Université M’Hamed Bougera Boumerdes

Faculté des sciences

Département de Génie électrique

Spécialité : instrumentation biomédicale Master 1

Exposé sur Le capteur chimique

ISFET

֍ Présent par :

-Magramane Khadidja

-Slatni Ghalia
 Le capteur chimique ISFET

SOMMAIRE

Résumé
03

Introduction
03

1 Définition de capteur
04

2. Biocapteur
04

3. Les principales caractéristiques d'Un capteur

05

4. Les éléments principaux d’un capteur chimique

05

4.1 Paramètres caractéristiques des capteurs

06

5. Le capteur chimique ISFET

07

6 .Définition de L’ISFET
07

7. Structure et Principe de fonctionnement d’un transistor MOSFET

07

8. Principe de fonctionnement de L’ISFET

10
9. Système de mesure du capteur ISFET
11

9.1. Mesure simple 

11

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 Le capteur chimique ISFET

9.1.1. Mesure de ID à VD et VG constantes

11

9.1.2. Mesure de VS à VD et ID constants

12

9.1 .3 . Mesure de VG à ID et VD constants

13

9.2. Système de mesure différentielle

14

Conclusion
15

Bibliographie
16

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 Le capteur chimique ISFET

Résumé 

Le capteur d’ISFET (Ion Sélective or Sensitive Field Effect Transistor) est issu du
transistor MOSFET dont la grille est remplacée par une membrane chimiquement sensible
aux ions H+ en contact direct avec la solution à étudier.

Dans cet exposé, nous présenterons brièvement la structure et le principe du MOSFET

puis, nous étudierons les différentes théories développées sur les capteurs chimiques
I'SFET, le principe de fonctionnement physico-chimique, les phénomènes physicochimiques
à l'interface Electrolyte-Isolant-Solide et le principe de mesure.

Introduction
Depuis des années, ces instruments font face à l'avènement des capteurs chimiques
appelés plus couramment biocapteurs. Ceux-ci sont des dispositifs souvent simples et
compacts transformant le signal (bio) chimique en un signal électrique facilement
exploitable. Ils sont pour la plupart issus des techniques de la microélectronique. Ils sont en
général seulement constitués d'une partie bio-sélective (couche sensible), et d'un système
transducteur transformant en signal électrique les modifications physicochimiques induites
par la reconnaissance dans la couche sensible. Ils disposent aussi d'un environnement
d'exploitation permettant le traitement électrique des signaux.

Dans le secteur biomédical, les capteurs chimiques génèrent des attentions et des
investissements considérables, car ils sont caractérisés par : leur compacité, leur simple
conception technologique, un faible coû t, en plus d’une petite taille et d’une faible
Consommation d'énergie permettant leur utilisation dans ce domaine. Ces capteurs sont
associés à des temps de réponse aussi brefs que possible, qui les rendent aptes dans une
utilisation en temps réel.

La plus part des capteurs sont fabriqués à base de transistors de type MOS (Métal Oxyde
Semi- conducteur).

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 Le capteur chimique ISFET

L’ISFET, ou Ion Sensitive Field Effect Transistor, est un type de transistor à effet de champ
dont la broche gate est sensible aux variations de concentration en ions. Sa principale
utilisation est la mesure du pH.

1. Définition de capteur 

Un capteur est un dispositif qui transforme l’état d’une grandeur physique observée en
une grandeur utilisable, exemple : une tension électrique, une hauteur de mercure, une
intensité, la déviation d’une aiguille…On fait souvent (à tort) la confusion entre capteur et
transducteur: Le capteur est au minimum constitué d’un transducteur.
Les capteurs sont les éléments de base des systèmes d’acquisition de données. Leur mise
en œuvre est du domaine de l’instrumentation.

Figure (1) : Définition d’un capteur

2 .Biocapteur 
 Définition:

Un biocapteur est un outil analytique composé d’un élément biologique appelé bio
récepteur lié à un transducteur. Le bio récepteur reconnaît spécifiquement une molécule
du milieu et l’information biochimique qui en résulte est convertie par le transducteur en
un signal analytiquement utile.

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 Le capteur chimique ISFET

La construction d’un biocapteur est essentiellement basée sur l’immobilisation du bio

récepteur sur le transducteur correspondant

Figure (2) : Principe de fonctionnement d'un biocapteur

3. Les principales caractéristiques d'Un capteur

Pour bien qualifier un bon capteur, on se base sur les critères suivants :
 la sensibilité de détection.
 la sélectivité de détection représentant la capacité du capteur à pouvoir détecter un
ion bien déterminé parmi d'autres espèces contenues dans un milieu liquide.
 la stabilité qui traduit la reproductibilité dans le temps et dans les conditions
identiques de la réponse du capteur.
 la durée de vie qui est le pouvoir de résister aux agressions multiples du milieu à
tester.
 le temps de réponse dépendant du phénomène à mesurer.
 la compatibilité de la conception de la membrane avec la technologie
microélectronique.

4. Les éléments principaux d’un capteur chimique

Les capteurs chimiques contiennent habituellement deux composantes de base connectées
en série: une partie sélective (récepteur ou couche sensible), constitué d’un matériau de
détection sensible à l’espèce recherchée (molécule, ion, ...etc.), et un transducteur physico
chimique qui transforme la réponse chimique en signal électrique.

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 Le capteur chimique ISFET

Figure(3):Schéma synoptique d'un capteur chimique

4.1. Paramètres caractéristiques des capteurs :

Le choix et les limites d’un type de capteurs chimiques sont liés à des paramètres qui
peuvent influencer leur rô le et leur fonctionnement

Figure(4): Critères de qualité d'un capteur chimique

a. La sensibilité : elle change dans un signal mesuré par unité de concentration.

b. La limite de détection : la valeur la plus basse de concentration qui peut être détectée
par un capteur, dans des conditions définies.

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 Le capteur chimique ISFET

c. La gamme dynamique : la gamme de concentration entre la limite de détection et la

valeur de concentration supérieure.
d. La sélectivité : la réponse d’un capteur chimique est liée à l’espèce à détecter, la
modification du signal de sortie peut être introduite par la détection d’autres espèces
chimiques.
e. Le temps de réponse : pour une nouvelle valeur de concentration après la modification
de la concentration initiale.
f. La stabilité : c’est la capacité d’un capteur pour maintenir ses performances pendant
un certain temps lors d’une exécution.
g. La reproductibilité : ce paramètre est probablement le plus important, tant que les
capteurs physiques que chimiques. C’est l’aptitude d’un capteur à donner, dans des
conditions définies, des réponses très voisines lors de la mesure répétée d’une même
valeur du mesurande. Pour une fabrication de capteurs, on définit la reproductibilité d’un
capteur à l’autre

5. Le capteur chimique ISFET

En 1970, Piet Bergveld développa un nouveau procédé électronique permettant de
mesurer l’activité des ions dans un milieu chimique et biochimique. Il utilisa le principe
d’une électrode de verre et d’un transistor à effet de champ. Il mit en évidence la sensibilité
aux ions H+ d’un transistor MOS (Métal-Oxyde-Semi-conducteur) sans grille métallique.
Il introduisit ainsi le premier capteur chimique (CHEMFET) à effet de champ, l’ISFET (Ion
Sensitive Field Effect Transistor).
La méthodologie de l'ISFET pour la mesure d'ions est développée sur la base du
transistor MOSFET (transistor à effet de champ commandé en tension par une grille
métallique). Le principe de base du transistor MOSFET est de pouvoir contrô ler le courant
circulant entre deux zones de semi-conducteur (source et drain) par l’application d’une
tension Vgs sur la grille.

6 .Définition de L’ISFET

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 Le capteur chimique ISFET

L’ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor) est, en fait, un transistor MOSFET (Métal-
Oxyde-Semi-conducteur Field Effect Transistor) dont l’électrode de grille est remplacée par
une combinaison d’une membrane ou une couche sélective d’ions (pouvant être
simplement la surface de l'oxyde de grille) (ISE) dans une solution analytique et d’une
électrode de référence .L’ISE peut être SiO2, Al2O3, Si3N4 ou Ta2O5 dans le cas de
détection des variations de pH.
Le premier ISFET fut développé par Bergveld. Il utilisait la silice nue de l’oxyde de grille
d’un transistor à effet de champ. Ce matériau obtenu par oxydation thermique du silicium
est réputé pour la qualité électronique de l’interface Si/SiO2 qu’il procure. Cependant, très
vite, certains auteurs se sont rendus compte que la sensibilité au pH n’était ni Nernstienne
ni linéaire (30 à 35 mV/pH) et qu’il constituait une mauvaise barrière de diffusion aux ions.
De plus, son hydratation causait une hystérésis lors de la réponse au pH ainsi qu’une
instabilité des propriétés électriques du détecteur.

7. Structure et Principe de fonctionnement d’un transistor MOSFET

Pour mieux comprendre le fonctionnement de principe d’un ISFET nous commençons
d'abord par rappeler le principe de fonctionnement de transistor MOSFET.
Le MOSFET de type N est constitué de trois éléments : une grille métallique, un diélectrique
et un semi-conducteur.

Figure(5): Description de la structure du MOSFET

Le semi-conducteur est composé de deux caissons (drain et source) fortement dopés en

charges négatives (caissons N+) dans un substrat dopé en charge positive (P).
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 Le capteur chimique ISFET

Le diélectrique assure l'isolation électrique entre le semi-conducteur et la grille métallique

de
commande. La conduction de courant entre le drain et la source est commandée par la
grille,
la tension appliquée sur la grille va créer une inversion du substrat en surface (type P type
N),
ce qui aura comme effet : la création d'un canal conducteur de type N entre les caissons
drain
et source. Ce canal va permettre, la conduction de courant entre drain et source en fonction
de la tension drain-source appliquée. Ainsi la condition nécessaire à la conduction de
courant
dans un transistor MOS, est que la tension appliquée à la grille VG doit être suffisamment
élevée pour garantir l'inversion de charge sous l'isolant. La tension, à partir de laquelle il y
a
inversion, est appelée tension de seuil VT et elle est fonction des paramètres
technologiques
du transistor (dopage, capacité,...).

Figure (6) :(a): Schéma d’un transistor MOSEFT, (b) : Schéma électrique d’un transistor MOSEFT.

Le transistor possède trois régimes de fonctionnement, bloqué, linéaire et saturé.

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 Le capteur chimique ISFET

1) Lorsque VGS < VT le transistor est dit "bloqué". Les trous sont repoussés vers le
substrat et aucun courant ne peut circuler dans le canal entre la source et le drain.
2) Lorsque VGS ≥ VT, les trous du substrat dans le canal seront repoussés pour laisser la
place aux porteurs, les électrons. Le courant drain-source varie linéairement avec la
tension drain-source VDS, le transistor est dans le régime linéaire.
3) A partir d'une certaine valeur de tension entre le drain et la source nommée VDSat, le
courant ne varie plus et atteint une valeur de saturation IDSat, c'est le régime "saturé".
Ainsi d'un point de vue théorique le courant drain-source est donné par les relations ci-
dessous :
Régime linéaire (VDS< VGS-VT):
w 1
I DS =
l ( )
μeff C ox V GS−VT − V DS V DS
2

Régime saturé (VDS> VGS-VT):

w
I DS = μ C ( V −V T )2
l eff ox GS

Avec:
W : largeur du canal,
L : longueur du canal,
µeff : Mobilité des porteurs de charge (électrons) dans le canal,
C x : Capacité de l'oxyde de grille,
VG : Tension grille-source,
VT : Tension de seuil,
V : Tension drain-source.

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 Le capteur chimique ISFET

Figure (7):Variation du courant de drain en fonction de la tension de drain VD à tension

de grille VG constante.

L'équation qui régit la tension de seuil d'un MOSFET s'écrit :

Avec :
Ф𝑀: Travail de sortie du métal,
Ф 𝐼 : Travail de sortie du silicium,
q : Charge d'un électron,
Q : Charge à l'interface oxyde-silicium,
Q 𝑋 : Charge dans l'oxyde,
Q𝐵 : Charge dans la couche de déplétion du substrat,
Ф𝐹: Potentiel différentiel entre le niveau de Fermi de silicium dopé et intrinsèque.

8. Principe de fonctionnement de L’ISFET

Le principe de fonctionnement du capteur chimique ISFET est basé sur le piégeage
d’ions au niveau de la couche sensible. Les charges piégées induisent une variation du
potentiel chimique ψ et donc de la tension de seuil du transistor Vt.

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 Le capteur chimique ISFET

Le principe du capteur chimique est d'une part de capter l'espèce à doser, d'autre part
de transformer une grandeur chimique en une autre d'ordre physique.

Figure (8): Description de la structure et le principe de l'ISFET

9. Système de mesure du capteur ISFET

9.1. Mesure simple:
Il existe trois méthodes pour mesurer la réponse du capteur ISFET. On peut, d’abord,
maintenir VG constant et mesurer directement Id, ou mesurer Vg ou Vs en gardant Id
constant.
9.1. 1. Mesure de Id à Vd et Vgs constantes :
Le montage de cette méthode est très simple mais les résultats obtenus sont difficilement
exploitables L’information est portée par le courant ID.

Figure (9): circuit de mesure pour l’ISFET à courant de drain variable .

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 Le capteur chimique ISFET

Des tests ont été effectués sur ce type de polarisation et il en résulte que le réseau de
caractéristiques de sortie d’un ISFET (ID=f(VD)) se décale verticalement pour deux pH
différents.
Dans ce mode de polarisation, la variation du courant ID qui traduit la sensibilité, n’est
pas linéaire en fonction de VG. Cette sensibilité dépend de la valeur de VD et plus
précisément de la zone de fonctionnement de l’ISFET: régime linéaire (VDS<VGS-VT) ou
celle saturée (VDS>VGS-VT).
De même, l’information portée par le courant ID peut être influencée par les résistances
d’accès au drain et à la source de l’ISFET: RS et RD.
Leurs valeurs dépendent de la technologie de fabrication du capteur. Il sera donc
nécessaire d’effectuer un étalonnage préliminaire avec un MOSFET.
9.1. 2. Mesure de VG à ID et VD constants  :
Dans ce cas, nous mesurons les variations du potentiel de grille VG appliquées à
l’électrode de référence. Le courant de drain est maintenu constant, cf. ID à VD et VG
constantes, autrement dit le circuit fonctionne en mode asservissement (feedback) à
électrode de référence Cependant, deux inconvénients subsistent. D’une part, ce système
nécessite une référence pour chaque ISFET utilisé ce qui limite les possibilités de multi-
détection et d’autre part la solution ne doit pas être mise accidentellement à la masse.

Figure(10) : Circuit de mesure pour ISFET avec

« feedback » avec électrode de référence

9.1. 3. Mesure de VS à VD et ID constants :

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 Le capteur chimique ISFET

C’est le mode de polarisation le plus couramment utilisé Dans ce système, l’électrode de

référence est liée à la masse ou placée à un potentiel fixe qui peut être la référence de la
tension. Une source de courant constante maintient le courant de drain ID à une valeur fixe.
La variable de sortie est ajustée de manière à maintenir ID constant et va suivre chaque
changement du potentiel de surface Ψ0.
Le signal de sortie est mesuré à la source de l’ISFET: c’est le mode de fonctionnement
‘source follower’.Le fait d’utiliser une référence commune à plusieurs ISFETs permettra
l’application de la mesure différentielle et aussi l’intégration de multicapteurs intégrés. Les
grilles de tous les capteurs seront au même potentiel électrique, celui de la solution, et
chaque capteur aura son propre circuit de polarisation
Un ISFET peut être polarisé soit en mode linéaire soit en mode saturé. Or, il a été
démontré qu’en mode de polarisation Id et Vd constants, la sensibilité de l’ISFET est la
même en zone linéaire et en zone saturée et que l’influence de la valeur de la tension Vd sur
la sensibilité de l’ISFET est négligeable. Le choix du point de polarisation sera donc lié
uniquement aux problèmes de dérives du capteur

Figure(11) : Circuit de mesure pour ISFET de type « source follower »

9.2. Système de mesure différentielle  :

La mesure différentielle nécessite l’utilisation de deux capteurs, un ISFET sensible à
l’espèce à doser et un autre insensible – REFET (Reference Field Effect Transistor). Ils

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doivent présenter des caractéristiques électriques indentiques[29, 30]. Le circuit de

mesure différentielle que nous avons choisi, permet une polarisation séparée en courant et
en tension pour l’ISFET et le REFET.
On annule ainsi les interférences éventuelles entre les polarisations des deux dispositifs. De
plus, ce circuit offre la possibilité de remplacer l’électrode de référence au calomel par une
électrode de platine [31] et ainsi, de miniaturiser l’ensemble capteur-électrode de platine
pour, par exemple, l’intégration dans un système à flux continu FIA (Flow Injection
Analysis). Chacun des deux ISFET se connecte à un amplificateur le même utilisé lors de la
mesure individuelle du paragraphe VS.

Figure(12) : Schéma du principe de la mesure différentielle.

Conclusion :
Un capteur chimique de type ISFET a une structure de base similaire à un transistor
MOSFET, le rô le d’un capteur ISFET est défini à partir de sa couche chimiquement sensible.
Donc, seules les propriétés chimiques des couches ionosensibles déterminent les
caractéristiques du capteur chimique ISFET telle que la sensibilité et la sélectivité.
Dans cet exposé nous avons présenté un état de l’art sur les capteurs chimiques de types
ISFET et l’extension de fonctionnement du MOSFET au capteur ISFET En plus de leur bonne
sensibilité, leur temps de réponse court.

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BIBLIOGRAPHE
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