CHAPITRE 5
Transistors bipolaires à jonction
Objectif du chapitre
Ce chapitre permettra à l’étudiant de comprendre :
– la structure de base et le principe de fonctionnement du transistor
bipolaire à jonction (BJT) ;
– les paramètres et les caractéristiques du BJT ;
– le montage de base de polarisation du BJT.
5.1 Structure et symbole d’un transistor bipolaire
Le transistor bipolaire est un composant électronique discret à base de
trois semi-conducteurs dopés séparés par deux jonctions PN. Il comporte
trois bornes appelées l’émetteur, le collecteur et la base. On distingue deux
types de transistor : NPN et PNP (figure 5.1).
(a) NPN (b) PNP
Figure 5.1 – Représentations schématiques des transistors bipolaires
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Par construction les jonctions base - émetteur et base - collecteur ne sont
pas identiques. La base est légèrement dopée et très mince par rapport à
l’émetteur fortement dopé et au collecteur modérément dopé.
La figure 5.2 montre les symboles des deux types de transistor bipolaire
à jonction. La flèche qui repère l’émetteur indique le sens passant de la
jonction base - émetteur.
(a) NPN (b) PNP
Figure 5.2 – Symboles des transistors bipolaires
Le transistor bipolaire peut être considéré comme un quadripôle, monté
de l’une des trois façons suivantes (figure 5.3)
(a) Base commune (b) Émetteur commun (c) Collecteur commun
Figure 5.3 – Montage de base d’un transistor bipolaire
5.2 Fonctionnement des transistors bipolaires
Parmi les différentes façons de polariser un transistor NPN , l’effet
transistor apparaît lorsqu’on polarise la jonction base - émetteur en direct
et la jonction base - collecteur en inverse comme indiqué à la figure 5.4.
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Figure 5.4 – Polarisation directe d’un transistor NPN
Pour comprendre comment le transistor fonctionne, examinons ce qui
se passe à l’intérieur de la structure NPN. L’émetteur fortement dopé a
une densité très élevée d’électrons libres. Ces électrons libres diffusent faci-
lement à travers la jonction base-émetteur vers la base, légèrement dopée
et très mince en se recombinant avec les trous. La base a une faible densité
de trous, qui sont les porteurs majoritaires. Cette diffusion donne naissance
à un courant de l’émetteur IE et de base IB . Lorsque les électrons libres
se déplacent vers la jonction base-collecteur, ils sont injectés au collecteur
par l’attraction de la tension d’alimentation du collecteur positive. Cette
diffusion donne naissance à un courant de collecteur IC .
Le courant de l’émetteur est légèrement supérieur au courant du col-
lecteur en raison du faible courant de base qui se sépare du courant total
injecté dans base à partir de l’émetteur. L’effet transistor consiste donc à
contrôler, à l’aide du courant de base, relativement faible, un courant de
collecteur, beaucoup plus important.
5.3 Paramètres et caractéristiques
5.3.1 Paramètres
Le courant du collecteur IC résulte du courant IE provenant des élec-
trons injectés par l’émetteur.
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Soit
IC = α IE avec 0, 95 < α < 0, 99 (5.1)
Et
IE = IB + IC (5.2)
De ces deux équations, on tire :
α
IC = IB (5.3)
1−α
Que l’on écrit sous la forme :
IC = β IB (5.4)
β est appelé le gain en courant continu du transistor. Les valeurs typiques
de β sont comprises au moins entre 20 et 200 ou plus.
5.3.2 Caractéristiques
Pour caractériser complètement le fonctionnement d’un transistor, il
faut déterminer six grandeurs : IB , IC , IE VBE , VCE et VCB Les caractéris-
tiques d’un transistor bipolaire sont :
1. Réseau de caractéristiques de sortie
C’est le réseau IC = f (VCE ) à IB = constante. Dans ce réseau on
distingue trois zones :
– VCE : faible (inférieure à 0,7V), la jonction base-collecteur est pola-
risée en directe. Le courant IC varie linéairement avec VCE .
– VCE : grand, il y a claquage inverse de la jonction et croissance du
courant par avalanche.
– VCE intermédiaires, le courant collecteur est donné par la relation
IC = β IB . Il y a une légère croissance de IC avec VCE .
2. Réseau de caractéristiques de transfert en courant
C’est le réseau IC = f (IB ) à VCE = constante . La courbe est linéaire.
3. Réseau de caractéristiques d’entrée
C’est le réseau IB = f (VBE ) à VCE = constante. La courbe est iden-
Électronique analogique I 41
Chapitre 5 : Transistors bipolaires à jonction
tique à la caractéristique d’une diode (jonction base-émetteur). Pour
un transistor au silicium VBE varie très peu et reste voisin de la tension
seuil de la jonction base-émetteur, soit 0,7V.
4. Réseau de caractéristiques de transfert en tension
C’est le réseau VBE = f (VCE ) à IB = constante. On constate que les
variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension d’entrée.
Ces caractéristiques sont données par le constructeur (figure 5.5)
Figure 5.5 – Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire
5.4 Polarisation d’un transistor bipolaire
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du
transistor dans la zone linéaire de ses caractéristiques. Elle consiste à asso-
cier au transistor utilisé des résistances permettant de limiter les courants
d’entrée et de sortie. Le point de fonctionnement est fixé par les valeurs de
IB et VBE (caractéristiques d’entrée) et les valeurs de IC et VCE (caracté-
ristiques de sortie).
La polarisation la plus utilisée est celle par pont de résistances. Elle est
obtenue de la manière suivante.
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Figure 5.6 – Polarisation d’un transistor bipolaire NPN par pont de résis-
tances
Le point de repos du transistor est l’intersection de la caractéristique de
sortie (figure 5.5) avec la droite de charge statique dont l’équation est
donnée par :
VCC − VCE
IC = Si β 1 d’où IE ≈ IC (5.5)
RC + RE
Nous distinguons trois positions remarquables correspondant à trois
fonctionnement particulier du transistor (figure 5.5) :
– Le point B pratiquement sur l’axe des VCE et IC est très faible. Le
transistor est bloqué. Il se comporte entre le collecteur et l’émetteur
comme un interrupteur ouvert.
– Le point M dans la partie linéaire et horizontale des caractéristiques.
Ce point correspond à un fonctionnement linéaire en amplification.
– Le point S dans la partie montante des caractéristiques. Le transistor
est saturé. VCE ≈ 0 (quelques dixièmes de volt). Toute augmentation
de IB est pratiquement sans effet sur la valeur de IC . Le transistor se
comporte entre le collecteur et l’émetteur, comme un interrupteur
fermé. On note : VCE ≈ VCEsat
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