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Etude des pertes dans les enroulements des composants

passifs planaires
Awat Atteïb Abderahim

To cite this version:

Awat Atteïb Abderahim. Etude des pertes dans les enroulements des composants passifs planaires.
Electromagnétisme. Université de Lyon, 2016. Français. �NNT : 2016LYSES056�. �tel-01971472�

HAL Id: tel-01971472

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Submitted on 7 Jan 2019

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abroad, or from public or private research centers. publics ou privés.
THÈSE
Pour obtenir le grade de
DOCTEUR DE L’UNIVERSITÉ DE LYON
Opéré par
L’UNIVERSITÉ JEAN MONNET DE SAINT- ÉTIENNE
Discipline : Optique Photonique Hyperfréquence
Présentée et soutenue publiquement le 14 Novembre 2016
Par

ABDERAHIM Awat Atteïb

Etude des pertes dans les enroulements des composants passifs
planaires

Directeur de thèse :

Jean Jacques ROUSSEAU

Co-directeur :

Jean Pierre CHATELON

Composition du Jury :
Président : Bruno SAUVIAC Professeur LabHC Université Jean Monnet, Saint-Etienne
Rapporteurs : Marie-Ange RAULET Maitre de Conférences HDR Laboratoire Ampère UCB Lyon
Erick LABOURE Professeur Laboratoire GeePs CentralSupélec ORSAY Université Paris 11- Sud

Examinateurs : Gaël PILLONNET Ingénieur de Recherche HDR CEA-Leti

Jean Jacques ROUSSEAU Professeur LabHC Université Jean Monnet, Saint-Etienne
Jean Pierre CHATELON Maitre de Conférence HDR LabHC Université Jean Monnet, Saint-Etienne

Laboratoire Hubert Curien, UMR . CNRS . 5516 . SAINT-ÉTIENNE

DEDICACES ET REMERCIEMENTS

DEDICACES

Je dédie ce travail à :
- mon défunt père Awat Atteib ;
- ma mère Kaltouma Brahim ;
- mon épouse Noura Abdoulaye ;
- ma sœur Fatimé Awat et ses filles ;
- ma sœur Zara Awat et ses enfants ;
- ma sœur Maïmouna Awat ;
- mon frère Ahmat Awat et ses enfants ;
- ma sœur Madina Awat et ses enfants ;
- mon frère Mahamat Awat et ses enfants ;
- mon frère Atteïb Awat et ses enfants ;
- ma sœur Zenaba Awat et ses enfants ;
- mon grand frère Kebzabo Saleh et sa famille ;
- mon frère Outman Mahamat Hassan et sa famille ;
- mes 8.9 fils ;
- mon défunt ami Mahamat Annil.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne

DEDICACES ET REMERCIEMENTS

REMERCIEMENTS
Je remercie avant tout Dieu le tout puissant qui m’a donné la force et le courage
d’arriver au terme de ce travail qui a été accompli au laboratoire Hubert Curien de l’université
Jean MONNET de Saint-Etienne, sous la direction du Professeur Jean Jacques ROUSSEAU
et le maître de conférences Jean Pierre CHATELON.
Tout d’abord, j’adresse mes remerciements à mon Directeur de thèse le professeur
Jean Jacques ROUSSEAU d’avoir accepté m’encadrer en me proposant ce sujet de recherche.
Qu’il reçoive ici mes gratitudes pour ses mérites scientifiques, ses qualités pédagogiques, sa
vitalité et sa disponibilité qui m’ont permis d’achever cette étude dans une convivialité sans
égale.
Mes reconnaissances vont aussi à l’endroit de mon co-directeur, le maître de conférences Jean
Pierre CHATELON pour ses contributions qui ont été d’une grande importance sur la qualité
de ce travail.
Je tiens à remercier le président du jury, les rapporteurs et tous les membres du jury
d’avoir accepté de juger ce travail.
Mes chaleureux remerciements s’adressent à l’ASG, au DASE et à l’équipe du TMG pour
leurs soutiens financier et moral, plus particulièrement André MESTEERS, Daniel
FOUQUET et Olivier FLAMANT.
J’exprime mes profonds remerciements à Stéphane CAPRARO, Bernard BAYARD,
François ROYER, Mme Irène PHENG, Damien JAMON et Mme Marie-Francoise BLANC-
MIGNON pour leurs contributions et collaborations techniques.
Je n’oublie pas les docteurs, doctorants, stagiaires et secrétaire avec qui j'ai eu à
travailler au sein de l’’équipe composants passifs pendant les trois années. Il s’agit de [Link],
Khamis Y.K, Mahamat.H.B, Amir M.A, F. Gambo, Faouzi K, Badreddine O, Billal, Zana K,
Nicole D, Lamai N, Aht Idriss G, Koularambaye, Zaki S, Danoumbé B, Taha M, Ouzer N,
Arafat O, Mahamout B, Boukhari M, Djido A, Basma, Asma et Nathalie P.
Mes vifs et sincères remerciements s’adressent au personnel du rectorat de
l’Université de N’djamena à leur tête le Dr Ali Abderaman Haggar, à celui de la FSEA plus
particulièrement Dr Tchadanay New Mahamat, Dr Adoum Issac, Dr Mahamat Ahmat, Dr
Nadjitonon, Kaltouma, Habib Abdelaziz.
Mes remerciements particuliers à DABOULAYE Djimoudjebaye, Dr Ahmat
Charfadine, Dr Malloum Soultan, Pr Mahamoud Youssouf Khayal, Dr Abakar Mht Tahir et
Zakaria Bakhit.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne

DEDICACES ET REMERCIEMENTS

Je remercie chaleureusement ma mère, mon épouse, mes frères, mes sœurs et mes
amis : Mahamat Khalil bouroudou, Oumar Ahmat Djarma, Ahmat IbédAllah, Yaya
Abdelfakhara, Ahmat Hassan Mouftah, Adoum Sabo, Abdassamad Aoudjali, Mahamat Bahar
Guichmit, Mahamt Abdoulaye Djido, Mahamat Amine Tadjadine, Oulech Moustapha,
Mahamat Youssouf Chara, Mahamat Hassan Abdelaziz, Tidjani Hissein, Issa Hissein, Ahmat
Attor, Arbi Tahir, Soumaïn, Oumar Abdoulaye Saleh, Ahmat Djouroun, Hissein Karar, et
Koursi pour leur soutien moral.

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SOMMAIRE GENERAL

INTRODUCTION GENERALE .............................................................................. 1

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

.................................................................................................................................................... 8
I. GENERALITES SUR LES INDUCTANCES ET LES TRANSFORMATEURS ...... 8
I.1. Inductance .................................................................................................................. 8
I.1.1. Définition .............................................................................................................. 8
I.1.2. Principales caractéristiques ................................................................................... 9
I.1.3. Inductances classiques .......................................................................................... 9
I.1.4. Inductances planaires .......................................................................................... 10
I.2. Transformateur........................................................................................................ 11
I.2.1. Définition ............................................................................................................ 11
I.2.2. Transformateur planaire ...................................................................................... 12
II. CONSTITUTION DES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES ............ 12
II.1. Matériaux ................................................................................................................ 12
II.1.1. Matériaux Conducteurs...................................................................................... 12
II.1.1.1. Pertes dans les conducteurs ........................................................................ 13
II.1.2. Matériaux diélectriques ou Isolants ................................................................... 13
II.1.3. Matériaux magnétiques...................................................................................... 13
II.1.3.1. Intérêts des matériaux magnétiques ............................................................ 13
II.1.3.2. Pertes ferromagnétiques ............................................................................. 13
II.2. Empilement des couches ........................................................................................ 15
II.2.1. Empilement des couches dans une inductance .................................................. 15
II.2.1.1. Inductances à une couche de matériau magnétique .................................... 15
II.2.1.2. Inductances à deux couches de matériaux magnétiques ............................. 15
II.2.2. Empilement des couches dans un transformateur à matériau magnétique ........ 16
II.3. Différentes topologies des composants magnétiques planaires .......................... 17
II.3.1. Exemple de topologies pour les inductances ..................................................... 17
II.3.2. Exemple de topologies pour les enroulements transformateurs ........................ 18
III. APPLICATIONS VISEES .......................................................................................... 18
III.1. L’intégration ......................................................................................................... 18

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne

SOMMAIRE GENERAL

III.1.1. Intégration monolithique « fonctionnelle classique » ...................................... 19

III.1.2. Intégration Hybride .......................................................................................... 19
III.2. Domaines d’application ........................................................................................ 19
III.2.1. En électronique de puissance ........................................................................... 19
Exemple : Alimentation à découpage....................................................................... 20
III.2.2. Domaine du traitement du signal ..................................................................... 21
Exemple sur l’oscillateur .......................................................................................... 21
IV. REALISATION ........................................................................................................... 21
IV.1. Inductance sans matériau magnétique ou à air ................................................. 22
IV.2. Inductance à une couche de matériau magnétique ............................................ 22
IV.3. Inductance PDMA ................................................................................................ 23
Conclusion ........................................................................................................................... 23

BIBLIOGRAPHIE ......................................................................................................... 25

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTE FREQUENCE

.................................................................................................................................................. 29
I. LES PERTES EN HAUTES FREQUENCES .............................................................. 29
I.1. Effets de peau ........................................................................................................... 29
I.2. Effets de proximité ................................................................................................... 31
II. COMPOSANTS BOBINES .......................................................................................... 33
III. LES COMPOSANTS PLANARS............................................................................... 40
IV. LES COMPOSANTS PLANAIRES INTEGRES ..................................................... 42
V. NOUVELLE METHODE DE DETERMINATION DE LA RESISTANCE SERIE
.............................................................................................................................................. 53
V.1. Schéma équivalent retenu ...................................................................................... 53
V.2. Extraction des éléments du modèle ....................................................................... 54
V.3. Précisions sur les résultats (sensibilité des Sij) .................................................... 59
Conclusion ........................................................................................................................... 63

BIBLIOGRAPHIE ......................................................................................................... 64

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN OEUVRE ................................. 71

I. SIMULATION SOUS HFSS .......................................................................................... 71

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SOMMAIRE GENERAL

I.1. Le simulateur HFSS ................................................................................................ 72

I.1.1. Procédure d’une simulation sous HFSS .............................................................. 72
I.1.2. Paramètres importants de simulation .................................................................. 73
I.1.2.1. Le critère de convergence ∆Smax .................................................................. 73
I.1.2.2. Le nombre d’itération maximum ................................................................. 73
I.1.2.3. La fréquence de maillage ............................................................................. 73
I.1.2.4. Le taux d’augmentation du nombre de mailles par passe ............................ 74
I.1.2.5. L’option de solution : l’ordre de fonctions de base ..................................... 74
I.1.2.6. Les conditions aux limites ........................................................................... 74
I.2. Structures étudiées................................................................................................... 74
I.2.1. Inductance à air ................................................................................................... 75
I.2.2. Inductance à une couche ..................................................................................... 77
II. REALISATION D’INDUCTANCES .......................................................................... 78
II.1. Inductance à air ...................................................................................................... 78
II.1.1. Constitution ....................................................................................................... 78
II.1.2. Principales étapes technologiques ..................................................................... 78
II.1.2.1. Substrat alumine ......................................................................................... 78
II.1.2.2. Dépôt du cuivre .......................................................................................... 78
a- Nettoyage ...................................................................................................... 80
b- Dépôt de la résine et recuit 1 ....................................................................... 80
c- Insolation et recuit 2 .................................................................................... 80
d- Révélation et recuit final .............................................................................. 81
II.1.2.4. Gravure ....................................................................................................... 81
II.1.2.5. Dorure ......................................................................................................... 82
II.1.2.6. Bonding ...................................................................................................... 82
II.1.3. Bilan................................................................................................................... 83
II.2 : Inductance à une couche magnétique ................................................................. 84
II.2.1. Constitution ....................................................................................................... 84
II.2.2. Préparation de la couche magnétique ................................................................ 85
II.2.2.1. Le collage et sciage..................................................................................... 85
II.2.2.2. Le rodage .................................................................................................... 85
II.2.2.3. Le polissage et profilomètrie ...................................................................... 85
II.2.3. Bilan................................................................................................................... 86
III. OUTILS DE CARACTERISATION ......................................................................... 87

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne

SOMMAIRE GENERAL

III.1. Caractérisation en basses fréquences ................................................................. 87

III.1.1. Banc de caractérisation basse fréquence et caractéristiques ............................ 87
III.1.2. Méthode et moyens de mesure ......................................................................... 88
III.1.3. Techniques de mesure 4 pointes....................................................................... 89
III.1.4. Calibrage .......................................................................................................... 91
III.1.5. Conditions de mesure ....................................................................................... 91
III.2. Caractérisation en hautes fréquences ................................................................. 92
III.2.1. Banc de caractérisation haute fréquence .......................................................... 92
III.2.2. Principe de caractérisation de l’analyseur vectoriel de réseaux ....................... 93
III.2.3. Calibrages ......................................................................................................... 94
III.2.3.1. Méthodes de calibrage ............................................................................... 95
III.1.3.2. Méthode choisie ........................................................................................ 95
Conclusion ........................................................................................................................... 95

BIBLIOGRAPHIE ......................................................................................................... 97

CHAPITRE IV : RESULTATS .............................................................................. 101

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne

SOMMAIRE GENERAL

I.2.3. Comparaison entre simulation et mesure de la résistance r(f) .......................... 123

I.2.4. Mise en évidence des effets de peau et de proximité ........................................ 124
II. COMPOSANTS AVEC PERTES FER..................................................................... 125
II.1. Comparaison entre simulation et mesure de la résistance r(f) ........................ 127
II.2. Séparation des pertes fer et des pertes cuivre ................................................... 128
II.3. Etude de l’évolution des pertes ........................................................................... 130
II.4. Mise en évidence des effets de peau et de proximité ......................................... 134
Conclusion .......................................................................................................................... 136

BIBLIOGRAPHIE ....................................................................................................... 138

CONCLUSION GENERALE & PERSPECTIVES.................................... 140

PUBLICATIONS .......................................................................................................... 144

ANNEXES ....................................................................................................................... 145
RESUME ......................................................................................................................... 149

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne

INTRODUCTION GENERALE

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 1

INTRODUCTION GENERALE

INTRODUCTION GENERALE
De nos jours, l’évolution de la technologie est basée sur la miniaturisation et l’intégration des
composants électroniques. Les composants magnétiques planaires (inductance et
transformateur) occupent une place importante dans certains circuits intégrés utilisés en haute
fréquence. Ils sont parfois indispensables et de leurs performances découlent celles de
certaines applications comme les convertisseurs. Leur miniaturisation et leur intégration vont
de pair avec celle des circuits électroniques qui sont de plus en plus sophistiqués, surtout pour
les appareils portables.
De nombreuses études scientifiques ont été faites pour la compréhension et la modélisation du
comportement électrique des inductances. Ces études ont permis d’identifier les différents
mécanismes à l’origine de pertes dans les composants, avec pour objectif de limiter ces
dernières pour optimiser les performances et les dimensionner selon les besoins. La plupart de
ces études ont concerné la détermination des pertes dans les inductances bobinées. Quelques
études se sont également intéressées aux composants planar et aux inductances intégrées. La
détermination à partir de mesures ou de simulations de la résistance r(f) en fonction de la
fréquence constitue à ce jour un sujet d’étude à part entière.
Pour contribuer à la résolution de ce problème, l’objectif de cette thèse est de faire une étude
approfondie des pertes et proposer une méthode de détermination prenant en compte toutes
les pertes dans le bobinage et applicable sur toutes les structures planaires quel que soit
l’intervalle de fréquences utilisé.
Pour atteindre l’objectif de nos travaux, ce manuscrit est subdivisé en quatre chapitres :

Le premier chapitre introduira les composants passifs planaires particulièrement les

inductances et les transformateurs. Dans cette partie nous abordons les généralités sur les
inductances et les transformateurs ainsi que les différentes toplogies planaires. La constitution
de ces composants planaires, réalisés au moyen d’un empilement de couches sera également
abordée. Les différents matériaux utilisés (isolant, conducteur, magnétique) ainsi que leurs
principales caractéristiques seront présentés. Leur intégration dans les différents domaines
d’application et leurs principales caractéristiques seront détaillées avant de clôturer le chapitre
par quelques exemples de réalisation.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 2

INTRODUCTION GENERALE

Le second chapitre étudiera les problèmes rencontrés en haute fréquence plus

précisement les pertes. Au cours de cette étude, nous décrivons les origines des différentes
pertes dans les enroulements en haute fréquence comme les pertes dues aux effets de peau et
de proximité. La détermination de ces pertes dans les structures des technologies bobinées,
planar et planaires intégrées et les solutions classiquement envisagées pour les minimiser dans
la littérature seront aussi présentées. La présentation d’une nouvelle méthode que nous
proposons pour la détermination des pertes en haute fréquence dans les composants planaires
achèvera le chapitre.

Les moyens expérimentaux d’étude de nos inductances planaires à air et à une couche
magnétique que sont l’outil de simulation, les moyens technologiques de réalisation et les
outils de caractérisation disponibles au Laboratoire seront exposés dans le troisième chapitre.
Notons que l’inductance à air est composée d’un bobinage de cuivre déposé sur un substrat
d’alumine et l’inductance à une couche de matériau magnétique est composée d’un bobinage
de cuivre déposé sur un substrat de matériau magnétique collé sur du verre.
Nous présentons dans ce chapitre :
- l’outil de simulation HFSS d’une manière générale, et les éléments indispensables
comme le Design et autres procédures obligatoires de simulation ;
- les moyens technologiques utilisés pour la fabrication de ces inductances tels que le
procédé de dépôt de cuivre, le principe de la photolithographie nécessaire à l’obtention
des motifs désirés et les techniques de préparation de la couche de matériau
magnétique notamment le collage, le rodage, le sciage, et le polissage ;
- les outils de caractérisation utilisés en basse et haute fréquences respectivement, le
LCR mètre 4284 (20Hz – 1MHz) et l’analyseur vectoriel de réseaux Agilent ZVA67
(10MHz – 67GHz), les bancs de mesure, leurs fonctionnements, leurs principes de
mesure et les méthodes de calibrage.

Le quatrième et dernier chapitre présentera les résultats de nos travaux effectués sur les
composants sans pertes fer (inductances à air à plusieurs spires et inductances à une spire en
oméga) ainsi que les composants avec pertes fer (inductances à une couche de matériau
magnétique). Ces résultats sur la détermination des pertes par effet Joule dans le bobinage à
l’aide la nouvelle méthode obtenus à partir des simulations, seront confrontés à ceux obtenus
à partir des mesures. L’interprétation et la justification des résultats obtenus nous permettront

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 3

INTRODUCTION GENERALE

de valider notre approche, cette nouvelle méthode étant appliquée et testée sur différentes
structures d’inductances.
Une conclusion générale et des perspectives possibles mettront un terme au manuscrit.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 4

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES

PLANAIRES

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 5

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

SOMMAIRE CHAPITRE I
CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES
.................................................................................................................................................... 8
I. GENERALITES SUR LES INDUCTANCES ET LES TRANSFORMATEURS ...... 8
I.1. Inductance .................................................................................................................. 8
I.1.1. Définition .............................................................................................................. 8
I.1.2. Principales caractéristiques ................................................................................... 9
I.1.3. Inductances classiques .......................................................................................... 9
I.1.4. Inductances planaires .......................................................................................... 10
I.2. Transformateur........................................................................................................ 11
I.2.1. Définition ............................................................................................................ 11
I.2.2. Transformateur planaire ...................................................................................... 12
II. CONSTITUTION DES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES ............ 12
II.1. Matériaux ................................................................................................................ 12
II.1.1. Matériaux Conducteurs...................................................................................... 12
II.1.1.1. Pertes dans les conducteurs ........................................................................ 13
II.1.2. Matériaux diélectriques ou Isolants ................................................................... 13
II.1.3. Matériaux magnétiques...................................................................................... 13
II.1.3.1. Intérêts des matériaux magnétiques ............................................................ 13
II.1.3.2. Pertes ferromagnétiques ............................................................................. 13
II.2. Empilement des couches ........................................................................................ 15
II.2.1. Empilement des couches dans une inductance .................................................. 15
II.2.1.1. Inductances à une couche de matériau magnétique .................................... 15
II.2.1.2. Inductances à deux couches de matériaux magnétiques ............................. 15
II.2.2. Empilement des couches dans un transformateur à matériau magnétique ........ 16
II.3. Différentes topologies des composants magnétiques planaires .......................... 17
II.3.1. Exemple de topologies pour les inductances ..................................................... 17
II.3.2. Exemple de topologies pour les enroulements transformateurs ........................ 18
III. APPLICATIONS VISEES .......................................................................................... 18
III.1. L’intégration ......................................................................................................... 18
III.1.1. Intégration monolithique « fonctionnelle classique » ...................................... 19
III.1.2. Intégration Hybride .......................................................................................... 19
III.2. Domaines d’application ........................................................................................ 19

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 6

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

III.2.1. En électronique de puissance ........................................................................... 19

Exemple : Alimentation à découpage....................................................................... 20
III.2.2. Domaine du traitement du signal ..................................................................... 21
Exemple sur l’oscillateur .......................................................................................... 21
IV. REALISATION ........................................................................................................... 21
IV.1. Inductance sans matériau magnétique ou à air ................................................. 22
IV.2. Inductance à une couche de matériau magnétique ............................................ 22
IV.3. Inductance PDMA ................................................................................................ 23
Conclusion ........................................................................................................................... 23

BIBLIOGRAPHIE ......................................................................................................... 25

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 7

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES

PLANAIRES
Introduction
Les composants magnétiques planaires (inductance et transformateur) jouent des rôles très
importants dans les circuits électroniques. Ils sont parfois indispensables et leurs
caractéristiques recherchées sont fonction des applications dans lesquelles ils s’intègrent. Leur
miniaturisation et leur intégration vont de pair avec celle des circuits électroniques qui sont de
plus en plus sophistiqués, surtout pour les appareils portables.
Dans ce chapitre, nous abordons les généralités sur les composants planaires :
- le premier paragraphe sera consacré aux généralités sur les inductances et les
transformateurs d’une manière générale, plus précisément leurs définitions et
caractéristiques ;
- le second traitera de la constitution des composants magnétiques planaires, particulièrement,
les matériaux qui entrent dans leurs constitutions, l’empilement des couches et les différentes
topologies suivants lesquelles ces composants sont réalisés.
- le troisième paragraphe sera réservé aux applications visées que sont l’électronique de
puissance et le domaine du traitement du signal.
- le quatrième et dernier paragraphe donnera quelques exemples de réalisations pour les
inductances à air sans matériaux magnétiques et les inductances à une couche de matériau
magnétique.

I. GENERALITES SUR LES INDUCTANCES ET LES TRANSFORMATEURS

I.1. Inductance
I.1.1. Définition
L'inductance est un dipôle électrique formé d’une ou de plusieurs spires enroulées autour d’un
noyau. Ce dipôle possède la propriété de stocker de l'énergie magnétique et de créer un champ
magnétique lorsqu'il est traversé par un courant électrique.
Le symbole représentatif de l’inductance est donné par la figure I.1.

u
Figure I.1 : Symbole de l’inductance pure.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 8

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

Il existe plusieurs types d’inductances à savoir les inductances classiques principalement

utilisées en basse fréquence (plus précisément jusqu’à quelques MHz) et les inductances
planaires pour des applications en haute fréquence.

I.1.2. Principales caractéristiques

Une inductance est classiquement caractérisée par la valeur de son inductance pure L, son
facteur de qualité Q et sa résistance R. Le facteur de qualité est donné par la formule :
𝑸 = 𝑳𝝎/𝑹 (I.1)
La valeur de l’inductance L n’est rien d’autre que le coefficient de proportionnalité entre le
flux total à travers la bobine et le courant qui la traverse.
𝜱(𝒕) = 𝑳. 𝒊(𝒕) (I.2)
La variation de ce flux est à l’origine d’une force contre électromotrice (fcem) ou
électromotrice (fém).
𝒖(𝒕) = 𝒅𝜱(𝒕)⁄𝒅𝒕 (I.3)
En régime quelconque :
𝒖 = 𝑳. 𝒅𝒊/𝒅𝒕 (I.4)
u: tension aux bornes de la bobine (en V), i: intensité traversant la bobine (en A), Φ : flux
total à travers la bobine , L : inductance propre (en Henry H).
Puis en régime sinusoïdal pur :
𝑽 = 𝒋𝑳𝝎𝑰 (I.5) 𝒁 = 𝒋𝑳𝝎 : Impédance d’une bobine sans pertes. (I.6)

I.1.3. Inductances classiques

Utilisées dans les convertisseurs de puissance DC-DC, les inductances classiques sont
réalisées avec des matériaux magnétiques de grande épaisseur. Elles sont utilisées pour les
basses fréquences et présentent un bon équilibre entre inductance, résistance et courant de
saturation. Ces composants possédant une valeur d’inductance élevée sont de fabrication
unitaire et utilise souvent un matériau magnétique. Ces inductances de différentes topologies
(figure I.2) sont fabriquées et commercialisées par plusieurs sociétés ou directement réalisées
par l’utilisateur.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 9

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

a) b) c) d)
Figure I.2 : Inductances classiques : a) solénoïde ; b) toroïdale ; c) micro-inductance ; d) mode
commun (linéaire et toroïdale) [itacoil].

I.1.4. Inductances planaires

L’inductance planaire est un composant passif utilisé dans de nombreux circuits électroniques
(électronique haute fréquence, filtre, électronique de puissance). Une inductance planaire, ou
généralement un composant planaire est constitué d’un empilement de couches conductrices,
isolantes, magnétiques de différentes épaisseurs. Elle peut se trouver sous trois formes :
solénoïde, serpentin et spirale.

- Solénoïde : ce type d’inductance est constitué d’une couche inférieure de conducteur,

d’une couche supérieure de conducteur et des plots permettant de réaliser le contact
électrique entre ces deux couches. Les couches supérieure et inférieure sont séparées
par un isolant et/ou par un matériau magnétique.

Figure I.3 : Inductance solénoïde [Yong-Kyu, 2005].

- Serpentin : c’est une inductance dont les couches conductrices ou magnétiques ont la
forme d’un serpentin (simple, hélicoïdal et spécial).

a) simple b) hélicoïdale c) spéciale vue en coupe

Figure I.4: Inductances serpentins: a) [Yong-Kyu, 2005]; b) [Chiaming, 2004];

c) [Wassem, 2006].

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

- Spirale : c’est l’inductance la plus utilisée avec ses trois géométries (carrée, circulaire,
polygonale).
La spirale carrée est la plus utilisée à cause de sa simplicité et de ses performances.

Figure I.5 : Photographie des inductances carrée, octogonale et circulaire

[R. Murphy, 2003].

I.2. Transformateur
I.2.1. Définition
Un transformateur est constitué d’au moins deux enroulements. Il permet de transférer une
énergie ou un signal et d’assurer une isolation galvanique. Il a très souvent pour rôle de
modifier l’amplitude de la grandeur d’entrée (primaire) pour alimenter un récepteur par
l’intermédiaire du secondaire en conservant la fréquence. Son symbole et schéma électriques
sont donnés par les figures I.6 et I.7.

Figure I.6 : Symbole d’un transformateur.

Figure I.7 : Représentation électrique d’un transformateur.

Equations du transformateur idéal :

v1 v 2
= (I.7)
n1 n2

i1 .n1 = i2 .n2 (I.8)

s = i1 .v1 = i2 .v2 (I.9)

Avec 𝑣1 𝑒𝑡 𝑣2 , tensions primaire et secondaire.

𝑖1 𝑒𝑡 𝑖2 , courants primaire et secondaire.
𝑛1 𝑒𝑡 𝑛2 , nombre de spires du primaire et secondaire.

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

I.2.2. Transformateur planaire

Le transformateur planaire est réalisé suivant le même principe que le transformateur
classique sous plusieurs formes dont celles représentées par la figure I.8 ci-après :

a) b) c)
Figure I.8 : transformateur planaire : a) carré, b) circulaire et c) serpentin.
[Shu-Jun, 2004].

Des transformateurs entrélacés et face to face ont été réalisés au laboratoire respectivement
par Y. KHamis [Y. Khamis, 2014] et K. Faouzi [Kahlouche, 2014].

II. CONSTITUTION DES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

D’une manière générale, les composants magnétiques planaires ont presque tous la même
constitution, sauf que la différence réside sur les matériaux spécifiques utilisés.

II.1. Matériaux
Les matériaux qui entrent dans la constitution des composants magnétiques planaires
(inductance et transformateur) sont les suivants :
- un matériau conducteur pour la réalisation du bobinage ;
- un matériau magnétique constitue le noyau ;
- un matériau isolant qui assure l’isolation entre les matériaux magnétiques et le
conducteur, si le matériau magnétique est électriquement conducteur ou entre les différents
enroulements.

II.1.1. Matériaux Conducteurs

Les principaux matériaux conducteurs utilisés pour les bobinages sont l’or, l’aluminium et le
cuivre. Ce dernier est le conducteur le plus utilisé à cause de sa faible résistivité de 1,75
μΩ.cm et de son coût.

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

II.1.1.1. Pertes dans les conducteurs

La conductivité finie des couches métalliques entraîne des pertes par effet joule dans les
conducteurs. Cependant, cette résistivité n'explique pas à elle seule l'intégralité des pertes qui
sont occasionnées. D'autres effets interviennent et sont à l'origine de la majeure partie des
pertes aux fréquences élevées, essentiellement connues sous le nom d'effets de peau et de
proximité. Ces phénomènes seront présentés en détail au chapitre II.

II.1.2. Matériaux diélectriques ou Isolants

L’oxyde de silicium (SiO2), l’oxyde d’aluminium (Al2O3), les nitrures de silicium et les
polymères de type résines photosensibles ou polyimides sont les matériaux isolants
habituellement utilisés. Ils ont pour rôle de séparer électriquement la spirale conductrice du
noyau magnétique ou du substrat.

II.1.3. Matériaux magnétiques

Les matériaux magnétiques les plus utilisés dans le domaine des radiofréquences et des
hyperfréquences sont les ferrites (oxydes ferrimagnétiques). Ils sont choisis comme noyau à
cause de leurs perméabilités relatives élevées permettant une augmentation significative de
l’inductance, de leurs champs magnétiques à saturation et de leurs résistivités électriques
élevées limitant les "pertes fer" par courants de Foucault.

II.1.3.1. Intérêts des matériaux magnétiques

Généralement, le noyau fait partie des constituants d’un composant passif. Le noyau
magnétique peut jouer trois rôles :
 servir de support mécanique pour les enroulements ;
 renforcer le flux magnétique et augmenter la valeur de l’inductance (jusqu’à un facteur
µr) ;
 assurer un blindage quand il renferme totalement la bobine.

II.1.3.2. Pertes ferromagnétiques

Les pertes dans le matériau magnétique se traduisent par une dissipation de chaleur lorsque
l'enroulement est traversé par un courant alternatif. Il y a deux principaux types de pertes : par
hystérésis et par courants de Foucault.
- Les pertes fer par hystérésis
Sous excitations cycliques, le champ B décrit un cycle dans le plan B-H et crée ainsi des
pertes dans le noyau sous forme de chaleur. Ces pertes sont directement proportionnelles à
l’aire du cycle d’hystérésis et à la fréquence f du flux magnétique. Il existe plusieurs

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

expressions empiriques donnant les pertes dans le matériau magnétique. La plus classique est
celle de Steinmetz qui a été développée pour des matériaux basse fréquence.
(𝟏,𝟔 à 𝟐)
𝑷 = 𝒌. 𝑽. 𝒇. 𝑩𝒎𝒂𝒙 (où k : coefficient de proportionnalité, V : volume du circuit
magnétique, Bmax induction magnétique maximale). (I.10)

Figure I.9 : Cycle d’hystérésis d’un matériau magnétique.

- Les pertes fer par courants de Foucault

Le courant variable circulant dans une spirale y engendre un flux magnétique variable qui
crée à son tour une f.é.m. induite. Cette dernière provoque un courant induit qui occasionne
des pertes par effet joule dissipées sous forme de chaleur. Ces pertes sont calculées par la
formule empirique :
π 2 d 2 .Bmax
2
.f 2
Pf = (I.11)
6 ρ
Où d et ρ sont respectivement l’épaisseur et la résistivité du matériau.

Figure I.10 : Courants de Foucault dans un matériau magnétique [A. M. Niknejad, 2000].

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

II.2. Empilement des couches

II.2.1. Empilement des couches dans une inductance
Les principaux matériaux disposés en couches dans une inductance sont les conducteurs, les
matériaux magnétiques et les isolants. Cette disposition compacte des couches s’appelle
empilement. L’empilement de couche dans une inductance se fait en fonction de sa structure à
une ou à deux couches de matériaux magnétiques.

II.2.1.1. Inductances à une couche de matériau magnétique

L’inductance à une couche de matériau magnétique permet de doubler la valeur de
l’inductance sans matériau (L≈ 2L0). Le matériau utilisé sert également de blindage au
bobinage. L’inductance à une couche magnétique est une structure constituée d’une couche de
matériau magnétique sur laquelle on a réalisé une spirale conductrice (en cuivre, argent,
or,…) [Yamaguchi, 2000] [Dagal, 2013]. La figure I.11 schématise l’empilement de couches
sur une inductance.

Figure I.11 : Structure de l’inductance réalisée : a) Vu de dessus b) coupe d’une section.

[Yamaguchi, 2000].

II.2.1.2. Inductances à deux couches de matériaux magnétiques

La structure à deux couches est une structure « Sandwich » qui comprend un bobinage
entouré de deux couches magnétiques, l’une en dessous de la spirale et l’autre au-dessus.
L’avantage de cette structure est qu’elle permet d’augmenter fortement la valeur de
l’inductance (jusqu’à μr) et le facteur de qualité. Un exemple d’empilement est observé sur la
figure I.12.

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

Figure I.12 : Structure de l’inductance réalisée : a) Vu de dessus b) coupe d’une section.

[Yamaguchi, 2000].

Mark. G. Allen [Allen. 1997] a réalisé des inductances spirales en sandwich entre deux
couches de polymère dopé. Les couches magnétiques sont obtenues par le mélange de
poudre de ferrite et de résine. La réalisation de cette inductance suit les étapes suivantes :
- La sérigraphie du polymère (ferrite + résine) sur un substrat en verre ;
- la mise en forme du moule en résine et du dépôt de cuivre ;
- la pulvérisation de la deuxième couche du polymère après l’enlèvement du moule.
La figure I.13 illustre les étapes de la réalisation et une coupe schématique l’inductance
sandwich réalisée.

-Sérigraphie du polymère (ferrite + résine).

-Moulage et dépôt de cuivre.

-Pulvérisation de la deuxième couche du polymère après

l’enlèvement du moule.

Figure I.13 : Inductance sandwich : Etapes de la réalisation. [Allen. 1997].

II.2.2. Empilement des couches dans un transformateur à matériau magnétique

La présence du matériau magnétique dans un transformateur permet d’augmenter l’inductance
du primaire et de limiter les perturbations électromagnétiques. La figure I.14 présente
l’empilement des couches pour un transformateur réalisé sur silicium.
Le processus technologique typique permettant de réaliser ce transformateur est le suivant :
 Oxydation du substrat de silicium ;

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 16

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

 Dépôt du matériau magnétique ;

 Dépôt d’aluminium, ou autre métal (bobinage primaire) et réalisation de la spirale
(photolithographie et gravure) ;
 Dépôt d’oxyde de silicium (région inter-bobinage assurant l’isolation galvanique) ;
 Dépôt d’aluminium, ou autre métal (bobinage secondaire) et réalisation de la spirale ;
 Dépôt du matériau magnétique.

Figure I.14 : Vue en coupe du transformateur planaire silicium. [Deleage, 2010]

II.3. Différentes topologies des composants magnétiques planaires

Plusieurs topologies d’inductances et de transformateurs sont utilisées selon leurs avantages et
inconvénients tant du point de vue technologique que des caractéristiques électriques.

II.3.1. Exemple de topologies pour les inductances

L’inductance planaire est réalisée suivant plusieurs topologies en utilisant différentes
géométries. Quelques topologies sont représentées par la figure I.15.

Figure I.15 : Structures classiques de composants magnétiques pour micro convertisseurs

(a) tore, b) méandre, c) et d) spirales). [Boggetto, 2003].

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

II.3.2. Exemple de topologies pour les enroulements transformateurs

La figure I.16 montre différentes topologies des enroulements de transformateurs.

a) b) c)

Figure I. 16 : Différentes topologies des enroulements de transformateurs planaires. a) Interleaved

(entrelacée) ; b) Tapped (concentrique) ; c) stacked (empilée) [Salles, 2008].

a- La topologie entrelacée a un couplage élevé mais une faible inductance, sa réalisation

est simple et exige un espacement important entre les conducteurs.
b- La topologie concentrique a un couplage faible et une valeur d’inductance moyenne.
c- La dernière topologie empilée a un bon couplage, une forte valeur de l’inductance
mais la réalisation est très compliquée.

III. APPLICATIONS VISEES

III.1. L’intégration
Depuis de nombreuses années, on constate un intérêt grandissant pour les applications
électroniques dans le domaine des radios et hyperfréquences surtout pour les communications
sans fil. Les exigences de mobilité, d’un nombre croissant de fonctionnalités, de faible
consommation et de coût de fabrication limité poussent les industriels à développer de
nouvelles technologies permettant l’intégration de puces de plus en plus miniaturisées et
sophistiquées. Ces développements concernent aussi bien les composants actifs que
composants passifs, avec notamment la nécessité d’intégrer des inductances monolithiques
présentant un fort coefficient de qualité et une haute fréquence de résonance [Ghannam,
2010].
Les composants passifs planaires (inductance et transformateur) sont utilisés dans les
domaines de l’électronique de puissance, dans les circuits micro-ondes et les circuits de
traitement de signal en haute fréquence. Leur utilisation dans ces domaines nécessite
obligatoirement une intégration [Deleage, 2010].
L’intégration de système en électronique de puissance permet :
 une diminution des surfaces occupées ;
 une diminution de la consommation ;

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

 une diminution des coûts.

L’intégration des composants passifs de puissance est effectuée selon une approche hybride
ou monolithique en fonction du niveau de puissance de l’application visée.

III.1.1. Intégration monolithique « fonctionnelle classique »

L’intégration monolithique consiste à intégrer (agencer et dimensionner) le composant de
puissance et son environnement électronique (commande rapprochée, isolation galvanique,
protections) sur un même substrat, en faisant cohabiter des circuits hautes et basses tensions
devant être isolés.

III.1.2. Intégration Hybride

L’intégration hybride est une intégration dans laquelle, le convertisseur est constitué de
plusieurs puces rapportées sur une même base formant à la fois le support mécanique, la
connexion électrique, l'isolation électrique et l'évacuation de la chaleur. L’intégration hybride
est constituée des puces de commande et de puissance dans un même boîtier, qui peuvent être
empilées directement en « chip on chip », c’est à dire puce sur puce, ou bien via sur un
substrat PCB ou Flex intermédiaire. Il existe ici aussi différents types de modules suivant les
gammes de puissance visées [Simonot, 2011].

Figure I.17 : Vue en 3D du micro-convertisseur avec les bobinages intégrés (hybride).

[Deleage, 2010]

III.2. Domaines d’application

III.2.1. En électronique de puissance

Dans ce domaine, les composants passifs (inductance et transformateur) jouent un rôle très
important surtout dans les alimentations. Le but d’une alimentation en électronique est de

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

fournir une tension continue (le plus souvent) à un système électronique à partir d’une source
continue (hacheur) ou d’une source alternative (redresseur). Il existe plusieurs modes
d’alimentation assurés par différentes formes de convertisseurs.

Exemple : Alimentation à découpage

Généralement dans l’alimentation à découpage, le secteur alternatif est redressé puis filtré. La
tension continue obtenue est "découpée" par un ou plusieurs interrupteurs (transistors
bipolaires ou MOS). Ce découpage s'effectue très souvent à des fréquences supérieures à une
vingtaine de KHz jusqu'à quelques centaines de MHz. Le transfert d'énergie, de l'entrée vers
la sortie, se fait par l'intermédiaire d'une inductance ou d'un transformateur qui stocke
l'énergie sous forme magnétique puis la restitue au rythme du découpage. Deux exemples
d’alimentation à découpage sont donnés par la figure I.18 (cas d’un convertisseur Buck) et par
la figure I.19 (cas d’un convertisseur FLYBACK).

Figure I.18 : Convertisseur Buck [Dagal, 2013].

Lorsque l’interrupteur M1 conduit (Figure I.18), l’énergie est délivrée par la source
(Vin) à la charge, une partie de l’énergie fournie est stockée dans l’inductance L. L’inductance
restitue l’énergie stockée vers la charge R lorsque M1 est bloqué et M2 conducteur. Le
condensateur C permet de lisser la tension de sortie V0.

Figure I.19 : Convertisseur FLYBACK [Correvon].

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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

Lorsque le transistor Q conduit (Figure I.19), l'énergie délivrée par la source est stockée dans
les inductances couplées. Lorsque la diode conduit, l'énergie stockée est transférée à la
charge.

III.2.2. Domaine du traitement du signal

L’inductance est un élément clé dans les oscillateurs, les filtres, les circuits d’adaptation
d’impédance et dans les amplificateurs faibles bruits. Elle permet simultanément de minimiser
le bruit et de maximiser le gain.

Exemple sur l’oscillateur

L’oscillateur est un système autonome, qui à partir d’une source de tension continue délivre
un signal sinusoïdal sans harmonique, de fréquence et d’amplitude fixes ou ajustables par
l’utilisateur. La figure I.20 ci-dessous représente un oscillateur contrôlé en tension à l’aide
d’une diode Varicap.

Figure I.20 : Oscillateur VCO [Redoutaye, 2009].

Un oscillateur contrôlé en tension (Voltage Controlled Oscillator VCO) est un système

électronique qui génère un signal dont la fréquence varie proportionnellement à la tension
d'entrée. En haute fréquence, il est indispensable d’utiliser des éléments LC. Pour les
applications de traitement de signal, on n’a pas besoin d’une inductance pour le stockage
d’énergie mais d’une inductance de valeur constante et précise, de laquelle dépend la
fréquence de coupure. Les oscillateurs sont très utilisés dans les boucles à verrouillage de
phase où ils génèrent une fréquence de sortie asservie à la fréquence d’entrée [Allassem,
2010].

IV. REALISATION
Différentes structures d’inductances planaires intégrées sont réalisées par plusieurs auteurs.
Nous donnons quelques exemples de réalisation d’inductances à air et à matériau magnétique.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 21

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

IV.1. Inductance sans matériau magnétique ou à air

L’inductance « à air » est une inductance réalisée sur substrat silicium, alumine ou verre qui
joue le rôle de support mécanique. Ces composants ont des valeurs d’inductance L très faibles
et sont souvent utilisées en très haute fréquence (au-delà de 100 MHz).

Xi-Ning Wang et son équipe ont réalisé en technologie MEMS, une inductance
suspendue sur un substrat de verre par l’intermédiaire des plots en forme de T figure I.20 [Xi-
Ning, 2005]. Le bobinage a été tout d’abord réalisé en utilisant une résine photosensible et
ensuite éliminée par gravure sèche. Les dimensions de cette inductance sont résumées dans le
tableau 1 :
Tableau 1 : Paramètres géométriques de l’inductance réalisée.
Dimension Valeurs
dimension extérieure 500µm
épaisseur du ruban 5µm
espace entre les rubans 15µm
largueur du ruban 50µm
espace entre substrat et spirale 60µm

Figure I.21 : Photographie de l’inductance suspendue (3 tours) : a) vue de la spirale suspendue ; b)

vue du plot de suspension en forme de T [Xi-Ning, 2005].

IV.2. Inductance à une couche de matériau magnétique

Y. Dagal a réalisé une inductance à une couche de matériau magnétique (YIG) de
3mm*3mm de surface [Dagal, 2013]. Cette inductance est composée d’une couche de cuivre
déposée par pulvérisation cathodique sur un substrat de YIG de d’épaisseur 500µm. Le
bobinage de 125µm de largeur et 5µm d’épaisseur est obtenu par la technique de la
photolithographie UV.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 22

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

Figure I.22 : Images de l’inductance réalisée [Dagal, 2013].

IV.3. Inductance PDMA

Une inductance planaire réalisée sur un substrat peu isolant occasionne des pertes dans le
substrat. Deux solutions sont envisagées pour réduire ces pertes :
 Utiliser des couches d’isolant épaisses ;
 Positionner l’inductance perpendiculairement au substrat.
Jun Zou et Al ont utilisé la technique Plastic Deformation Magnétic Assembly qui
signifie Assemblage Déformation Plastique Magnétique pour réaliser une inductance planaire
verticale [Jun Zou, 2001]. La spirale de cette inductance est réalisée sur un substrat wafer en
silicium puis soulevé par un aimant (figure I.23).

Figure I. 23 : inductance PDMA : a) avant soulevement, b) verticale [Jun Zou, 2001].

Conclusion
Cette partie nous a permis d’abord de présenter quelques généralités sur les composants
passifs précisement les inductances et les transformateurs et leurs différentes toplogies
planaires. Il ressort que ces composants passifs planaires sont constitués par des matériaux

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 23

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

conducteurs, diélectriques ou isolants (composants à air) et magnétiques (composants à

couches magnétiques) dont les empilements dépendent de la structure. Leur intégration dans
leurs domaines d’application et les principales caractéristiques ont été abordées avant de
terminer par quelques exemples de réalisation.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 24

CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

BIBLIOGRAPHIE
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[Chiaming, 2004] Chiaming Alex Chang, Sung-Pi Tseng, Jun Yi Chuang, et al.
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CHAPITRE I : LES COMPOSANTS MAGNETIQUES PLANAIRES

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[Jun Zou, 2001] : Jun Zou, Josh G. Nickel, Drew Trainor, Chang Liu, and Jose E. Schutt-
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[Simonot, 2011] : Timothé SIMONOT, Thèse « Conception et hybridation de

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conductive substrate » PhD Dissertation University California at Berkeley 2000. p24.

[Y. Khamis, 2013] Khamis YOUSSOUF KHAMIS, Thèse de doctorat, Laboratoire LT2C,
Université Jean Monnet Saint Etienne « Modélisation des Transformateurs Planaires
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[Kahlouche, 2014] Faouzi KAHLOUCHE, Thèse de doctorat, Laboratoire LT2C,

Université Jean Monnet Saint Etienne « Fabrication et Caractérisation de Micro
Transformateurs Planaires à Couches Magnétiques » Juin 2014.

[itacoil] Inductances pour PCF actifs disponible sur [Link].

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 26

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTE

FREQUENCE

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

SOMMAIRE CHAPITRE II
CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTE FREQUENCE
.................................................................................................................................................. 29
I. LES PERTES EN HAUTES FREQUENCES .............................................................. 29
I.1. Effets de peau ........................................................................................................... 29
I.2. Effets de proximité ................................................................................................... 31
II. COMPOSANTS BOBINES .......................................................................................... 33
III. LES COMPOSANTS PLANARS............................................................................... 40
IV. LES COMPOSANTS PLANAIRES INTEGRES ..................................................... 42
V. NOUVELLE METHODE DE DETERMINATION DE LA RESISTANCE SERIE
.............................................................................................................................................. 53
V.1. Schéma équivalent retenu ...................................................................................... 53
V.2. Extraction des éléments du modèle ....................................................................... 54
V.3. Précisions sur les résultats (sensibilité des Sij) .................................................... 59
Conclusion ........................................................................................................................... 63

BIBLIOGRAPHIE ......................................................................................................... 64

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTE

FREQUENCE
Les inductances intégrées ont déjà fait l'objet de nombreuses études scientifiques visant à
mieux comprendre et modéliser leur comportement électrique. Ces études ont permis
d’identifier les différents mécanismes à l’origine des pertes, avec pour objectif de limiter ces
dernières pour optimiser les performances et les dimensionner selon les besoins. Nous aurons
dans ce chapitre à aborder tout d’abord l’origine des pertes, leur détermination dans les
structures des différentes technologies (bobinées, planar et planaires intégrées) et les solutions
classiquement envisagées pour les minimiser. Le chapitre sera clôturé par la présentation de la
nouvelle méthode que nous proposons pour la détermination des pertes en haute fréquence
dans les composants planaires.

I. LES PERTES EN HAUTES FREQUENCES

Dans le cadre de cette étude nous nous intéresserons uniquement aux pertes dans les
conducteurs. Il faut noter que dans un conducteur parcouru par un courant, le minimum de
pertes dans le conducteur quelle que soit sa forme, est atteint lorsque le courant qui le traverse
présente une répartition uniforme sur toute sa section. Cette uniformité s’établit si la
fréquence du courant est suffisamment basse, c’est-à-dire si l’épaisseur de peau est nettement
plus grande que les dimensions transversales du conducteur. Si en basse fréquence les pertes
par effet Joule sont dues à la résistance RDC du bobinage, il n’en est plus de même à des
fréquences plus élevées.
En haute fréquence, les courants de Foucault qui se développent à l’intérieur des conducteurs,
conduisent à une augmentation parfois très importante des pertes d’origine métallique. Ces
courants sont dus aux variations rapides des champs magnétiques dans lesquels sont plongés
les conducteurs. Parmi ces effets qui sont à l'origine de la majeure partie des pertes aux hautes
fréquences, on distingue généralement deux cas différents bien qu’il s’agisse du même
phénomène (l’effet des courants induits dans un matériau conducteur sous l’effet d’un champ
magnétique variable):
 L’effet de peau.
 L’effet de proximité.

I.1. Effets de peau

Lorsqu'un courant alternatif circule dans un conducteur, un champ magnétique est créé autour

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 29

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

et à l’extérieur de ce dernier. Les variations du champ magnétique sont à l’origine de courants

(courants de Foucault) qui circulent en sens inverse du courant principal au centre du
conducteur et dans le même sens à la périphérie.
Ainsi, le courant circule alors préférentiellement vers la périphérie du conducteur, cela
signifie que la section utile du conducteur devient plus petite ; sa résistance augmente, donc
des pertes par effet Joule sont plus importantes. Il peut être montré que la densité du courant
décroît exponentiellement en s'éloignant de la surface du conducteur (Figure II.1). Cette
propriété permet de définir une grandeur caractéristique δ appelée "'épaisseur de peau".
L’expression de δ est donnée ci-après :

ρ
δ=
μ0 .μr .π.f
𝛿 : Profondeur de peau [m]
 : Résistivité du matériau [Ω.m]
µr : Perméabilité relative du matériau
μ0 : Perméabilité du vide=4π.10-7[H/m]
f : Fréquence [Hz]

Figure II.1 : Densité de courant à l'intérieur d'un conducteur [Viallon, 2003].

Typiquement, la valeur de la résistance dynamique d'un conducteur suit une loi de variation
en √𝑓 : 𝑅 = 𝑅𝐷𝐶 (1 − 𝛼√𝑓 ). (α : constante qui dépend de la géométrie du conducteur)
Dans le cas du cuivre,  = 1,7.10-8 .m et µr = 1, on obtient à 100MHz une épaisseur de peau
de 6,56µm. La figure II.2 présente une illustration de l’effet pelliculaire dans un conducteur
circulaire et une coupe d’un conducteur montrant la délimitation du volume utile limité par
l’effet de peau.

a) b)

Figure II.2 : a) Volume utile dans un conducteur limité par la profondeur de peau ; b) Principe
physique de l’effet de peau. [Robert, 2010].

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 30

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Dans le schéma de principe figure II.2, le courant qui circule dans le conducteur génère un
champ magnétique variable. Les variations de ce champ induisent un flux variable et des
f.é.m. induites. Le matériau étant conducteur, on obtient des courants induits avec le sens
précisé (figure II.2.b). Au centre du conducteur, les courants induits circulent dans le sens
opposé au courant appliqué, ce qui se traduit par une diminution du courant au centre. A la
périphérie du conducteur, les courants induits sont dans le même sens que le courant appliqué
et augmentent ainsi son amplitude. Plus la fréquence augmente, plus l’effet est marqué.

I.2. Effets de proximité

Cet effet, très proche de l'effet de peau, résulte de l'interaction entre plusieurs conducteurs
voisins parcourus chacun par un courant. Lorsqu’un conducteur est parcouru par un courant
alternatif, il génère un champ magnétique variable. Les variations du champ magnétique se
traduisent à travers la surface du conducteur voisin par un flux variable qui engendre une
f.é.m. induite. Il circule alors dans le conducteur voisin des courants de même fréquence
engendrant des pertes par effet Joule.

Figure II.3 : Principe physique de l’effet de proximité [Robert, 2010].

L'effet de proximité ne peut pas être négligé dans le cas d'inductances intégrées constituées
par une spirale comportant plusieurs tours.
En effet, dans ce cas le champ magnétique créé par chaque conducteur n’est pas uniquement
concentré au centre de l'inductance, mais des lignes de champ se situent également entre les
rubans, comme illustré sur la Figure II.4a. Puisque le champ magnétique est très fort au centre
de l'inductance, la variation temporelle de ce champ liée au courant alternatif circulant dans
les rubans métalliques induit des courants de Foucault comme représenté sur la Figure II.4b.
Dans la partie intérieure des spires centrales, le courant de l'inductance s'additionne avec les
courants de Foucault, tandis qu'il se retranche dans la partie extérieure. La section effective du

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 31

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

ruban déterminée par l'effet de peau est ainsi modulée par l'effet de proximité. La
concentration du courant sur la partie intérieure des spires centrales contribue à une
augmentation forte de la résistance dynamique. Par ailleurs, le champ 𝐻𝐹𝑜𝑢𝑐𝑎𝑢𝑙𝑡 s'oppose au
champ total 𝐻𝑆𝑒𝑙𝑓 , ce qui conduit à une légère diminution de la valeur de l'inductance avec
l'augmentation de la fréquence.

(a) (b)
Figure II.4 : (a) Concentration du champ magnétique au centre d'une self planaire multi-spires ;
(b) Création et répartition de courants de Foucault sur les spires
[Viallon, 2003].

La figure II.5 ci-dessous présente la répartition du courant dans une inductance planaire.

Figure II.5 : Répartition du courant dans une inductance planaire (Ghannam, 2010].

Si les courants parcourant les conducteurs rapprochés sont de même sens, l’effet de proximité
est dit direct et il est dit indirect, lorsque ces courants sont de sens contraire.
Classiquement, l’effet de proximité est modélisé par une augmentation de la résistance des
conducteurs. L’effet de proximité est bien souvent très supérieur à l’effet de peau.

Après avoir rappelé les phénomènes physiques à l’origine de l’augmentation en haute

fréquence des pertes dans les conducteurs, nous abordons dans les paragraphes suivants une
synthèse des différents travaux relatifs à la détermination des pertes dans les bobinages. Ces
travaux concernent :

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

- les approches numériques (la simulation des composants à l’aide des logiciels
éléments finis 3D) ;
- le développement d’expressions analytiques de la résistance des bobinages en fonction
de la fréquence ;
- les approches expérimentales.
Trois types de composants seront considérés à savoir :
- les composants bobinés ;
- les composants planar ;
- les composants intégrés.
Il convient de préciser que les travaux portant sur les composants bobinés sont nombreux
alors que ceux relatifs aux composants planaires sont très limités.

II. COMPOSANTS BOBINES

Dans la littérature, les expressions prenant en compte les effets de peau et de proximité dans
les composants bobinés se basent sur l'expression analytique de Dowell [Dowell, 1966].
Plusieurs auteurs ont également apporté des modifications à cette expression pour l'adapter à
leurs études.

Cette méthode de Dowell se base sur la solution de l'équation de diffusion dans une
plaque conductrice infinie pour déterminer l'inductance de fuite et la résistance série d’une
inductance ou d'un transformateur à deux ou plusieurs enroulements. Les auteurs appliquent
cette méthode sur des conducteurs en plaques parallèles, où le champ magnétique est
parfaitement parallèle aux plaques [Margueron, 2007], [Robert, 2010].
Pour déterminer le facteur de résistance FR (II.1) et le facteur d'inductance FL (II.2), Dowell
utilise le théorème d'Ampère pour obtenir la répartition du champ dans la fenêtre du
transformateur et utilise la résolution des équations de Maxwell à une dimension.

𝑹 𝐬𝐢𝐧𝐡(𝟐𝑿)+𝐬𝐢𝐧(𝟐𝑿) 𝟐 𝐬𝐢𝐧𝐡(𝑿)−𝐬𝐢𝐧(𝑿)
𝑭𝑹 = 𝑹𝑨𝑪 = 𝑿 𝐜𝐨𝐬𝐡(𝟐𝑿)−𝐜𝐨𝐬(𝟐𝑿) + 𝟑 (𝒎𝟐 − 𝟏) (𝟐𝑿 𝐜𝐨𝐬𝐡(𝑿)+𝐜𝐨𝐬(𝑿))(II.1)
𝑫𝑪

𝑳 𝟏 𝐬𝐢𝐧𝐡(𝟐𝑿)−𝐬𝐢𝐧(𝟐𝑿) 𝐬𝐢𝐧𝐡(𝑿)+𝐬𝐢𝐧(𝑿)
𝑭𝑳 = 𝑳𝑫𝑪 = [𝟐.𝒎𝟐 .𝑿𝟐 [𝟑. 𝑿 𝐜𝐨𝐬𝐡(𝟐𝑿)−𝐜𝐨𝐬(𝟐𝑿) + (𝒎𝟐 − 𝟏). 𝟐𝑿 𝐜𝐨𝐬𝐡(𝑿)+𝐜𝐨𝐬(𝑿)]](II.2)
𝑩𝑭

ℎ
𝑋=
𝛿
𝑅𝐷𝐶 : 𝑟é𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑒𝑛 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢, 𝑅𝐴𝐶 : 𝑟é𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 à 𝑙𝑎 𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑓, ℎ: é𝑝𝑎𝑖𝑠𝑠𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑢 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟,
𝛿: 𝑝𝑟𝑜𝑓𝑜𝑛𝑑𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑒 𝑝𝑒𝑎𝑢 à 𝑙𝑎 𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑓 𝑒𝑡 𝑚: 𝑛𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑢𝑐ℎ𝑒𝑠.

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Ferreira et Al ont orienté leur travail sur le calcul des pertes dues aux effets de peau et
de proximité sur des conducteurs en cuivre ronds et carrés [Ferreira, 1994].
Ils ont étudié séparément les pertes par effet de peau seules et les pertes par effets de peau et
de proximité en se basant sur l'expression analytique de Dowell. Ils ont démontré par le
principe d'orthogonalité que les pertes par effet de peau et les pertes par effets de proximité
peuvent être évaluées séparément et peuvent être additionnées.
Ils ont comparé les pertes par effet de peau d’une inductance réalisée avec des conducteurs de
même section ronde et carrée et ont observé que l'inductance des conducteurs carrés présente
moins de pertes en haute fréquence.
Les auteurs ont ensuite apporté des modifications à l'expression analytique de Dowell pour
l'adapter à une forme de champ bidirectionnel. L'expression modifiée de la résistance AC est
la suivante :

𝐬𝐢𝐧𝐡𝛏(𝛈)+𝐬𝐢𝐧𝛏(𝛈) 𝐬𝐢𝐧𝐡𝛏(𝛈)−𝐬𝐢𝐧𝛏(𝛈)
𝑹𝑨𝑪 = 𝑹𝑫𝑪 [𝒄𝒐𝒔𝒉𝛏(𝛈)−𝐜𝐨𝐬𝛏(𝛈) + 𝛈𝟐 (𝟐𝒎 − 𝟏)𝟐 𝒄𝒐𝒔𝒉𝛏(𝛈)+𝐜𝐨𝐬𝛏(𝛈)] (II.3)

√𝝅 𝒅
𝛏(𝛈) = (II.4)
𝟐 𝜹(𝛈)

𝑑: 𝑑𝑖𝑎𝑚è𝑡𝑟𝑒 𝑑𝑢 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟, 𝛿: 𝑝𝑟𝑜𝑓𝑜𝑛𝑑𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑒 𝑝𝑒𝑎𝑢,

0 < η ≤ 1: 𝑖𝑚𝑝𝑙𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑢𝑛𝑒 𝑑𝑒𝑢𝑥𝑖è𝑚𝑒 𝑑𝑖𝑚𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑎𝑛𝑠 𝑢𝑛𝑒 𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑠𝑡𝑟𝑖𝑐𝑡𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑖𝑚𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛𝑛𝑒𝑙𝑙𝑒.

Ils ont réalisé une comparaison qui montre une surestimation des pertes déterminées par la
formule par rapport aux pertes mesurées (Figure II.6)

Figure II.6 : Comparaison de l’augmentation des pertes pour conducteur carré et la formule de
Ferreira [Ferreira, 1994].

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

D’autres auteurs se sont intéressés au calcul des pertes ohmiques dans les
transformateurs dont les enroulements sont constitués avec des conducteurs plats (feuillards)
utilisés dans les alimentations à découpage [Robert, 2001]. Ils ont tout d'abord comparé
l'expression de Dowell prenant en compte les pertes par effets de peau et de proximité aux
pertes obtenues par simulations 3D pour deux transformateurs en fils rond et en feuillards.
Les auteurs ont remarqué que la différence entre l'expression analytique de Dowell et les
simulations provient de l'existence d'une seconde composante du champ dans les
transformateurs réels.
Pour pallier cette différence, ils ont proposé une nouvelle approche analytique semi-empirique
en ajoutant d'autres paramètres à l'expression de Dowell.

𝒔𝒊𝒏𝒉𝟐𝑿∗ +𝒔𝒊𝒏𝟐𝑿∗ 𝝉𝟐 −𝟏 𝒔𝒊𝒏𝒉𝑿∗ −𝒔𝒊𝒏𝑿∗

𝑭∗𝑹 = 𝑿∗ 𝒄𝒐𝒔𝒉𝟐𝑿∗−𝒄𝒐𝒔𝟐𝑿∗ + 𝟐𝑿∗ + 𝜻𝑿∗ (II.5)
𝟑 𝒄𝒐𝒔𝒉𝑿∗ +𝒄𝒐𝒔𝑿∗

𝑿∗ = 𝑿√𝜼
𝜂, 𝜏 𝑒𝑡 𝜁 𝑠𝑜𝑛𝑡 3 𝑝𝑎𝑟𝑎𝑚è𝑡𝑟𝑒𝑠 𝑒𝑚𝑝𝑖𝑟𝑖𝑞𝑢𝑒𝑠.

Les auteurs ont enfin comparé l'expression de Dowell, la nouvelle approche et une mesure
réelle relative à un transformateur dont le bobinage primaire est constitué d’un fil cylindrique
et le secondaire d’un feuillard. Les résultats sont donnés figure II.7.

Figure II.7 : Comparaison des expressions analytiques et mesure [Robert, 2001].

ℎ
𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑋 =
𝛿
h : épaisseur du conducteur et δ : profondeur de peau

La figure II.7 présente une très bonne corrélation entre la mesure et la nouvelle méthode
développée, tandis que la méthode de Dowell sous-estime l’augmentation de la résistance. Il
convient cependant de noter que ces travaux ont été conduits pour de très faibles

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 35

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

𝑅𝑎𝑐
augmentations de la résistance (𝐹𝑟 = < 1.7).
𝑅𝐷𝑐

Ravazanni et Al se sont intéressés aux pertes par effets de peau et de proximité dans
des inductances destinées à des équipements pour la stimulation du système nerveux
[Ravazanni, 2002]. Ces inductances spirales constituées de conducteur en cuivre de fortes
sections (5 à 20mm2) sont parcourus par des courants de plusieurs kA à quelques kHz. Les
auteurs décrivent une méthode permettant de quantifier séparément les effets de peau et de
proximité sur la résistance AC du bobinage en utilisant le circuit de la figure II.8 ci-dessous :

Figure II.8 : Circuit utilisé pour la détermination des paramètres [Ravazanni, 2002].

Les auteurs ont déterminé l’influence de l’effet de peau, en utilisant un conducteur isolé,
tandis que l’utilisation d’une bobine complète permet d’étudier en fonction de la fréquence
l’influence des effets de peau et de proximité. Ils ont ensuite étudié l’influence de l’effet de
peau seul en traçant l’évolution du rapport RAC/RDC en fonction de la fréquence (jusqu’à
8kHz) et également l’influence de la section du conducteur et de sa forme (circulaire ou
carrée) (figure II.9. a). Ils ont remarqué que la forme carrée donne des pertes légèrement
inférieures comme Ferreira [Ferreira, 1994]. Ils ont aussi quantifié l’influence de l’effet de
proximité en traçant le rapport F= RAC coil/RAC isol en fonction de la fréquence et pour
différentes sections 5 à 20mm2(figure II.9 b).

(a) (b)
Figure II.9 : (a) Influence de l’effet de peau sur différentes inductances (trait plein pour les
conducteurs cylindriques et pointillé pour les conducteurs carrés) ; (b) Influence de l’effet de
proximité en fonction de la fréquence [Ravazanni, 2002].

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Xi Nan et Al se sont intéressés aux pertes par effet de proximité sur des inductances
bobinées à fils cylindriques [Xi Nan, 2003]. En faisant des comparaisons entre simulations
sous Maxwell 2D avec les expressions analytiques de Dowell [Dowell, 1966] et de Ferreira
[Ferreira, 1994], ils ont mis en évidence les imprécisions des résultats obtenus avec les
expressions analytiques utilisées dans plusieurs travaux. Ils observent qu'en basses fréquences
les résultats concordent. Aux très hautes fréquences, la méthode de Dowell sous-estime les
pertes par effets de proximité tandis que la méthode de Ferreira les surestime de façon
importante.
La nouvelle expression déterminée par Xi Nan est issue de la formule donnée par Dowell et
modifiée par [Robert, 2001].
𝐬𝐢𝐧𝐡(√𝒌𝟐 𝑿)−𝒔𝒊𝒏(√𝒌𝟐 𝑿)
𝑮 = (𝟏 − 𝒘)𝒌𝟏 √𝒌𝟐 𝑿 ̂ (𝑿) (II.6)
+ 𝒘𝒅
𝒄𝒐𝒔𝒉(√𝒌𝟐 𝑿)+𝒄𝒐𝒔(√𝒌𝟐 𝑿)
𝑲𝑿
̂ (𝑿) =
𝒅 𝟏/𝒏 (II.7)
(𝑿−𝟑𝒏 +𝒃𝟑𝒏 )

𝑿 = 𝒅⁄𝜹
𝐺: 𝑟𝑒𝑝𝑟é𝑠𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑙 ′ 𝑒𝑓𝑓𝑒𝑡 𝑑𝑒 𝑝𝑟𝑜𝑥𝑖𝑚𝑖𝑡é 𝑛𝑜𝑟𝑚𝑎𝑙𝑖𝑠é, 𝑑: 𝑑𝑖𝑎𝑚è𝑡𝑟𝑒 𝑑𝑢 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟, 𝛿: 𝑝𝑟𝑜𝑓𝑜𝑛𝑑𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑒 𝑝𝑒𝑎𝑢,
𝑤, 𝑘1 , 𝑘2 𝑒𝑡 𝑏 𝑑é𝑝𝑒𝑛𝑑𝑎𝑛𝑡 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑔é𝑜𝑚é𝑡𝑟𝑖𝑒 𝑑𝑢 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟

Comparée aux simulations, cette nouvelle méthode donne des résultats très concordant
illustrés par la figure II.10 ci-dessous.

Figure II.10 : Comparaison simulation et nouvelle méthode [Xi Nan, 2003].

Certains auteurs se sont intéressés aux pertes par effet de peau et par effets de
proximité dans les fils de Litz pour la réalisation et le dimensionnement d’inductances
fonctionnant jusqu’à 10MHz [Bartoli, 1996]. Dans leur article, les auteurs calculent la
résistance en fonction de la fréquence de l’enroulement d’une inductance à l’aide de
l’expression analytique dérivée de leurs précédents travaux et de ceux de Ferreira et de divers

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 37

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

travaux prenant en compte de façon séparée les effets de peau et les effets de proximité
[Bartoli, 1996] [Ferreira, 1989].
Cette formule s’applique à des bobines de N tours utilisant des fils de Litz possédant n brins.

Figure II.11 : Section de fil de litz [Bartoli, 1996].

Grace à cette formule, les auteurs comparent la résistance AC de deux bobines de même
section réalisées avec un conducteur seul et un conducteur en fil de Litz. Il se trouve qu’aux
fréquences moyennes, le fil de Litz présente une résistance AC plus faible, tandis qu’aux très
hautes fréquences les pertes dans le fil de Litz deviennent bien supérieures.
Finalement, les auteurs comparent la résistance calculée et la résistance mesurée à l’aide d’un
analyseur d’impédance HP4192A. Il ressort un bon accord de ces valeurs au-delà du MHz
comme indiqué sur la figure II.12 :

Figure II.12 : Comparaison de la résistance série calculée (trait plein) et mesurée (cercle)
[Bartoli, 1996].

Wojda a proposé un modèle et une modification de la méthode de Dowell pour évaluer

les pertes par effets de peau et de proximité pour les fils de litz et les enroulements multi brins
[[Link], 2012].
L'équation de Dowell a été adaptée aux fils de Litz constituant le conducteur en tenant compte
du nombre effectif de couches du bobinage, ils obtiennent l'expression ci-après :

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

𝑹𝒘(𝒍𝒊𝒕𝒛) = 𝑭𝑹(𝒍𝒊𝒕𝒛) 𝑹𝒘𝒅𝒄(𝒍𝒊𝒕𝒛)

𝐬𝐢𝐧𝐡(𝟐𝑨 )+𝐬𝐢𝐧(𝟐𝑨 ) 𝟐(𝑵𝟐𝒍𝒍 −𝟏) 𝐬𝐢𝐧𝐡(𝑨𝒔𝒕𝒓 )−𝐬𝐢𝐧(𝑨𝒔𝒕𝒓 )
= 𝑹𝒘𝒅𝒄(𝒍𝒊𝒕𝒛) ∗ 𝑨𝒔𝒕𝒓 ∗ [𝐜𝐨𝐬𝐡(𝟐𝑨𝒔𝒕𝒓 )−𝐜𝐨𝐬(𝟐𝑨𝒔𝒕𝒓 ) + ] (II.8)
𝒔𝒕𝒓 𝒔𝒕𝒓 𝟑 𝐜𝐨𝐬𝐡(𝑨𝒔𝒕𝒓 )+𝐜𝐨𝐬(𝑨𝒔𝒕𝒓 )

𝑅𝑤𝑑𝑐(𝑙𝑖𝑡𝑧) : 𝑟é𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑒 𝑑 ′ 𝑢𝑛 𝑏𝑟𝑖𝑛𝑑, 𝐴𝑠𝑡𝑟 : 𝑉𝑎𝑟𝑖𝑎𝑏𝑙𝑒 𝑑é𝑝𝑒𝑛𝑑𝑎𝑛𝑡 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑔é𝑜𝑚é𝑡𝑟𝑖𝑒 𝑑 ′ 𝑢𝑛 𝑏𝑟𝑖𝑛 𝑟𝑜𝑛𝑑,
𝑁𝑙𝑙 : 𝑛𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑟𝑖𝑛𝑠.

Les auteurs ont comparé les résultats de mesure aux expressions analytiques de Dowell, de
Sullivan et Dowell modifiée. La figure II.13 montre que les résultats de l’expression avec
Dowell modifiée sont en bon accord avec les résultats de mesure.

Figure II.13 : Comparaison des résistances AC de fil de Litz entre formules et mesure (en cercle)
[[Link], 2012].

Rosskopf a étudié les pertes de conduction de composants bobinés réalisés avec des
fils de Litz pour des applications hautes fréquences (10kHz-1MHz) [Rosskopf, 2013].
Les études classiquement rencontrées dans la littérature considèrent une distribution
homogène du courant dans l’ensemble des brins du fil de litz. Il en ressort que dans le cas
d’une distribution du courant non homogène, les résultats entre simulations et mesures ne sont
pas en accord. Cette distribution non homogène est due aux effets de peau et du connecteur.
Pour de meilleurs résultats, il convient de prendre en compte la non-homogénéité de la
distribution du courant dans les brins en modélisant la connexion (soudure, connecteur
spécifique….) ; c’est ce que proposent et réalisent les auteurs.
Dans le cas de la distribution du courant non homogène, les auteurs ont comparé les résultats
des pertes sur deux spirales à 10 et 13 spires obtenues par :
- Mesure (meas) ;

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

- simulation avec courant homogène (sim standard) ;

- simulation avec courant non homogène (sim 3D_con) ;
- simulation avec courant non homogène et brins torsadés (sim 3D_conTwi).

Figure II.14 : Comparaison simulations et mesure pour une spirale à 10 spires [Rosskopf, 2013].

Ils ont observé que les courbes des nouvelles simulations, la simulation 3D_connecteur et la
simulation 3D_connecteur et brins torsadés sont en bonne concordance avec la courbe
obtenue par mesure à l’aide l’analyseur 4294A de technologie Agilent contrairement à la
simulation standard avec courant homogène.

Les nombreux travaux résumés dans ce paragraphe consacrés aux composants bobinés
mettent en évidence la complexité de la prise en compte des effets de peau et de proximité.
Différentes approches ont été décrites dans les articles pour la détermination des pertes :
- expressions analytiques qui ont évolué au fil des années ;
- simulation en utilisant les logiciels éléments finis 3D ;
- approches expérimentales.

III. LES COMPOSANTS PLANARS

Dans ce paragraphe, nous nous intéressons aux composants planar qui sont classiquement
réalisés au moyen de circuit imprimé (pour le ou les bobinages) associé à un circuit
magnétique de faible épaisseur (circuit ferrite bas profil).
Les travaux sur les pertes par effets de peau et de proximité dans les composants planar ne

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CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

sont pas nombreux, contrairement aux composants bobinés pour lesquels on peut trouver de
très nombreux articles, ces derniers étant beaucoup plus anciens que les composants planars
qui sont apparus dans les années 1990.

Weï Chen s’est intéressé aux pertes en hautes fréquences dans les transformateurs
planar possédant plusieurs bobinages secondaires mis en parallèle pour obtenir des courants
élevés [Wei Chen, 2003].

Figure II.15 : Structure d'un transformateur planar [Wei Chen, 2003].

Les pertes dans ces transformateurs basses tensions et forts courants à enroulements
secondaires en parallèle sont étudiées et évaluées à l'aide du modèle de Dowell [Dowell,
1966] et un logiciel permettant de calculer la répartition des courants dans chaque
enroulement secondaire.
Les auteurs ont effectué des mesures (test) sur ces transformateurs à l'aide d’un analyseur
d'impédance HP4294A et ils ont comparé la résistance modélisée par l'expression analytique
de Dowell à celle obtenue à partir de mesures. Les résultats de cette comparaison sont
représentés sur la figure II.16.

Figure II.16 : Comparaison entre résistance AC testée et modélisée [Wei Chen, 2003].

La figure II.16 montre une différence limitée entre la mesure et l'expression analytique.
L'expression de Dowell sous-estime les valeurs de la résistance AC.

Kien et Al se sont intéressés au principe d’un LCT, composant assurant trois

fonctions : inductance L, capacité C et transformateur T [L. D. Kien, 2008]. Il s’agit en fait

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 41

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

d’un transformateur possédant une inductance primaire importante et une capacité parasite
élevée qui peut être mise à profit dans la conception de convertisseurs DC-DC résonnants.
Les auteurs ont travaillé sur un transformateur planar à 4 couches primaires et 4 couches
secondaires. Ils ont comparé les résultats des pertes obtenues par simulation sous FLUX et
l’expression analytique de Dowell. Ils ont remarqué que les courbes des résistances obtenues
par les méthodes de Dowell et Flux montrent une bonne concordance aux moyennes et basses
fréquences mais pas en haute fréquence. Les auteurs ont estimé que dans ce domaine
particulier des composants planar, la méthode de Dowell ne peut pas fournir la précision
souhaitée et proposent d’utiliser la modélisation analytique par plaque développée par J.P.
Keradec [J.P. Keradec, 1991] [J.P. Keradec, 2000] [J.P. Keradec, 2008]. En utilisant cette
méthode, les auteurs obtiennent une bonne concordance entre simulations et mesures comme
illustré à la figure II.17.

Figure II.17 : Résistance en fonction de la fréquence [L. D. Kien, 2008].

Les travaux relatifs à ces composants planar sont relativement limités en nombre. Il s’agit de
composants utilisant une technologie de fabrication très différente des composants planaires
intégrés, composants qui constituent notre centre d’intérêt que nous abordons au paragraphe
suivant.

IV. LES COMPOSANTS PLANAIRES INTEGRES

Les travaux relatifs à la modélisation des pertes dans les enroulements des composants
planaires sont assez peu nombreux (comparativement à ceux des composants bobinés). Deux
expressions analytiques sont classiquement utilisés par de nombreux auteurs pour les pertes
dans les bobinages, d’autres préfèrent l’utilisation de logiciels éléments finis 3D. Concernant

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 42

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

les aspects "mesure", on trouve quelques rares articles s’intéressant aux mesures et à la
précision des mesures.
L’expression analytique rencontrée dans la littérature de la résistance d’un
enroulement pour le calcul des pertes dues aux effets de peau dans les composants planaires
est presque unique. Elle est proposée par Yue et al [Yue, 2000] et utilisée par plusieurs
auteurs qui ont travaillé sur les inductances en général et planaires en particulier quelles que
soient leurs formes. Cette expression donnant l’évolution de la résistance en fonction de la
profondeur de peau est 𝐑 𝐞𝐩 . Elle est utilisée dans : [Musunuri, 2003], [Viallon,
2003] [Arthur, 2007], [Pastore, 2009], [Ghannam, 2010], [Robert, 2010], [Dagal, 2013].
ρ
Rep = L. (II.9)
w.δ.(1 - e  -e δ  )
Avec L : longueur de la spirale, 𝜌 : résistivité du cuivre, w : largeur de conducteur, 𝛿 : épaisseur de peau, e :
épaisseur du conducteur.

Cette expression de la résistance en fonction de la profondeur de peau ne prend pas en

compte l’effet de proximité. Ainsi, d’autres auteurs ont utilisé l'expression analytique de Kuhn
[Kuhn, 2001] ci-après pour le calcul des pertes dues aux effets de peau et de proximité dans
les composants passifs planaires intégrés. Ainsi, Kuhn et Al ont développé une formule du
champ magnétique B en considérant la composante normale aux conducteurs du bobinage (le
champ B étant généré par les courants circulants dans les conducteurs voisins) [Kuhn, 2001].

a) b)

Figure II.18 : (a) : Illustration du champ B produit par les conducteurs voisins sur le
conducteur ; (b) Exemple de distribution du champ B calculé en basse fréquence
[Kuhn, 2001].

Les auteurs ont développé l'expression analytique suivante pour la résistance du bobinage
prenant en compte les effets de peau et de proximité notée 𝑹𝒆𝒇𝒇 :

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 43

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

 1  ω  
2

Reff = RDC . 1+    (II.10)

 10  ωcrit  

3,1.(w + s)
ωcrit = .Rsquare (II.11)
μ0 .w 2

ρ
Rsquare = (II.12)
e
ω = 2πf
Avec 𝜌 : résistivité du cuivre, w : largeur de conducteur, e : épaisseur du conducteur, s : distance entre spires et
f : la fréquence. La pulsation critique 𝝎𝒄𝒓𝒊𝒕 est fonction de la largeur du conducteur w et de la distance entre
spires s

Dans ce même article, les auteurs ont ensuite validé cette expression pour des inductances
planaire carrées de faibles dimensions sur substrat de silicium. Six inductances dont le
nombre de tours N varie de 3 à 12, une largeur variant de 8.5 à 38µm, une épaisseur comprise
entre 0.3 et 1.2µm et une distance entre spires de 2 à 4µm ont été réalisées. Les auteurs ont
enfin comparé l’expression analytique présentée ci-dessus, les résultats de simulation obtenus
sous Momentum (Agilent) et les résultats de mesures avec l’analyseur vectoriel VNA8753A.

Figure 1I.19 : le ratio Rac/Rdc des six spirales [Kuhn, 2001].

Les auteurs montrent à travers cette figure une bonne corrélation entre les différents résultats
en utilisant un modèle RLC sans pour autant fournir beaucoup d’éléments d’explication.

Yu Cao et Al ont étudié des inductances rectangulaires et octogonales planaires de

faibles dimensions [Yu Cao, 2003]. Ils ont constaté que les éléments des modèles RLC
classiques d’inductances planaires sur silicium doivent être fonction de la fréquence pour
prendre en compte les effets de peau et les effets de proximité sur une large bande de

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 44

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

fréquence. Cette dépendance des éléments du schéma en fonction de la fréquence constitue un

point négatif, car ce type de modèle dont les éléments dépendent de la fréquence ne peut pas
être utilisé de façon simple dans le domaine temporel. Les auteurs proposent un modèle
appelé modèle 2-π valable sur une large gamme de fréquence, mais dont les éléments sont
indépendants de la fréquence.

(a) (b)
Figure I.20 : (a) : Inductance octogonale ; (b) : modèle 2-π proposé [Yu Cao, 2003].

Les auteurs ont comparé les résultats du modèle à ceux obtenus par des mesures sur trois
inductances différentes et trouvent une bonne corrélation entre les résultats du modèle et ceux
de mesure, ce qui justifie la qualité du modèle développé.

Figure II.21 : Résistance en fonction de la fréquence et des dimensions [Yu Cao, 2003].

Ji Chen et Al [Ji Chen, 2004] ont travaillé sur le comportement des inductances carrés
en haute fréquence et se sont aussi intéressés aux pertes par effet de peau et de proximité
modélisées par l'expression analytique de Kuhn [Kuhn, 2001]. La plupart des modélisations

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 45

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

conduisent à des schémas équivalents dont les éléments dépendent de la fréquence

communiquée précédemment, de tels modèles ne peuvent pas être implémentés dans les
logiciels de simulation de type circuit. Ils ont ainsi modélisé l’inductance en remplaçant la
résistance variable en fonction de la fréquence par un circuit 𝑅𝑠′ , 𝑅1 et L (encadré en pointillé
figure II.22 : a) où 𝑅𝑠′ , 𝑅1 et L sont indépendants de la fréquence [Ban-Leong Ooi, 2002].
Ils ont comparé pour deux inductances les résultats des mesures issus du modèle ci-après et
ceux obtenus par simulation. Les résultats mesurés et simulés sont relativement concordants.

(a) (b)
Figure II.22 : Modélisation des effets de peau et de proximité : (a)schéma avec éléments R-L
indépendants de la fréquence ; (b) résistances mesurées et simulées [Ji Chen, 2004].

Kaluza et Al se sont intéressés aux pertes par effet de peau et de proximité sur des
inductances planaires intégrées sur silicium de faibles dimensions [Kaluza, 2008].

(a) (b)
Figure II.24 : (a) : Inductance sur silicium ; (b) : Géométrie de la spirale segmentée
[Kaluza, 2008].
é𝑝𝑎𝑖𝑠𝑠𝑒𝑢𝑟 𝑡 = 1.2𝜇𝑚; 𝑙𝑎𝑟𝑔𝑒𝑢𝑟 𝑤 = 9𝜇𝑚; 𝑑𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑠𝑝𝑖𝑟𝑒𝑠 𝑠 = 9μ𝑚
𝑙1 = 𝑙2 = 300𝜇𝑚; 𝑒𝑡 𝑛𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒𝑠 𝑠𝑒𝑔𝑚𝑒𝑛𝑡𝑠 𝑧 = 29.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 46

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

En utilisant un outil de simulation 3D, les auteurs ont mis en évidence les effets de proximité
dans cette inductance carrée sur silicium en étudiant l’influence de la distance entre spires sur
la résistance série de l’inductance.
Ces auteurs ont montré l’impact non uniforme des courants de Foucault en haute fréquence
sur les spires intérieures et extérieures de la bobine en citant [J. Craninckx, 1995]. Ils ont
proposé un modèle complexe pour chaque segment composant l’inductance et ont finalement
comparé les résultats de la résistance mesurée et celle donnée par l’expression analytique de
Kuhn [Kuhn, 2001] prenant en compte les pertes par effet de peau et de proximité 𝑹𝒆𝒇𝒇 . Une
bonne concordance entre mesure et expression analytique est montrée par la figure II.25.

Figure II.25 : Comparaison de la résistance calculée et celle mesurée [Kaluza, 2008].

Kuhn et Al se sont intéressés ensuite à la mesure du facteur de qualité Q des

inductances, mesures réalisées avec un VNA [Kuhn, 2010].
Im(Z)
Q= (II.13)
Re(Z)
Ils montrent tout d’abord que pour des facteurs de qualité élevés, la précision sur Q dépend
beaucoup de la précision des paramètres S et en particulier sur les paramètres de réflexion S11
et S22.
D’après les auteurs, il est cependant possible de mesurer avec précision des facteurs de qualité
élevés, mais qu’il convient d’être attentif aux méthodes utilisées (calibration).
La méthode proposée consiste à rajouter en parallèle ou en série une capacité et d’effectuer les
mesures au VNA au voisinage de la résonance (série ou parallèle).

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 47

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Figure II.26 : Nouvelle méthode de mesure des facteurs de qualité [Kuhn, 2010].

Harburg et Al ont démontré qu’il n’est pas possible de modéliser les pertes dans les
enroulements planaires avec une représentation 1D du champ magnétique H. la figure II.27
illustre la non uniformité du champ magnétique dans les bobinages et justifie ainsi une
approche 2D (suivant x et y) [D.V. Harburg, 2012].

Figure II.27 : Présentation 2D du champ magnétique d’une inductance [D.V. Harburg, 2012].

A cause des effets de peau et de proximité dans un enroulement planaire, la densité du courant
dans un conducteur n’est pas uniforme. De plus cette non uniformité est importante pour les
conducteurs externes et plus faible pour les conducteurs internes (phénomène suivant l’axe x,
parallèle au conducteur).

Figure II.28 : Distribution de la densité du courant dans un conducteur suivant l’axe x

[D.V. Harburg, 2012].

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 48

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Suivant l’axe y (perpendiculaire aux conducteurs), les auteurs considèrent l’effet de peau et le
prennent en compte en introduisant un coefficient 𝐹𝑟 = 𝑅𝑎𝑐 ⁄𝑅𝑑𝑐 , dont ils donnent la méthode
de calcul. L’expression des pertes devient : Prb = i 2 .Fr .RdC (II.14)

Figure II.29 : Distribution de la densité du courant dans un conducteur suivant l’axe y

[D.V. Harburg, 2012].

Les auteurs précisent que les pertes dans un conducteur sont proportionnelles au carré de
l’excitation magnétique noté H le long du conducteur. Pour prendre en compte les effets de
proximité pour l’ensemble des spires, les auteurs introduisent une nouvelle valeur de
l’excitation H’ dont ils précisent le mode de calcul. Ils obtiennent ainsi l’expression des pertes
tenant compte des effets de peau et de proximité Prb = i 2 .Fr .RdC .(H ' / H)2 (II.15)

N. Wang et Al ont proposé une méthode 2D pour le calcul de la résistance AC en

tenant compte des composantes Hx et Hy du champ, lesquelles varient respectivement suivant
y et x [[Link], 2013]. La méthode utilisée par les auteurs se base sur la répartition du
courant dans le conducteur qui n’est pas uniforme. Cette non-uniformité est due aux effets de
peau et de proximité suivant les directions x et y. Les auteurs définissent trois densités de
courant J1, J2 et JDC, la somme de ces trois densités représente la densité totale.
JDC : densité du courant DC ;
J1 : densité des courants de Foucault induits dans le conducteur suivant l’axe y ;
J2 : densité des courants de Foucault induits dans le conducteur suivant l’axe x.
Les densités J1 et J2 sont les solutions d’une équation différentielle du second ordre :
δ 2 (J 1 + J DC )
= -α 2 .β 2 + α 2 .(J 1 + J DC ) (II.16)
x 2

𝛼: 𝑓𝑜𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑒𝑡 𝛽: 𝑓𝑜𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑢 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑠𝑢𝑖𝑣𝑎𝑛𝑡 𝑥.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 49

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Cette équation différentielle est déduite à partir des équations de Maxwell obtenues
séparément dans les directions x et y (configuration 1D).
Les auteurs ont finalement comparé la méthode de Dowell (1D), les résultats obtenus par
simulation (Maxwell 2D, 3D), les mesures et la méthode proposée. Ils montrent une assez
bonne corrélation entre la méthode proposée et les simulations (figure II.30) ainsi que la
méthode et les mesures (figure II.31).

Figure II.30 : Comparaison entre simulations, méthode proposée et la méthode de Dowell

[[Link], 2013].

Figure II.31 : Comparaison entre mesures, méthode proposée et la méthode de Dowell

[[Link], 2013].

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 50

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Pour la modélisation des composants à couches magnétiques, les pertes fer (Rcore)
dues à l’hystérésis et au courant de Foucault s’ajoutent sur le modèle représentant les
composants à air.
Dans les inductances à couches magnétiques "contrôlées" en courant (intensité, amplitude et
forme imposées), les pertes fer sont modélisées par une résistance série (figure II.32).
En revanche, les transformateurs étant attaqués en tension (tension, amplitude et forme
imposées), les pertes fer sont classiquement modélisées par une résistance parallèle sur le
primaire [Mingkai, 2014].

Figure II.32 : Modèle RLC de l’inductance avec perte fer ou à matériau magnétique.

De la même façon que les pertes fer sont prises en compte, certains auteurs ont modélisé les
pertes par courant de Foucault dans le substrat (silicium ou matériau magnétique) par une
résistance en série avec la résistance représentant les pertes variables en fonction de la
fréquence dans les conducteurs.

Yehui et Al ont modélisé une inductance à couche magnétique en mettant la

résistance représentant les pertes fer en série avec celle représentant les pertes dans le
conducteur [Yehui, 2012]. Leur méthode consiste à déterminer le facteur de qualité à la
fréquence de résonance pour différentes fréquences ; la capacité du condensateur du circuit
LC étant choisie pour obtenir la fréquence désirée.

Figure II.33 : Schéma du circuit de mesure du facteur de qualité de l'inducteur [Yehui, 2012].

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 51

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Le facteur de qualité est obtenu par :

Vout 2πfL
Q= = (II.17)
Vin Rcore + Rcu + Rc
Leur méthode consiste à :
- déterminer la résistance dans le conducteur 𝑅𝑐𝑢 sur une autre inductance de même
géométrie sans matériau magnétique à l’aide d’un analyseur d’impédance ;
- mesurer la valeur de 𝑅𝐶 à l’impédance mètre ;
- déterminer 𝑅𝑐𝑜𝑟𝑒 à partir de la valeur de Q mesurée.
2πfLVin
Rcore = - Rcu - Rc (II.18)
Vout

Ils s’intéressent aussi à la précision sur les résistances et vérifient leur méthode en
l’appliquant à différents types d’inductances.

Tolwalkar et Al se sont intéressés aux pertes dans une inductance sans matériau
magnétique réalisée sur un substrat de silicium plus ou moins conducteur [Tolwalkar, 2005].
La présence d’un plan de masse PGS (Patterned Ground Shield) conduisant à limiter la
pénétration des champs dans le substrat silicium permet de réduire les pertes dans le substrat
(pertes par courant de Foucault). La prise en compte de ces pertes dans un schéma équivalent
RLC est assurée par une résistance série Rsub de façon similaire à la résistance série Rmetal qui
permet de prendre en compte les pertes par effets de peau et de proximité.

Figure II.34 : Modèle de circuit équivalent pour une inductance en spirale avec PGS

[Tolwalkar, 2005].

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 52

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Dans cet article, les auteurs précisent la façon de déterminer la résistance Rsub(f) et vérifient
expérimentalement le bon comportement de leur méthode.

V. NOUVELLE METHODE DE DETERMINATION DE LA RESISTANCE SERIE

Après avoir parcouru les différents travaux présentés par de nombreux auteurs sur les pertes
dans les bobinages, nous avons remarqué que certaines formules et méthodes utilisées ne
s’appliquent pas à nos structures de fortes dimensions. Pour pallier cette insuffisance, nous
avons proposé une nouvelle méthode que nous estimons appropriée pour la détermination des
pertes dans les conducteurs des composants passifs planaires.

Démarche de la méthode
La méthode proposée permet de déterminer l’évolution de la résistance série à partir des
paramètres Sij mesurés (VNA) ou simulés (logiciel éléments finis 3D). Il est illusoire
d’imaginer déterminer la résistance série (𝑟𝑠 ) à toutes les fréquences compte tenu des
imprécisions. La méthode proposée consiste à déterminer les valeurs de la résistance pour
certaines fréquences pour lesquelles une précision acceptable est attendue. A cet effet, nous
procédons comme suit :
 nous présenterons tout d’abord le schéma équivalent retenu ;
 nous préciserons la méthode de détermination des éléments indépendants de la
fréquence ;
 ensuite nous définirons et justifierons les trois domaines fréquentiels utilisés pour la
détermination de (𝑟𝑠 ) et préciserons la procédure pour déterminer les valeurs des
résistances ;
 pour terminer le chapitre, nous nous intéressons à la précision des résultats, ce qui
nous permettra de justifier nos choix relatifs aux domaines fréquentiels retenus et aux
paramètres d’admittances utilisés.

V.1. Schéma équivalent retenu

Pour la modélisation de nos inductances nous avons retenu le schéma équivalent de la figure
II.35, correspondant à une inductance à air.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 53

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

C12

Figure II.35 : Modèle RLC de l’inductance sans pertes fer ou à air.

La résistance série r(f) prenant en compte les effets de peau et de proximité est fonction de la
fréquence.
Les trois condensateurs C1, C2 et C12 sont indépendants de la fréquence. Ils prennent en
compte les couplages capacitifs avec le plan de masse (C1 et C2) et les couplages entre les
spires (C12).
L’inductance L est considérée constante pour les inductances à air (mais en fonction de la
fréquence pour une inductance à couche magnétique).

V.2. Extraction des éléments du modèle

Ce modèle représentant les inductances à air est considéré comme un quadripôle liant les
entrées aux sorties. Les paramètres admittances Yij de ce quadripôle nous permettent
d’extraire les éléments du modèle.

Figure II.36 : Quadripôle et modèle d’admittance.

La matrice admittance est une matrice de transformation courant-tension.

 I 1  Y11 Y12  V1   I 1 = Y11 .V1 + Y12 .V2
 I  = Y Y  V    I = Y .V + Y .V
 2   21 22   2   2 21 1 22 2

Le calcul des admittances Yij se fait au moyen du concept de court-circuit et de source de

tension.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 54

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

I1
Y11 = (II.19) : Admittance d’entrée à sortie court-circuitée.
V1 V =0
2

I1
Y12 = (II.20) : Admittance de transfert avec entrée court-circuitée.
V2 V1 =0

I2
Y21 = (II.21) : Admittance de transfert avec sortie court-circuitée.
V1 V =0
2

I2
Y22 = (II.22) : Admittance de sortie avec entrée court-circuitée.
V2 V1 =0

En considérant le modèle des inductances à air de la figure II.35, les expressions des
paramètres admittances ci-dessus seront les suivantes :
1
Y11 = + j(C1 + C12 )ω (II.23)
r(f)+ jLω

 1 
Y12 = Y21 = -  + jC 12 ω  (II.24)
 r(f)+ jLω 
1
Y22 = + j(C 2 + C12 )ω (II.25)
r(f)+ jLω

Dans notre démarche, nous avons utilisé les courbes représentant le module des admittances
en fonction de la fréquence pour déterminer les différents éléments du schéma équivalent. Un
exemple est donné à la figure II.37 suivante.

Figure II.37 : Courbes d’admittances.

Les éléments du schéma équivalents sont calculés à partir des Yij déterminés soit par
simulation soit par mesure.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 55

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Nous considérons L, C12, C1 et C2 constantes et r(f) variable en fonction de la fréquence, car il

s’agit d’une inductance sans matériau magnétique. Aux très hautes fréquences, la répartition
du courant dans les conducteurs est modifiée (effets de peau et de proximité), ce qui peut
entrainer une légère modification de la valeur de L. Nous considérons cependant L constante
compte tenu de la faible modification de L et de la précision recherchée. Concernant les trois
capacités C1, C2 et C12, le substrat d’alumine utilisé possédant une permittivité relative εr
constante aux fréquences d’étude, celles-ci seront donc indépendantes de la fréquence et donc
constantes. La lecture et les interprétations de ces courbes nous permettent de déterminer tous
les éléments constants ainsi que certaines valeurs de la résistance variable en fonction de la
fréquence.
Les éléments constants sont déterminés de la manière suivante :
 Inductance L

Dans la partie linéaire de l’admittance (pente de -20dB par décade), le composant est
essentiellement inductif et l’admittance Y12 est sensiblement égale à :

1
Y12 = (II.26)
jLω

Ce qui permet de calculer la valeur de l’inductance L.

 Capacités C12, C1 et C2

Les fréquences de résonance des admittances Y12, Y11 et Y22 donnent la possibilité de calculer
respectivement les capacités C12, C1 et C2. Sachant que pour un circuit résonant LC, la

fréquence de résonance à pour expression : f 0 = 1 2π LC (II.27) on a :

La résonance de Y12 est due aux éléments L et C12 d’où :

1
C 12 = (II.28)
f 2
0Y12 .4π 2 .L

La résonance de Y11 est due aux éléments L et C1 et C12 en parallèle.

1
C 12 + C 1 = (II.29)
f 2
0Y11 .4π 2 .L

La résonance de Y22 est due aux éléments L et C2 et C12 en parallèle.

1
C 12 + C 2 = (II.30)
f 2
0Y22 .4π 2 .L

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 56

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

f0Y12 , f0Y11 et f0Y22 représentent les fréquences de résonance parallèle des trois

admittances Y12, Y11 et Y22.

 Résistance r(f)
En ce qui concerne la résistance variable en fonction de la fréquence qui représente les pertes,
elle est déterminée dans trois domaines de fréquences différents :
- en très basse fréquence (𝑟𝐷𝐶 ) ;
- aux "moyennes fréquences" (les phénomènes capacitifs sont négligeables) ;
- aux résonances en très haute fréquence.

a- En très basse fréquence

La résistance continue 𝒓𝑫𝑪 peut être obtenue :

- En simulation, si le logiciel permet d’effectuer des simulations aux très basses
fréquences, mais la détermination de 𝒓𝑫𝑪 par cette méthode peut s’avérer imprécise.
On préfère l’obtenir par calcul : rDC = ρL S (II.31)
- En mesure, il convient d’utiliser des moyens « basse fréquence » autre qu’un VNA.
Des équipements tels que le LCR mètre et impédancemètre associé à une méthode
"quatre fils".

b- Aux "moyennes fréquences"

Nous rappelons qu’aux moyennes fréquences les modules des différentes impédances et
admittances peuvent être simplifiées (on ne tient pas compte des couplages capacitifs qui sont
négligeables).
Certaines valeurs de la résistance en fonction de la fréquence sont déterminées à partir de
l’expression de Y12 en fonction des éléments du modèle. Cette expression nous amène à une
équation du second degré dont une racine est solution (nous présentons en annexe les détails
des calculs).
1
Y12 = - (II.32)
r(f) + jLω

-r(f)
Réel(Y12 ) = (II.33)
r (f)+ L2 (2πf)2
2

Si nous notons α = Réel(Y12 ) , cette équation devient :

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 57

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

αr 2 + r + αL2 ω2 = 0 (II.34)

-1 - 1 - 4α 2 L2 ω2
Les solutions sont : r1 = (II.35)
2α

-1+ 1 - 4α 2 L2 ω2
r2 = (II.36)
2α
C’est la solution r2 qui permet de déterminer les valeurs de la résistance en fonction de la
fréquence dans la bande de fréquence où les phénomènes capacitifs sont négligeables.

c- Aux résonances
Aux fréquences élevées aucun phénomène ne peut être négligé. Il est difficile d’extraire la
valeur de r sauf en se plaçant à la résonance. A la résonance, l’amplitude du pic de résonance
dépend uniquement de r. La détermination de r se fait par la comparaison de l’amplitude du
pic de résonance des paramètres Y11, Y12 et Y22 entre les courbes obtenues par mesure ou
simulation et les courbes recalculées à partir des éléments du modèle.
En ajustant r (valeur à la résonance) pour obtenir les mêmes amplitudes, on détermine r(f) à la
fréquence de résonance considérée comme le montre la figure II.38.

Figure II.38 : Amplitude du pic en fonction de la résistance.

La figure II.39 illustre la démarche retenue en faisant apparaitre les différents domaines de
fréquence pour lesquels la résistance r(f) est déterminée. Ces quelques points permettent de
tracer l’évolution de la résistance r(f) en fonction de la fréquence.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 58

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

8
r (Ω)
7

6 Fréquences de résonance

rDC calculée Fréquence (MHz)

0
0,1 1 10 100 1000

Figure II.39 : Allure de la résistance en fonction de la fréquence.

V.3. Précisions sur les résultats (sensibilité des Sij)

Dans ce paragraphe, nous nous intéressons à l’impact d’une imprécision des paramètres Sij sur
la détermination des éléments du modèle. Ce travail sur le développement de notre démarche,
sur le choix des paramètres (Zij, Yij,…) à utiliser et au final sur la précision des résultats
attendus nécessitent des courbes réelles. C’est pourquoi nous empruntons ici des résultats de
simulation (ou de mesure) qui ne seront présentés qu’au chapitre IV.
Notons qu’en simulation sous HFSS et en mesure au VNA, la structure est assimilée à un
quadripôle dont les paramètres Sij sont calculés/mesurés en fonction de la fréquence en liant
les ondes entrantes aux ondes sortantes.
Pour calculer les paramètres Zij et Yij correspondants les formules de passage ci-après sont
utilisées :

Y11 = Y0 .
 1 - S11  . 1+ S22  + S12 S21 (II.37)
 1+ S11  . 1+ S22  - S12 S21
-2S12
Y12 = Y0 . (II.38)
 1+ S11  . 1+ S22  - S12 S21
-2S21
Y21 = Y0 . (II.39)
 1+ S11  . 1+ S22  - S12 S21

Y22 = Y0 .
 1+ S11  . 1 - S22  + S12 S21 (II.40)
 1+ S11  . 1+ S22  - S12 S21

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 59

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Z11 = Z0 .
 1+ S11  . 1 - S22  + S12 S21 (II.41)
 1 - S11  . 1 - S22  - S12 S21
-2S12
Z12 = Z0 . (II.42)
 1 - S11  . 1 - S22  - S12 S21
-2S21
Z 21 = Z0 . (II.43)
 1 - S11  . 1 - S22  - S12 S21

Z 22 = Z0 .
 1 - S11  . 1+ S22  + S12 S21 (II.44)
 1 - S11  . 1 - S22  - S12 S21

𝑎𝑣𝑒𝑐 Z0 = 50Ω 𝑒𝑡 Y0 = 1 Z0

Les éléments du schéma équivalent et en particulier la résistance r(f) sont calculés à partir des
paramètres admittances des composants. Ces paramètres Yij ne sont généralement pas obtenus
directement mais indirectement à partir des paramètres Sij :
- en simulation le logiciel HFSS calcule les paramètres de dispersion Sij puis en déduit
les paramètres d’admittances ;
- en mesure à l’analyseur vectoriel de réseau (VNA), il en est de même.
Les comparaisons nous ont montré que :
- en mesure, les paramètres d’admittances et d’impédances obtenues par les formules de
passages Sij concordent avec celles extraites des mesures au VNA et transformées par
le programme de conversion du VNA ;
- en simulation, les paramètres d’admittances et d’impédances obtenues par les
formules de passages Sij concordent avec celles obtenues par simulation lorsque les
deux ports sont normalisés à 50 Ohms.

Cependant, une imprécision sur le paramètres Sij obtenus par mesure (VNA) ou par
simulation (HFSS) peut affecter significativement la précision sur les paramètres Zij et Yij et
rendre la détermination des paramètres RLC du modèle très aléatoire. Pour étudier cette
influence, nous avons introduit des erreurs sur les paramètres Sij en les multipliant par 0,99 et
0,95 et avons fait les comparaisons sur les paramètres Yij représentés par les figures II.40,
figure II.41 et figure II.42.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 60

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

Figure II.40 : Comparaison des Y11 sans erreur et avec erreur de 1% et 5% sur la matrice Sij

Figure II.41 : Comparaison des Y22 sans erreur et avec erreur de 1% et 5% sur la matrice Sij

Figure II.42 : Comparaison des Y12 sans erreur et avec erreur de 1% et 5% sur la matrice Sij

Nous remarquons sur les figures II.40 et II.41 représentant respectivement les courbes des
paramètres Y11 et Y22 que les erreurs apportées sur les paramètres Sij entrainent des

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 61

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

modifications sur les allures des courbes en basse fréquence et sur les amplitudes au niveau
des fréquences de résonance. Tandis que sur la figure II.42 des paramètres Y12, les
modifications ne sont observées qu’en basse fréquence.
Concernant les pramètres Zij, les modifications sont les mêmes que celles observées sur leurs
homologues Yij sauf qu’ elles sont très importantes sur les courbes en basse fréquence comme
le montrent les figures II.43 et II.44.

Figure II.43 : Comparaison des Z11 sans erreur et avec erreur de 1% et 5% sur la matrice Sij

Figure II.44 : Comparaison de Z22 sans erreur et avec erreur de 1% et 5% sur la matrice Sij

Dans ce paragraphe, nous pouvons conclure que des imprécisions sur les paramètres S ij se
traduisent par des modifications très importantes sur les paramètres Zij. Dans ces conditions,
les paramètres Zij ne peuvent pas être utilisés pour la détermination des éléments du modèle,
sauf si on les mesurait directement à l’aide d’un impédancemètre. En revanche, les paramètres
Yij ne sont que "faiblement" affectés par une imprécision sur le calcul ou la mesure des
paramètres Sij. Deux zones sont cependant entachées d’erreurs :

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 62

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

- les très basses fréquences, dans cette zone l’incertitude sur les Sij conduit à une
imprécision importante sur la résistance r(f) ;
- à la résonance, l’amplitude du pic de résonance est affecté par les incertitudes sur les
paramètres Y11 et Y22.

Finalement, au vu de ces résultats de comparaison, nous avons porté notre choix sur les
courbes des admittances pour la détermination de la résistance en fonction de la fréquence à
cause de leurs moindres perturbations par rapport aux impédances.

Conclusion
Dans ce chapitre, nous nous sommes intéressés aux problèmes rencontrés en hautes
fréquences. Ces problèmes ne sont autres que les pertes dues aux effets de peau et de
proximité totalement responsables de l’augmentation significative de la résistance série dans
les conducteurs en haute fréquence. Si l’effet de peau est la conséquence du courant induit qui
s’oppose au courant initial parcourant le conducteur qui lui a donné naissance, les effets de
proximité sont les interactions similaires entre des conducteurs voisins engendrant des pertes
par effet Joule. Ces effets complexes ont fait l’objet de plusieurs travaux. Dans la littérature,
les auteurs utilisent une seule formule analytique pour exprimer les pertes dues à l’effet de
peau et tournent autour de deux autres expressions pour quantifier les pertes dues aux effets
de peau et de proximité. L’expression de Dowell est utilisée pour calculer à de très basses
fréquences ces pertes dans les composants passifs bobines, en fil de litz, feuillard et planar.
Elle est parfois modifiée par certains auteurs afin de l’adapter à leurs structures. La formule
de Kuhn est appliquée pour les composants planaires intégrés de faibles dimensions sans pour
autant donner d’éléments de comparaison.
Après avoir remarqué que ces expressions, qui sous-estiment ou surestiment fortement les
pertes ne peuvent pas s’appliquer à nos structures de "fortes dimensions" fonctionnant à des
hautes fréquences, nous avons proposé une nouvelle méthode permettant de déterminer ces
dernières. Cette méthode répond à nos préoccupations et semble être applicable pour tous les
composants planaires passifs.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 63

CHAPITRE II : LES ENROULEMENTS EN HAUTES FREQUENCES

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN OEUVRE

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

SOMMAIRE CHAPITRE III

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN OEUVRE ................................. 71

I. SIMULATION SOUS HFSS .......................................................................................... 71
I.1. Le simulateur HFSS ................................................................................................ 72
I.1.1. Procédure d’une simulation sous HFSS .............................................................. 72
I.1.2. Paramètres importants de simulation .................................................................. 73
I.1.2.1. Le critère de convergence ∆Smax .................................................................. 73
I.1.2.2. Le nombre d’itération maximum ................................................................. 73
I.1.2.3. La fréquence de maillage ............................................................................. 73
I.1.2.4. Le taux d’augmentation du nombre de mailles par passe ............................ 74
I.1.2.5. L’option de solution : l’ordre de fonctions de base ..................................... 74
I.1.2.6. Les conditions aux limites ........................................................................... 74
I.2. Structures étudiées................................................................................................... 74
I.2.1. Inductance à air ................................................................................................... 75
I.2.2. Inductance à une couche ..................................................................................... 77
II. REALISATION D’INDUCTANCES .......................................................................... 78
II.1. Inductance à air ...................................................................................................... 78
II.1.1. Constitution ....................................................................................................... 78
II.1.2. Principales étapes technologiques ..................................................................... 78
II.1.2.1. Substrat alumine ......................................................................................... 78
II.1.2.2. Dépôt du cuivre .......................................................................................... 78
a- Nettoyage ...................................................................................................... 80
b- Dépôt de la résine et recuit 1 ....................................................................... 80
c- Insolation et recuit 2 .................................................................................... 80
d- Révélation et recuit final .............................................................................. 81
II.1.2.4. Gravure ....................................................................................................... 81
II.1.2.5. Dorure ......................................................................................................... 82
II.1.2.6. Bonding ...................................................................................................... 82
II.1.3. Bilan................................................................................................................... 83
II.2 : Inductance à une couche magnétique ................................................................. 84
II.2.1. Constitution ....................................................................................................... 84
II.2.2. Préparation de la couche magnétique ................................................................ 85

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

II.2.2.1. Le collage et sciage..................................................................................... 85

II.2.2.2. Le rodage .................................................................................................... 85
II.2.2.3. Le polissage et profilomètrie ...................................................................... 85
II.2.3. Bilan................................................................................................................... 86
III. OUTILS DE CARACTERISATION ......................................................................... 87
III.1. Caractérisation en basses fréquences ................................................................. 87
III.1.1. Banc de caractérisation basse fréquence et caractéristiques ............................ 87
III.1.2. Méthode et moyens de mesure ......................................................................... 88
III.1.3. Techniques de mesure 4 pointes....................................................................... 89
III.1.4. Calibrage .......................................................................................................... 91
III.1.5. Conditions de mesure ....................................................................................... 91
III.2. Caractérisation en hautes fréquences ................................................................. 92
III.2.1. Banc de caractérisation haute fréquence .......................................................... 92
III.2.2. Principe de caractérisation de l’analyseur vectoriel de réseaux ....................... 93
III.2.3. Calibrages ......................................................................................................... 94
III.2.3.1. Méthodes de calibrage ............................................................................... 95
III.1.3.2. Méthode choisie ........................................................................................ 95
Conclusion ........................................................................................................................... 95

BIBLIOGRAPHIE ......................................................................................................... 97

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN OEUVRE

Pour atteindre l’objectif de nos travaux qui est l’étude des pertes cuivre dans les composants
passifs planaires, nous nous imposons de réaliser des comparaisons entre résultats de
simulation et de mesure.
Nous consacrons ce chapitre à la description de l’outil de simulation, aux moyens
technologiques de réalisation des composants et des outils de caractérisation disponibles au
laboratoire. Nous effectuerons nos études sur les trois structures planaires carrées retenues à
savoir :
- les inductances à air de plusieurs spires ;
- les inductances à air à une spire en oméga
- les inductances à une couche de matériau magnétique.

La première partie abordera l’outil de simulation HFSS d’une manière générale, et

quelques éléments indispensables comme le Design et différentes procédures obligatoires de
simulation.
La seconde partie présentera les moyens technologiques utilisés pour la fabrication de
ces inductances telles que le procédé de dépôt de cuivre et le principe de la photolithographie
nécessaire à l’obtention des motifs désirés de toutes nos structures. Les différentes techniques
utilisées pour la fabrication des inductances à une couche notamment la préparation du
substrat magnétique (collage rodage, sciage, et polissage) seront également présentés.
La troisième partie traitera des méthodes et des outils de caractérisation utilisés en
basses et hautes fréquences, respectivement le LCR mètre Agilent 4284 (20Hz à 1MHz) et
l’analyseur vectoriel de réseaux Agilent ZVA67 (10MHz – 67GHz), suivi de la description de
son banc de mesure, de son fonctionnement, de ses principes de mesure et de la méthode de
calibrage.

I. SIMULATION SOUS HFSS

Dans la littérature, les outils de simulations électromagnétiques 3D fréquemment utilisés pour
simuler des inductances parmi tant d’autres sont : MOMENTUM [Telli, 2004], HFSS
[Gamet, 2005], SONNET [Ming-Chun, 2004] [Akatimagool, 2001], Simplorer, Maxwell et
Flux [Artillan, 2008]. Le simulateur HFSS disponible au laboratoire est bien évidemment
choisi. Comme tout simulateur, il fournit des résultats précis avec peu d’étapes et des temps
de simulation acceptables.

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

I.1. Le simulateur HFSS

HFSS qui signifie High Frequency Structure Simulator est un logiciel de simulation basé sur
la méthode des éléments finis. Cette dernière fait partie des méthodes de type « discrétisation
du domaine d’étude ». Le modèle géométrique est divisé en un grand nombre de tétraèdres
(éléments). L’ensemble de ces tétraèdres constitue le maillage de la structure. Les valeurs des
champs électrique et magnétique à l’intérieur d’un élément sont interpolées à partir de
certaines composantes des champs électromagnétiques calculées aux sommets ainsi qu’aux
milieux des arrêtes de ces tétraèdres. Les valeurs des champs électromagnétiques ainsi
calculées sont ensuite stockées pour chaque élément. Les équations de Maxwell sont alors
résolues de manière matricielle par des méthodes numériques classiques. Le simulateur
calcule ensuite les paramètres Sij, Yij et Zij en fonction de la fréquence.

I.1.1. Procédure d’une simulation sous HFSS

Un projet HFSS est un dossier qui contient un ou plusieurs modèles appelés design. Chaque
modèle contient une structure géométrique, ses conditions aux limites, les matériaux utilisés,
les solutions des champs électromagnétiques et les interprétations post-traitements. Tous,
peuvent être atteints par la fenêtre Projet Manager dans l’environnement HFSS en mode
« Driven modal » dans notre cas pour les structures passives.
La figure III.1 résume les étapes de simulation d’un projet sous HFSS.

Figure III. 1 : Etapes de simulation d’un projet sous HFSS [Zhang].

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

I.1.2. Paramètres importants de simulation

Une simulation sous HFSS nécessite une bonne configuration au niveau de toutes les étapes
décrites à la figure III.1. Il faut noter que tous les paramètres sont importants, mais nous
allons présenter dans cette partie ceux qui ont le plus d’influence sur les résultats. La fiabilité
des résultats d’une simulation dépend essentiellement d’un maillage bien paramétré.
Le maillage créé sous HFSS est généré à partir d’une analyse adaptative. C’est à dire, un
maillage initial est réalisé par subdivision de la structure en tétraèdres, puis ce maillage est
affiné progressivement, dans les zones où les erreurs sont les plus importantes, jusqu’à
atteindre les critères de convergence définis par l’utilisateur. Le maillage peut être généré à
l’intérieur ou à la surface du matériau. Cette alternative est assurée respectivement par le
choix ou non de la fonction ‘’solve inside’’ lors de la caractérisation du matériau. La fonction
solve inside est prise par défaut pour les matériaux ayant une conductivité inférieure à
10-5S/m.
Pour que le maillage, duquel dépend la fiabilité des résultats, soit optimal, il faut que les
paramètres suivants soient bien configurés :
- le critère de convergence ∆Smax ;
- le nombre d’itération maximum ;
- la fréquence de maillage ;
- le taux d’augmentation du nombre de mailles par passe ;
- l’option de solution ;
- les conditions aux limites.

I.1.2.1. Le critère de convergence ∆Smax

Le critère de convergence ∆Smax est choisi par l’utilisateur. Le simulateur HFSS, après avoir
premièrement déterminé les paramètres S de la structure, calcule la différence ∆S entre les
paramètres S des passes successives (n+1) et (n) et la compare avec ∆Smax. Si la différence est
supérieure à ∆Smax, le nombre de tétraèdres est augmenté et le cycle recommence. Sinon on
dit qu’il y a convergence vers une solution et le maillage est terminé.

I.1.2.2. Le nombre d’itération maximum

Si la convergence n’est pas atteinte et si le nombre de passes maximum fixé par l’utilisateur
est atteint, l’opération s’arrête.

I.1.2.3. La fréquence de maillage

Le maillage s’effectue pour une fréquence donnée, plus la fréquence de maillage est élevée,
plus le maillage sera fin, plus la taille des tétraèdres sera petite et donc plus le nombre de

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 73

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

tétraèdres sera grand. La fréquence de maillage est choisie souvent au milieu de la bande afin
de permettre au simulateur de réaliser son maillage en l’adaptant à cette fréquence.

I.1.2.4. Le taux d’augmentation du nombre de mailles par passe

Le taux d’augmentation en pourcentage concerne le nombre de tétraèdres que le simulateur
doit ajouter avant de passer d’une passe à une autre. Il est fixé par l’utilisateur en fonction de
la valeur du critère de convergence.

I.1.2.5. L’option de solution : l’ordre de fonctions de base

HFSS utilise des fonctions de base pour interpoler les valeurs des champs à partir des valeurs
nodales lors du maillage d’une structure. Le choix de l’ordre est opéré par l’utilisateur en
fonction du nombre de tétraèdres. Il peut être le premier ordre (par défaut), l’ordre zéro
l’ordre second ou l’ordre mixte.

L'option d'ordre zéro est utile quand une structure nécessite un maillage qui produit plus de
100 000 tétraèdres, mais la taille de cette structure est faible par rapport à la longueur d'onde.
Les options d'ordre supérieur résolvent progressivement plus d'inconnues par tétraèdre pour
interpoler les valeurs des champs. Enfin, l’option mixte ordre utilise l’ordre supérieur où une
grande précision est nécessaire, et l'ordre inférieur où les champs sont plus faibles.

I.1.2.6. Les conditions aux limites

On doit mailler sur un espace fini (problème de nombre de mailles, de la durée de simulation).
En dehors de cet espace, de ce volume, une solution consiste à considerer les champs nuls. Il
s’agit d’une approximation correcte si le volume choisi est suffisament grand. On choisit très
souvent comme condition aux limites le "Perfect E"qui impose un champ électrique nul à
l’interface.

D’une manière générale, nos simulations sont effectuées dans les conditions
suivantes :
- excitations en wave ports ;
- critère de convergence ΔSmax=10-4 ;
- nombre d’itérations de 3% ;
- fréquence de maillage au milieu de la bande de fréquence utilisée ;
- l’option de solution ordre mixte ou ordre zero selon nombre de tétraèdres.

I.2. Structures étudiées

Les structures étudiées sont les composants passifs planaires à air et à couche magnétique.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 74

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

I.2.1. Inductance à air

Le laboratoire a porté son choix sur une spirale carrée qui est facile à réaliser et permet
d’obtenir une valeur d’inductance élevée. Les inductances à air plusieurs spires et les
inductances à une spire en oméga que nous avons étudiés sont toutes composées d’un substrat
d’alumine sur lequel est déposé un bobinage en cuivre bordé d’un plan de masse. La
différence entre ces inductances en dehors de leurs designs se trouve sur les connexions des
plots permettant l’excitation lors de la simulation et la mesure.
- Pour les spirales à plusieurs tours, les plots intérieur et extérieur sont respectivement
reliés par un bonding et un via (figure III.2) ;
- Pour la spirale en oméga d’un seul tour, les plots extérieurs sont reliés directement à la
spirale (figure III.3).
Il faut noter que :
- l’alumine est choisie à cause de ses faibles pertes et de son très bon compromis entre
coût et performance ;
- le cuivre est choisi à cause de sa faible résistivité (1,7.10-8 Ω.m) et son moindre coût.
La figure III.2 donne le design et les dimensions géométriques de l’une de nos inductances à
air à plusieurs spires étudiées.

Cuivre

Alumine

Figure III.2 : Inductance à air : a)vue de dessus ; b) vue latérale..

Le tableau III.1 précise les dimensions géométriques des inductances à plusieurs spires
étudiées.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 75

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

Tableau III.1 : Description des dimensions

Paramètres Désignations
D1 distance entre le plot central et la première spire
D distance entre les rubans
R largeur des rubans conducteurs des spires
A distance entre la dernière spire et le plan de masse
V écart entre les plots externes et le plan de masse
PCY Largeur des plots extérieurs
Py longueur des plots extérieurs et largeur du plan de masse côtés plots
Px largeur du plan de masse des autres côtés
L coté de l’inductance : 2(A+Py+D1+N.R+ (N-1).D)
E épaisseur des rubans conducteurs
Esub Epaisseur du substrat
N Nombre de spires

L’inductance à air est simple à réaliser et peut être utilisée pour les applications en hautes
fréquences mais elle occupe une grande surface, engendre un rayonnement électromagnétique
important et donne une valeur de L faible.

La figure III.3 donne le design de l’inductance à air en oméga étudiée avec les dimensions
suivantes :
- épaisseur de 3.4µm ;
- largeur w variant de 50 à 250µm
- longueur côté Lco variant de 0.5 à 1mm.

Lco

Figure III.3 : Spirale CEA en oméga.

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

I.2.2. Inductance à une couche

L’inductance à une couche est une inductance planaire avec matériau magnétique. La
différence entre la constitution de l’inductance à une couche et l’inductance à air réside sur le
substrat. Cette fois-ci, le substrat d’alumine est remplacé par une couche de matériau
magnétique collé sur un substrat de verre (figure III.4).

Cuivre
YIG
Verre

a) b)

Figure III.4 : Inductance à une couche : a) design ; b) vue de face.

Deux paramètres géométriques s’ajoutent à ceux d’une inductance à air :

- l’épaisseur du matériau magnétique (YIG) notée Eyig.
- l’épaisseur du verre notée Esub (ce dernier n’a pas d’influence sur les
caractéristiques de l’inductance).
Les principaux paramètres qui caractérisent le matériau magnétique sont la perméabilité
relative μr, la tangente de perte tanδ, la résistivité ρ et l’aimantation à saturation Ms. Le
matériau magnétique utilisé est le YIG (Grenat d’Yttrium et de Fer, Y3Fe5O12 ; µr= 45, r=15
et ρ≈108 Ω.m). C’est un ferrite utilisé au laboratoire [Dagal, 2013] [Kriga, 2008] et dont la
résistivité électrique est élevée. Cette résistivité élevée permet de limiter les courants induits
dans le matériau et lui permet aussi de fonctionner jusqu’à plusieurs centaines de MHz
[Mohan, 1999] [H.B. Mahamat 2014].
Le matériau magnétique YIG utilisé dans ces structures, canalise les lignes de champ et
augmente ainsi le flux magnétique. Ce qui leur donne l’avantage de doubler la valeur de L
obtenu avec les inductances à air [Waseem, 1988].

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

II. REALISATION D’INDUCTANCES

Dans cette partie, nous abordons la phase de réalisation des structures simulées. La réalisation
est la phase technologique qui regroupe toutes les étapes permettant d’obtenir le composant
réel. Elle fait appel à différentes étapes de micro-technologies. Ces étapes concernent les
techniques de dépôt sous vide, les procédés de photolithographie, les techniques de dépôt
électrolytique, les techniques de sciage et de collage. La succession des étapes technologiques
citées diffère en fonction des structures à air ou à couche de matériau magnétique.
Nous allons dans les paragraphes qui suivent décrire la procédure de fabrication de
l’inductance à air, puis celle à une couche de matériau magnétique.

II.1. Inductance à air

II.1.1. Constitution
Les inductances à air réalisées au laboratoire sont constituées d’une couche de cuivre déposée
sur un substrat d’alumine. Les substrats d’alumine utilisés sont fournis par la compagnie
commerciale Neyco. Ils sont soit de forme ronde de 2 pouces de diamètre, ou rectangulaire de
50mm pour 20mm et tous deux ont une épaisseur de 635 µm.
II.1.2. Principales étapes technologiques
II.1.2.1. Substrat alumine
Le laboratoire a choisi le substrat d’alumine en raison de son utilisation classique en
hyperfréquence, de ses très faibles pertes et aussi de sa disponibilité sur le marché. Le substrat
d’alumine est constitué d’une face polie lisse et d’une face non polie rugueuse. La face non
polie possède une rugosité élevée (de l’ordre de 200 nm), bien que cette face permette une
bonne adhérence avec la couche de cuivre, cette forte rugosité a une influence négative lors de
la gravure de cette dernière. La face polie de rugosité plus faible (inférieure à 20nm) permet
une bonne gravure par contre l’adhérence est légèrement moins bonne [Allassem, 2010]. Les
dépôts des couches de cuivre sont réalisés le plus souvent sur la face polie.

II.1.2.2. Dépôt du cuivre

Le dépôt de cuivre sur le substrat est précédé obligatoirement par une opération de nettoyage.
Ce nettoyage du substrat suit les étapes suivantes dans des bains à ultrasons :
- 10 mn dans l’acétone ;
- 10 mn dans l’éthanol ;
- 10 mn dans une solution de lavage commerciale (Decon) ;
- 10 mn dans de l’eau distillée.

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

Différentes techniques de dépôts de couches de cuivre existent. Parmi ces techniques, les plus
utilisées sont : la technique de dépôt liquide (électrolyse) et les techniques de dépôt physique
en phase vapeur (PVD : Physique Vapor Deposition) [Jiang, 1988]. La méthode utilisée au
laboratoire est la pulvérisation cathodique.
Cette méthode de pulvérisation cathodique RF est un processus d’éjection d’atomes
superficiels d’une “cible” par des atomes ionisés d’un gaz rare (argon : Ar) et de transfert des
atomes de la cible sur un substrat pour former une couche. Ces ions d’argon (Ar+) issus
d’atomes d’argon introduit dans une atmosphère contrôlée, sont accélérés par un champ
électrique, la cible étant portée à une tension négative par rapport à celle du substrat. Les
particules pulvérisées sont en général électriquement neutres. Un certain nombre d’entre elles
est recueilli sur le substrat placé en face de la cible à une distance contrôlée formant ainsi une
couche mince.
A cet effet lors de la réalisation de nos composants, les couches minces de cuivre sont
déposées à l’aide du bâti de pulvérisation cathodique RF (figure III.5) disponible au
laboratoire.

Figure III.5 : Bâti de pulvérisation.

Cette machine est composée des éléments suivants :

- une enceinte à vide ;
- un groupe de pompage (une pompe primaire et une pompe secondaire) ;
- un générateur radiofréquence.
Une anode et une cathode planes distantes de quelques centimètres sont situées dans
l’enceinte de la machine. La cathode reliée au pôle négatif du générateur porte la cible et
l’anode reliée à la masse supportera le substrat sur lequel on désire déposer le cuivre. Après

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

avoir placé le substrat, le vide dans l’enceinte est réalisé par l’intermédiaire de deux pompes
(à palettes et turbo moléculaire).
La réussite du dépôt de cuivre est fonction des principaux paramètres suivants :
- la pression de l’enceinte avant le dépôt environ 10-6 mbar ;
- la puissance du générateur à 300W ;
- le débit d’argon à 20sccm (standard cubic centimeters per minute) ;
- la distance entre le substrat et la cible à 6.7cm
- la durée de dépôt qui détermine l’épaisseur de la couche de cuivre sur le substrat, par
exemple 30mn de dépôt équivaut à déposer 5µm d’épaisseur de couche de cuivre.

II.1.2.3 : Photolithographie
La photolithographie, technique de réalisation du motif après le dépôt de la couche du cuivre
"pleine plaque" sur le substrat a lieu en salle blanche. Cette technique consiste à transférer le
motif d’un masque sur le substrat recouvert de la couche mince de cuivre par l’intermédiaire
d’une résine photosensible. Ensuite une gravure du cuivre permet d’enlever le conducteur aux
endroits non désirés. Le masque est une plaque en verre ou en plastique sur laquelle sont
imprimés les motifs à transférer.
La photolithographie est une suite d’étapes technologiques précédées par une opération de
nettoyage.
a- Nettoyage
Le nettoyage est la première étape technologique importante et indispensable. Il se fait à
l’aide d'un bain à ultrasons (10 min dans l'acétone, 10 min dans l'éthanol et 10 min dans l'eau
pure), suivi d’un séchage à l’azote.
b- Dépôt de la résine et recuit 1
La résine photosensible positive SPR 505A est déposée sur la couche de cuivre puis étalée sur
toute la surface à l’aide d’une tournette (spin coating). Elle est ensuite séchée sur une plaque
chauffante à 110°C pendant 90s afin d’éliminer les solvants.
c- Insolation et recuit 2
Une fois le dépôt de résine terminé, l’échantillon est placé dans une machine à insoler et
correctement positionné par rapport au masque. L’échantillon est ensuite mis en contact avec
le masque par aspiration et est insolé pendant quelques secondes (12s).
La dimension du motif reste très supérieure à la longueur d’onde pour éviter les phénomènes
de diffraction, sachant que l’insolation se fait avec une lumière ultraviolette (UV).

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

Lors de l’insolation, la résine non masquée subira une rupture de ses macromolécules dans le
cas où la résine est dite positive. Les parties masquées de la résine ne subiront aucun
changement. Pour la résine négative ce sera le contraire.
Pour activer la polymérisation de la résine, un second recuit est effectué (recuit 2) au four
pendant 90s à 110°C.

Figure III.6 : Echantillon pendant l’insolation au rayonnement UV.

d- Révélation et recuit final

Cette étape consiste à tremper l’échantillon dans un révélateur. Ce dernier dissout les parties
non désirées de la résine exposée à la lumière UV laissant apparaitre la résine non insolée.
Après rinçage à l’eau dé ionisée, l’échantillon est recuit dans un four à 110°C pendant 4
minutes dans le but de durcir la résine pour augmenter sa tenue mécanique.

Figure III.7 : Echantillon après révélation.

II.1.2.4. Gravure
Après les étapes de photolithographie, la gravure consiste à enlever le cuivre à l’emplacement
où la résine a été enlevée. On distingue deux types de gravure : sèche et humide. La gravure
humide est la plus utilisée actuellement au sein du laboratoire. Elle consiste à immerger
l'échantillon dans une solution composée de perchlorure de fer et d'eau (50%) que l'on chauffe
à 30°C environ. La solution grave le cuivre en dissolvant les parties non protégées par la
résine et fait apparaître le motif souhaité. La vitesse de gravure dépend de la concentration de
la solution, de la température et de l’épaisseur du cuivre (classiquement quelques mn).
L’échantillon est rincé puis plongé dans l’acétone pour éliminer la résine restante. Le
composant final est obtenu après un dernier rinçage à l’eau et subira une dorure afin d’éviter
l’oxydation du conducteur.

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

II.1.2.5. Dorure
Une couche fine d’or est déposée sur les bobinages en cuivre afin d’éviter l’oxydation du
dispositif. La méthode de dorure utilisée est la méthode dite « dorure galvanoplastie » comme
représenté sur la figure III.8.
Au moyen d’un courant électrique, le métal préalablement dissous dans un bain (or) est
déposé sur la pièce à protéger. Cette opération utilise le principe de l’électrolyse
(décomposition chimique des substances en solution, produite par un courant électrique).
Lorsqu’un générateur crée une différence de potentiel entre l’anode et la cathode, un champ
électrique est généré dans l’électrolyte. Les ions positifs se dirigent vers la cathode et sont
réduits sous forme de métal (Au3+), tandis que les ions négatifs se dirigent vers l’anode et sont
oxydés. C’est ainsi que le film d’or se dépose sur l’échantillon dont l’épaisseur est fonction du
temps.

Figure III.8 : Galvanoplastie utilisé.

II.1.2.6. Bonding
Le bonding qui est en général réalisé en fil d’or ou d’aluminium permet de relier
électriquement le plot extérieur au plot central. Il est soudé par ultrasons à l’aide d’une
machine (type KS4523) disponible au laboratoire CIME de Grenoble (figure III.9). Pour ce
type de soudure, l’énergie au niveau de la soudure est apportée par micro-vibration à une
fréquence élevée sous une certaine pression. Les vibrations sont entretenues par un
transducteur piézo-électrique solidaire d’une électrode mobile appelée « sonotrode » au bout
de laquelle est fixé l’outil. Le bonding (Figure III.10) est indispensable pour la réalisation des
mesures à l’aide d’un analyseur vectoriel qui ne dispose pas de sondes permettant de faire des
mesures sur des échantillons où les deux plots (plot central et le plot extérieur) ne sont pas
connectés.

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

Figure III.9 : Machine KS4523 pour la réalisation de bonding.

Figure III.10 : Réalisation du bonding sur la spirale.

II.1.3. Bilan
Le tableau III.3 récapitule toutes les étapes de la réalisation de nos inductances à air, depuis le
dépôt de cuivre jusqu'à la pose de fils reliant le plot extérieur au plot intérieur (bonding).

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

Tableau III.3 : Synthèse de la réalisation des inductances à air

Etapes photos

Dépôt de cuivre

Dépôt de la résine

Insolation

Révélation

Gravure

Dorure

Composant final avec

Bonding

II.2 : Inductance à une couche magnétique

II.2.1. Constitution
Nous avons également réalisé des inductances à une couche constituées d’un bobinage en
cuivre et d’un substrat de matériau magnétique (YIG) collé sur verre. Les substrats de YIG
utilisés sont livrés par la compagnie Temex Ceramics et sont de forme carrée de 50,8 mm de
côté et de 1mm d’épaisseur. Les dimensions voulues sont obtenues par sciage et les épaisseurs
désirées peuvent être obtenues après une opération de rodage suivi d’un polissage permettant
d’obtenir un bon état de surface.
Les autres étapes de fabrication à savoir : le dépôt de cuivre par pulvérisation, la
photolithographie en salle blanche, la gravure, la dorure et la réalisation du bonding sont
identiques à celles d’une inductance à air décrites précédemment.
Dans cette partie, nous nous intéressons à la préparation de substrat constitué du verre et du
matériau magnétique (YIG).

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

II.2.2. Préparation de la couche magnétique

La préparation du substrat fait appel aux étapes de collage, sciage, rodage et polissage suivies
éventuellement du contrôle de rugosité effectuée au Profilomètre.

II.2.2.1. Le collage et sciage

Le YIG est un matériau fragile, cassant facilement. Pour pallier ce problème mécanique, il est
collé sur un substrat de verre avec de la colle Geofix. Le substrat verre et le YIG dans leurs
dimensions commerciales ne sont pas adaptés pour la rodeuse et la polisseuse. Le sciage est
l’opération qui permet d’avoir les dimensions acceptables par ces dernières (30*45mm).

II.2.2.2. Le rodage
Le rodage est la technique qui consiste à diminuer l’épaisseur du YIG (quelques centaines
µm) par enlèvement de matière pour avoir l’épaisseur voulue. Pour avoir l’épaisseur désirée le
réglage de la hauteur du porte-substrat à l’aide d’un comparateur se fait en tenant compte de
l’épaisseur de l’ensemble du substrat plus une marge de 40 µm.
Un abrasif composé de carbure de silicium et d’eau est utilisé lors de l’opération de rodage
pour obtenir une bonne planéité. La rodeuse est représentée par la figure III.11.

Porte substrat Comparateur

Plateau

Figure III.11 : Rodeuse + comparateur (Laboratoire de géologie L.M.V) [[Link] 2014].

II.2.2.3. Le polissage et profilomètrie

La technique de polissage permet d’obtenir un bon état de surface du substrat rodé, opération
effectuée par la polisseuse. Le polissage permet de réduire la rugosité de la surface rodée afin
de la rendre adaptée au dépôt du cuivre pour le bobinage (200nm). Lors de cette opération, la
lubrification et le refroidissement seront assurés par un abrasif.
La polisseuse (figure III.12 a) est constituée :
- d’un plateau inférieur sur lequel est positionné un tapis de "1/4µm" ;
- d’un plateau supérieur sur lequel est installé le porte substrat dans lequel notre substrat
est placé après son nettoyage dans un bac à ultrasons.
Le polissage se fait par la mise en contact et en rotation des deux plateaux. La pression entre
les plateaux, le temps et la vitesse de rotation déterminent la qualité de la surface polie.

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

L’état de la surface est ensuite contrôlé par un profilomètre (figure III.12 b) afin d’obtenir une
rugosité permettant une bonne adhérence du conducteur.

Plateau supérieur

Porte substrat

Tapis ¼ micro

Plateau inferieur

Figure III.12 : a) Polisseuse et b) Profilomètre

II.2.3. Bilan
Le tableau III.4 ci-dessous fait la synthèse des étapes micro technologiques de la réalisation
des inductances à une couche de matériau magnétique. Les autres étapes allant du dépôt de
cuivre à la pose du bonding sont identiques à celles utilisées pour l’inductance à air.

Tableau III.4 : Synthèse de la réalisation des inductances à une couche de matériau magnétique

Etapes Photos
Rodage pour obtenir Porte substrat Comparateur

l’épaisseur de matériau
magnétique désirée (après
Plateau
collage sur le verre)

Polissage pour obtenir une

rugosité de 200 nm

Dépôt de cuivre jusqu'à la

pose de bonding (voir tableau
III.3)

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

III. OUTILS DE CARACTERISATION

Les outils de caractérisations utilisés au laboratoire pour nos travaux sont le LCR mètre
Agilent 4284 utilisé pour les basses fréquences et l’analyseur vectoriel de réseau VNA
Agilent ZVA67 pour les hautes fréquences.

III.1. Caractérisation en basses fréquences

La caractérisation basse fréquence consiste à effectuer des mesures à l’aide d’un LCR mètre
Agilent 4284. Ce LCR mètre relié à un testeur sous pointes permet de déterminer les parties
réelle et imaginaire de l’impédance ainsi que la valeur de la résistance continue R DC des
composants passifs réalisés dans une gamme de fréquence de 20Hz à 1MHz.
Nous décrirons dans les paragraphes qui suivent le principe de la méthode et les moyens de
mesure, le banc de mesure, ainsi que les caractéristiques du LCR mètre.

III.1.1. Banc de caractérisation basse fréquence et caractéristiques

Le banc de mesure basse fréquence disponible au laboratoire se compose du LCR mètre
4284A relié à un testeur sous pointes et d’une loupe binoculaire comme indiqué sur la figure
III.13 ci-après.

Figure III.13 : LCR mètre relié au testeur sous pointes

- Quatre micro-positionneurs munis chacun d’une pointe constituent le testeur sous

pointe. Ces pointes sont reliées au LCR mètre par des câbles coaxiaux permettant
de diriger les signaux vers le LCR mètre. Les quatre pointes sont réparties deux à
deux à savoir deux tensions Hp/Lp (High/Low potential) et deux courants Hc/Lc
(high/Low current).

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

- La loupe binoculaire est munie d’une lampe permettant de visualiser le dispositif

sous test pour un positionnement précis des pointes sur le composant.

Le LCR mètre est caractérisé par sa gamme de fréquence, son impédance de sortie, sa
précision, les modes de mesure à utiliser, la méthode de mesure et les paramètres primaires et
secondaires mesurés. Ces différents paramètres sont regroupés dans le tableau 1.

Tableau 1 : Principaux caractéristiques du LCRmètre 4284A [Kriga, 2008]

Gamme de fréquence 20Hz à 1MHz ±0,01%

Mesure /Affichage du résultat Point par point / Sous forme numérique à l’écran
Impédance de sortie 100Ω±3%
Précision basique ±0,05%
Modes de mesure utilisés Série ou Parallèle
Paramètres primaires mesurés |Z|, |Y|, θ, R, X, G, B, L, C, D, Q
Paramètres secondaires mesurés Ls, Lp, Cs, Cp, D, Q,…
Principe / méthode de mesure Mesure courant-tension I-V
Pont auto équilibré (ABB) avec 4 pointes (4TP)

Le choix du modèle de mesure se fait en fonction des valeurs d’impédances prédéfinies par
l’appareil et de chaque gamme spécifiée dans le tableau 2.

Tableau 2 : Mode de sélection du modèle convenable [Khalil, 2009]

Paramètre à mesurer Gamme Impédance Modèle

<1mH < 10Ω Série
L 1mH à 1H 10Ω à 10kΩ Série ou parallèle
>1H >10Ω parallèle

III.1.2. Méthode et moyens de mesure

Le LRC mètre Agilent 4284A est un appareil de mesure basse fréquence basé sur la méthode
du pont auto-équilibré comme illustré à la figure III.14.

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

Figure III.14 : Pont auto équilibré du LCR mètre 4284A [Kriga, 2008].

Selon la figure III.14, les principaux constituants de l’appareil sont la résistance connue avec
précision notée Rr, l’oscillateur contrôlé en amplitude et en phase et le détecteur de zéro.
L’appareil a pour principe de base de mesurer les grandeurs vectorielles courant-tension aux
bornes du DST (Dispositif Sous Test) et détermine l’impédance Z ou l’admittance Y en
utilisant respectivement les modèles série ou parallèle.
Le principe du pont auto-balancé consiste à maintenir un potentiel nul au point « Low » de
l’entrée du détecteur. Ce dernier agit sur la phase et l’amplitude du signal délivré par
l’oscillateur pour maintenir à tout moment une tension nulle au point « Low » [Kriga, 2008].
Ainsi dans ces conditions, le courant ix traversant le dispositif sous test (Zx) est déterminé par
l’expression suivante :
E DST -E RR
ix = = (III.1)
Zx Rr
E
Z x = -Rx DST (III.2)
E RR

La tension aux bornes du dispositif sous test EDST et le courant circulant dans ce dernier
permettent de déterminer l’impédance Zx en module et en phase. Dans le cas d’un modèle
équivalent au modèle RL série, on obtient :
R = [Link]φ (III.3)
Lω = [Link]φ (III.4)

III.1.3. Techniques de mesure 4 pointes

Deux techniques de mesure sont possibles pour caractériser les composants passifs, soit la
méthode à deux pointes soit la méthode à quatre pointes. C’est la technique de mesure à 4
pointes qui est utilisée pour la caractérisation des composants passifs réalisés au laboratoire.

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

La méthode à deux pointes consiste à injecter un courant calibré I dans le dispositif

sous test et à mesurer la chute de tension aux bornes de ce dernier.

Figure III.15 : Principe de mesure d’une impédance (méthode 2 fils).

Dans cette technique de mesure, les câbles ainsi que leur contact avec le dispositif sous test
étant résistifs et inductifs [Dagal, 2013], le courant de mesure provoque des chutes de tension
parasites dans ces impédances. Ainsi on mesure l’impédance du dispositif plus l’impédance
de contact et des câbles ( ZDST + Zcontact + Zcables ) comme l’indique la figure III.16 ci-après.
Cette méthode est utilisée lorsque les impédances parasites sont négligeables par rapport aux
impédances à mesurer.

Figure III.16 : Perturbation de la masse d’impédance.

Pour remédier à cet inconvénient, nous procédons à la méthode de mesure dite « 4 pointes »,
qui consiste à injecter un courant de mesure et à mesurer la tension avec un second jeu de
câbles, exactement aux bornes du dispositif à caractériser [Kriga, 2008]. On détermine alors
précisément la valeur de ZDST à mesurer.

Figure III.17 : Mesure d’impédance à 4 fils

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 90

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

III.1.4. Calibrage
Dans la pratique toute mesure est entachée d’erreurs qui peuvent être systématiques ou
aléatoires. Les erreurs systématiques sont dues aux méthodes utilisées et les erreurs aléatoires
sont dues à plusieurs changements physiques lors de la mesure.
C’est ainsi, pour minimiser toutes ces erreurs et avoir des résultats les plus précis possible, le
calibrage de l’appareil de mesure est obligatoire avant la caractérisation. L’appareil de mesure
peut être calibré suivant trois méthodes (Open, Short et Load) :
- Open : utilisé pour des mesures en mode parallèle, permet de réduire les parasites
( G = 1 R : Conductance et B = 1 X : susceptance).
- Short : corrige l’impédance résiduelle (R : résistance et X = Lω : réactance) pour les
mesures en mode série.
- Load : minimise les autres erreurs dues à la réflexion dans les câbles coaxiaux et
s’utilise pour les structures complexes.

III.1.5. Conditions de mesure

La caractérisation d’un composant exige à l’utilisateur un modèle équivalent. C’est ainsi que
en basse fréquence, les inductances sont modélisées par un modèle RL représenté sur la figure
III.18.

Figure III.18 : Schéma équivalent d’une inductance en basse fréquence.

Pour obtenir des mesures avec une précision acceptable, il convient de se placer à une
fréquence pour laquelle le déphasage est suffisant (entre 10 et 80°). Lorsque ce dernier est
proche soit de 0 soit de 90° l’appareil donne des résultats peu précis. Pour obtenir un
déphasage optimal de 45° (L = R), il convient d’effectuer les mesures aux MHz compte tenu
de la valeur de nos inductances.

Figure III.19 : Triangle de Fresnel

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

Ainsi le LCR mètre sera utilisé pour mesurer la résistance r en basse fréquence, la mesure de
L aux très basses fréquences étant impossible compte tenu de la faible valeur de Lω par
rapport à r.

III.2. Caractérisation en hautes fréquences

Les mesures à des fréquences élevées, font appel au moyen de mesure le mieux adapté qui est
l’analyseur vectoriel de réseaux (VNA).
Dans cette partie, nous présenterons le banc de caractérisation haute fréquence, le principe de
fonctionnement de l’analyseur vectoriel de réseaux, suivi des différentes erreurs qui entachent
les mesures et les moyens de les corriger.

III.2.1. Banc de caractérisation haute fréquence

Le banc de mesure disponible au laboratoire est composé d’un analyseur vectoriel de réseaux
de type Agilent ZVA67 et du testeur sous pointes muni d’une loupe binoculaire (figure
III.20). Cet appareil mesure les ondes transmises et réfléchies (paramètres Sij) sur une gamme
de fréquence allant de 10 MHz à 67 GHz.

Figure III.20 : Analyseur vectoriel de réseaux ZVA67

L’analyseur vectoriel de réseaux comprend trois blocs :

- un bloc source qui a pour rôle de fournir un signal à une fréquence stable ;
- un bloc de test qui envoie le signal vers le dispositif sous test et récupère les
signaux émis et réfléchis ;
- un bloc d’analyse qui détermine la phase et l’amplitude des signaux et affiche les
résultats. Les résultats s’affichent selon les convenances de l’opérateur (échelle
dB, abaque de Smith,…) et peuvent être obtenus sous forme de paramètres Sij, Zij
ou Yij.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 92

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

Le testeur sous pointes (modèle PM5) est un dispositif placé sur un marbre qui atténue les
vibrations qui peuvent fausser les mesures (figure III.21). Il permet de positionner suivant les
axes x, y et z par l’intermédiaire de vis micrométriques, les pointes sur le dispositif sous test.
Une loupe binoculaire, permettant d’agrandir l’image du dispositif, est associée à ce testeur
sous pointes.

Figure III.21 : Testeur sous pointes (inductance 15 spires).

III.2.2. Principe de caractérisation de l’analyseur vectoriel de réseaux

L’analyseur vectoriel de réseaux mesure les puissances transmises et réfléchies par le
dispositif sous test et non le courant ou la tension comme le cas du LCR mètre.

L’analyseur excite le dispositif par un signal sinusoïdal d’amplitude constante et à fréquence

variable. Il mesure le module et la phase des signaux transmis et réfléchis par le dispositif
sous test. La mesure de ces signaux se fait par l'intermédiaire des paramètres S qui
caractérisent la réflexion et la transmission des ondes sur chacun des accès (ou "ports") du
quadripôle sous test (figure III.22).

Figure III.22 : Représentation d’un quadripôle adapté à 50Ω

Les excitations successives des deux ports donnent les termes de la matrice Sij de dispersion
du dispositif sous test en fonction de la fréquence. La première tâche du système consiste à
diriger l’excitation soit du port 1 vers le port 2 ou bien le contraire, afin de pouvoir mesurer
successivement les paramètres S11et S21 puis S12 et S22 [Bayard, 2000] [Agilent N.A]

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 93

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

[[Link] 2014]. La figure III.23 montre que lorsque l’un des deux ports est excité, le
système sépare le signal généré par la source RF en deux parties. La première partie (signal
incident) est destinée à la voie de test et constitue la source pour le DST. La deuxième sert de
signal de référence R auquel sont comparés le signal réfléchi A et le signal transmis B par le
DST.

Figure III.23 : Schéma de base de la mesure des différents signaux [Agilent N.A]
[[Link], 2014].

Le principe de l’analyseur vectoriel de réseaux est basé sur le système de transmission des
signaux à travers un quadripôle qui permet de déterminer les paramètres Sij comme le montre
la figure III.24 :

Figure III.24 : Représentation d’un quadripôle.

Les paramètres Sij sont définis par :

b
S11 = 1 : coefficient de réflexion à l’entrée du port 1. (III.5)
a1
b
S 21 = 2 : coefficient de transmission du port 1 vers le port 2. (III.6)
a1
b
S 12 = 1 : coefficient de transmission du port 2 vers le port 1. (III.7)
a2
b
S 22 = 2 : coefficient de réflexion à l’entrée du port 2. (III.8)
a2

III.2.3. Calibrages
Le calibrage a pour objectif de minimiser les erreurs de différentes origines afin d’obtenir des
mesures aussi idéales que possible à partir d’un dispositif sous test. Avant toutes mesures et

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 94

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

afin d’avoir des résultats précis, l’utilisateur est tenu d’effectuer un ensemble de mesures pour
éliminer les erreurs systématiques.

III.2.3.1. Méthodes de calibrage

Quatre méthodes de calibrage existent : OSTL, Offset Short, TRM et LRM.
- La méthode TRM (Through-Reflect-Match) utilise 3 standards de calibrage la ligne de
transmission (Through Line), un standard Open ou Short et une charge adaptée de
50Ω (Match).
- La méthode LRM (Line-Reflect-Match) est identique à la précédente avec une
différence sur la longueur de la ligne.
- La méthode OSTL (Open-Short-Through-Load) qui utilise 4 standards pour corriger
les erreurs, est la plus utilisée [Rouiller, 2006] et [Allassem, 2010]. Le kit
comprend 4 standards :
a. Open (circuit ouvert) : représente une réflexion totale sans déphasage ;
b. Short (court-circuit) : qui représente une réflexion totale avec un déphasage de
180° ;
c. Through (ligne de transmission) : ligne parfaite avec une transmission totale
entre les deux ports ;
d. Load (charge de 50 ohms) : elle garantit une réflexion nulle de l’onde incidente
en bout de ligne. Elle est équivalente à une ligne de transmission infinie à -30
dB.
- La méthode de calibrage Offset Short utilise un kit de calibrage à 4 standards comme
l’OSTL dont le standard circuit ouvert est représenté par deux courts circuits
identiques décalés.

III.1.3.2. Méthode choisie

Nous avons porté notre choix sur la méthode OSTL pour nos mesures à cause de la précision
que nous voulons obtenir et les paramètres Y et Z nécessaires pour nos travaux. Le passage
des paramètres S en Y ou S en Z nécessite de connaitre l’impédance des ports.

Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons décrit les étapes de la simulation, de la réalisation et de la
caractérisation de chacune de nos inductances planaires à air et à couches magnétiques. Ces
étapes sont indispensables pour la confrontation des résultats obtenus par simulation et
mesure.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 95

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

La première partie concernant la simulation a présenté le logiciel ainsi que la

procédure de simulation du design jusqu’à la récupération des résultats en passant par les
paramètres obligatoires pour une simulation adaptée aux dispositifs considérés.
Les différentes étapes technologiques de réalisation décrites dans la seconde partie
sont réalisées dans différents laboratoires à savoir :
- le collage, le sciage, le dépôt de cuivre, le dépôt de la résine, l’insolation, la révélation
la gravure, et la dorure ont eu lieu au laboratoire Hubert Curien de Saint-Etienne ;
- le rodage et le polissage des substrats de YIG sont effectués en utilisant les moyens du
laboratoire de géologie L.M.V de l’UJM de Saint-Etienne ;
- Le bonding est réalisé au laboratoire CIME de Grenoble.

Enfin pour la caractérisation de nos dispositifs, les outils de caractérisation en basse et

hautes fréquences ont été décrits dans la troisième partie.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 96

CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

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CHAPITRE III : LES MOYENS MIS EN ŒUVRE

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Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 98

CHAPITRE IV : RESULTATS

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 99

CHAPITRE IV : RESULTATS

SOMMAIRE CHAPITRE IV

CHAPITRE IV : RESULTATS .............................................................................. 101

I. COMPOSANTS SANS PERTES FER ....................................................................... 101
I.1. Résultats concernant des inductances à air de plusieurs spires ........................ 101
I.1.1. Comparaison entre simulation et mesure des Yij ............................................. 101
I.1.1.1. Avec plan de masse (APM) ....................................................................... 101
I.1.1.2 : Sans plan de masse (SPM) ........................................................................ 103
I.1.1.3. Comparaison des dispositifs avec et sans plan de masse ........................... 105
I.1.2. Précision sur le calcul de la résistance r ............................................................ 105
I.1.3. Comparaison entre simulation et mesure de la résistance r(f) .......................... 107
I.1.3.1. Avec plan de masse (APM) ....................................................................... 107
I.1.3.2 : Sans plan de masse ................................................................................... 109
I.1.4. Etude de l’évolution des pertes ......................................................................... 111
I.1.5 : Séparation des effets de peau et de proximité.................................................. 115
I.1.5.1 : Avec plan de masse................................................................................... 115
I.1.3.2. Sans plan de masse..................................................................................... 118
I.2. Résultats concernant les inductances à une spire en oméga .............................. 119
I.2.1. Modélisation ..................................................................................................... 121
I.2.2. Extraction des éléments du modèle................................................................... 122
I.2.3. Comparaison entre simulation et mesure de la résistance r(f) .......................... 123
I.2.4. Mise en évidence des effets de peau et de proximité ........................................ 124
II. COMPOSANTS AVEC PERTES FER..................................................................... 125
II.1. Comparaison entre simulation et mesure de la résistance r(f) ........................ 127
II.2. Séparation des pertes fer et des pertes cuivre ................................................... 128
II.3. Etude de l’évolution des pertes ........................................................................... 130
II.4. Mise en évidence des effets de peau et de proximité ......................................... 134
Conclusion ........................................................................................................................... 136

BIBLIOGRAPHIE ....................................................................................................... 138

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 100

CHAPITRE IV : RESULTATS

CHAPITRE IV : RESULTATS
Ce chapitre présente les résultats de nos travaux effectués sur les composants sans pertes fer
et les composants avec pertes fer. Les composants sans pertes fer sont les inductances à air
composées d’un bobinage de cuivre déposé sur un substrat d’alumine et les composants avec
pertes fer sont les inductances à une couche de matériau magnétique. Ces résultats concernent
la détermination des pertes par effet Joule dans le bobinage de ces composants obtenus par
simulation, ils seront confrontés à ceux obtenus par mesure.

I. COMPOSANTS SANS PERTES FER

I.1. Résultats concernant des inductances à air de plusieurs spires
Les inductances sans pertes fer que nous utilisons sont les inductances à air de 5, 10 et 15
spires, possédant des conducteurs de largeur variant de 100µm à 400µm, d’épaisseur de
cuivre 5µm et de distances entre spires allant de 50µm à 400µm. Pour la suite de ce rapport,
une inductance de type A_B_C signifie : A : nombre de spires, B : largeur du conducteur et
C : distance entre spires (à titre d’exemple 5_400_50 : 5 spires, 400µm de largeur et 50µm de
distance entre spires). Nous présenterons dans ce paragraphe des résultats relatifs à des
inductances planaires à plusieurs spires et également des résultats concernant une inductance
à une seule spire.
Dans cette partie, nous allons comparer les résultats obtenus à partir des simulations sous
HFSS aux mesures effectuées au VNA et ceci dans deux environnements différents.
Ces comparaisons concerneront les paramètres Yij à partir desquels la résistance r(f) est
déterminée, ce qui permettra d’étudier l’évolution des pertes, de mettre en évidence les effets
de peau et de proximité et de les séparer.

I.1.1. Comparaison entre simulation et mesure des Yij

I.1.1.1. Avec plan de masse (APM)
L’environnement du composant "avec plan de masse" est précisé sur la figure IV.1 :
- pour les mesures, le substrat alumine repose directement sur le Chuck en acier du
testeur sous pointes (figure IV.1) ;
- pour la simulation, la face inférieure du substrat d’alumine repose sur un équivalent
d’un Chuck en acier.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 101

CHAPITRE IV : RESULTATS

Alumine

Chuck

a) b)

Figure IV.1 : Environnement avec plan de masse : a) simulation ; b) mesure

Le résultat de la comparaison de ces admittances est montré sur les figures IV.2, IV.3 et IV.4.
A titre d’exemple, nous montrons uniquement les paramètres Y11, Y12 et Y22 de l’inductance
5_400_50, les comparaisons mesure-simulation pour les autres composants étant similaires.

Figure IV.2 : Comparaison Y11 de l’inductance 5_400_50 avec plan de masse.

Figure IV.3 : Comparaison Y12 de l’inductance 5_400_50 avec plan de masse.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 102

CHAPITRE IV : RESULTATS

Figure IV.4 : Comparaison Y22 de l’inductance 5_400_50 avec plan de masse.

On observe une très bonne concordance entre simulation et mesure : les allures de courbes
d’admittances sont identiques avec des amplitudes très proches. On peut cependant noter
quelques décalages sur les fréquences de résonance et l’amplitude des pics.

I.1.1.2 : Sans plan de masse (SPM)

Dans cet environnement, les admittances comparées sont celles obtenues à partir des mesures
effectuées en plaçant un isolant (téflon) entre le substrat d’alumine et la platine en fer (Chuck)
et celles données par les simulations avec une boite d’air sous le substrat (-Z≠0) .
L’environnement avec plan de masse est présenté par la figure IV.5.

Alumine

Chuck Téflon

a) b)

Figure IV.5 : Environnement sans plan de masse : a) simulation ; b) mesure

Le résultat de la comparaison de ces admittances est montré sur les figures IV.6, IV.7 et IV.8.
De même que pour les composants avec plan de masse, nous ne donnons que les résultats
relatifs à l’inductance 5_400_50.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 103

CHAPITRE IV : RESULTATS

Figure IV.6 : Comparaison Y11 de l’inductance 5_400_50 sans plan de masse.

Figure IV.7 : Comparaison Y12 de l’inductance 5_400_50 sans plan de masse

Figure IV.8 : Comparaison Y22 de l’inductance 5_400_50 sans plan de masse.

Ces figures montrent de très bonnes concordances entre simulation et mesure. Les mêmes

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 104

CHAPITRE IV : RESULTATS

observations sont faites sur les allures de courbes d’admittances qui sont identiques avec des
amplitudes très proches. Elles présentent des pics de résonance assez proches, avec cependant
de lègers décalages sur les fréquences de résonances.

I.1.1.3. Comparaison des dispositifs avec et sans plan de masse

La figure IV.9 illustre les différences observées sur les courbes d’admittance Y12 avec plan
de masse et sans plan de masse.

Figure IV.9 : Comparaison Y12 de l’inductance 5_400_50 sans et avec plan de masse

On observe une résonance marquée pour le dispositif sans plan de masse, tandis que la
résonance disparait ou est fortement attenuée pour le dispositif avec plan de masse. La spirale
étant proche d’un plan de masse induit des champs magnétiques variables et des courants de
Foucault dans le chuck électriquement conducteur ce qui se traduit par des pertes
supplémentaires. Ces pertes supplémentaires s’additionnent aux pertes dans la spirale et
contribuent à limiter l’amplitude de la résonance. Ainsi, la résistance série du modèle dévient
plus élevée, elle correspond en fait à la somme de deux résistances, celle modélisant les pertes
dans le bobinage, l’autre modélisant les pertes dans le plan de masse.
Avant d’entamer les comparaisons sur les résistances et comme nous utiliserons les
paramètres d’admittances pour leur détermination, nous nous intéressons tout d’abord à la
précision sur le calcul de ces dernières.

I.1.2. Précision sur le calcul de la résistance r

Dans cette partie, nous allons étudier la précision sur la détermination des valeurs de r dans
les trois zones que nous utilisons pour déterminer la courbe représentant la résistance en
fonction de la fréquence.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 105

CHAPITRE IV : RESULTATS

 En basse fréquence, la résistance continue rDC = ρL / S peut être déterminée avec

précision par le calcul grâce à la connaissance des dimensions de la spirale et de la
résistivité du conducteur et aussi expérimentalement en mesurant les dimensions
ou en la mesurant directement à l’aide d’un LCR mètre ou un impédancemètre
(méthode à quatre pointes) avec une précision acceptable.
 En moyenne fréquence, les effets capacitifs sont négligeables donc la spirale se
comporte comme un circuit RL. Pour conserver cette approximation et avoir des
précisions raisonnables, on ne peut pas aller vers les très hautes fréquences et ceci
est valable en simulation sous HFSS comme en mesure au VNA.

Comme nous l’avons fait remarquer, les perturbations sur les paramètres Sij
peuvent apporter des modifications sur le paramètre Y12 utilisé pour la
détermination de la résistance en ̏ moyenne fréquence ̋. Cette sensibilité des S ij
peut influencer les précisions de nos résultats avec des incertitudes. Pour vérifier
cette hypothèse, nous avons ajouté un pourcentage d’erreurs sur les paramètres Sij
de l’inductance 5 spires, en fonction desquels le paramètre Y12 est calculé. Nous
avons ensuite comparé les facteurs d’augmentation r/rDC (figure IV.10). La courbe
(C1) correspond aux résultats obtenus à partir des paramètres Sij réputés justes. La
courbe (C2) correspond aux résultats à partir des paramètres Sij présentant 1%
d’erreur (0.99 Sij) tandis que la courbe (C3) est obtenue pour 5% d’erreur (0.95
Sij).
Spirale 5_400_50 Sij modifiés:Comparaison r/rDC
5
r/rDC
4,5

3,5
Erreur de 13,6%

3
Erreur de 30%
Erreur de 17,6%
2,5 (C1)
Erreur de 8,8%
2
(C2)
1,5
(C3)
1

0,5

0
Fréquence en GHz
0 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,09 0,1

Figure IV.10 : Comparaison des facteurs d’augmentation.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 106

CHAPITRE IV : RESULTATS

La vérification de cette hypothèse permet de conclure qu’effectivement pour calculer avec

une précision acceptable les valeurs de la résistance en moyenne fréquence, il faut rester dans
la zone où les effets capacitifs sont négligeables (circuit RL) et précisément là où les valeurs
de l’impédance Lω sont comparables à celles de la résistance R, ce qui correspond à
l’intervalle où les erreurs sont moindres.
 Aux fréquences de résonance
Les fréquences de résonance des admittances Y11 et Y22 sont sensibles aux
perturbations des paramètres Sij. Les erreurs apportent des modifications sur
les amplitudes des pics à partir desquels sont déterminées les valeurs des
résistances. Par contre les perturbations des Sij n’ont pas d’influence
remarquable sur l’amplitude du pic à la résonance de Y12 (confère chapitre
II, figures : II.38, II.39 et II.40).

I.1.3. Comparaison entre simulation et mesure de la résistance r(f)

La validation de nos travaux passe obligatoirement par la confrontation des résultats de
simulation et les résultats de mesure. Nous allons comparer les résistances en fonction de la
fréquence représentant les pertes déterminées en utilisant la méthode décrite (chapitre II.1.2) à
partir des simulations et des mesures dans les deux environnements avec et sans plan masse.
Le nombre de composants réalisés étant important, nous présenterons pour chaque étude
seulement le résultat de certains composants. Les discussions peuvent naturellement être
étendues à l’ensemble des composants.

I.1.3.1. Avec plan de masse (APM)

Dans ce paragraphe, nous montrons les résultats relatifs aux inductances 5, 10 et 15 spires
pour différentes configurations (largeur conducteur et espace entre spires). Le motif de la
spirale est rappelé en haut à gauche de chaque figure. Toutes les valeurs des résistances sont
normalisées, ce qui signifie que nous traçons r rDC .

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 107

CHAPITRE IV : RESULTATS

Spirale 5_400_200 avec plan de masse: Comparaison de r/rDC entre

16 simulation et mesure
r/rDC

10
Mesure
5_400_200_APM

6
Simulation
5_400_200_APM
4

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.11 : Comparaison, rapport r rDC de la spirale 5_400_200 avec plan de masse entre
simulation et mesure.

14
Spirale 10_200_100 avec plan de masse: Comparaison de r/rDC entre
r/rDC simulation et mesure
12

10
Mesure
10_200_100_APM
8

Simulation
4 10_200_100_APM

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.12 : Comparaison rapport r rDC de la spirale 10_200_100 avec plan de masse entre
simulation et mesure.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 108

CHAPITRE IV : RESULTATS

10
Spirale 15_400_100 avec plan de masse: Comparaison de r/rDC entre
r/rDC simulation et mesure
9

7
Mesure
6 15_400_100_APM

4
Simulation
15_400_100_APM
3

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.13 : Comparaison, rapport r rDC de la spirale 15_400_100 avec plan de masse entre
simulation et mesure.

Les figures IV.11, IV.12, IV.13 montrent, pour différentes structures d’inductance, une bonne
concordance entre les résultats de simulation et ceux de mesure.

I.1.3.2 : Sans plan de masse

Les comparaisons des pertes des différentes inductances obtenues entre simulation et mesure
dans l’environnement sans plan de masse sont présentées sur les figures IV.14 et IV.15. Pour
ces comparaisons, nous avons choisi deux autres composants (5_400_50 et 5_400_100) afin
de montrer les résultats obtenus sur de nombreux composants.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 109

CHAPITRE IV : RESULTATS

40
Spirale 5_400_50 sans plan de masse: Comparaison de r/rDC entre
r/rDC simulation et mesure
35

30 Simulation
5_400_50_SPM
25

15
Mesure
5_400_50_SPM
10

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.14 : Comparaison, rapport r rDC de la spirale 5_400_50 sans plan de masse entre
simulation et mesure

25 Spirale 5_400_100 sans plan de masse: Comparaison de r/rDC entre

r/rDC
simulation et mesure

Mesure
15 5_400_100_SPM

10
Simulation
5_400_100_SPM

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.15 : Comparaison, rapport r rDC de la spirale 5_400_100 sans plan de masse entre
simulation et mesure

On remarque également une bonne corrélation entre les résultats de mesure et ceux de
simulation d’après les illustrations de la figure IV.14 et de la figure IV.15.
Ces résultats qui montrent de bonnes corrélations entre les résistances obtenues à partir des
simulations et des mesures nous donnent une première impression sur la fiabilité de la

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 110

CHAPITRE IV : RESULTATS

méthode. Pour la confirmation de cette fiabilité, nous nous intéresserons à l’étude de

l’évolution des pertes et à la prise en compte des effets de peau et de proximité dans les
paragraphes qui suivent. Et comme nous venons de démontrer que les résultats de simulation
et de mesure concordent, nous utiliseront les résultats provenant des simulations pour nos
comparaisons, ce qui nous permettra de disposer de plus de résultats.

I.1.4. Etude de l’évolution des pertes

Dans cette partie, nous allons étudier l’évolution des pertes. Pour atteindre cet objectif, nous
allons comparer différentes structures. Ces structures seront :
- de même nombre de spires avec des largeurs de conducteurs différentes et même
distance entre spires (figure IV.16 pour les dispositifs 5 spires, figure IV.17 pour les
dispositifs 10 spires et figure IV.18 pour les 15 spires) ;
- avec des nombres de spires différents (5, 10 et 15 spires) en conservant la même
largeur de conducteur et la même distance entre spires (figure IV.20 et figure IV.21).

Comparaison de r/rDC des inductance 5 spires de largeur 100, 200 et

9 r/rDC 400µm et distance entre spires 100µm

Spirale
7 5_400_100

5
Spirale
4
5_200_100

3 Spirale
5_100_100
2

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.16 : Comparaison des rapports r rDC des inductances 5 spires de largeurs 100, 200 et
400µm avec une distance entre spires de 100µm.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 111

CHAPITRE IV : RESULTATS

6
Comparaison de r/rDC des inductances 10 spires de largeur 100, 200 et 400µm
r/rDC et distance entre spires de 100µm.

Spirale
4 10_400_100

Spirale
3 10_200_100

Spirale
2 10_100_100

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.17 : Comparaison des, rapport r rDC des inductances 10 spires de largeurs 100, 200 et
400µm avec une distance entre spires de 100µm.

10
Comparaison de r/rDC des inductance 15 spires de largeur 100, 200 et
r/rDC 400µm et distance entre spires 100
9

8
Spirale
7 15_400_100

5 Spirale
15_200_100
4

3
Spirale
15_100_100
2

1
Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.18 : Comparaison des rapports r rDC des inductances 15 spires de largeurs 100, 200 et
400µm avec un distance entre spires de 100µm.

Les figures précédentes (IV.16 à IV.18) comparent l’évolution de r rDC , donc des pertes pour
des composants possédant le même nombre de spires (respectivement 5, 10 et 15 spires) mais
des largeurs de conducteurs différents. On observe que :

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 112

CHAPITRE IV : RESULTATS

- Plus la largeur du conducteur est importante, plus l’augmentation des pertes est
grande. Par exemple figure IV.16 pour 0,1GHz la valeur du rapport r rDC évolue de 2 à
4,5 lorsque la largeur du conducteur passe de 100µm à 400µm.

Cette évolution des pertes est due à l’augmentation des courants de Foucault dans les
conducteurs qui est d’autant plus importante que la section des conducteurs est forte.

W=100µm W= 400µm

Zone de forte Zone de faible

densité de courant densité de courant
a) b)

Figure IV.19 : Répartition à 0,1GHz des courants dans la largeur du conducteur pour des
inductances 10 spires obtenues sous HFSS : a) conducteur de largeur 100µm ; b) conducteur de
largeur 400µm.

La figure IV.19 suggère que cette augmentation est principalement due aux effets de peau. En
effet à 100MHz, la profondeur de peau est de 6,66µm. on observe sur la figure IV.19.a) que le
courant est principalement réparti sur la moitié de la section, ce qui conduit à un doublement
de la résistance r.
Figure IV.19.b), le courant est réparti sur environ ¼ de la surface qui provoque une
augmentation d’un facteur 4 de la résistance.

Les figures IV.20 et IV.21 permettant d’étudier l’influence du nombre de spires sur
l’évolution du rapport r rDC en fonction de la fréquence. La figure IV.20 correspond à des
inductances de 5, 10 et 15 spires avec une largeur de pistes de 200µm (épaisseur 5µm) et une
distance entre spires de 100µm. La figure IV.21 correspond à des inductances presque
identiques à celle de la figure IV.20, seule la largeur des pistes est différentes : 400µm.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 113

CHAPITRE IV : RESULTATS

9
Comparaison de r/rDC des inductances 5, 10 et 15 spires avec largeur
r/rDC 200µm et distance entre spire de 100µm
8

7 Spirale
15_200_100
6

5 Spirale
10_200_100
4

Spirale
3
5_200_100

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.20 : Comparaison des rapports r rDC des inductances 5, 10 et 15 spires de largeurs
200µm avec une distance entre spires de 100µm.

10
Comparaison de r/rDC des inductances 5, 10 et 15 spires avec largeur
r/rDC 400µm et distance entre spire de 100µm
9

8
Spirale
7 15_400_100

6
Spirale
5 10_400_100

4 Spirale
5_400_100
3

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.21 : Comparaison des rapports r rDC des inductances 5, 10 et 15 spires de largeurs 400µm
avec une distance entre spires de 100µm.

En basse fréquence lorsque les effets de peau et de proximité sont négligeables, l’évolution du
rapport r rDC est très faible et identique pour les trois inductances.
Au-delà de 10MHz, les effets des courants de Foucault ne sont pas négligeables et le rapport
r rDC augmente. On peut observer sur chacune de ces deux figures, que plus le nombre de

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 114

CHAPITRE IV : RESULTATS

spires est élevé, plus l’augmentation du rapport r rDC est grande. En effet, plus le nombre de
spires est important, plus le flux à travers l’inductance est élevé, cette augmentation se
traduisant par une augmentation de l’inductance L comme l’indique la formule de
Sunderarajan Mohan [Mohan, 1999].
α1
Ls = β.d out .w α2 .d moy
α3
.n α4 .e α5 (IV.1)
Avec w : larguer du conducteur, e : épaisseur du conducteur, n : nombre de spires, β et αi dépendant
de la géométrie de la spirale, dout : diamètre extérieur, dmoy = (dout+ din)/2 et din : diamètre intérieur.

I.1.5 : Séparation des effets de peau et de proximité

Dans ce paragraphe, nous nous intéressons à la séparation des effets de peau et de proximité
afin de quantifier séparément l’influence de ces deux effets sur les pertes cuivre. Cette étude
sera conduite :
- en comparant les courbes des résistances normalisées r rDC à une courbe pour laquelle
seuls les effets de peau sont pris en compte (paragraphe i) effet de peau) ;
- en étudiant l’évolution des courbes r rDC de différentes spirales présentant des effets
de proximité variables (paragraphe ii) effet de proximité).

Ce travail sera réalisé pour les deux configurations déjà étudiées : avec plan de masse (APM)
et sans plan de masse (SPM).

I.1.5.1 : Avec plan de masse

i) Effet de peau
Afin de mettre en évidence et séparer les effets de peau et de proximité, nous comparons
(figure IV.22) l’évolution en fonction de la fréquence de la résistance normalisé r rDC pour
différentes configurations :

- La courbe (C1) correspond à une spirale avec une distance inter spires faible (50µm) ;
- La courbe (C2) correspond à une spirale presque identique (même nombre de spires,
même largeur du conducteur) mais avec une distance entre spires importante
(400µm) ;
- La courbe (C3) donne l’évolution du rapport r rDC en ne prenant en compte que les
effets de peau. Cette courbe est obtenue en utilisant l’expression de Yue [Yue, 2000].
ρ
Rep = L. (IV.2)
w.δ.(1 - e  -e δ  )

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 115

CHAPITRE IV : RESULTATS

4
Spirale 5_400 avec plan de masse avec distance entre spires variable:
r/rDC comparaison r/rDC
3,5
(C1)
Spirale
3 5_400_50_APM

2,5

5_400_EP
2
Spirale
5_400_400_APM
1,5 (C2)
(C3)
1

0,5

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.22 : Comparaison des rapports r rDC dûs à l’effet de peau et les spirales 5_400 avec plan
de masse et distance entre spires variable.

Nous remarquons que les augmentations des résistances des spirales sont supérieures à celle
au seul effet de peau (C3), ce qui explique qu’en plus des pertes dues effets de peau, d’autres
pertes sont prises en compte. Dans le cas d’une inductance à air, ces pertes ne sont autres que
celles dues aux effets de proximité.

ii) Effet de proximité

Pour compléter le travail précédent, nous comparons l’évolution du rapport r rDC des spirales
possédant des distances entre spires variant de 50µm à 400µm, les autres paramètres (nombre
de spires, largeur et épaisseur) restant inchangés.
Trois courbes sont représentées figure IV.23 :
- courbe (C1) distance inter spires de 50µm ;
- courbe (C2) distance inter spires de 100µm ;
- courbe (C3) distance inter spires de 400µm.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 116

CHAPITRE IV : RESULTATS

4
Spirale 5_400 avec plan de masse avec distance entre spires variable:
r/rDC
comparaison r/rDC
3,5

(C1)
Spirale
3 5_400_50_APM
(C2)
2,5

2 Spirale
5_400_100_APM
Spirale
1,5
5_400_400_APM
(C3)
1

0,5

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.23 : Comparaison des rapports r rDC des spirales 5_400 avec plan de masse et avec
distance entre spires variable en simulation

La figure IV.23 montre que les pertes par effets de proximité sont plus importantes chaque
fois que la distance entre spires est petite sur cet intervalle de fréquence, ce qui confirme le
principe de l’effet de proximité.
Suite à ces différentes études, nous pouvons en tirer le bilan suivant : La figure IV.24 illustre
les différents résultats obtenus.

3
Spirale 5_400_400 avec plan de masse : comparaison r/rDC
r/rDC
2,5 ρ
Rep = L.
w.δ.(1 - e  -e δ  )

2 5_400_400_EP
Spirale
5_400_400_APM Effet de
1,5 proximité

Effet de peau
1
rDC/rDC_5_400_400

0,5
=

Fréquence (GHz)
0
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.24 : spirales 5_400 avec plan de masse séparation des pertes.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 117

CHAPITRE IV : RESULTATS

- la résistance rDC peut être "facilement" mesurée ou calculée ;

- la courbe ne prenant en compte que les effets de peau peut être obtenue soit par la
formule de Yue [Yue, 2000] soit en simulant (ou en mesurant) des spirales possédant
des distances inter spires très grandes ;
- les courbes prenant en compte l’ensemble des phénomènes sont obtenues à partir de
mesures ou de simulations.

I.1.3.2. Sans plan de masse

Les résultats obtenus sans plan de masse sont en tous points identiques à ceux des dispositifs
avec plan de masse. Nous n’y consacrerons que deux courts paragraphes.

i) Effet de peau

Les allures des augmentations du rapport r rDC issues des simulations des inductances de 5
spires, 400µm de largeur de conducteurs avec des distances entre spires variables de 50 à
400µm et l’augmentation des pertes par effet de peau sont données sur la figure IV.25.
6
Spirale 5_400 sans plan de masse avec distance entre spires variable:
r/rDC comparaison r/rDC

5
(C1)

4 Spirale
5_400_50_SPM

Spirale 5_400_EP
2 5_400_400_SPM (C2)

1
(C3)

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.25 : Comparaison des rapports r rDC dus à l’effet de peau et les spirales 5_400 sans plan
de masse et distance entre spires variable.

Les mêmes observations sont faites sur les augmentations des pertes par rapport à l’effet de
peau. Elles montrent aussi la prise en compte des pertes supplémentaires dues aux effets de
proximité.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 118

CHAPITRE IV : RESULTATS

ii) Effet de proximité

La figure IV.26 montre les allures des augmentations des pertes obtenues à partir des
simulations des inductances des 5 spires, 400µm de largeur de conducteurs avec des distances
entre spires variables de 50 à 400µm.
6
Spirale 5_400 sans plan de masse avec distance entre spires variable:
r/rDC comparaison r/rDC

5
(C1)
Spirale
5_400_50_SPM
4
(C2)

3
Spirale
5_400_100_SPM Spirale
5_400_400_SPM
2
(C3)

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1

Figure IV.26 : Comparaison des rapports r rDC des spirales 5_400 sans plan de masse et avec
distance entre spires variable en simulation.

La figure IV.26 montre que l’évolution des pertes dues aux effets de proximités est aussi
respectée dans l’environnement sans plan de masse.

De ce qui précède, nous pouvons conclure que la méthode proposée dans cette étude présentée
permettant la détermination de l’évolution de la résistance en fonction de la fréquence est bien
adaptée pour les inductances planaires sans pertes fer de plusieurs spires. Les résultats entre
simulations et mesures montrent sa fiabilité. Reste à savoir si nous pouvons l’utiliser pour la
détermination de la résistance en fonction de la fréquence pour d’autres inductances possédant
un design assez différent, inductances que nous présentons aux paragraphes suivants.

I.2. Résultats concernant les inductances à une spire en oméga

Ainsi pour élargir le champ d’application de notre méthode, nous nous sommes intéressés à
des inductances à une seule spire pour la réalisation d’un convertisseur résonnant
complétement intégré en technologie CMOS, la cellule résonnante étant constituée d’une
inductance L et d’un condensateur C. L’inductance L étant intégrée sur les derniers niveaux

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 119

CHAPITRE IV : RESULTATS

de la métallisation (M8, M9) du composant comme indiqué figure IV.27 devait avoir des
dimensions compatibles avec l’intégration, car seul le niveau M9 peut permettre d’utiliser des
couches de cuivre d’épaisseur souhaitée. Par solution de facilité, l’idéal est de réaliser
l’inductance sur un seul niveau pour éviter des vias verticaux. Cette contrainte va guider le
choix du design de cette inductance.

Niveau d’intégration
de l’inductance

Figure IV.27. Empilement des niveaux de métallisation.

Notre travail était "limité" à l’étude de cette inductance : Design et modélisation.

Nous avons ainsi pu montrer, dans un premier temps par simulation, qu’une inductance en
forme d’oméga carré sur un seul niveau de métallisation pouvait répondre aux exigences du
cahier des charges (L=1nH, r <0,1Ω à 100MHz).
Dans un second temps, nous avons réalisé, sur substrat alumine des inductances similaires
pour valider notre travail.

L’inductance de 1 spire en forme d’oméga est présentée figure IV.28. Le plan de masse
entourant la spirale oméga est seulement destiné aux mesures à l’analyseur vectoriel de
réseaux (utilisation de sonde G S G).

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 120

CHAPITRE IV : RESULTATS

Plan de masse
Figure IV.28 : Inductance 1 spire en oméga.

I.2.1. Modélisation
Nous avons modélisé cette inductance en passant par l’analyse des courbes d’admittances
obtenues en simulation. La figure IV.29 illustre l’évolution des modules des paramètres
admittances Y11, Y22 et Y12 en fonction de la fréquence. L’analyse de ces courbes met en
évidence différentes zones :
- comportement résistif pur en très basse fréquence (module constant) ;
- comportement inductif en moyenne fréquence (pente de -20 dB/décade) ;
- comportement résonnant (parallèle) aux très hautes fréquences (module tend vers 0) ;
- comportement résonnant (série) au-delà (module tend vers des valeurs élevées).

Figure IV.29 : Courbes d’admittances Yij.

A partir de cette analyse, il est possible de proposer un schéma équivalent rendant compte du
comportement fréquentiel du composant. Ainsi on observe (Figure IV.29) que les paramètres
Y11 et Y22 sont identiques, ce qui illustre la symétrie du composant. Entre 10GHz et 20GHz
apparait une résonance parallèle pour Y11 et Y22. L’admittance Y12 ne fait pas apparaitre de
résonance parallèle. Il est donc possible jusqu’au-delà de la première résonance de modéliser

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 121

CHAPITRE IV : RESULTATS

le composant à l’aide du schéma équivalent figure IV.30 :

Figure IV.30 : Schéma équivalent valable jusqu’à la résonance parallèle.

I.2.2. Extraction des éléments du modèle

En considérant le modèle de la figure IV.30, les expressions des paramètres admittances du
quadripôle représentant le modèle seront les suivantes :
1
Y11 = + jC1ω (IV.3)
r(f)+ jLω
1
Y12 = Y21 = - (IV.4)
r(f)+ jLω
1
Y22 = + jC 2 ω (IV.5)
r(f)+ jLω
- L’extraction des éléments du modèle, L et C1=C2, ces 3 paramètres étant constants,
s’effectue de la même manière que précédemment. On obtient la valeur de L lorsque le
comportement du dispositif est "purement" inductif, c’est-à-dire lorsque la pente des
paramètres Yij est précisément de -20dB/décade. La valeur de la capacité C1 est
déterminée à la résonance de l’admittance Y11.
- La résistance en fonction de la fréquence est déterminée par la nouvelle méthode
décrite précédemment.

En utilisant les trois zones de détermination rappelées ci- dessus, nous avons trouvé l’allure
de la résistance en fonction de la fréquence de l’inductance 1 spire carré en oméga de
0,75mm*0,75mm de 100µm largeur de conducteur.
- en très basse fréquence (𝑟𝐷𝐶 ) ;
- aux fréquences moyennes (les phénomènes capacitifs sont négligeables) ;
- aux résonances en très haute fréquence.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 122

CHAPITRE IV : RESULTATS

Résistance d'une spirale en oméga de 0,75mm de largeur w=100µm

3
r (Ω)
Fréquence de résonance
2,5

1,5

0,5

r calculée Fréquence (GHz)

DC
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 100

Figure IV.31 : Allure de la résistance en fonction de la fréquence de l’inductance 0,75mm*0,75mm de

100µm de largeur.

I.2.3. Comparaison entre simulation et mesure de la résistance r(f)

Dans cette partie, nous allons comparer les résultats obtenus à partir des simulations à ceux
obtenus à partir des mesures. Les figures IV.32 et IV.33 présentent respectivement les courbes
représentatives du rapport r rDC en fonction de la fréquence des inductances 0,75mm_150µm
et 0,75mm_200µm (0,75mm pour le côté du motif oméga et 150µm pour la largeur du
conducteur).
12
Spirale oméga 0,75mm _ 150µm : Comparaison entre simulation et mesure
r/rDC

6
Mesure
0,75mm_150µm
Simulation
4 0,75mm_150µm

Fréquence en GHz
0
0,001 0,01 0,1 1 10

Figure IV.32 : Comparaison, rapport r rDC entre simulation et mesure d’une inductance oméga de
0,75mm*0,75mm et 150µm de largeur du conducteur.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 123

CHAPITRE IV : RESULTATS

14
Spirale oméga 0,75mm _ 200µm : Comparaison entre simulation et mesure
r/rDC
12

Mesure
6 0,75mm_200µm
Simulation
0,75mm_200µm
4

0
Fréquence (GHz)
0,001 0,01 0,1 1 10

Figure IV.33 : Comparaison, rapport r rDC entre simulation et mesure d’une inductance oméga de
0,75mm*0,75mm et 200µm de largeur du conducteur.

Les figures IV.32 et IV.33 montrent une bonne corrélation entre simulation et mesure. Ces
résultats confirment que notre méthode de détermination des résistances représentant les
pertes est aussi applicable pour un autre type d’inductance : les inductances à air d’une seule
spire en oméga.

I.2.4. Mise en évidence des effets de peau et de proximité

De la même manière, les effets de peau et de proximité sont mis en évidence par la
comparaison de l’évolution en fonction de la fréquence, du rapport r rDC pour différentes
largeurs du conducteur figure IV.34. Trois inductances 0,75mm*0,75mm possédant des
largeurs de conducteur de 50, 100 et 250µm sont étudiées, les autres dimensions restant
inchangées. Les trois courbes des inductances sont comparées à la courbe obtenue par la
formule prenant uniquement en compte les effets de peau.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 124

CHAPITRE IV : RESULTATS

Augmentation de résistance de la spirale 0,75mm avec largeur variable

25
r/rDC

20 Simulation
0,75mm__250

15 Simulation
0,75mm_100

10 0,75mm__EP
Simulation
0,75mm_50

Fréquence (GHz)
0
0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 100

Figure IV.34 : Comparaison des rapports r rDC dû à l’effet de peau et ceux des inductances
0,75mm*0,75mm avec une largeur variable (simulation).

Nous remarquons sur la figure IV.34 que toutes les courbes sont supérieures à celle des pertes
par effet de peau, ce qui montre premièrement que les pertes par effets de proximité sont aussi
prises en compte. Il est cependant difficile de séparer les effets de peau et de proximité
puisque deux paramètres changent en même temps :
- la largeur du conducteur (impactant directement l’effet de peau) ;
- la distance entre conducteurs (influence directe sur les effets de proximité).

II. COMPOSANTS AVEC PERTES FER

Nous rappelons que les inductances avec pertes fer sont des inductances à une et deux
couches de matériau magnétique. Ces inductances sont composées d’une spirale en cuivre
déposée sur du matériau magnétique (YIG) le tout sur un substrat de verre pour une
inductance à une couche. On rapporte sur cette dernière la couche supérieure pour
l’inductance à deux couches mais celle-ci ne sera pas étudiée dans ce travail. Des composants
une couche ont été réalisés avec 5, 10 et 15 spires, de largeurs variant de 100µm à 400µm,
d’épaisseur 5µm et de distance entre spires allant de 50 à 400µm. La figure IV.35 donne un
exemple des composants réalisés.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 125

CHAPITRE IV : RESULTATS

Verre

YIG
inductances

Figure IV.35 : Inductances à une couche magnétique.

Dans cette étude, nous allons comparer les résultats obtenus à partir des simulations sous
HFSS et des mesures effectuées au VNA sans tenir compte de l’environnement, parce que la
platine en fer (Chuck) n’a pas d’effet (le ferrite se comporte comme un mur magnétique, de
plus le verre possède une épaisseur importante (1,5mm). Nous précisons que le matériau
magnétique YIG que nous utilisons a une perméabilité et une tangente de pertes variables en
fonction de la fréquence, elles sont prises en compte lors des simulations (annexe II).
Les résultats présentés concernent la résistance r(f) déterminée par notre méthode, la mise en
évidence des pertes fer dans le matériau magnétique ainsi que les effets de peau et de
proximité.
Avant d’entamer nos travaux, nous présenterons en guise d’exemple la résistance représentant
les pertes en fonction de la fréquence d’une inductance à une couche de matériau magnétique
déterminée aussi par la nouvelle méthode décrite (figure IV.36).
35
r (Ω)

25
Fréquences de résonance

rDC calculée
Fréquence (MHz)
0
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.36 : Allure de la résistance en fonction de la fréquence de la spirale 5_400_50 à une

couche de matériau magnétique.

On peut remarquer que l’augmentation de la résistance est beaucoup plus importante que pour
des inductances à air, r rDC atteignant plusieurs dizaines (figures IV.36, IV.37).

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 126

CHAPITRE IV : RESULTATS

II.1. Comparaison entre simulation et mesure de la résistance r(f)

Nous allons confronter les résistances en fonction de la fréquence représentant les pertes
déterminées à partir des simulations et des mesures en utilisant la même méthode pour valider
nos travaux. Les figures IV.37 et IV.38 illustrent les résultats correspondant à deux
inductances une couche, 5 spires, 400µm de largeur de conducteur avec des distances inter
spires différentes (50 et 200µm).
80
Spirale 5_400_50 à une couche: Comparaison de r/rDC entre simulation et
r/rDC mesure
70

Mesure
60 5_400_50_1c

Simulation
30 5_400_50_1c

Fréquence en MHz
0
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.37 : Comparaison entre simulation et mesure d’une inductance 5_400_50 à une couche de
matériau magnétique (YIG de 1mm d’épaisseur).

80
Spirale 5_400_200 à une couche: Comparaison de r/rDC entre simulation
r/rDC et mesure
70

Mesure
60 5_400_200_1c

Simulation
30
5_400_200_1c

Fréquence en MHz
0
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.38 : Comparaison entre simulation et mesure d’une inductance 5_400_200 à une couche de
matériau magnétique (YIG de 1mm d’épaisseur).

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 127

CHAPITRE IV : RESULTATS

Les figures IV.37 et IV.38 montrent une bonne corrélation entre mesure et simulation.
Ces résultats qui montrent de bonnes corrélations entre les résistances obtenues à partir des
simulations et des mesures nous permettent de valider aussi l’utilisation de notre méthode sur
les inductances à matériau magnétique ou à pertes fer. Reste à mettre en évidence les pertes
fer, à étudier l’évolution des pertes et à confirmer la prise en compte des effets de peau et de
proximité.

II.2. Séparation des pertes fer et des pertes cuivre

Lors de notre étude dans la première partie de ce chapitre, nous avons étudié les pertes cuivre
dans une inductance à air et nous nous sommes également intéressés à la séparation des effets
de peau et de proximité.
Dans cette seconde partie, nous nous intéressons à des composants présentant des pertes fer et
des pertes cuivre. Dans ce paragraphe nous allons montrer comment à partir de mesure et de
simulation nous pouvons séparer ces deux types de pertes. Pour ce faire, nous allons comparer
en simulation les "pertes" pour des inductances de nature différente mais de mêmes
dimensions 5_400_50 c’est-à-dire des inductances :
- à air (5_400_50_air) ; (C1)
- à 1 couche magnétique avec perméabilité variable et tangente de perte nulle (c’est-à-
dire sans perte dans le matériau magnétique) (5_400_50_1c_$µ_tan=0) ; (C3)
- à 1 couche magnétique avec perméabilité et tangente de pertes variables
(5_400_50_1c_$µ_$tan) ; (C4)
- à 1 couche magnétique avec perméabilité et tangente de pertes variable et cuivre
remplacé par un conducteur parfait, c’est-à-dire sans pertes dans le cuivre
(5_400_50_1c_$µ_$tan_perfect). (C4)

Remarque : Sur la figure IV.39, nous traçons r et non r rDC puisque l’une des simulations a
été effectuée en considérant le conducteur parfait donc rDC=0. Cette simulation a été conduite
pour mettre en évidence les pertes fer.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 128

CHAPITRE IV : RESULTATS

35
Spirale 5_400_50: Comparaison de résistances
r(Ω)
30
r_5_400_50_1c_$µ_$tan
(C4)
25

r_5_400_50_1c_$µ_$tan
20 perfect (C3)

15
r_5_400_50_1c_$µ_tan=0

10
r_5_400_50_air
(C2) (C1)
5

Fréquence (MHz)
0
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.39 : Comparaison des résistances r(f) image de l’évolution des pertes dans une inductance
à air et dans une inductance à une couche de matériau magnétique (YIG de 1mm d’épaisseur).

Il convient de préciser que pour ces simulations, nous avons utilisé une perméabilité µr
variable en fonction de la fréquence afin de se rapprocher de conditions réelles.
Il est essentiel d’indiquer qu’en présence d’une couche de matériau magnétique épaisse (1mm
de matériau magnétique) le flux est doublé par rapport à celui de l’inductance à air identique
(même dimensions, même géométrie).
Ainsi la figure IV.39 présente quatre courbes :
- la courbe (C1) représentant les pertes dans l’inductance à air c’est-à-dire uniquement
dans le bobinage. L’évolution de r(f) n’appelle pas de commentaire particulier
puisqu’elle a déjà été étudiée au paragraphe I.
- La courbe (C2) représente uniquement les pertes fer dans l’inductance à une couche de
matériau magnétique (tangente de pertes non nulle) mais sans perte dans le bobinage
(conducteur parfait). Ainsi, en basse fréquence les pertes fer étant nulle (ou très
négligeables) la résistance équivalente est nulle. Au-delà de 100MHz, les pertes dans
matériau magnétique ne sont plus négligeables et la résistance équivalente r(f) croit
avec la fréquence.
- la courbe (C3) représente uniquement les pertes dans le bobinage du composant à
couche magnétique (conducteur non idéal mais tangente de pertes nulle). Il s’agit donc
des pertes dans la spirale en présence d’une couche de matériau magnétique qui
augmente le flux. Le flux étant plus important (par rapport à celui d’une inductance à

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 129

CHAPITRE IV : RESULTATS

air), les courants induits dans le conducteur seront donc plus élevés, on obtient alors
une résistance r(f) plus grande (que celle d’une inductance à air).
- La courbe (C4) représente les pertes cuivre et les pertes dans l’inductance à une
couche de matériau magnétique (conducteur non idéal et tangente de pertes non nulle).
La résistance r(f) représente les pertes fer et les pertes cuivre.
La figure IV.40 illustre la méthode de séparation des pertes par les différentes simulations.

35
Spirale 5_400_50: Comparaison de résistances
r(Ω)
30
pertes fer + pertes pertes fer uniquement
cuivre avec 2φ avec 2φ
(C4)

25 (C2)
(C3)
r4(f)
r4 = r2 + r3 r2(f)
20
pertes cuivre
= + avec 2φ
(C4) = (C2) +( C3) r3(f)
15
14 = 5 + 9
r1(f)
10
(C1)

5 pertes cuivre
avec φ
Fréquence (MHz)
0
50 500

Figure IV.40 : Comparaison des résistances r(f) image de l’évolution des pertes dans une inductance
à air et dans une inductance à une couche de matériau magnétique (YIG de 1mm d’épaisseur).

La résistance r4(f) représentant l’ensemble des pertes dans le composant à une couche
magnétique est donnée par la courbe C4. Cette résistance r4(f) correspond à la somme de deux
résistances :
- r2(f) qui représente les pertes fer seules ;
- r3(f) qui rend compte des seules pertes cuivre pour un composant à une couche de
matériau magnétique mais sans pertes fer.

Les résistances r4 et r1 peuvent être obtenues à partir de mesure ou de simulation, tandis que
les résistances r2 et r3 ne peuvent être obtenues que par simulation.

II.3. Etude de l’évolution des pertes

Nous procéderons de la même manière que pour les inductances à air pour étudier l’évolution
des pertes. Pour atteindre cet objectif, nous aurons à comparer des structures :

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 130

CHAPITRE IV : RESULTATS

- de même nombre de spires avec des largeurs de conducteurs différentes et même

distance entre spires (figure IV.41 pour les dispositifs 15 spires et figure IV.42 pour
les 10 spires) ;
- avec des nombres de spires différents (5, 10 et 15 spires) en conservant la même
largeur de conducteur et la même distance entre spires (figure IV.43).

30
Inductance à une couche de 15 spires avec largeur variable: comparaison
r/rDC r/rDC
25

Spirale
20 15_400_100_1c W=400µm

15
Spirale
15_200_100_1c W=200µm

Spirale
15_100_100_1c W=100µm
5

0 Fréquence (MHz)
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.41 : Comparaison des rapports r rDC des inductances à une couche de 15 spires avec
largeur variable.

30
Inductance à une couche de 10 spires avec largeur variable: comparaison
r/rDC r/rDC
25 C400

Spirale
10_400_100_1c
20
W=400µm

15
Spirale
10_200_100_1c W=200µm

Spirale
10_100_100_1c W=100µm
5 B400
A400
C100
B100 Fréquence (MHz)
0 A100
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.42 : Comparaison des rapports r rDC des inductances à une couche de 10 spires avec
largeur variable.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 131

CHAPITRE IV : RESULTATS

Les figures (IV.41 et IV.42) comparent l’évolution de r rDC , donc des pertes pour des
composants possédant le même nombre de spires (respectivement 15 et 10 spires) mais des
largeurs de conducteur différentes. On observe également que, plus la largeur du conducteur
est importante, plus l’augmentation des pertes est grande. Cette évolution des pertes est due à
l’augmentation des courants de Foucault dans les conducteurs qui est d’autant plus importante
que la section des conducteurs est forte. Cette observation sera confirmée par la répartition du
courant dans les sections des conducteurs de largeurs différentes figure IV.43.
W=100µm W= 400µm

A100 A400
a) : f = 10MHz

W=100µm W= 400µm

B100 B400
b) : f = 50MHz

W=100µm W= 400µm

C100 C400
c) : f=100MHz

Figure IV.43 : Répartition à différentes fréquences des densités de courants dans les largeurs des
conducteurs des spirales 10 spires, de distance entre spires 100µm, de largeur 100µm et 400µm
(HFSS).

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 132

CHAPITRE IV : RESULTATS

La figure IV.43 montre :

- à 10MHz, la répartition du courant est quasi uniforme sur toute la section du
conducteur de largeur 100µm (A100), ce qui traduit l’absence de l’effet de peau, donc
une résistance équivalente à rDC. Par contre sur la section du conducteur de 400µm
(A400) de largeur, la répartition n’est pas totale, ce qui produit une légère augmentation
de la résistance.
- à 50MHz, le courant occupe une grande partie de la section du conducteur de 100µm
(B100) de la largeur, ce qui conduit à une augmentation de la résistance due à l’effet de
peau qui reste faible par rapport à celle du conducteur de 400µm (B400) où la surface
occupée par le courant est petite.
- à 100MHz, le courant est réparti sur moins de la moitié de la section du conducteur de
100µm (C100) de largeur, ce qui augmente significativement la résistance. Sur la
section du conducteur de 400µm de largeur (C400), le courant est concentré sur les
périphéries. La surface occupée par le courant étant encore plus faible, l’augmentation
de la résistance devient très importante.

La figure IV.44 compare l’évolution du rapport r rDC pour des inductances de 5, 10 et 15

spires, les autres paramètres restant identiques (largeur conducteur et distance entre spires).
30
Inductances à une couche de 5,10 et 15 spires de largeur 400µm et de
r/rDC distance entre spire 100µm : comparaison r/rDC

25
(C1)
Spirale (C2)
20 15_400_100_1c

15
(C3)
Spirale
10_400_100_1c

Spirale
5_400_100_1c
5

Fréquence (MHz)
0
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.44 : Comparaison des rapports r rDC des inductances à une couche de 5,10 et 15 spires
avec une largeur de 400µm.

On constate sur cette figure IV.44 qui compare les inductances de différents nombres de
spires avec même largeur de conducteur que les pertes sont plus importantes chaque fois le

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 133

CHAPITRE IV : RESULTATS

nombre de spires est grand. Ce constat sera appuyé par l’exemple de la répartition du courant
dans les spirales 5_400_100 et 15_400_100 figure IV.45.

a): 5 spires b): 15 spires

Densité: 2.108 Densité: 8,1.107

Densité: 4,3.107 Densité : 1,6.104

Répartition "presque" homogène Répartition non homogène

Figure IV.45 : Répartition à 50MHz des courants dans les spirales : a) spirale 5_400_100) ; b)
spirale 15_400_100.

La figure IV.45 nous montre qu’à cette fréquence, le courant est réparti sur la grande partie de
la spirale 5_400_100, tandis qu’il occupe les périphéries du conducteur sur l’inductance
15_400_100. Cette différence sur l’occupation de surfaces par le courant implique les
différences sur les résistances représentant les pertes. Plus la surface occupée est importante,
plus la résistance est petite. Ce qui confirme que les pertes de l’inductance 15_400_100 sont
plus importantes que celles de l’inductance 5_400_100.

Ces constats nous permettent de conclure également que l’augmentation des effets de peau est
fonction de la largeur du conducteur et celui des effets de proximité est fonction du nombre de
spires et de la distance entre ces dernières.

II.4. Mise en évidence des effets de peau et de proximité

Comme précédemment nous comparons les augmentations des résistances r(f) d’inductances
possédant des distances entre spires différentes (les autres paramètres : nombre de spires,
largeur et épaisseur du conducteur sont identiques). L’objectif de cette comparaison est de
mettre en évidence l’influence des effets de proximité sur la résistance r(f).

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 134

CHAPITRE IV : RESULTATS

La figure IV.46 montre l’évolution du rapport r rDC pour trois valeurs de la distance entre
spires : 200µm, 100µm et 50µm. Il s’agit de résultats de simulation pour une inductance à une
couche de matériau magnétique.

10
Spirale 5_400 à une couche avec distance entre spires variable
9 r/rDC

8
(C1)
Spirale
5_400_50_1c
7

(C2)
6

5
Spirale
4
5_400_100_1c
(C3)
3 Spirale
5_400_200_1c
2

1 Haute fréquence
Basse fréquence Fréquence (MHz)
0
0,1 1 10 100 1000

Figure IV.46 : Comparaison des rapports r rDC des spirales à couche magnétique 5_400 avec
distance entre spires variable (mesure).

En basse fréquence, les trois courbes sont confondues, ce qui signifie que l’effet de proximité
est peu important à ces fréquences et que seul l’effet de peau conduit à la faible augmentation
de la résistance.
En haute fréquence, on observe figure IV.46 des évolutions très différentes des trois courbes,
l’augmentation du rapport r rDC est d’autant plus important que la distance entre spires est
faible. Les effets de proximité augmentent au fur et à mesure que la distance entre spires
diminue. Cependant, deux phénomènes sont à l’origine de cette augmentation :
- l’augmentation des effets de proximité par la diminution de la distance entre les
spires ;
- ⃗ dans la spirale. On observe que lorsque la distance entre
l’augmentation du champ 𝐻
⃗ augmente comme l’illustre la figure IV.47.
spires diminue, le champ 𝐻

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 135

CHAPITRE IV : RESULTATS

HMax = 3,6.104 A/m HMax = 2,6.104 A/m

a) b)

⃗ dans les inductances ; a) : 5_400_50 ; b) : 5_400_400

Figure IV.47 : Répartition du vecteur 𝐻

⃗ des deux composants pour la même valeur

Les figures IV.48 a) et b) montrent les vecteurs 𝐻
du courant. Pour le composant 5_400_50 (distance entre spires de 50µm), le champ H Max
atteint 3,6.104A/m alors que pour le composant 5_400_400 (distance entre spires de 400µm),
le champ H Max n’atteint que 2,6.104A/m. On observe aussi une augmentation du champ H
pour une distance entre spires réduite.
Cette augmentation du champ H se traduit par une augmentation des f.é.m. induites dans tous
dφ dBS dH
les conducteurs ( e = = = αS ) et donc des courants induits engendrant des pertes
dt dt dt
supplémentaires.

Conclusion
Ce chapitre nous a permis de confronter les résultats obtenus à partir des simulations et des
mesures au moyen de la nouvelle méthode. Nous avons présenté et interprété les résultats
concernant des différentes structures à savoir :
- les inductances à air de plusieurs spires ;
- les inductances à air à une spire en oméga ;
- les inductances à une couche magnétique de plusieurs spires.
Pour les inductances à air d’une spire et plusieurs spires les comparaisons des augmentations
des pertes ont monté de très bonnes concordances entre simulation et mesure. Nous avons par
la suite étudié l’évolution des différentes pertes et avons mis en évidence la prise en compte
des effets de peau et de proximité à partir des simulations et des mesures.
Pour les inductances à une couche magnétique, il faut ajouter en plus de ce qui est présenté

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 136

CHAPITRE IV : RESULTATS

pour les inductances à air, la mise en évidence de la prise en compte des pertes fer dans le
matériau magnétique (hystérésis et courants de Foucault).
Les résultats très bien concordants présentés nous ont permis d’attester la fiabilité de notre
méthode dans différentes structures.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 137

CHAPITRE IV : RESULTATS

BIBLIOGRAPHIE
[Mohan, 1999] Sunderarajan S. Mohan, Maria del Mar Hershenson, Stephen P. Boyd, and
Thomas H. Lee « Simple Accurate Expressions for Planar Spiral Inductances » IEEE
JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 34, NO. 10, OCTOBER 1999.

[Yue, 2000]: “Physical Modeling of Spiral Inductors on Silicon”. C. Patrick Yue, Member,
IEEE, and S. Simon Wong, Fellow, IEEE.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 138

CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

CONCLUSION GENERALE & PERSPECTIVES

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 139

CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

CONCLUSION GENERALE & PERSPECTIVES

Les travaux de cette thèse se sont focalisés sur l’étude des pertes “cuivre” dans les
composants passifs et plus particulièrement les inductances planaires. La finalité de ces
travaux est de déterminer les pertes “cuivre” en utilisant une méthode qui prenne en compte
toutes les pertes et qui soit applicable aux structures planaires.

Le premier chapitre a traité des généralités sur les composants passifs, plus précisément les
inductances et les transformateurs, leurs différentes topologies planaires et leurs constitutions
(composants à air ou à couche magnétique). Les principales caractéristiques de ces
composants, les domaines d’application ainsi que quelques exemples de réalisation ont
terminé ce chapitre.

Le second chapitre a décrit les problèmes rencontrés en haute fréquence. Ces problèmes ne
sont autres que les pertes dues aux effets de peau et de proximité responsables de
l’augmentation significative de la résistance série dans les conducteurs en haute fréquence. Ce
second chapitre a également permis de présenter les travaux déjà réalisés dans ce domaine :
une seule formule analytique est classiquement utilisée pour exprimer les pertes dues à l’effet
de peau et deux autres expressions pour quantifier les pertes dues aux effets de peau et de
proximité. Il ressort que l’expression de Dowell est utilisée pour calculer aux très basses
fréquences ces pertes dans les composants passifs bobinés, en fils de litz, feuillard et planar et
celle de Kuhn est appliquée pour les composants planaires intégrés de faibles dimensions.
Il a enfin été présenté la nouvelle méthode qui se base sur les données obtenues par simulation
ou mesure pour déterminer les pertes dans les composants passifs sur un intervalle de
fréquence s’étendant du continu aux très hautes fréquences.

Le troisième chapitre a retracé les étapes de la simulation, de la réalisation et de la

caractérisation de chacune des inductances planaires à air et à couche de matériau
magnétique.
La première partie a concerné la présentation du logiciel de simulation et la procédure
de simulation du design jusqu’à l’obtention et le traitement des résultats.
La deuxième partie a présenté les différentes étapes micro-technologiques nécessaires
à la réalisation des dispositifs en décrivant les techniques de dépôt sous vide, les procédés de

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 140

CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

photolithographie, les techniques de sciage et de collage effectuées dans différents

laboratoires.
Enfin pour la caractérisation de nos dispositifs, l’outil et la méthode de caractérisation
en hautes fréquences ont été décrits dans la troisième partie.
Le quatrième chapitre a permis de confronter les résultats obtenus à partir des simulations et
des mesures en utilisant la nouvelle méthode. Ces comparaisons ont concerné le rapport r/rDC
et son évolution en fonction de la fréquence pour les inductances à air (à une spire en oméga
et à plusieurs spires) et les inductances à une couche magnétique.
Les résultats ont montré une bonne corrélation entre les simulations et les mesures, ce qui
nous a permis de valider notre approche. Nous avons pu également séparer les pertes dues aux
effets de peau et de proximité. Il en a été de même pour les composants à couche magnétique
(séparation des pertes fer et pertes cuivre).

Dans les perspectives, il nous semblerait intéressant de poursuivre le travail sur les pertes
cuivre mais également de l’étendre à l’ensemble des pertes. Concernant les pertes cuivre
certains aspects nécessitent des études plus approfondies.
 Nous avons montré que la mesure des paramètres Sij et l’imprécision sur ces mesures
conduit à des erreurs importantes sur les paramètres Yij et Zij, ce qui nécessite :
- Un travail sur l’étude de la précision en moyenne fréquence (par exemple pour r rDC < 5 ) ;
- Un développement de méthodes de mesure à l’impédance-mètre, mesures qui permettraient
d’obtenir directement les paramètres admittances Yij et impédances Zij sans passer par les
paramètres Sij, ce qui devrait conduire à une meilleure précision des résultats.
 Nous devrons également nous intéresser à l’ensemble des pertes, en particulier les pertes
dans le matériau magnétique. Pour l’inductance à une couche, l’influence du matériau
magnétique est limitée, mais avec l’inductance à deux couches on augmente fortement le flux
donc, on augmente les pertes fer et les pertes cuivre. Notre méthode est-elle toujours
applicable ?
De plus, suivant que l’on considère une inductance attaquée en courant ou un transformateur
attaqué en tension, les schémas électriques équivalents sont différents figure P.1.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 141

CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

Rcore

a) b)

Figure P.1 : Schéma équivalent : a) : inductance à couches magnétiques ; b) : transformateur à

couches magnétiques.

 Une bonne connaissance des pertes dans le conducteur permettra également d’étudier des
structures permettant de minimiser les pertes dans les conducteurs à partir de la géométrie et
de la constitution des conducteurs. Une solution consisterait à fractionner un conducteur en
différents éléments comme l’illustrent les figures P.2. et P.3. Ce “découpage” du conducteur
en plusieurs éléments, à l’image d’un conducteur multibrins, d’un fil de Litz, pourrait
permettre de réduire les pertes “cuivre”.
Largeur Largeur

Découpage
vertical

Conducteur Conducteur Isolant

Figure P.2 : Découpage “vertical” d’un conducteur

Le découpage “vertical” des conducteurs est assez simple à réaliser mais les spires ne voient
pas le même flux et ne présentent donc pas les mêmes f.e.m/f.c.e.m. Quels problèmes ?

Il est également possible d’imaginer un autre “découpage horizontal” comme indiqué figure
P.3.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 142

CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

Largeur Largeur
Découpage
horizontal Isolant

Epaisseur Conducteur

Figure P.3 : Découpage “horizontal” d’un conducteur.

Dans cette configuration les éléments d’un conducteur voient le même flux mais la réalisation
technique est beaucoup plus complexe. Quels problèmes ?

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 143

ANNEXES

PUBLICATIONS

Durant les travaux de cette thèse, nous avons eu à publier une letters [Letters 2016], et deux
communications. Je suis le premier auteur sur la première [DTIP 2016] et le second auteur
sur la deuxième [EPE 2016].

[Letters 2016] A. Abderahim, A.T. Mahamat, J.P. Chatelon, D. Pietroy, S. Capraro and J.J.
Rousseau « Approach of copper losses determination in planar windings » ELECTRONICS
LETTERS 9th June 2016 Vol. 52 No. 12 pp. 1050–1052

[DTIP 2016] A. Abderahim, A.T. Mahamat, J.P. Chatelon, D. Pietroy, S. Capraro and J.J.
Rousseau « Determination of copper losses from measurement and simulation in planar
windings ». 2016 Symposium on Design, Test, Integration & Packaging of MEMS and
MOEMS. 978-1-5090-1457-6/16/$31.00 ©2016 IEEE.

[EPE 2016] M. Koularambaye, A. Abderahim, L. Thiaw1, S. Capraro, J. Mbainaibeye2, J.P.

Chatelon, [Link] « Characterization method for inductors in their environment »
Karlsruhe, Germany European Power Electronics 2016 ECCE Europe.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 144

ANNEXES

I : Détermination des valeurs de r(f) aux

"fréquences moyennes"
Aux fréquences ‘’moyennes’’
Comme nous l’avons signalé au chapitre II, nous allons détailler comment nous avons obtenu
l’équation du second degré et la racine r2 solution dans cette bande de fréquence. On utilise le
paramètre Y12 représenté par la figure ci-après pour la détermination de la r(f).

Figure 1 : Schéma équivalent de Y12

D’après ce schéma l’expression de Y12 est :

 1 
Y12 = -  + jC 12 ω 
 r(f)+ jLω) 

A ces fréquences les couplages capacitifs sont négligeables, l’expression devient :

1 r - jLω
Y12 = - =-
r(f) + jLω (r + jLω)(r - jLω)

r Lω
Y12 = - +j 2
r +Lω
2 2 2
r + L2 ω2

Comme nous voulons calculer la résistance, nous nous intéressons à la partie réelle de
l’expression, donc :
-r(f)
Réel(Y12 ) =
r (f)+ L2 (2πf)2
2

Si nous posons, α = Réel(Y12 ) , l’équation devient :

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 145

ANNEXES

αr 2 + r + αL2 (2πf)2 = 0

Cette équation du second degré admet deux racines solutions r1 et r2 :

-1 - 1 - 4α 2 L2 (2πf)2 -1 + 1 - 4α 2 L2 (2πf)2
r1 = et r2 =
2α 2α

Choix de la solution applicable en "moyennes fréquences"

- En très basse fréquence, 4α 2 L2 (2 f)2  0 ce qui entraine :

r1 = - 1 αTBF or αTBF = - 1 r donc r1 = r

r2 = 0

Cette démonstration nous permet de conclure que r1 est solution de l’équation en très basse

fréquence et non r2 .

-r -r
- En moyenne fréquence, Lω r et αMBF = = 2
ε + L (2πf)
2 2
L (2πf)2

-r
-1+ 1 - 4( 2 2
)2 L2 (2πf)2
L (2πf)
r2 =
2αMBF

r2
-1 + 1 - 4
L2 (2πf)2
r2 =
2α MBF

Le développement limité de 1 - x = 1 - x 2 , alors :

 r2 1
-1 + 1 - 4 2
2 
*
 L (2πf)2
r2 =
2αMBF

r2
-2
L2 (2πf)2
r2 =
-r
2 2
L (2πf)2

r2 = r .

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 146

ANNEXES

De la même manière,

 r2 1
-1 - 1 - 4 2
2 
*
 L (2πf)2
r1 =
2αMBF

r2
-2 + 2
L2 (2πf)2
r1 =
r
-2 2
L (2πf)2

-2 + ε
r1 =
r
-2 2
L (2πf)2

L2 (2πf)2
r1 = ???
r
Cette démonstration nous a permis de conclure pour le choix r2 comme solution de
l’équation en "moyennes fréquences".

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 147

ANNEXES

II : Perméabilité et tangente de pertes variables.

Comme nous l’avons signalé, nous avons utilisé lors de nos simulations une perméabilité et
une tangente de pertes variables en fonction de la fréquence. Ces dernières sont déterminées
par notre prédécesseur Khamis [Y. Khamis, 2014]. La perméabilité et la tangente de pertes
variables en fonction de la fréquence sont présentées par les courbes des figures 2 et 3.

70
µr Perméabilité du YIG

Fréquence (MHz)
0
10 100 1000

Figure 2 : Perméabilité du YIG.

3,5
tanδ Tangente de pertes du YIG
3

2,5

1,5

0,5

0
Fréquence (MHz)
100 1000 10000

Figure 3 : Tangent de pertes du YIG.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 148

RESUME

Résumé
Les composants magnétiques planaires (inductance et transformateur) occupent une place importante
dans certains circuits intégrés utilisés en haute fréquence. Leur miniaturisation et leur intégration vont
de pair avec celles des circuits électroniques qui évoluent constamment surtout pour les appareils
portables.
Quelques travaux scientifiques ont permis d’identifier les différents mécanismes à l’origine de pertes
dans les composants magnétiques planaires, afin de les limiter. Les pertes dans les enroulements sont
classiquement prises en compte par une résistance r(f) fonction de la fréquence. La détermination, à
partir des paramètres S obtenus par mesure ou simulation, de la résistance r (f) constitue à ce jour un
sujet d’étude à part entière, les paramètres S étant les seuls paramètres que l’on peut obtenir au-delà de
la centaine de MHz.
Pour contribuer à la résolution de ce problème, nous avons proposé une méthode prenant en compte
toutes les pertes dans le bobinage. Cette méthode de détermination de la résistance en fonction de la
fréquence se fait dans trois domaines de fréquence :
- en très basse fréquence, la rDC est obtenue par calcul ou mesurée à l’aide d’un matériel basse
fréquence,
- aux "moyennes fréquences" lorsque les impédances R et L ne sont pas trop différentes, les
phénomènes capacitifs pouvant être négligés,
- aux résonances en très haute fréquence.
L’application de cette méthode sur trois structures différentes (inductance à air de plusieurs spires, à
air à une spire en oméga et à une couche de matériau magnétique) a permis de :
- observer une bonne corrélation entre simulation et mesure,
-valider l’évolution des pertes en fonction de la fréquence,
-séparer les effets de peau et de proximité,
-séparer les pertes fer et les pertes cuivre pour une inductance à couche magnétique.

Abstract
Planar magnetic components (transformer and inductor) have become a big part in some integrated
circuits used in high frequency. Miniaturization and integration of magnetic components go hand in
hand with the ones of electronics that constantly evolves especially for portable devices.
A few scientific studies have identified the different mechanisms of losses in planar magnetic
components. Winding losses are generally taken into account using a resistance r(f) versus frequency.
The use of scattering parameters S to determine resistance r(f) represents a comprehensive research
project ; S parameters that can be obtained either by measurement or by simulation, are the only
parameters which one can get at high frequencies (above 100MHz).
To solve this problem, we have proposed a method taking into account all winding losses. Our
approach for determining r(f) has to be applied in 3 frequency domains:
- at very low frequency, r(f) = rDC and its value is either calculated or measured using low
frequency equipment,
- in the middle frequency range, capacitive coupling can be neglected while impedances R and L
are in the same order of magnitude,
- at very high resonance frequencies.
This method has been implemented for 3 different structures (coreless inductor with several turns of
coil, Omega shape coreless inductor with one turn and inductor with a magnetic layer) leads to :
- observe a good correlation between simulation and measurement,
- validate the evolution of losses versus frequency,
- separate skin effects and proximity effects,
- separate iron losses and winding losses.

Abderahim Awat U.J.M de Saint-Etienne Page 149

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