Chapitre1: Rappels
Ahmed CHITNALAH
Master GE1 2013/2014
Faculté des sciences et techniques Guéliz
Plan
• Diodes
• Transistors
• Amplificateurs différentiels
• Amplificateurs opérationnels
2
Diodes
• Description de la jonction PN
• Principe de fonctionnement
• Caractéristiques électriques
• Utilisation
• Autres diodes
Anode
ID
VD P
N Anneau de repérage
Cathoode
3
Diodes: Description de la jonction
4
Diodes: Description de la jonction
5
x
Diodes: Description de la jonction
V(x)
P VN
VD x
VP
N
w
6
Diodes: Description de la jonction
7
Diodes: Description de la jonction
8
Diodes: Caractéristique
9
Diodes : Caractéristique
10
Diodes : Caractéristique
• Modèle mathématique: Cette caractéristique
répond à l’équation suivante:
– Is est le courant de fuite
– q la charge de l'électron = 1,6 10-19C
– k constante de Boltzman = 1,38 10-23 J/K
– T température absolue
VVD
I D = IS e T − 1
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Diodes : Caractéristique
• Résistance dynamique: La résistance dynamique
étant l'inverse de la pente de la caractéristique
en un point donné, on peut la déduire par
dérivation de l’équation de la caractéristique :
VT
rd =
I DM
Elle est fonction du courant de polarisation IDM au
point étudié.
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Diodes: Schéma équivalent
Diode idéale
13
Diodes: Schéma équivalent
Diode parfaite:
14
Diodes: Schéma équivalent
Diode réelle linéarisée:
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Diodes: Applications
• Redressement monoaltérnance
– Diode idéale iD
3
2
1
e(t) vD(t) R vR(t)
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-1
-2
-3
3
2
1
0.01 0.02 0 .0 3 0 .0 4 0.05 0.06
-1
-2
-3
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Diodes: Applications
• Redressement monoaltérnance
– Diode parfaite
3 3
2 2
1 1
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-1 -1
-2 -2
-3 -3
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Diodes : Applications
• Redressement monoaltérnance
– Diode réelle
3
2
1 3
2
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
1
-1
-2 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-3 -1
-2
-3
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Diodes : Applications
• Redressement monoaltérnance
– Plus Filtrage
3
2
1
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-1
-2
-3
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Diodes : Applications
• Redressement double alternances
– Schéma
D1 vD1(t) D4 vD4(t)
e(t) u
D2 vD2(t) D3 vD3(t)
vR(t)
R
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Diodes : Applications
• Redressement double alternance
– Signaux 3
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-1
-2
-3
21
Diodes : Applications
• Redressement double alternance
– Filtrage
3
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-1
-2
-3
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Diode Zener
• Caractéristique ID
VZ
VD
Zone de coude
IZmin
ID
Zone Anode Cathode
d’utilisation
VD
IZmax
Zone de surcharge IRmax
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Diode Zener
• Stabilisateur de tension
– Amont
I IL
– Aval R IZ
Ve RL Vs
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Les transistors
• Transistors bipolaires
– Structure et paramètres
– Fonctionnement
– Applications
• Transistors à effet de champ
– Principe
– Fonctionnement
– MOS
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Les transistors bipolaires
• Structure
Transistor PNP Transistor NPN
E E
diode « EB » diode « EB »
émetteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes
P N
collecteur
diode « BC » diode « BC »
C C
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Les transistors bipolaires
• Etude quantitative
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Les transistors bipolaires
• Si VBE > ~ 0.7V , JBE passante VBE ~ 0.7V, IE >> 0
• La JBE est dissymétrique (dopage plus élevé côté E)
è courant dû aux e- (peu de trous circulent de B vers E)
• VCC > 0, JBC “bloquée” => champ intense à l’interface B/C
• La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base
sont collectés par le champ
è IC ~IE et IB = IE -IC << IE
RE
E N+ P N C
RC
IE r
e- E IC
VEE IB VCC
B
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Les transistors bipolaires
• Caractéristiques émetteur commun
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Les transistors bipolaires
• Caractéristique d’entrée
~ caractéristique d’une jonction PN
IB (µA)
V
VCE= 0.1V I E ≅ I s exp BE − 1
VT
3
! très peu d’influence de IC (resp. VCB)
1.5
> 1V
0.5 VBE (V)
0
0.1 0.2 0.3
Jonction BE bloqué Jonction BE passante
IE ~ 0, VBE < 0.5 V IE >0, VBE ≈ 0.6-0.7V= « Vo »
30
Les transistors bipolaires
• Caractéristique de sortie
Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA
10µA
1
5µA
VCE (V)
1 3 5 Transistor bloqué
IC = “ICO”
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Les transistors bipolaires
• Schéma équivalent
32
Les transistors bipolaires
• Modèle simplifié pour faibles signaux
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Les transistors bipolaires
• Limites
– Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)
– Puissance maximale dissipée : Pmax =VCE IC
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Les transistors bipolaires
• Effet de la température
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Les transistors bipolaires
• Effet de la température
– La caractéristique d’une jonction PN dépend de la
température
– les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T
– VBE, à IB,E constant, diminue avec T ou réciproquement :
pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T
• Risque d’emballement thermique
T ↑⇒ I C ↑ ⇒ Puissance dissipée ↑ ⇒ T ↑ L
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Les transistors bipolaires
• Circuits de polarisation
l Fixe le point de repos (ou de fonctionnement statique) du
transistor
l Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit.
l Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du
transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)
l Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :
sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du
transistor (incertitude sur hFE ,… )
stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du
transistor :VBE, hFE,…).
37
Les transistors bipolaires
• Circuit de base Vcc − VBE Vcc − 0.7
IB = ≅
RB RB
RC Q: Ic =hFEIB et VCE=Vcc−RcIc
RB
VCC
Conséquence : ∆ hFE ⇒ ∆ Ic ⇒ ∆ VCE
→Le point de repos dépend fortement de hFE = inconvénient majeur
→ Circuit de polarisation peu utilisé.
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Les transistors bipolaires
• Polarisation par pont +VCC
+VCC
Vth − Vo R1 RC Rc
IC ≈ I E ≅
RE + Rth / hFE Rth
(Vo~0.7V) R2
Vth
RE
VCE = VCC − (RC + RE )I C
Vth =
R2
VCC
Rth = R1 // R2
R1 + R2
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40
Les transistors bipolaires
• Schéma équivalent
41
Les transistors bipolaires
• Schéma équivalent
42
Les transistors bipolaires
• Paramètres de l’amplificateur
43
Les transistors bipolaires
• Capacité de jonction
• La capacité de diffusion Cd, qui est associée aux
variations de la charge totale transportée par les
porteurs majoritaires qui diffusent dans les régions
neutres.
44
Les transistors bipolaires
• Schéma équivalent de Giacoletto
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Les transistors bipolaires
• Comportement HF
• Ces capacités parasites shuntent (court-circuitent) les
jonctions Base-Émetteur et Base-Collecteur, limitant ainsi le
fonctionnement de l’amplificateur à une fréquence haute fH.
• La capacité la plus critique pour le montage ci-dessus est cbc,
comme le montre le théorème de Miller.
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Les transistors bipolaires
• Transistor en commutation
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Les transistors bipolaires
• Boitiers
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Les transistors à effet de champ
• Principe
Source Grille Drain
P
N
Grille
49
Les transistors à effet de champ
• Principe +
– zone de déplétion
S G D
P
N N N
G
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Les transistors à effet de champ
• Fonctionnement
• VGS=0 et VDS faible
S G D
• IDS proportionnel à VDS
• Zone ohmique P
N N N
51
Les transistors à effet de champ
• VDS augmente jusqu’à VDS =
VP, il se produit un
étranglement du canal.
• VP dépend de la construction
du FET, de sa géométrie
• IDSS : courant de drain
maximum ou de saturation
• Si VDS > |VP|, IDSS demeure à
peu près constant ( source de
courant )
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Les transistors à effet de champ
• Caractéristique IDS=f(VDS)
53
Les transistors à effet de champ
• Pour une tension VGS négative et que VDS > 0V,
l’étranglement se produira à une tension VGD = VP
où VGD = VGS - VDS
• Pour chaque valeur de VGS < 0, il se trouve un
point VDS pour lequel se produit l’étranglement
tel que :
VGS – VDS = VP
où VGS ≤ 0V, VDS > 0V et VP < 0V
• Ces points se trouvent sur une parabole qui
délimite la région linéaire de la région de
saturation
54
• Caractéristiques
55
Les transistors à effet de champ
• Modèle électrique équivalent
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Les transistors à effet de champ
• Lorsque la grille est
isolée du barreau par
une couche d’oxyde
(SiO2) on obtient un
MOS-FET.
• Le canal est créé par
champ électrique.
• Canal N, et donc NMOS.
Le champ crée un canal d’électrons porteurs minoritaires
responsables du courant entre D et S.
Leur nombre est d’autant plus grand que VG est grand.
On parle de MOS à enrichissement.
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Les transistors à effet de champ
• Le MOS N “appauvrissement” est normalement conducteur
pour VGS = OV.
• Pour rétrécir le canal, il faut l’appauvrir en électrons, en
repoussant ces porteurs par une tension VGS<0.
• Pour VGS ≤ VT ( tension de seuil négative) il se rétrécit
complètement et le MOS est bloqué. Fonctionnement
analogue au JFET.
58
