figure I-1 : Résistivité pour différents types de matériaux [6].

Figure I-2 : Table périodique partiel [3].

Le sujet de ce mémoire est l`alliage aluminium arséniure de gallium (AlGaAs). L’aluminium

et le gallium sont des éléments du groupe III, alors que l'arséniure est un élément du groupe V
I.2.2 Bandes d’énergie :
Les semi-conducteurs et les métaux possèdent une structure cristalline particulière, c’est-
à-dire que les atomes sont groupés en réseaux régulièrement disposés dans l’espace. Dans ces
réseaux, la distance inter atomique étant faible, de l’ordre de quelques Å, les atomes ne
peuvent plus être considérés comme isolés, et il en résulte des interactions de nature
électrostatique entre les divers atomes. Les états d’énergie électroniques sont distribués selon
une loi de dispersion appelée structure de bandes, représentée par une succession de bandes
permises pouvant être séparées par des bandes interdites. Toutes les directions de propagation
des électrons, c’est à dire tous les points du réseau réciproque, doivent être examinées afin
d’établir l’existence d’une bande interdite (le terme anglais "gap") [7].
Dans le diagramme de bande de la figure I-3, la distance inter atomique est représentée
graphiquement à l’encontre de l'énergie d'électrons. Le diagramme de bande montre que
lorsque les atomes du même élément sont infiniment éloignés les uns des autres, ils ont les
mêmes niveaux d’énergie. Toutefois, lorsque les atomes sont rapprochés, les électrons de
chaque atome s'interagissent, et les niveaux d'énergie discrets divergent dans une bande
d’énergie autorisée représentée par la partie grise du graphique de la figure I-3.

État regroupement serré

Figure I-3 : Distance inter atomique représentée graphiquement contre l'énergie, pour
montrer la formation des bandes d'énergie dans un matériau [1].

Dans un solide à 0 K°, toutes les bandes d'énergie les plus basses sont remplies, sauf la
dernière qui peut être partiellement remplie ou complètement remplie. Lorsque cette bande est
partiellement remplie, on a affaire à un conducteur car si on applique un champ électrique, les
électrons qui ont l'énergie la plus élevée peuvent acquérir une énergie supplémentaire en
occupant des niveaux d'énergie très voisins disponibles. Lorsque cette bande est remplie, on a
affaire à un isolant à 0 K° car l'application d'un champ électrique ne peut fournir assez
d'énergie pour lui faire franchir la bande interdite afin d'atteindre les premiers niveaux
disponibles : les électrons ne peuvent acquérir un mouvement collectif correspondant au
passage du courant [8].
On distingue isolants et conducteurs par la différence d'énergie qu'existe entre ces bandes,
comme illustré à la figure I-4.

Figure I-4 : Bandes d'énergie dans différents types de matériaux [9].

I.2.3 Porteurs de charge :

Pour l'application des semi-conducteurs dans les cellules solaires, l'aspect le plus
important d'un matériau est la caractéristique courant-tension. Le courant est le mouvement de
la charge à travers un matériau, les charges dans un semi-conducteur qui peuvent se déplacer
à l’intérieur du matériau par suite de la force appliquée sont appelées les porteurs. Les
porteurs doivent circuler vers les bandes de conduction et à partir des bandes de valence dans
le but de créer un courant dans le semi-conducteur [10].
Il existe deux types de conduction: la conduction par électrons et la conduction par trous.
Dans un cristal semi-conducteur intrinsèque, certaines liaisons entre les atomes se cassent.
L'électron est alors libre de se déplacer dans le cristal. Sur l'emplacement de la liaison rompue
on dit qu'il y a un trou. Pour chaque liaison rompue, il y a formation d'une paire électron- trou.
Chapitre I Matériaux semi-conducteurs et hétérojonction
: AlGaAs/GaAs.
Sous l'effet du champ électrique les électrons (charge -e) se déplacent dans le sens inverse du
champ, les trous (charge +e) se déplacent dans le sens du champ [8]. La figure I-5 décrit très
simplement ce phénomène.

Figure I-5 : Représentation symbolique du mécanisme de conduction dans les bandes de

valence et de conduction. Les densités de courant résultantes sont dans le même
sens [11].

Quand le réseau est formé entre les différents atomes, il y a une probabilité finie qui à
n'importe quelle température au-dessus de zéro Kelvin (0 K°), un électron de la bande de
valence sera frappé librement et une défectuosité électronique connue sous le nom de trou
sera laissée. Le trou laissé maintient une charge positive égale à la valeur absolue de la charge
d'électron [6]. Un nouveau électron de valence peut venir occuper ce trou et ainsi de suite.
La figure I-6 donne une idée du mécanisme mis en jeu. On retrouve un mécanisme
similaire à celui des pièces d’un jeu de taquin ou « pousse-pousse ».

Figure I-6 : Représentation symbolique du mécanisme de déplacement des électrons dans la

bande de valence [11].

510
 On peut noter que si les électrons se déplacent de la droite vers la gauche, les trous se
déplacent de la gauche vers la droite, c’est-à-dire dans le sens inverse.
A l'équilibre thermique, les densités totales d'électrons dans la bande de conduction et des
trous dans la bande de valence sont données par les expressions suivantes [12] :

2 ⎡ E F − EC ⎤
n= (2πm kT )3 / 2 exp =N ⎡ EF − EC ⎤ (I-1)
exp
h3 ⎢ ⎥kT C ⎢ ⎥
⎣ ⎦ ⎣ kT ⎦
e

2
p= 3/2 ⎡ Eν ⎡ Eν
(2πm kT ) exp – EF ⎤
=
exp – EF ⎤ (I-2)
N
⎢ ⎥ ν ⎢ kT ⎥
h 3 ⎣ kT ⎦ ⎣ ⎦

Où :
NC et Nν sont respectivement la densité effective d’états des électrons dans la bande de

conduction et la densité effective d’états des trous dans la bande de valence [12].
Les densités d’états énergétiques (densité d’électrons ou de trous) s’expriment par les
relations suivantes [11] :

3/2
1 ⎛ 2m ⎞
*

dNC (E ) ⎜ c⎟ (E − Ec )1/ 2 (I-3)

= 2π 2 ⎝ η2 dE
⎠

dN (E ) 3/2
= 1 ⎛⎜ 2 ν* ⎟⎞ (E – E )1/ 2 (1-4)
dE
2 2 ν
ν
2π ⎝ η ⎠

L'électron libre ainsi que le trou est connu comme paire électron-trou (EHP) et peut être
décrit par le phénomène d'ionisation ou de génération. Quand un électron libre et un trou se
combinent disparaissent, un processus qui est connu sous le nom de recombinaison. Le taux
de recombinaison est proportionnel au nombre d'électrons libres et de trous existants.
Lorsque l'équilibre thermique de la génération et de la recombinaison est maintenu le nombre
d’EHP sera constant. Le Germanium réagit de la même façon même s’il a 32 électrons au
total, 28 qui constituent le noyau atomique, laissant 4 électrons de valence [6].
Recombinaison et génération sera discuté plus en détail plus tard.

Les électrons et les trous ont chacun une mobilité associée à chaque matériau à base de la
simplicité avec laquelle les porteurs de charge libres peuvent se déplacer à travers le matériau.
Bien que les électrons et les trous soient de charge égale, les électrons ont une plus grande
mobilité. Les électrons et la mobilité des trous sont fonction de caractéristiques matérielles
telles que la structure en réseau, la taille des atomes dans la matière, et l'orientation du canal,
dans lequel le support de charge se déplace. La mobilité d'électrons et de trous détermine les
paramètres tels que la conductance et la résistivité d'un matériau, qui sont des facteurs
importants pour les cellules solaires [1].
I.2.4 Dopage et impuretés des semi-conducteurs :
Il y a deux types de semi-conducteurs, intrinsèque et extrinsèque. Les semi-conducteurs
intrinsèques sont complètement purs, signifiant qu'ils ont seulement un type d'élément ou un
composé dans sa structure cristalline [10], et ayant un taux d'impuretés très faible (moins de 1
atome d'impureté pour 10¹³ atomes de l'élément semi-conducteur). Ils se comportent comme
des isolants à très basse température et leur conductivité augmente avec la température [8].
I.2.4.1 Semi-conducteur intrinsèque :
Il est impossible de créer des semi-conducteurs intrinsèques totalement purs parce qu'à un
certain point pendant le processus de croissance les impuretés contaminent le matériel [10]. Si
un lien de semi-conducteur intrinsèque est cassé, un électron libre et un trou sont créés
simultanément, de même, si un électron est excite de la bande de valence à la bande de
conduction alors un trou sera simultanément créé dans la bande de valence [6]. On peut
considérer que le trou s'est déplacé par combinaisons d'électrons. La structure cristalline du
silicium pur est présentée dans la figure I-7 :

Figure I-7 : Structure cristalline du Silicium pur [9]

I.2.4.1.1 Concentration en porteurs intrinsèques :
Dans des conditions d'équilibre, un semi-conducteur intrinsèque a un nombre égal des
trous ( et des électrons (n) qui est finalement égal à la concentration en porteur
p)

intrinsèque (ni ) .Les nombres de p et n sont égaux à un semi-conducteur intrinsèque

parce que les porteurs sont créés uniquement par paires dans un matériau très pur [6]. Ceci se
résume à cette équation :

n= p=
(I-5)
ni

Les concentrations des porteurs mobiles sont fonction de la largeur de bande interdite Eg

(voir tableau I-1), mesurée par rapport à l'énergie thermique kT. Pour les petites valeurs de T
(kT << Eg ), ni est petite, ce qui implique moins de porteurs mobiles. Le nombre moyen de

porteurs (électrons ou trous mobiles) qui existent dans un matériau semi-conducteur

intrinsèque peut être trouvé à partir de la loi d'action de masse [13] :

⎡
ni = AT 1.5 exp⎢− E g ⎤ (I-6)
⎥
⎢⎣ (kT ) ⎦

Où
T est la température absolue, en K°
k est la constante de Boltzmann (k = 1.38 ×10−23 J/K ou 8.62 ×10−5 eV/K)
Eg est la largeur de la bande interdite en eV. Elle est donnée par

Eg = – Eν (I-7)
EC

A est une constante dépendant du matériau donné et il est donné par

2 3/4
A= (2πm ⎛ m *m ⎞* (I-8)
3 o k)
3/2
⎜ m n m p ⎟⎟
h ⎝ o o⎠
Où

h est la constante de Planck ( h =6.62 ×10−34 Js ou 4.14×10−15 eV s)

mo est la masse au repos d'un électron.

mn* est la masse effective d'un électron dans le matériau.

m *p est la masse effective d'un trou dans le matériau.

Tableau I-1 : Bande interdite, concentration intrinsèque des porteurs, densité effective de la
bande de conduction et la bande de valence à T = 300 K° pour différents semi-
conducteurs [14].

Les cristaux semi-conducteurs purs, qui ne contiennent pas d'atomes étrangers, sont
appelées intrinsèque. Dans un semi-conducteur intrinsèque à 0 K° il n'y a pas de EHP, lorsque
la température augmente, cependant, la chaleur absorbée par le matériau créera un certain
nombre de EHP et la conductivité du matériau augmente. Depuis que EHP sont responsables
de la conductivité, ils sont appelés porteurs intrinsèques. Leur nombre augmente de façon
logarithmique. Ceci est montré dans la figure I-8 pour Si, Ge et GaAs.
 Densité de porteurs intrinsèque [e-/cm-³]

Température [°K]

Figure I-8 : Densité des porteurs intrinsèques en fonction de la température [15].

I.2.4.2 Semi-conducteurs extrinsèques :

Les semi-conducteurs extrinsèques sont créés en ajoutant des atomes d'impuretés dans les
matériaux intrinsèques. Heureusement, ajouter des impuretés dans un matériel peut être
bénéfique aux performances du semi-conducteur. L’ajout des impuretés dans la substance
avec l'intention de contrôler ses caractéristiques de fonctionnement est connu sous le nom de
dopage [10], ce processus peut engendrer des changements des propriétés électriques.
Le dopage est employé pour contrôler le nombre d'électrons ou de trous dans un matériel
par l'addition d'une quantité déterminée d'impuretés, avec résultats des matériaux de type-p ou
de type-n en concordance avec le nombre des trous ou des électrons libres [6].

I.2.4.2.1 Semi- conducteur dopé de type-n :

Les dopants de type -n sont également connus comme donneurs, car ils sont des éléments
ou des composés avec cinq électrons de valence ou plus qui donneront un électron après que
les quatre autres forment des liaisons covalentes avec le matériau intrinsèque dans lequel ils
ont été placés.
 Si Si

Si Si P Si

Si Si

Figure I-9 : Dopage d’un monocristal de silicium par un atome de phosphore,

dopage donneur de type-n [9], [11].

Dans le matériau de type-n, les électrons sont des porteurs majoritaires et les trous sont
des porteurs minoritaires [10]. Prenons le cas d’un atome de la colonne V, par exemple le
phosphore. La couche externe de cet atome comporte, a priori, 5 électrons, comme représenté
sur la figure I-9. Inclus dans le réseau cristallin, cet atome va se retrouver avec 9 électrons sur
sa couche externe. Dès que l’énergie thermique sera suffisante, cet électron va quitter son
orbite pour circuler dans le cristal. Il rejoint dans ce cas la bande de conduction du cristal. Le
noyau de l’atome de phosphore ayant une charge (due à ses protons) qui n’est plus
compensée, cet atome va s’ioniser positivement. Cet atome a ainsi un comportement dopant
et puisqu’il a fourni un électron au cristal (dans sa bande de conduction), on l’appelle atome
donneur. Notons que la charge totale du cristal reste nulle, le cristal étant globalement neutre.

I.2.4.2.2 Semi- conducteur dopé de type-p :

Les dopants de type-p, ou accepteurs, sont des éléments ou des composés ayant trois ou
moins d’électrons de valence et acceptent des électrons, forment des liaisons covalentes avec
quatre ou plusieurs de leurs cinq trous. Les matériaux de type-p ont des trous comme porteurs
majoritaires et des électrons comme porteurs minoritaires [10].
 Si Si

Si Si B Si

Si Si

Figure I-10 : Dopage d’un monocristal de silicium par un atome de Bore,

dopage accepteur de type-P [9], [11].

Prenons le cas d’un atome de la colonne III, par exemple le bore. La couche externe de cet
atome comporte, a priori, 3 électrons, comme représenté sur la figure I-10. Inclus dans le
réseau cristallin, cet atome va se retrouver avec 7 électrons sur sa couche externe. Dès que
l’énergie thermique sera suffisante, un électron de valence voisin va quitter son orbite pour
venir créer un octet autour de l’atome de bore. Il crée dans ce cas une lacune dans la bande de
valence du cristal, c’est-à-dire qu’il crée un trou. Le noyau de l’atome de bore ayant une
charge due à ses protons insuffisante, cet atome va s’ioniser négativement. Cet atome a ainsi
un comportement dopant et puisqu’il a fourni un trou au cristal (dans sa bande de valence), on
l’appelle atome accepteur, puisqu’il accepte un électron. Notons que la charge totale du cristal
reste toujours nulle, le cristal étant globalement neutre.

Le nombre des porteurs majoritaires est analogue au dopage dans une matière, tandis que
le nombre des porteurs minoritaires est analogue à la température. Notons que les deux types-
p et n du matériau reste neutres. Toutefois, l'effet de dopage est optimal pour les propriétés
électriques de la matière, même à de très faibles concentrations [15].
I.2.5 Semi-conducteurs directs et indirects :
Les comportements «directs» et «indirects» sont suffisamment importants qu'ils méritent
une mention spéciale. Les aspects critiques des structures de bandes d'énergie de ces deux
types de semi-conducteurs sont représentés schématiquement sur la figure I-11. L’énergie
minimale de la bande de conduction dans les matières indirectes a une autre dynamique que
celle de l'énergie maximale de la bande de valence. Les électrons dans la bande de conduction
vont rapidement se déplacer à l'énergie de la bande minimale. Les trous également vont
rapidement se déplacer à l'énergie maximale de la bande de valence. Par conséquent, les
électrons et les trous n'ont normalement pas la même dynamique dans un semi-conducteur
indirecte tandis que dans un matériau direct, ces quantités de mouvement sont égales. Cela a
des conséquences sur la durée de vie des porteurs minoritaires et les propriétés optiques des
semi-conducteurs [16].
Lorsque la bande de valence et la bande de conduction coïncident en vecteur d'onde k, le
semi-conducteur a une bande interdite directe. Lorsque la bande de valence et la bande de
conduction ont différents vecteurs d'onde k, le semi-conducteur possède une bande interdite
indirecte.
Le vecteur d’onde k représente la différence de dynamique. Afin d'exciter un électron de
la bande de valence à la bande de conduction dans un semi-conducteur à bande interdite
indirecte, en plus d'un photon, un phonon est nécessaire. Le phonon est une vibration en
réseau. Le phonon transfère son mouvement pour l'électron au moment où le photon est
absorbé. Par conséquent, un semi-conducteur à bande interdite direct est généralement
préférable pour l'optoélectronique. Le silicium est un exemple d'un semi-conducteur à bande
interdite indirecte. L’Arséniure de gallium et le nitrure d'indium gallium sont des exemples de
semi-conducteurs à bande interdite directe [3].

Figure I.11 : Différence entre une bande interdite directe et indirecte

d'un semi-conducteur [12].
 La structure de bande est la relation entre l'énergie de la particule et son vecteur d’onde k :
E(k). On représente l'évolution de l'énergie de l'électron par la courbe E(k) en forçant le
vecteur d'onde k à demeurer dans une direction remarquable de l'espace des k, c'est à dire une
direction cristallographique du réseau réciproque [12].
I.2.6 Génération–Recombinaison :
Lorsqu'il y a dans la bande de conduction et dans la bande de valence un excès d'électrons
libres et de trous libres par rapport aux concentrations d'équilibre thermique, différents
processus tendent à ramener le système vers son état d'équilibre. Ces processus sont traduits
dans les équations de conservation par les termes G et R, qui caractérisent la création
(génération) et la disparition (recombinaison) des porteurs dans un semi-conducteur [17].
Une équation importante pour les considérations suivantes est l'équation de continuité, dans sa
forme générale pour la concentration d'un certain type de particule i ;

∂ni ( x )
= G ( x ) − R ( x ) − div j (x )
(I-9)
i i i
∂t

Cette relation exprime que la densité des particules ni de type i dans un élément de volume
à l'emplacement x augmente avec le temps lorsque ces particules sont produites à un taux Gi,

que ni diminue quand les particules à l'emplacement x sont anéantis au taux Ri, ou quand ils
s'échappent de l'élément de volume à l'emplacement x, parce que la densité de courant des
particules ji circulant vers la droite est supérieure à celle circulant vers la gauche, exprimée
par div ji >0 [18].
I.2.6.1 Génération :
Les électrons et les trous sont produits par des procédés qui peuvent fournir au moins

l’énergie minimum de génération εG d'une paire électron-trou. Cela comprend l'ionisation

par impact, dans lequel un électron (ou un trou) avec une énergie cinétique suffisante frappe
un électron lié (dans la bande de valence) hors de son état lié et le favorise à un état dans la
bande de conduction, en créant ainsi un électron et un trou. Le même processus pour exciter
un électron de la bande de valence à la bande de conduction peut se faire avec une vibration
du réseau géant fournissant l'énergie, ou par l'absorption d'un photon. En présence d'impuretés
fournissant des états d'énergies dans le gap d'énergie, l'excitation peut se dérouler en plusieurs

étapes et l’énergie générée εG peut être fournie en portions plus petites par des phonons ou
même des photons [18].
I.2.6.2 Recombinaison :
Les électrons qui se déplacent librement à travers le cristal ont tendance à se recombiner
avec les trous. De cette façon, les EHP disparaissent. Ce phénomène est appelé recombinaison
et sa vitesse est proportionnelle au nombre de trous et d'électrons libres existants. Lorsque la
recombinaison se produit, l'électron et le trou cessent d'être des porteurs libres. Au cours de ce
phénomène, l'électron transite dans un état d'énergie inférieure. Pour cela, il doit libérer un
quantum d'énergie égale à la différence de son origine et son état final [15]. Cette énergie peut
être classée en trois façons: radiative où l'émission d'un photon (lumière), non radiative où
l'émission d'un phonon (chaleur), et Auger où un transfert d'énergie cinétique à un autre
électron libre ou trou [10].
La recombinaison peut être caractérisée comme suit:
• Recombinaison directe (de bande à bande)
• Recombinaison indirect (de bande aux impuretés, avec l'aide de pièges)
• Recombinaison Auger
• Recombinaison de surface
Ces processus sont présentés dans la figure I-12.

recombinaison de recombinaison recombinaison de

bande à bande assistée par piège type Auger

Figure I.12 : Types de recombinaison [10].

I.2.6.2.1 Recombinaison directe :

La recombinaison directe est quand un électron dans la bande de conduction se combine
avec un trou dans la bande de valence, sans variation d'énergie cinétique de l'électron. Ce type
de recombinaison se produit dans les matériaux directs tels que le GaAs. Étant donné
qu'aucune quantité de mouvement n’est nécessaire le taux de recombinaison est le plus élevé.
La durée de vie d'un porteur est l'inverse de son taux de recombinaison, par conséquent, cette
durée de vie est très courte [15].
I.2.6.2.2 Recombinaison indirecte :
La recombinaison assistée par piège se produit lorsqu’un électron tombe dans un «piège»,
ou un niveau d'énergie au sein de la bande interdite résultant d'un défaut structural ou
impureté. Une fois que le piège est rempli, il ne peut accepter un autre électron. Les électrons
occupant le piège, dans un deuxième temps, s'installent dans des états de la bande de valence
vides, complétant ainsi le processus de recombinaison. On peut envisager ce processus
comme une transition en deux étapes d'un électron de la bande de conduction à la bande de
valence ou l’anéantissement de l'électron et le trou, qui se rencontrent dans le piège [19].
I.2.6.2.3 Recombinaison Auger :
Nous avons une recombinaison de type Auger, lorsque l’énergie de l’électron qui se
recombine dans la bande de valence est transférée sous forme d’énergie cinétique à un autre
électron libre. L’énergie transférée est libérée ensuite sous forme de phonons. Ce mécanisme
est prédominant pour les régions fortement dopées [12]. Cette recombinaison nécessite trois
particules: au moins un trou et un électron et la troisième peut être un trou ou un électron. Ce
type de recombinaison est similaire à la recombinaison de bande à bande, mais la troisième
particule reçoit l'énergie à partir de la recombinaison [10].
I.2.6.2.4 Recombinaison de surface :
Recombinaison au niveau des surfaces et des interfaces peuvent avoir un impact
significatif sur le comportement des dispositifs semi-conducteurs. C'est parce que les surfaces
et interfaces contiennent généralement un grand nombre de centres de recombinaison en
raison de l'interruption soudaine du cristal semi-conducteur, ce qui laisse un grand nombre
d'États électriquement actives. En outre, les surfaces et les interfaces sont plus susceptibles de
contenir des impuretés car elles sont exposées pendant le processus de fabrication du
dispositif [19].
Les recombinaisons en surface avant et arrière inhérentes aux densités de dopages selon la
relation suivante :

⎛
S = S0⎜ N ⎟⎞ α
⎝ (I-10)
N set ⎠

S0, Nset et α dépendent du traitement de la surface et de la passivation. Pour une

oxydation

thermique d’une couche de silicium de type-n, α est de 1 et Nset est de 1018 cm−3
[12].
I.3 Hétérojonction AlGaAs/GaAs :
I.3.1 Jonction de base PN :
L’implémentation réussite d'une jonction PN est essentielle dans l'électronique moderne
et les dispositifs à semi-conducteurs, y compris le transistor à jonction bipolaire (BJT) , le
transistor à effet de champ de structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET), le
redresseur , diode Zener, et les dispositifs photovoltaïques.
Une jonction PN est formée pour contrôler efficacement les caractéristiques électriques
d'un matériau [6]. On sait qu'elle ne permet le passage du courant que dans un sens [9], et
qu’elle est constituée de deux zones respectivement dopées P et N juxtaposées d'une façon
que nous supposerons abrupte (figure I-13), c'est à- dire que la transition de la zone P à la
zone N se fait brusquement. Lorsque l'on assemble les deux régions, la différence de
concentration entre les porteurs des régions P et N va provoquer la circulation d'un courant de
diffusion tendant à égaliser la concentration en porteurs d'une région à l'autre. Les trous de la
région P vont diffuser vers la région N laissant derrière eux des atomes ionisés, qui
constituent autant de charges négatives fixes.
Il en est de même pour les électrons de la région N qui diffusent vers la région P laissant
derrière eux des charges positives. Il apparaît aussi au niveau de la jonction une zone
contenant des charges fixes positives et négatives. Ces charges créent un champ électrique E
qui s'oppose à la diffusion des porteurs de façon à ce qu'un équilibre électrique s'établisse
[20].
La force qui maintient l'équilibre sans aucune force externe est la barrière de potentiel

intégré Vbi. Cette barrière maintient l'équilibre en séparant les électrons porteurs majoritaires

dans la région n et les électrons porteurs minoritaire dans la région P. De même, il sépare les
trous porteurs majoritaires dans la région P et les trous porteurs minoritaire dans la région N.
Parce que cette tension maintient l’équilibre et ne produit pas de courant. La représentation
mathématique de cette tension est [10]

kT ⎛ Na Nd ⎞
Vbi = ⎟ (I-11)
ln⎜ ni ⎠
2
q ⎝
Où
-3
Na est la concentration d’accepteur (cm ), Nd la concentration de donneur (cm-3), et q est la

charge élémentaire (C).

 La largeur de la région de déplétion (W) est également liée au niveau de dopage des deux
régions. Elle peut être calculée en utilisant l'équation (I-12) [6].

⎧⎪ 2 ε V
⎡N + 1/2
N ⎤ ⎫⎪
W = ⎨ s bi a d (I-12)
⎢ ⎥⎬
⎩⎪ ⎣ NaN d ⎦ ⎪⎭
e

Les valeurs typiques de la largeur de la région de déplétion est de 0.1 à 10 μm.

Figure I-13 : Représentation d'une jonction PN à l'équilibre [21]

I.3.2 Polarisation de la jonction en direct :

Si on polarise la jonction sous une tension directe Vdirect, elle réduit la hauteur de la

barrière qui devient (Vbi-Vdirect) entraînant une diminution de l’épaisseur W (dans l’équation

(I-12) Vbi est remplacé par (Vbi-Vdirect). De nombreux électrons de la région N et de trous de
la région P peuvent alors franchir cette barrière de potentiel et, se présentant alors dans un
“milieu hostile”, ils sont recombinés (figure I-14). Cette recombinaison consomme près de la
région de déplétion W des trous dans la région P (des électrons dans la région N). Pour rétablir
l’équilibre, les trous de la région neutre P se mettent en mouvement vers la zone où se produit
la recombinaison (déficit en trous). Les électrons de la région neutre N sont soumis à un
phénomène analogue [20].
 Figure I-14 : Jonction polarisée dans un sens direct [6].

Comme les porteurs majoritaires continuent à partir de la région N vers la région P, ils
deviennent minoritaires où ils diffusent et éventuellement se recombinent avec les trous
majoritaires. De même, les trous en permanence générés dans la région P seront disponibles à
se recombiner avec les électrons traversant la barrière de potentiel. Une partie du courant étant
produite est due à la saturation (IS) et une partie est due à la diffusion (ID).
Toutefois, dans l'état de polarisation direct le courant de diffusion est beaucoup plus grand
que le courant de saturation (l’équation (I-13)) en raison de la diminution de la région de
déplétion. La figure I-15 montre la caractéristique courant –tension (I-V) d'une jonction PN
dans l'état de polarisation directe.

ITotal = I S + I D ≈ I D (1-13)

Figure I-15 : Caractéristique I-V de la jonction PN en polarisation directe [6].

I.3.3 Polarisation de la jonction en inverse :
Si on polarise la jonction en sens inverse, la hauteur de barrière de potentiel entre les
régions P et N est renforcée par la tension extérieure inverse appliquée (Vinv) et devient
(Vbi+Vinv). Le champ électrique dans la région de charge d’espace augmente ainsi que son
épaisseur W (dans l’équation (I-12), Vbi devient Vbi+Vinv). Les porteurs majoritaires des
régions N et P n’ont pas l’énergie nécessaire pour sauter cette barrière de potentiel. La
jonction est alors traversée par un très faible courant de saturation IS. La (figure I-16) nous
montre l’origine du courant inverse de saturation IS de cette jonction [20].

Figure I-16 : Jonction polarisée dans un sens inverse [6].

La largeur de région de déplétion est donnée par l'équation (I-14).

⎧ 2ε (V + V ) ⎡
N 1/ 2
W =⎨ s + N ⎤⎫ (I-14)
R a d
⎢ ⎥⎬
bi

⎩ e ⎣ N a N d ⎦⎭

ITotal = I S + I D ≈ I S (I-15)

En cas de polarisation inverse, la probabilité qu'un électron aura suffisamment d'énergie

pour surmonter la barrière de potentiel est très faible et la jonction va agir comme un isolant,
en ne permettant pas le courant de circuler. Avec la croissance de la région de déplétion, le
courant de diffusion (ID) est très faible et le courant total dans le système est
approximativement égal au courant de saturation (IS) (l’équation (I-15)).
 Idéalement, ce courant serait égal à zéro, mais en réalité, il ya une petite quantité de
courant de saturation, comme illustré dans la figure I-17.

Figure I-17 : Caractéristique I-V de la jonction PN en polarisation inverse [6].

I.3.4 Hétérojonctions :
Les jonctions constituées par la mise en contact de deux régions différemment dopées
d’un même semi-conducteur, sont appelées homojonctions. Par contre, les jonctions réalisées
par la juxtaposition de deux matériaux différents sont appelées hétérojonctions [5]. La
réalisation d’hétérojonction s’effectue par la croissance cristalline d’un matériau sur l’autre et
nécessite l’utilisation de semi-conducteurs ayant des propriétés cristallines voisines (la taille
des atomes doit être notamment assez proche). Selon les matériaux utilisés pour les semi-
conducteurs, on peut distinguer deux types d’hétérojonctions.

Le schéma de la figure I-18 donne une description schématique des décalages de bandes
de conduction et de valence pour deux types d’hétérojonction.

a b
Figure I-18 : Diagrammes schématiques montrant deux types différents d'hétérojonction [22].
 Pour l'hétérojonction de type I (figure (I-18.a)), les offsets de bande pour la bande de
conduction et de valence agissent comme des barrières de potentiel et gardent les électrons et
les trous dans le matériau de plus petite bande interdite. Une énergie est donc nécessaire pour
faire déplacer les porteurs du matériau petite bande interdite au matériau grande bande
interdite. Les hétérojonctions (GaAs-AlGaAs, InP-InGaAs, Si-SiGe) sont des hétérojonctions
de type I. Les hétérojonctions de type II (figure (I-18.b)) dites à bande interdite décalée
favorisent le déplacement d’un seul type de porteurs.
Selon le type de dopage utilisé pour les semi-conducteurs, deux hétérojonctions se
distinguent :
⮚ L’hétérojonctions iso-types, pour lesquelles les deux semi-conducteurs sont de même
type de dopage [23], les porteurs qui diffusent dans la zone de charge d’espace sont
majoritaires, donc le courant total est celui des porteurs majoritaires [5].
⮚ L’hétérojonctions aniso-types, pour lesquelles les deux semi-conducteurs sont dopés
différemment [23], les porteurs qui sont émis thermiquement à l’interface d’un semi-
conducteur, deviennent dans l’autre des porteurs minoritaires [5].

I.3.5 L'hétérojonctions AlGaAs/GaAs :

L'hétérojonction constituée du matériau de grande bande interdite (dopé N), Al xGa1-xAs et
du matériau de faible bande interdite (non dopé) GaAs est la plus étudiée du fait de la facilité
relative de réalisation des couches épitaxiales. La figure I-19 représente la structure de bandes
de l'hétérojonction, avant et après contact.

Figure I-19 : Diagramme de bandes d'énergie de l'hétérojonction AlGaAs/GaAs [24].

 De chaque côté de l'hétérojonction formée, infiniment loin de l'interface, le diagramme de
bande doit tendre asymptotiquement vers chacun des diagrammes initiaux. Ceci implique la
courbure des diagrammes de conduction et de valence au voisinage de l'hétérojonction. Ces
courbures ont pour effet de créer un puits de potentiel qui permet le confinement des électrons
issus des donneurs du matériau de grande bande interdite (AlGaAs) dans le matériau de faible
bande interdite (GaAs).
L'étroitesse de ce puits (10 à 20 nm) induit la quantification des niveaux d'énergie dans la
direction perpendiculaire à la jonction et le mouvement des électrons se fait dans un plan
parallèle à l'hétérojonction.
I.3.6 Les composés binaires et ternaires :
I.3.6.1 Les composés binaires :
L'étude des propriétés des composés binaires, et en particulier celles de la structure des
bandes montre que les éléments les plus légers donnent des composés dont laquelle la bande
interdite est large et indirecte, et dans laquelle la masse effective des électrons est élevée.

Composé III-V Eg (ev) m * / m° μ (cm²/V.S) a (Aº)

7,5 - - 3,6150
BN
2,45 - - 5,4510
AlP
2,16 - - 5,6605
AlAs
1,58 0,12 20 6,1355
AlSb
2,0 - 0 4,5380
BP
3,36 0,19 - a=3,18
GaN
38 9

GaP 2,26 0,82 0 b=5,18

GaAs 1,42 0,067 5

GaSp 0,72 0,042 110 5,4512

InP 1,35 0,077 8800 5,653

InAs 0,36 0,023 5000 6,0959

InSp 0,17 0,0145 4600 5,8686
33000 6,0584
80000 6,4794

Tableau I-2 : Propriétés des principaux composés binaires III-V à 300 K° [17].
 Les composés contenant du Bore, de l'Aluminium ou de l'Azote entrent dans cette
catégorie; ils ont en général peu d'intérêt pour l'électronique rapide, qui demande des semi-
conducteurs à forte mobilité des porteurs ou pour l'optoélectronique où une structure de bande
directe est nécessaire pour que les transitions optiques soient efficaces. A l'autre extrémité, les
éléments lourds comme le Thallium ou le Bismuth donnent des composés à base de Galium
(GaAs, GaSb) ou d'Indium ( InP, InAs,InSb) dont les propriétés sont les plus intéressantes. Le
tableau (I-2) résume quelques paramètres pour différents matériaux de la famille III-V.
I.3.6.2 Les composés ternaires :
L'intérêt pratique des semi-conducteurs III-V est encore considérablement renforcé par la
possibilité de réaliser des alliages par substitution partielle de l'un des éléments par un autre
élément de la même colonne. On sait par exemple obtenir des alliages ternaires, qui sont
identifiés de la façon suivante :

Ax A’(1-x) B exemple: AlxGa1-xAs , lorsque la composition exacte compte peu, on écrit tout
court AlGaAs [17].
I.3.7 Le composé GaAs :
Le faible coût, la grande disponibilité, la grande conductivité thermique et la bonne qualité
de son oxyde ont fait du silicium le matériau clé de l’électronique. Toutefois, les semi-
conducteurs III-V sont rapidement apparus comme des matériaux de choix pour des
applications spécialisées. Notamment, l’arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d’indium
(InP) se sont distingués par leur grande mobilité électronique et leur bande interdite directe.
Leur grande mobilité électronique permet d’obtenir des dispositifs à haute rapidité de
commutation en électronique, alors que leur bande interdite directe favorise les transitions
optiques. Ces propriétés, communes à la plupart des matériaux III-V sont très prises dans
l’élaboration des dispositifs optoélectroniques [25]. Le GaAs cristallise dans une structure de
type zinc–blende (voir figure I-20). Il est formé de deux réseaux cubiques à faces centrées
identiques qui s’interpénètrent, l’un contenant les atomes de gallium ‘Ga’, l’autre l’atome de
l’arsenic ‘As’. Le décalage entre les deux réseaux est d’un quart de la diagonale principale du
cube. On a donc quatre paires d'atomes par cellule conventionnelle.
Les liaisons tétraédriques covalentes telles que les liaisons Si-Si par exemple ou
partiellement ioniques et partiellement covalentes telles que les liaisons Ga-As dans le cas qui
nous concerne sont la base de la structure zinc–blende. En effet, chaque atome est l'origine de
quatre liaisons orientées dans l’espace suivant les axes de symétrie d’un tétraèdre régulier,
comme le montre (figure I-20) [26].
 Figure I-20 : Structure cristalline du GaAs, liaison tétraédrique de
la structure Zinc–blende [27].

Ces conditions sont bien satisfaites pour certains semi-conducteurs, tel que l’arséniure de
gallium et le germanium, où le désaccord entre les paramètres cristallins est de l’ordre de
0.088% et les coefficients de dilatation ont des valeurs voisines, ainsi que pour le GaAs et le
AlxGa1-xAs, comme il est montré dans le tableau I-3.

Tableau I-3 : Propriétés physiques de quelques matériaux à 300 K° [5].

I.3.8 L’alliage AlGaAs :
L’alliage AlxGa1-xAs est une solution solide de GaAs et de AlAs (voir figure I-21). Les
paramètres physiques relatifs à cet alliage peuvent être obtenus par combinaison des
paramètres correspondants au GaAs et à l’AlAs. Les deux matériaux ont la même structure
cristalline. Avec des paramètres physiques voisins et se rejoignent pour une température de
900 °C environ.

Figure I-21 : Structure du GaAs, elle se compose de deux sous réseaux cubiques à faces
centrées, décalés d'un quart de la grande diagonale du cube, et occupés l'un
par l'anion (As), et l'autre par le cation (Al,Ga) [27].

La nature de la transition énergétique de l'alliage AlxGa1-xAs change selon le taux

d'aluminium x, avec 0 < x < 1. Pour une fraction d'aluminium inférieure à 0,45, la transition
de l'alliage est identique à celle du GaAs caractérisé par une transition directe. La transition
devient indirecte Quand le taux d'aluminium devient supérieur à 0,45. Les différents
paramètres physiques du AlxGa1-xAs sont donnés en fonction de la fraction x de l'aluminium.
À la température ambiante l'affinité électronique χ s'écrit [26] :

χ = 4 , 07
– 1 ,1 pou x π 0 , 45
x r (I-16)
et χ
= 3 , 64 – 0 ,14 x pou 0 , 45 π x π 1
r

Pour que deux matériaux puissent former une bonne hétérojonction, il est d'abord
nécessaire que les paramètres de maille soient aussi voisins que possible. A cet effet, le
matériau AlxGa1-xAs est très intéressant car, lorsque (x) varie de 0 à 1, c'est à dire lorsque l'on
passe de GaAs à AlAs, la structure de bande passe d'une bande interdite à gap direct de valeur
de 1.43 eV à une bande interdite à gap indirect de valeur de 2.16 eV, alors que la constante de
maille passe de 5.653 A° à 5.661 A°, soit une variation < 0.2%. Ainsi il est possible de faire
croître toutes les compositions sur le GaAs avec un accord de maille convenable.
La constante de maille et les bandes d'énergies en fonction de la composition (x) de
l'aluminium sont données par [17] :

Constante de maille (en A°) a = 5.6533 + 0.0078x (I-17)

E g = 1.424 + 1.155x + 0.37x 2

Bande interdite (en eV) (I-18)

⎧0.67x + 0.27x 2 x π 0.45

Discontinuité de Ec (en eV) ΔEC ⎨ (I-19)
= 0.475 − 0.45 π x π 1
⎩

⎪⎧0.413x + x π 0.45
Discontinuité de Ev (en eV) 0..166x 2 (I-20)
ΔEv = ⎨ 0.45 π x π 1
⎪⎩0.413 − 0.166x 2

I.3.9 Propriété optique :

I.3.9.1 Indice de réfraction :
Dans un matériau l’indice de réfraction se trouve généralement dans sa forme réelle.
Toutefois, il peut être trouvé sous sa forme complexe

n~ = n + jk
(I-21)
Avec
n~ : L’indice de réfraction complexe,
n : L’indice de réfraction réel,
k : Le coefficient d’extinction du matériau.
L’indice de réfraction caractérise la vitesse de propagation d’une radiation monochromatique
dans le matériau et est directement relié à la valeur du diélectrique du matériau. Il est définit
par:
c ν
n= =
ε
(I-22)
Avec
c : la vitesse de la lumière dans le vide,
ν : Vitesse de l’onde lumineuse dans un milieu ;
ε : Constante diélectrique.
I.3.9.2 Le coefficient d’extinction :
Le coefficient d'extinction d’un matériau, est une mesure qui caractérise la capacité du
matériau à absorber une onde électromagnétique à une longueur d’onde particulière.
le coefficient d'extinction, relie au coefficient d'absorption a par 1'expression :

λ
k= α
4π (I-23)

Le coefficient de réflexion normale du matériau s'écrit [28]:

2

R=
( n −1) + k 2
(I-24)
(n + 1 )2 + k 2

Les spectres des indices de réfraction en fonction de l’énergie du photon E ; n(E) et des
coefficients d’extinction k(E) pour l’AlGaAs sont présentés respectivement dans les graphes
de la figure I-22 pour différentes valeurs de la composition x.

Energie du photon E Energie du photon E

Figure I-22 : Spectres n (E) et k (E) pour AlGaAs avec les neuf compositions, de gauche à
droite lorsque x augmente [29].
 I.3.9.3 Le coefficient d’absorption:
L’énergie minimale nécessaire au photon incident pour provoquer la transition
électronique dépend de la largeur de bande interdite du matériau, c’est la raison pour laquelle
on détermine un coefficient d’absorption intrinsèque. Pour des photons d’énergie inférieure à
Eg, le coefficient d’absorption est négligeable et la radiation lumineuse traverse le matériau

avec une atténuation quasiment nulle.

A proximité du seuil d’absorption intrinsèque, le coefficient d’absorption est
proportionnel à la différence (hν - Eg ) :

α = B(hν – E g ) a (I-25)

L’indice a prend des valeurs différentes, selon que le matériau est à transition interbande
directe (a=1/2), ou indirecte (a=2). Le facteur multiplicatif B dépend du matériau.
Dans le cas du composé ternaire AlxGa1-xAs, le coefficient d’absorption change avec la

fraction molaire x. Une expression a été donnée dans la référence, peut être utilisé pour le
calcul du coefficient d’absorption, qui est en fonction de l’énergie du minimum des bandes
interdites :
α = 4.10 4.(E − E ) + 10 3.(E − E ) + 3,5.10 5 (E − E )
1/2 2 1/ 2
g1 g2 g (cm −1
(I-26)
)

Où
Eg1, Eg2 et Eg3 sont les énergies des bandes interdites minimums, données par :
Eg1 = 1.44 + 1.04x + 0.47x 2 (eV ) (I-27)
Eg 2 = 1.92 + 0.17x + 0.07x 2 (eV ) (I-28)
Eg 3 = 2.90 + 0.36x + 0.52x 2 (eV ) (I-29)

Le coefficient d’absorption en fonction de la composition x est représenté sur la figure (I-23).

L’influence des transitions interbandes indirectes sur le coefficient d’absorption est sensible à
partir d’une composition en aluminium supérieure à x=0.6.
 Figure I-23: Spectre d’absorption optique du composé AlxGa1-xAs [5].

I.4 Conclusion :
Dans ce chapitre, nous avons présenté une introduction de l'étude des cellules solaires, qui
sont des dispositifs pouvant être composés de différents matériaux semi-conducteurs. Des
notions générales sur les matériaux semi-conducteurs ont été présentées ainsi que les
propriétés générales des composés binaires (III-V) et ternaires destinés dans la conception des
cellules solaires à hétérojonction AlGaAs /. GaAs. Nous avons aussi clarifié certains concepts
sur les types de polarisation d’une jonction PN et la physique de l’hétérojonction
AlGaAs /. GaAs .