Scribd
Importer
161 vues8 pages

TP 1

Ce document décrit un TP sur les cellules solaires au CIGS. Il présente le schéma équivalent d'une cellule solaire et les paramètres clés comme le courant de court-circuit, la tension à circuit ouvert et le facteur de forme. Le TP étudie l'effet de l'épaisseur de la couche absorbante CIGS et de l'énergie de gap sur les performances photovoltaïques.

Transféré par

حمداوي عبد الباسط
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats DOCX, PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
161 vues8 pages

TP 1

Ce document décrit un TP sur les cellules solaires au CIGS. Il présente le schéma équivalent d'une cellule solaire et les paramètres clés comme le courant de court-circuit, la tension à circuit ouvert et le facteur de forme. Le TP étudie l'effet de l'épaisseur de la couche absorbante CIGS et de l'énergie de gap sur les performances photovoltaïques.

Transféré par

حمداوي عبد الباسط
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats DOCX, PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche


scientifique
Université Amar Thelidji – Laghouat

Faculté des Sciences
Département d’Electronique
Option : Master microelectronique

TP 1 :

Réalisé par :
Grinat Hisham
Allaoui lakhdhar
Encadré par:
Mahoub Abdel hafidh

Promotion : 2020/2021
Partie théorique :

1/ schéma électrique équivalent d une cellule solaire :

2/ le rôle de chaque compassant constituant ce générateur :

La cellule PV se comporte comme un générateur mixte qui donne un courant


et une tension.

Le circuit équivalent contient quatre composantes; un générateur de courant


monté en parallèle sur deux diodes qui a un facteur d'idéalité n qui varie de 1
jusqu'a 2, et deux résistances de fuite, une montée en série et l'autre en
parallèle

La résistance série Rs est liée à l'impédance des électrodes et du matériau;


il en résulte que la tension V aux bornes de la cellule est différente de la
tension aux borne de la jonction PN

La résistance shunt Rsh correspond à la fuite de courant entre les deux


zones N et P de la jonction; il en résulte qu'une partie du courant Iph sera
dérivée par cette résistance et ne pourra être délivrée à la charge.

3/ expression du courant debité par la photopile

4/ Courant de court-circuit
Tension à circuit ouvert VOC

5/ Im

Vm

6/ facteur de forme FF

Rendement de conversion

7/ La réponse spectrale : est la valeur du courant de court-circuit


scJ de la cellule par unité de flux monochromatique incident.
 La partie Pratique :

1. Effet de l’épaisseur de l’absorbeur ( la couche p-CIGS) :

a. Représenter la variation de la densité de courant en fonction de la tension


de polarisation Iv pour différentes épaisseurs de l’absorbeur ( w= 0.5 , 1 ,
1.5 , 2 µm) :

CIGS 0.5 1 1.5 2


Icc 29,65 31,64 32,75 33,40
Vdc 0,56 0,59 0,60 0,60
FF 76,28 78,23 78,87 79,17
ɳ% 12,89 14,64 15,54 16,05

b. Représenter l’effet de l’épaisseur de l’absorbeur sur les paramètres PV


( Jsc , Voc , FF est le rendement ) :
c. Représenter l’effetde l’épaisseur de la couche absorbante sur la réponse
spectrale :
2. Effet du l’énergie du gap de l’absorbeur CIGS :

a. Représenter l’effet de l’énergie du gap de la de la couche absorbante sur


la réponse spectrale pour Eg = 1.1 est 1.2 1.3 ev

CIGS 1.1 1.2 1.3


Voc 0.6071 0.7061 0.8086
Icc 33.40 33.38 33.44
FF 79.17 80 81.40
ɳ% 16.05 19.00 22.02

b. Représenter la variation de la densité de courant en fonction de la tension


de polarisation Iv pour différentes énergie du gap pour Eg 1.1 est 1.2 est
1.3

Vous aimerez peut-être aussi