Bry Resa NAC] Ted a ery Serge Weber ELECTRONIOUE Ce CoS SS eT UT + Licence + Ecoles ¢ ‘weet 120 Fiches de cours 140 QCM corrigés 100 exercices corrigés PH UNECEIllustration de couverture : Circuit Board © Raimundas ~ Fotolia.com le. piogerme qui Bgue icone denna spin, pooner we Tobie orSen in dere ietuae ache Diite ee Flere le lacmr sur lo ments que eos ou pit ula pastime oe terete pour erent de, iS onc c cer Gs cnt foriclrenen doe Soncine (BANGER) rows oseles ie ae coe Seaton teacue teres torr ip ha mee ‘a, cerereneee massif du ‘Nous roppelons eee one shot. ieprecen, parle ove Ue Cae es ori iil Er, preme pubicton Ander 92th [apg] cies orn So tht expen photoes NRE) Fon, de sn ecu ov fied vag ole sme oor Gore bons cexplatosen ds {oton ot ayn rt Or cab proteue cht de cepe TFC. 20, rue do Fos citadel Gaamert Groner hugis, 72008 Ps), © Dunod, 2015, 5 rue Laromiguiére, 75005 Paris www.dunod.com ISBN 978-2-10-072796-4 le Code de lo. proptéié inoleciuelle n‘eutorsant, aux termes de lance 1122.5, 2° et 3° o), Tune pon, que les «copies ot reproductions sicienent scorvéer@ 'utoge privé d copia st non destnges 8 une vlotion collective» ft, ue port, que lee ancy flex coures citations dons un but exemple et Tilustation, «ule représertaion ov reproduction iiégrole ou pestle Foie sans fe consentoment de Fouieur ou de sex cyarts dro ou oyenls couse ext ilicte » for. L 122-4, Cte reprsenttion ou repzaducton, par quelque procédé que ce sol, constive- rait donc une conrelaron sanetionnée parler ares. 3352 et suivants dy Code dela props inelecvll Copyright €ie est n it, (© Danod. Tous reproduction no at Table des matiéres Avant-propos ‘Comment utiliser cet ouvrage ? Remerciements Chapitre | Principes généraux de l’électrocinétique Fiche | Généralités et conventions Fiche 2 Les différents types de générateurs Fiche 3 Les dipéles passifs linéaires usuels Fiche 4 Les régimes électriques dans les circuits Fiche 5 Les lois de Kirchhoff en régime continu Fiche 6 Le théoréme de Millman Fiche 7 Les ponts diviseurs Fiche 8 Le principe de superposition Fiche 9 Les théorémes de Thévenin et Norton Fiche 10 Les circuits linéaires en régime sinusoidal Fiche 11 Le modale complexe en régime sinusoidal Fiche 12 Le régime sinusoidal - Méthode Fiche 13 La puissance électrique Fiche 14 La puissance en régime sinusoidal Fiche 15 La madélisation des quadripéles 1 Fiche 16 La modélisation des quadripéles 2 Fiche 17 Les schémas équivalents des quadripoles Focus AC/DC cm Exercices Chapitre 2. Signaux et systémes Fiche 18 Lanotion de spectre Fiche 19. Le spectre des signaux périodiques Fiche 20. Le spectre des signaux non périodiques Fiche 2]. La transformation de Laplace 1 Fiche 22 La transformation de Laplace 2 Fiche 23 La fonction de transfert d'un systéme Fiche 24 Les méthodes de résolution des problmes Focus Signaux analogiques et signaux numériques cm Exercices Chapitre 3 Les diodes Fiche 25. La conduction électrique intrinséque Fiche 26 La diode a jonction Fiche 27. Le principe de fonctionnement de la diode Fiche 28 Les caractéristiques électriques de la diode Fiche 29. La polarisation de la diode Fiche 30. La puissance dissipée dans une diode Fiche 31 Les applications des diodes 34 36 37 39 43 44 46 48 50 52 54 56 58 59 6 63 64 66 68 70 72 m4 7%Fiche 32. Le redressement double alternance Fiche 33 Les régulateurs de tension Focus Les ancétres des semi-conducteurs acm Exercices Chapitre 4 Les transistors bipolaires Fiche 34 Le transistor bipolaire Fiche 35. La polarisation d'un transistor Fiche 36 Lapproche physique de la polarisation Fiche 37 Le fonctionnement en commutation Fiche 38 Les montages & plusieurs transistors Focus Toute une gamme de transistors acu Exercices Chapitre 5 Les transistors bipolaires en régime dynamique Fiche 39 Les parameétres hybrides du transistor NPN Fiche 40 Le schéma équivalent du transistor Fiche 4) Les amplificateurs Fiche 42 Lamplificateur a émetteur commun Fiche 43. Lamplificateur a collecteur commun Fiche 44 Camplificateur a base commune Fiche 45. Le montage push-pull Fiche 45 Le montage push-pull & correction de distorsion Fiche 47 Lamplificateur différentiel simple Fiche 48 La réjection du mode commun Fiche 49 Le montage Darlington en régime variable Focus Les différentes classes d'amplificateurs acm Exercices Chapitre 6 Les amplificateurs opérationnels en régime linéaire Fiche 50 Les caractéristiques de 'amplificateur opérationnel Fiche $! Le fonctionnement linéaire de 'amplificateur opérationnel Fiche 52. Les additionneurs et les soustracteurs Fiche $3. Les montages évolués Fiche 54 Dela théorie a la pratique Fiche 55. Les montages dérivateurs et intégrateurs Fiche 56 Loscillateur a pont de Wien Focus Quand I’électronique résout les problemes de physique acu Exercices Chapitre 7 _ Les filtres analos Fiche 57. Les diagrammes de Bode Fiche 58 Les diagrammes de Bode asymptotiques Fiche S_ Les différents types de filtres Fiche 60 Le filtre passif passe-bas du premier ordre Fiche 61 Le filtre actif passe-bande 78 80 82 83 85 87 88 90 92 94 96 98 99 101 103 104 106 108 No nz na n6 us 120 122 124 126 127 129 131 132 134 136 138 140 142 144 146 147 149 153 154 156 158 160 162ie est n it, (© Danod. Tous reproduction no at Focus Musique ! cm Exercices Chapitre 8 Les amplificateurs opérationnels en régime non linéaire Fiche 62 Le comparateur Fiche 63 Le basculement d'un comparateur Fiche 64 Le trigger de Schmitt inverseur Fiche 65 Le trigger de Schmitt non inverseur Fiche 66 Les montages astables et monostables Focus Le circuit imtégré 555 cm Exercices Chapitre 9 Les transistors a effet de champ Fiche 67 Les transistors a effet de champ a jonction Fiche 68 La polarisation des transistors JFET Fiche 69 Le schéma équivalent en régime linéaire Fiche 70 Les amplificateurs a JFET Fiche 71 Les transistors JFET en commutation Focus Le brult de fond cm Exercices Chapitre 10. Les circuits logiques combinatoires Fiche 72. Les fonctions logiques Fiche 73. Les nombres binaires entiers Fiche 74 Valgdbre de Boole Fiche 75 Les circuits logiques combinatoires. Fiche 76 Méthode de conception d'un circuit combinatoire Fiche 77 Simplification des fonctions logiques Fiche 78 Multiplexeur, démultiplexeur Fiche 79 Encodeurs et décodeurs Fiche 80 Le comparateur Fiche 81 Uadditionneur Fiche 82. Le soustracteur Fiche 83 Les caractéristiques technologiques des circuits combinatoires Focus Ducristal de silicium 4 Yordinateur cm Exercices Chapitre 11 Les circuits logiques séquentiels Fiche 84 La logique séquentielle Fiche 85 La fonction séquentielle synchrone Fiche 86 Les registres Fiche 87 Les compteurs Fiche 88 Les machines & nombre fini a'etats Fiche 89 analyse de machines d'état Fiche 90 La synthese des machines d'état Fiche 91. Le graphe d'état pour les systemes non conditionnés. Fiche 92. Le graphe d'état pour les systémes & évolution conditionnelle 164 165 167 71 172 174 176 178 180 182 183 185 189 190 192 194 196 198 200 201 203 207 208 210 212 214 216 218 220 222 224 226 228 230 232 233, 235 239 240 242 244 246 248. 20 252 254 256vi Fiche 93 Les caractéristiques temporelles des systémes séquentiels, Focus Fabrication d'un circuit intégré acu Exercices Chapitre 12. Les technologies des circuits numériques Fiche 94 Circuits TTL et CMOS Fiche 95 La classification des circuits numériques Fiche 95. Les circuits PLD Fiche 97 Les circuits FPGA Fiche 98 Mémoires, notions générales Fiche 99 Mémoires RAM et PROM Fiche 100 Les circuits combinatoires 4 base de RAM Fiche 101 Les machines d’états a base de mémoire et registre Focus Les nouvelles technologies mémoire acu Exercices Chapitre 13. Eléments d’instrumentation et de mesure Fiche 102 La mesure du courant Fiche 103 La mesure d'une tension Fiche 104 Loscilloscope Fiche 105 Les sondes de courant et différentielle Fiche 105 La chaine ‘instrumentation Fiche 107 Les capteurs : principes généraux Fiche 108 Les capteurs actifs Fiche 109 Les capteurs passifs Fiche 110 Les convertisseurs analogique-numérique Fiche 11 Les convertisseurs numérique-analogique Focus Les capteurs solaires photovoltaiques acm Exercices Chapitre 14 Eléments d’électronique de puissance Fiche 112 Les composants en régime de commutation Fiche 13 Intraduction a Vélectronique de puissance Fiche 114 Les hacheurs série et paralléle Fiche 15 Le hacheur série en conduction continue Fiche 116 Le hacheur série en conduction discontinue Fiche 117 Le hacheur paralléle en conduction continue Fiche 118 Le hacheur paralléle en conduction discontinue Fiche 119 Les hacheurs a accumulation Fiche 120 Les hacheurs a accumulation inductive en conduction continue Fiche 121 Les onduleurs et fa structure de pont en H Focus Les convertisseurs et le photovoltaique acu Exercices Corrigés des exercices Annexes, Index 258 260 261 263, 267 268 270 272 274 276 278 280 282 284 285 287 289 290 292 294 296 298 300 302 304 306 308 310 31 313 317 318 320 322 324 326 328 330 332 334 336 338 339 341 343 429 435g 5 4 d : Avant-propos Lélectronique est la discipline qui s'intéresse aux dispositifs électriques construits autour de la technologie des semi-conducteurs. La plupart du temps, les courants et les tensions mis en ceuvre restent de faible amplitude, excepté en électronique de puil Le traitement du signal, les automatismes, 'informatique et d’une maniére plus géné- rale, une grande partie des appareils que nous utilisons quotidiennement possédent des systémes électroniques. Que ce soit pour lt commande des processus, le traitement de information, le contrOle ou 1a mesure des phénoménes, électronique apporte des solu- tions simples, fiables et souples & un grand nombre de problémes techniques. ance. Cet ouvrage rassemble toutes les notions fondamentales de électronique : de la diode a jonction jusqu’aux systémes logiques, en passant par les montages & transistors et & amplificateurs opérationnels. I! aborde également les bases de l'électronique de puissance qui, traditionnellement, sont plutét étudiées en électrotechnique mais dont nous avons estimé qu’elles avaient leur place au sein d’un ouvrage consacré a ’électronique. Test structuré en cent vingt et une fiches et en quatorze chapitres développant chacun un théme particulier. Chaque fiche aborde un composant, un montage ou un principe. Ala fin de chaque chapitre, le lecteur pourra pousser sa réflexion un peu plus loin a Paide des focus proposés qui mettent en exergue des thématiques particuliéres. Aprés un QCM qui lui permettra de tester ses connaissances et de valider ses acquis, il pourra ensuite “entrainer avec des exercices et des problémes entigrement corrigés. Les solutions sont présentées dans leurs moindres détails en insistant systématiquement sur les méthodes 2 assimiler et sur le savoir-faire & acquérir absolument pour étre capable de résoudre n'importe quel probleme d’électronique. Chaque chapitre propose des exercices de diffi- cultés variges. II est conseillé de les aborder dans Vordre, sans chercher a briller les étapes en négligeant tel ou tel qui parait trop facile et sans succomber a la tentation de lire trop rapidement la solution. Certains de ces exercices sont de grands classiques ; d'autres sont plus originaux. Ils ont tous vocation a guider l’étudiant vers la maitrise de l'électronique et des fonctions qu'elle permet de réaliser, et de 'aider 4 acquérir suffisamment d'aisance pour aborder avec succes des problémes de plus en plus sophistiqués. L¥lectronique n'est pas une discipline extrémement compliquée pour qui 'aborde avec rigueur et méthode. Elle nécessite toutefois que le lecteur soit familiarisé avec les lois fondamentales de lélectrocinétique, que ce soit en régime continu, sinusoidal ou transi- toire. Ces notions sont rappelées dans le premier chapitre qui rassemble les principaux résultats et théorémes qu'il est indispensable de connaitre. Les prérequis de mathématiques de I’électronique ne sont pas nombreux : ils concernent analyse des fonctions réelles, le calcul différentiel et intégral et les nombres complexes. Le formulaire situ en annexe a la fin de Vouvrage regroupe toutes les formules de mathé- matiques utiles & 'électronicien. Cet ouvrage a été congu avec le souci constant de rendre I’électronique accessible au plus grand nombre. Nous souhaitons que chaque lecteur puisse y trouver les clés de sa réussite, vilDe tres nombreux schémas Des renvois entre fiches Vill Comment utiliser ce incipes Fe ralecto eneraux inetique 14 chapitres auquels sont associés des bonus rd web a retrouver sur dunod.com si ope eee ett, re rates ers eee 120 fiches de cours Les notions essentielles avec des renvois pour naviguer d'une fiche a l'autre Des conseils méthodologiquesCopyright © 2015 Dunod. cet ouvrage ? Des exercices en fin de chapitre pour réviser (corrigés en fin d’ouvrage) Des QCM en fin de chapitre pour s'auto-évaluer Des focus sur une page la fin de chaque chapitre Les réponses commentées au versoRemerciements Les auteurs tiennent & remercier trs sinc®rement les personnes suivantes pour leurs relectures et conseils tout au long de la rédaction de cet ouvrage + Sylvie Roux, professeur agrégé de physique appliquée, IUT A Paul Sabatier, départe- ment GEII, Toulouse + Frédéric Morancho, professeur des universités, université Paul Sabatier, Toulouse + Farid Meibody-Tabar, professeur des universités, Ecole nationale supérieure d’électri- cité et de mécanique de Nancy + Guy Schneider, professeur agrégé de physique appliquée, CPP - La Prépa des INP, Nancy + Yves Berviller, m technologies © Slavisa Jovanovic, maitre de conférences, université de Lorraine, faculté des sciences et technologies re de conférences, université de Lorraine, faculté des sciences etChapitre 1 Principes généraux de l’électrocinétique Objectifs Avec les spécificités qui lui sont propres, l'électronique reste un domaine qui siintégre dans la discipline de Vélectricité générale. A cet égard, les lois, les prin- cipes fondamentaux, les théorames et les méthodes développées pour résoudre les problémes sont les mames. Ce chapitre rassemble les outils génériques de Vélectrocinétique qui sont utiles étude des circuits électroniques. Le lecteur y retrouvera tous les théorémes fondamentaux ainsi que les méthodes qui sont propres a chaque type de régime de fonctionnement des circuits.Généralités et conventions 1. Définitions et principes fondamentaux D'une manigre générale, tout circuit électrique peut se représenter sous la forme d'un générateur d’énergie alimentant un récepteur chargé de transformer I’énergie électrique regue en une autre forme exploitable, les deux dispositifs ant religs par des conducteurs. Tout circuit dlectrique est le sitge d'un transfert de charges entre ces deux éléments (figure 1.1), Il est couramment admis de représenter ce transfert par un flux d’électrons que l'on modélise par un courant électrique traversant les conducteurs. flux d'électrons courant / —— — générateur récepteur Figure 1.1 jue (exprimé en amperes) représente la quantité de charges q (en coulombs) traversant une section donnée du conducteur par unité de temps. Les élec- lant une charge négative, la logique veut que le courant / soit représenté en sens contraire du flux d’électrons. Dans un circuit composé d'une seule boucle, le méme courant circule & chaque instant dans tout le circuit. Générateurs et récepteurs simples possédent en général deux bornes. Ce sont des dipdles Glectriques. Les dipdles générateurs sont dits actifs, ceux qui ne font que consommer de énergie sont des dipdles passifs. 2. Le générateur de tension parfait Le dipdle actif le plus simple est le générateur de tension continue parfait qui délivre une tension E constante (en volts) et l'impose au dipéle récepteur qui présente done & ses bornes la méme tension E, Le courant qui apparait alors dans le circuit dépend de E et de la nature du récepteur. Cette tension E est la différence de potentiel V, ~ Vp. La fi&che symbolisant cette différence de potentiel est dirigée vers le potentiel le plus élevé. Comme les électrons sont attirés par le point A, correspondant au potentiel le plus élevé, le courant sera naturcllement orienté, au sortir du générateur, par une fléche dirigée dans Pautre sens. Pour un circuit alimenté par un générateur de tension, on considére en général que sa borne B constitue la référence de tension pour ensemble du circuit et se trouve done au potentiel 0 V (on dit aussi a la masse). Sa borne A se trouve done au potentiel Vy = E.201 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non autorise est un On assimile done toute différence de poter référence, au potentiel du point X. entre un point X quelcongue et cette courant A € a génératour Se de tension pies parfait Figure 1.2 3. Conventions Dans un circuit simple composé d’un générateur de tension et d'un dipdle récepteur, compte tenu du fait que la méme tension régne aux bornes des deux éléments, et que le méme courant circule dans tout le circuit, on note que du edté du générateur, courant et tension sont représentés par des fgches dirigées dans le méme sens, alors que du cdté du récepteur, elles sont dirigées en sens contraires (figure 1.3). Par convention, nous dirigerons systéma- tiquement les fiéches des courants et des tensions dans le méme sens pour le générateur (convention générateur), et en sens contraires pour tout récepteur (convention récepteur). En regle générale, les circuits simples ne comportent qu'un seul générateur. Toutefois, certains peuvent en contenir plusieurs. Dans ce cas, si un générateur est considéré comme appartenant la partie réceptrice du circuit, c'est la convention récepteur que ‘convention générateur convention récepteur Figure 1.3 co) Le respect des conventions de signes est absolument essentiel dans la résolution d'un probléme diélectricité en général et d'électronique en particulier. La plupart des erreurs, proviennent du non respect de ces régles élémentaires. On retiendra notamment quien général, on nlutilise la convention générateur que pour le générateur principal du circuit. Fiche 1 = o o2 Fiche 1 Les différents types de générateurs 1, Le générateur de courant continu parfait Outre le générateur de tension parfait, un circuit peut étre alimenté par un générateur de courant parfait (figure 2.1). Ce dernier impose un courant / au dipdle récepteur. La tension qui apparait alors aux bornes du dipdle récepteur dépend de Jet de la nature du récepteur. Les générateurs de courant sont en général des dispositifs complexes utilisés dans des cas bien particuliers. courant / A 1 f } | tension V B génératour de courant ean parfait Figure 2.1 oa Les générateurs sont dits parfaits au sens oi la tension délivrée par un générateur de tension parfait ne dépend pas du reste du circuit. De méme, un générateur de courant parfait délivre un courant qui ne dépend pas du reste du circt 2. Le générateur de tension réel Dans la réalité, un générateur de tension n'est jamais parfait. La tension qu'il délivre diminue plus ou moins selon 'intensité du courant qu'on lui soutire. Ce phénomene est dO & la superposition de diverses chutes de potentiel internes qui ne peuvent plus étre négligées lorsque le générateur est parcouru par un courant intense. On considére alors qu’un modele plus proche de la réalité consiste & associer une rési tance en série avec un générateur de tension parfait, ou une résistance en paralléle avec un générateur de courant parfait. Ces résistances sont appelées résistances internes des générateurs (figure 2.2). Si /est le courant qui circule dans le cireuit, on a: Vy — E-rl.Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non autos est un ‘courant / génératour de tension rel récepteur Figure 2.2 3. Le générateur de courant réel De la méme manigre, un générateur de courant réel sera modélisé par la mise en parallele d'un générateur de courant parfait et d'une résistance dite interne (figure 2.3). Dans ce cas, le courant qui alimente le récepteur est plus faible que le courant délivré par le générateur parfait et dépend de la tension qui s‘installe aux bornes du récepteur. courant + / A ' 8 agénératour *écepteur de courant reel Figure 2.3 4. Les autres générateurs Outre les générateurs continus qui délivrent des tensions ou des courants constants, il est trds fréquent d'utiliser des générateurs de signaux variables dans le temps et de formes variées (signaux sinusoidaux, par exemple, ou autres signaux périodiques, etc.). D'une maniére générale, on réserve les lettres majuscules pour nommer les grandeurs continues (V4, E, Ip) et les lettres minuscules pour les grandeurs variables (v,¢,,i,). Dans tous les cas, lorsqu'il s‘agit du générateur principal du circuit, on utilisera la convention générateur pour repérer le sens de la tension a ses bornes et celui du courant qu'il délivre (fléches dirigées dans le méme sens). ocM rey Exercices 5 ES is]Les dipdles passifs linéaires usuels 1, Les lois de fonctionnement élémentaires ‘Trois dipdles passifs sont couramment utilisés dans les circuits électroniques. Is ont la particularité de posséder un fonetionnement qui s‘exprime sous la forme d'une équation différentielle simple, linéaire, & coefficients constants. L¥équation de fonetionnement d’un dipole Tie la tension & ses bornes et le courant qui Ie traverse. En supposant que, dans le cas le plus général, ces deux grandeurs sont variables dans le temps, les lois de fonetion- nement des trois dipdles passifs usuels sont présentées sur la figure 3.1 résistance bobine condensateur it) it) it) u(t) R ut) ut) | — di u(t)=Rit) ue)=uS u(p=iA f ittyat Résistance Ls inductance propre C: capacité ‘en ohms (0) ‘en hanrys (H) en tarads (F) Figure 3.1 2, Associations de dipdles Deux dipdles quelconques sont dits associés en série si une des bornes de l'un est relige une des bornes de autre, l'ensemble formant un nouveau dipdle. Ils sont dits asso en paralléle si les paires de bornes sont connectées deux a deux (figure 3.2) Dans le cas de association en série, les deux dipdles sont parcourus par le méme courant. La tension totale aux bornes de ensemble est égale a la somme des deux diffé- rences de potentiel aux bornes de chacun des deux dipdles. Dans le cas de association en paralléle, la méme différence de potentiel régne aux bornes de chacun des deux dip6les. En tenant compte de ces constats, on peut en déduire les régles association des diffé- rents dipolesCopyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non autos est un EWE, association association on série en paraliéle Figure 3.2, En associant des résistances, on forme un dip6le qui se comporte comme une résis- tance, dont la valeur est appelée résistance équivalente, que Pon note en général Ry. Lorsque Von associe des condensateurs, on forme un condensateur équivalent de capacité C.. Lorsque deux résistances R, et R, sont associées en série, ona R, = Ry + Ry. 1 Lorsqu’elles sont associes en paralléle, on aL. = L RR RR R+ Ry Lorsque deux condensateurs C, et C2 sont associées en série, on a Lorsquiils sont associgs en paralléle, on a Cy = C, + Co. ‘Attention (On remarquera que les régles d'associations des ré: condensateurs se trouvent inversées. Les régles qui régissent Passociation de bobines sont les mémes que celles qui concernent les résistances : les inductances s’additionnent lorsque les bobines sont placées en série. Leurs inverses s‘ajoutent lorsqu’elles sont placées en paralléle ensemble des résultats présentés ici se généralisent sans probleme & Vassociation série ou parallale de m éléments différents. est possible de simplifier les circuits électriques en calculant les valeurs équivalentes, une combinaison plus ou moins complexe de dipdles. On procéde alors de proche en proche en recherchant les associations les plus simples et en réduisant ainsi pas & pas le circuit initial. QCM ba To vk] ExercicesLes régimes électriques dans les circuits Selon la forme de la tension (ou du courant) délivrée par le générateur qui alimente un circuit, on dit que ce circuit fonctionne selon un certain régime. 1. Le régime continu Lorsqu’un circuit est alimenté par un générateur qui délivre une tension constante, on dit quil fonctionne en régime continu. Les régimes continus font partie des régimes dits permanents ou établis. Dans un circuit fonctionnant en régime continu, toutes les tensions et tous les courants dans le circuit sont en général continus. Rappel Les grandeurs continues sont notées avec des lettres majuscules (F pour une tension, par exemple). En régime continu, un élément inductif (une bobine) n'a aucun effet. Son équation de fonctionnement montre que, parcourue par un courant constant quelconque, une bobine présente toujours une différence de potentiel nulle a ses bornes Osii = C®. di WQ=LS > wi Me Un condensateur, en régime continu, n’est parcouru par aucun courant : u(t) = lion => i() = Osiu(t) = C. Remarque Si aucun courant ne peut traverser un condensateur en régime continu, tout condensateur qui se voit imposer une tension U présente bel et bien une charge emmagasinéc Q telle que O = CU. Un condensateur parfait possede en outre la propriété de conserver cette charge emmagasinée, une fois 'alimentation U coupée. Ceci, bien évidemment, a condition qu'il ‘dire que ses deux bornes ne soient religes & aucun autre circuit. soit isolé, c' 2. Le régime sinusoidal Lorsqu’un circuit est alimenté par un générateur qui délivre une tension sinusoidale e(0) = Ey cosor, le régime sera dit sinusoidal ou harmonique. Les régimes sinusoidaux font également partie des régimes dits permanents ou établ Dans un circuit fonctionnant en régime sinusoidal, tensions et courants sont tous simusoi- daux, de méme pulsation « que la source de tension, mais présentanta priori des déphasages.201 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non autorise est un 3. Le régime transitoire Les régimes transitoires correspondent en général au passage d'un régime permanent & un autre régime permanent. Ces changements de régime sont la plupart du temps dus & ouverture ou a la fermeture d'un interrupteur dans le circuit ou encore & la présence de composants agissant comme des interrupteurs. et) OD a b ce Figure 4.1 Dans le circuit représenté sur la figure 4.1.a, le dipéle AB est alimenté par un généra- teur parfait de tension constante E par 'intermédiaire d'un interrupteur K. Lorsqu’on ferme linterrupteur, tout se passe comme si on passait brusquement d'un régime perma- nent e(t) = 0 a un autre régime permanent e(1) = E. Le dipdle est en quelque sorte alimenté par la tension e() (figure 4.1.b). Il suffit de considérer que Vinstant t= 0 correspond a l'instant de fermeture de rin- terrupteur. Comme un interrupteur n’est pas un élément linéaire, on préfére utiliser le modéle représenté sur la figure 4.1.b, dans lequel le circuit est linéaire (schéma sans interrupteur), mais dans lequel la forme de la tension d'alimentation n'est pas constante se présente sous la forme d'un échelon (figure 4.1.c) (> Important Les régimes transitoires peuvent intervenir aussi bien 4 Youverture qu’a la fermeture dinterrupteurs, ou encore au basculement de commutateurs. D'une maniére générale, le régime transitoire conduit toujours le systéme vers un régime permanent. Les problémes & résoudre sont en général toujours les mémes : il s'agit de déterminer tensions et courants dans le circuit, Comme celui-ci n'est pas alimenté par une tension constante ou sinusoidal, tous les courants et toutes les tensions dans le circuit seront a priori variables. La résolution des problémes d’électricité en régime transitoire se traduit en général par des équations différentielles. Les plus simples, comme par exemple les équations diffé- rentielles lingaires & coefficients constants d’ordre peu élevé se résolvent directement avec une relative facilité. Pour les autres, des outils plus performants seront nécessaires comme la transformée de Laplace, voire des méthodes numériques. arate ocM10 Les lois de Kirchhoff en régime continu 1, Définitions + Réseau électrique : toute association simple ou complexe de dipdles interconnectés, alimentée par un générateur. + Branche : partie dipolaire d'un réseau parcourue par un méme courant. + Neeud d’un réseau : tout point du réseau commun a plus de deux branches. + Maille d’un réseau : tout chemin constituant une boucle et formé de plusieurs branches. Sur le circuit de la figure 5.1, lassociation de Rj, Ry, Ry. Ry et Rs formant le dipdle AC constitue un réseau électrique alimenté par le générateur de tension E. A, B,C et D sont les noeuds de ce réseau. Le schéma montre trois mailles. Tl en existe d'autres, par exemple, en partant du point A, on peut définir une maille qui comprend Ry, Ry et Rs, qui passe par D, puis C et qui rejoint A en incluant R, Figure 5.1 2. La loi des noeuds La somme des courants se dirigeant vers un necud est égale & la somme des courants q sortent de ce neeud, Ou encore : la somme algébrique des courants dirigés vers un neeud d’un circuit est nulle (en comptant positivement les courants dirigés vers le neeud et en comptant néga- tivement ceux qui en sortent). Cette loi exprime le fait qu’il ne peut pas y avoir accumulation de charges en un po quelconque d'un conducteur du réseau. Dans Fexemple de la figure 5.1, on pourra éerire centre autres équations : Jy = I, + I, et Ipunod. 201 Copyright © (© Danod. Tous reproduction non autos est un 3. La loi des mailles La somme algébrique des différences de potentiel le long d’une maille, obtenue en parcourant la maille dans un sens donné, est nulle. Les différences de potentiel orientées dans le méme sens que le sens de parcours de la maille sont comptées positivement, Les differences de potentiel orientées dans le sens opposé au sens de parcours de la maille sont comptées négativement. Ainsi, dans Vexemple de la figure 5.1 : Maille 1: EE, = 0 Maille 2: E, — E) - Ey = 0 Maille 3: Ey - Ey — Es = 0 Note Les lois de Kirchhoff sont présentées ici en régime continu (lettres majuscules pour les tensions et les courants). En réalité, elles restent valables quel que soit le régime. 4, La loi des nceuds généralisée F électrique quelconque, la somme algébrique des courants entrant (ou Dh = 0 (figure 5.2). i Dans un dispos sortant négativement) dans une surface fermée est null circuit Figure 5.2 D’un point de vue pratique, cela signifie que dans un circuit complexe, on peut définir arbitrairement un contour fermé ct appliquer la loi des nocuds aux bornes de ce contour. Remarque Hest assez rare (utiliser les lois de Kirchhoff pour résoudre entidrement un probleme d'électricité. En effet, elles générent beaucoup d'équations et beaucoup d'inconnues et on leur préfere des théorémes plus puissants. Py ry a D4 VWLe théoréme de Millman Le théortme de Millman permet d'exprimer le potentiel en un noeud quelconque d’un réseau en fonction des potentiels aux nceuds voisins. Il est une conséquence de la loi des neeuds et peut done étre utilisé a sa place. avantage réside dans le fait qu’on exprime des relations sans courant, uniquement 2 Vaide de tensions. En utilisant 2 la fois le théor&me de Millman et la loi des mailles, on dispose de deux outils qui permettent de résoudre pratiquement n’importe quel probleme d'électrocinétique. Considérons un noeud quelconque d'un circuit (figure 6.1). Ce neeud est reli€ & » points du circuit par lintermédiaire de n branches possédant chacune une résistance R,. Soient V; les tensions aux n points voisins du neud X. Figure 6.1 Le potentiel Vg s‘exprime en fonct suivante : mn des potentiels aux neeuds voisins de la manigre YS On peut définir également la conductance d’un dipdle rés tance. Soit : ree uunité : siemens ($). Ainsi, le théoréme de Millman peut aussi s'écrire Lov, 2G5 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un Ce qui revient a dire que le potentiel en un neeud quelconque d'un circuit est la moyenne des potentiels aux neeuds voisins, pondérée par les conductances des différentes branches On considere le circuit de la figure 6.2 dans lequel on cherche a caleuler le potentiel au point A. application du théoréme de Millman en ce point est immeédiate. Attention : méme sila résistance R, est reliée a la masse et quelle ne correspond & aucun terme au numérateur, elle est néanmoins présente au dénominateur. A100. A,=50 e-ov(f) nwa ear Figure 6.2 Le théoréme de Millman est un outil extrémement intéressant, surtout si on le compare aux lois de Kirchhoff : + Comme il découle de la loi des neeuds mais ne met en équation que des tensions, il permet de limiter le nombre de variables introduites dans les équations. + Hpermet de cibler le calcul d’un potentiel particulier ou d’une différence de potentiels donnée en n’écrivant qu’une seule ligne de calcul, Ne pas oublier que bien souvent, on cherche la valeur d'une tension particuligre et que la connaissance de toutes les grandeurs électriques, courants ou tensions, en tout point du circuit, ne sert pas & grand chose. + Ils‘applique tout aussi bien en régime continu qu'en régime variable. + Dans le cas de circuits plus complexes que celui qui est présenté dans Pexemple précé- dnt, il suffit souvent dappliquer plusieurs fois le théoréme de Millman pour obtenir les grandeurs recherchées. Peu d’équations seront générées avec, par conséquent, moins de risque d'erreur de calcul. + Sicestun courant qui est recherché, par exemple dans une résistance, penser & utiliser le théoréme de Millman pour trouver d’abord la tension aux bornes de cette résistance. Tot ocM Chay 13,Les ponts diviseurs 1, Le pont diviseur de tension Le circuit de la figure 7.1 représente un pont de deux résistances placées en série et alimentées par un générateur de tension parfait. Les deux résistances sont ainsi parcou- rues par le méme courant. Figure 7.1 On siintéresse au potentiel V, au point A, point commun aux deux résistances Ret Ry, autrement dit, 2 la tension aux bornes de R E Par simple application de la loi d’Ohm, on peut écrire : 1 S.. principe du pont diviseur de tension Le potentiel au point commun de deux résistances est égal a la tension qui régne aux bornes de ensemble multiplié par la résistance connectée au potentiel le plus bas et divisé par la somme des deux résistances. Le potentiel au point A est donc égal A une fraction de la tension E, d’od la dénomina- a tion de pont diviseur de tension. 6 Darou Le principe du pont diviseur de tension ne peut s'appliquer que si les deux résistances 8 sont parcourues par le méme courant. 145 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un 2. Le pont diviseur de courant Le circuit de la figure 7.2 représente un pont de deux résistances placées en paralléle et alimentées par un générateur de courant parfait. Les trois dipdles sont ainsi soumis & la méme différence de potentiel U. Figure 7.2 On s‘intéresse aux valeurs des deux courants 1, et /> qui parcourent respectivement les deux résistances Rj et Ry Si on considére que la source de courant alimente Passociation en paralléle des deux résistances, on obtient, par une simple application de la loi @’Ohm : Par conséquent : C05 S.. principe du pont diviseur de courant Lorsqu'une source de courant / alimente deux résistances associées en paralléle, chacune des résistances est parcourue par le courant / multiplié par la valeur de l'autre résistance et divisé par la somme des deux. Les principes du pont diviseur de tension ou de courant sont a priori tres simples mais, restent d'une utilité capitale dans bon nombre «applications. Ils permettent en effet avoir un acc’s immédiat a une grandeur électrique donnée en faisant le minimum de caleuls. Il convient toutefois de bien retenir les conditions dans lesquelles s‘appliquent ces prin- cipes, en particulier le fait que le diviseur de tension est caractérisé par la circulation du ‘méme courant dans les deux résistances. 15. 5 a a D4 Exerci16 Le principe de superposition Dans un circuit linéaire possédant plusieurs générateurs de tension, et @ condition que ces sources soient indépendantes, tout potentie! en un point queleonque (ou tout courant dans une branche du circuit) est égal 4 la somme des potentiels (ou des courants) oréés séparément par chaque générateur, les autres générateurs étant éteints, c'est-a-dire court- reuités, Si le circuit contient des générateurs de courant, le principe reste valable si les sources sont indépendantes : on effectue les calculs avec chaque source prise séparément en remplacant les générateurs de courant par des circuits ouverts. Le principe de superposition étant une conséquence directe de la linéarité des compo- sants du circuit, il est généralisable A tout régime de fonctionnement et a tout circuit contenant uniquement des composants linéaires. Dés lors qu'un circuit contient des éléments non linéaires, par exemple des diodes, ce principe ne peut plus s‘appliquer. Il ne s'applique pas non plus au calcul des puis ances. Dans le circuit de la figure 8.1, on cherche A caleuler le courant J dans la rési D'aprés le principe de superposition, ce courant est la somme de trois courants Jy, I, et 1 cottespondant respectivement aux contributions de chaque générateur Ey, E, et Iq, On caleule alors suecessivement chaque courant en ne laissant subsister, & chaque fois, qu'un seul des trois générateurs. Avec E; seul, (figure 8.2), on a: 10 =. = 0,664. R+R, 15 Pour calculer /,, il suffit de court-circuiter £), de laisser /, éteinte (en circuit ouvert) et de «rallumer » E, pour obtenir :unod. 2 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non autos est un = R=100 Reso a ke Eat0v Figure 8.2 Pour le calcul de /; (figure 8.3), le circuit est un simple pont diviseur de courant R, 5 hy 0,066 A. R+ = h oo] PS [] a=s0 © Figure 8.3 ‘Au final, on fait la somme algébrique des trois courants calculés indépendamment : T= 1, + hy + fy = 0,66 ~ 1,33 + 0,066 = -0,6 A. S..... Lorsqu'on annule un générateur de tension, on le court-circuite, et lorsqu’on annule un générateur de courant, on le remplace par un circuit ouvert. Le principe de superposition ne s‘applique pas aux puissances électriques. Cela signifie que la puissance consommée par un dipéle n’est pas égale & la somme des puissances F“"* 19: '4 quill consomme en provenance de chacun des générateurs. En effet, la puissance étant le produit de la tension et du courant, ce n'est pas une forme linéaire, Or, le principe de superposition est une conséquence directe de la linéarité des circuits. On pourra utiliser le principe de superposition pour déterminer courants et tensions dans les dipOles qui nous intéressent mais on ne fera le calcul des puissances qu’a la fin, une fois reconstituées les grandeurs électriques totales. Diune manitre générale, le principe de superposition ne s‘applique pas non plus en présence de dipéles non linéaires (diode par exemple). en 718 Les théoremes de Thévenin et Norton Les théorémes de Thévenin et de Norton sont sans doute les théorémes les plus puis- sants et les plus importants de I’électrocinétique. Leur maitrise permet bien souvent de résoudre des problémes complexes en un minimum de temps et en manipulant trés peu déquation 3. Le théoréme de Thévenin En régime continu, tout réseau linéaire dipolaire est équivalent 3 un générateur de tension dit de Thévenin, de force électromotrice F, et de résistance interne r (figure 9.1). La résistance r est égale & la résistance équivalente du réseau lorsque tous ses généra- teurs sont éteints. La tension Ey est égale & la tension A vide du réseau (lorsque 7 = 0 dans le circuit de la figure 9.1), 1 ! 6 | usean ue U=Esi/=0 & | (tension a vide) Figure 9.1 Remarque Puisqu'll s‘agit de déterminer un générateur de tension équivalent & un dipéle, nous employons bien évidemment la convention générateur. 4. Le théoréme de Norton Le théortme de Norton propose un autre dipdle s mple équivalent & tout réseau dipolaire En régime continu, tout réseau linéaire dipolaire est équivalent A un générateur de courant dit de Norton, de courant J et de résistance interne r (figure 9.2) égale & la résistance interne du générateur de Thévenin. La résistance r est égale & la résistance équivalente du réseau lorsque tous ses généra- teurs sont éteints. On utilise volontiers le terme de conductance interne g pour qualifier I /5 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un Le courant J est égal au courant de court-circuit du dipdle (courant circulant dans le dipéle lorsque Von court-circuite ses deux bornes) I=hsiU=0 (court-cirouit Figure 9.2 5. Léquivalence Thévenin - Norton Un générateur de tension de Thévenin, de force électromotrice E et de résistance interne ‘ E 7 est équivalent un générateur de Norton, de courant fy = 7 et de méme résistance imterne r (figure 9.3). Figure 9.3, Les théorémes de Thévenin et de Norton sont utiles lorsque Von recherche une gran- deur électrique particuligre, par exemple le courant dans une résistance placée dans un circuit complexe. On considére alors que cette résistance est alimentée par le reste du circuit que l'on isole ainsi et dont on cherche l’équivalent de Thévenin ou de Norton. Pour ce faire, on peut invoquer directement I'un des deux théorémes ou encore effec- tuer des transformations Thévenin — Norton et Norton — Thévenin successives jusqu’d réduire le circuit & sa plus simple expression. To ed ocM Exerci 19Les circuits linéaires en régime sinusoidal Le régime sinusoidal constitue, aprés le régime continu, le régime électrique le plus couramment utilisé. Les éleciriciens ont introduit des modéles théoriques trés intére: sants qui permettent d'utiliser en régime sinusoidal les mémes lois et théorémes quien ime continu, Ce chapitre est consacré & une premiére approche simple grace & laquelle nous allons introduire ta notion d’impédance réelle et celle de valeur efficace, deux concepts essentiels en électronique. 1. Définitions et principes fondamentaux Létude des circuits lingaires en régime sinusoidal correspond & l'étude des réseaux électriques composés uniquement d’éléments linéaires (résistances, condensateurs et auto-inductances, notamment), alimentés par des sources de tension ou de courant sinu- soidales, Pour une source de tension, on considérera en général e(t) = Eycoseat Trés souvent, on parle également de signal sinusoidal La tension Ey représente amplitude de la tension sinusoidale (en volts), « est sa pulsation en radians par seconde. On définit & partir de ces grandeurs, les paramétres suivants f= : fréquence du signal en hertz (Hz) 2n période en secondes. Le régime sinusoidal fait partie (avec le régime continu) des régimes permanents (par P opposition aux régimes variables ou transitoires). Fiche 4 q , oe Pour diverses raisons, énergie électrique est fournie sous la forme d’un signal sinu- soidal. Ceci confére & étude des circuits en régime sinusoidal un intérét primordial. : Propriété fondamentale Dans un circuit linéaire fonctionnant en régime sinusoidal, tous les courants et toutes ¥ les tensions dans le circuit sont sinuscidaux, de méme pulsation que la source d'al ‘mentation du circuit. Ces grandeurs électriques possédent des amplitudes qui dépendent bien évidemment des éléments du circuit, mais aussi de la pulsation cde la source. De plus, toutes ces gran- deurs présentent la plupart du temps des déphasages par rapport & la source principale. 205 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non ate et un Par conséquent, si on considére un courant i(1) ou une tension v(1) quelconque dans le circuit, on peut écrire i(t) = Icos(cot + @)et V(O) = Vz costo + 9). Les parametres —, et py sont respectivement les déphasages de i(r) et de vit) par rapport A la source e(1). Pour étre plus précis, il faut les appeler « avances algébriques de phase » puisqu’ils sont comptés positivement. Lorsqu’un déphasage est négatif, il traduit donc un retard de phase. Lorsque deux signaux présentent un déphasage de 1/2, ils sont dits en quadrature de phase. S'ils sont déphasés de 7, ils sont dits en opposition de phase. / est "amplitude du courant sinusoidal i(r). V, est amplitude de la tension sinusoidale v(0). 1, @, 1) et Vs dgpendent de Eo et des valeurs des différents éléments du circuit, mais également de la pulsation Pour des raisons qui seront explicitées plus loin, on introduit, pour les grandeurs sinu- soidales, la notion de valeur efficace. On pose e(1) = Fy cost = Ey V2 coset. De méme, on a: i(t) = IygV2cos(ot + @)et v(t) = Vig V2 cos(oor + 92). Les parametres Eqs Teg & Veg Sont appelées valeurs efficaces, respectivement de e(t), (t) et v(t). 2. La notion d’impédance Lorsqu’un dipéle passif est alimenté par une source de tension sinusoidale e(r), il est parcouru par un courant i(t) sinusoidal dont Pamplitude J, peut étre déterminge par Péquation : Ey = Z+ 1, ouencore Ey = Z+ Mey ott Z représente Pimpédance (exprimée en Q) du dipole. Cette équation traduit le fait que la loi ¢Ohm sapplique en régime sinusoidal & condition de considérer les am tudes des grandeurs électriques. Pour les dipdles usuels, les valeurs des impédances sont résumées sur la figure 10.1. On remarquera que ces impédances dépendent de la pulsation de la source e(*), ce qui corrobore bien le fait que les amplitudes des courants et tensions dans un circuit en régime sinusoidal dépendent de la pulsation de la source dalimentation, R 3 L 7 e 1 22k Z=lo Figure 10.1 2i = o oght € 2 Fiche 10 22 Le modéle complexe en régime sinusoidal Dés lors que les circuits étudiés comportent plusieurs dipoles, la notion simple d’impé- dance ne suffit plus. On a alors recours & une méthode plus puissante qui fait appel a la transposition pure et simple du circuit réel en un mod@le théorique basé sur les nombres complexes. 1. Les notations En considérant une grandeur électrique sinusoidale u(t), on peut écrire : u(t) = U, u(t) = R[UggV2cos(ot + ) + {Ugg V2sin (ot + 9)] = R[U,gV2e!*] V2 cos(t +p) On transpose alors Ja plupart du temps le schéma réel du sous la forme d'un modéle dit complexe, dans lequel les grandeurs sont remplacées par leurs formes complexes notées (7. Cette forme complexe est issue de l'association, a la grandeur élec- trique réelle u(t), de la fonction complexe Ugg V2e!" Comme, dans un circuit, toutes les grandeurs sont sinusoidales de méme pulsation que la source et que chacune de ces grandeurs posséde une valeur efficace, on retiendra association suivante u(t) > U = U,gel?. Dans ce modéle (qui n'est rien d’autre qu’une représentation théorique du circuit), tout dipéle linéaire posséde une impédance dite complexe Z = R + jX oi R représente sa résistance et X sa réactance. Le module de Z, noté Z correspond 4 Pimpédance réelle telle quelle est décrite dans le paragraphe précédent. Ona: Z=|Z|e Z = Zeiwe2) La figure 11.1 présente les valeurs des impédances complexes des trois dipdles passits usuels.unod. 201 Copyright © (© Danod. Tous reproduction non ate et un 2. La représentation de Fresnel En représentant le nombre complexe Z = R + jX dans le plan complexe, on obtient le diagramme dit de Fresnel (figure 11.2) qui permet d'obtenir un certain nombre de rela~ tions trés utiles. im ix) Zz x Re ° a Figure 11.2 Soit: y = argZ Ona: tany Faz VRP cosy = 8 -—_R_— et siny =X - _X Zz x Z VRE+xX? Dans le modéle complexe, tout courant i(?) ou tension u(®) dans le circuit posséde une représentation complexe ou U qui peut s‘écrire sous la forme : T = Tye! avec I-y = |I|: valeur efficace de i(t) et: Q, = arg(7) : déphasage de i(¢) par rapport a e(t). ‘ou encore : U =U ,gel® avec Ug = |O|: valeur efficace de u(r) et: @) = arg(U) : déphasage de u(t) par rapport a e(?). Autrement dit, chaque grandeur électrique du circuit (courant ou tension), possede une représentation complexe définie par : i(t) = Leg V2cos(ot + 9,) + T = Tegel ult) = Ugg N2coslot + 93) > U = Upgei®. Il suffit par conséquent de rechercher les modules et arguments des grandeurs complexes associées aux grandeurs électriques pour caractériser entigrement ces dernigres. C'est I tout l’intérét de cette représentation complexe qui nous permet dentrevoir une méthode ‘g€nérale pour résoudre n’importe quel probléme en régime sinusoidal. 2 Fiche 12 23 = o o5 Dunod. right © 201! Cor Ca 12 24 Le régime sinusoidal — Méthode 1. La transposition au modéle complexe En regle générale, étude d'un circuit en régime sinusoidal consisted identifier les expressions de grandeurs électriques, courants ou tensions, dans un montage alimenté par une source sinusoidale, par exemple e(!) = EygV2 cose. Dans le circuit représenté sur la figure 12.1.4, on cherche & déterminer expression de 1). et cI Figure 12.1 On transpose immédiatement le schéma dans sa représentation complexe (figure 12.1.b) et ‘on y applique le principe du pont diviseur de tension Rg __jkCo Ret iRCo+1 ico G- 2. Le retour au modéle temporel Nous savons dgja que la tension u() est sinusoidale de méme pulsation que e(®) puisque le circuit est linéaire. Il nous faut done trouver sa valeur efficace et son éventuel dépha- sage par rapport ae : u(r) = Ugg V2 cos(or + ). Ona: T= Uyeir = IRCO_p jRCO +1 Soit : Uy = {O| —_r oit : Uy = [0] = 0 a ary(a + jb) = arcan® + m poura <0 a Ce sont ces propriétés qui sont couramment utilisées pour calculer les modules et arguments des nombres complexes en électrocinétique. 3. Le principe général Dans la représentation complexe, en prenant soin de considérer l'impédance complexe de chaque dipéle, les lois et théoremes fondamentaux de llectricité qui gouvernent les circuits en régime continu restent valables en régime sinusoidal : lois de Kirchhoff, théo- réme de Millman, principe de superposition, théorémes de Thévenin et de Norton. Les régles qui régissent les associations de dipdles sont également transposables au modéle complexe, Dans le schéma électrique transposé a sa représentation complexe, toutes les lois de électricité valables pour le régime continu, s'appliquent aux grandeurs et variables complexes. Si la méthode présentée ici est simple dans son principe, il n’en demeure pas moins qu'elle exige une bonne maitrise de la manipulation des nombres complexes. On trou- vera en annexe, a la fin de cet ouvrage, un formulaire qui rassemble toutes les formules utiles dans ce domaine, entre autres, Il est recommandé de s‘exercer autant que de besoin afin @'acquerir la maitrise de la résolution des problémes d’électrocinétique en régime sinusoidal. 2526 La puissance électrique Au-dela des courants et tensions, la grandeur électrique qui revét un caractére fonda- mental est la puissance électrique, directement liée au concept d’énergie. Bien souvent, les systémes électriques ont pour objet de transformer de l’énergie électrique en une autre forme d’énergie (mécanique ou thermique par exemple). Les systtmes électroniques, pour remplir leur fonction, consomment de I'énergie ou encore la dissipent sous forme de chaleur. Le dimensionnement des générateurs qui vont alimenter les circuits dépend essentiellement de la connaissance que nous avons de ces phénoménes, 1. La puissance instantanée La puissance instantanée consommée par un dipéle électrique récepteur ou fournie par un dipdle générateur (figure 13.1), quel que soit le régime de fonctionnement, est définie par p(t) = e(t)i(t). Elle stexprime en watts (W). itt) a ite) ——_ —=— et) ett) Figure 13.1 2. Lénergie dans un dipdle La notion d’énergie ne correspond pas & une grandeur instantanée. Elle représente, en quelque sorte, sur un intervalle de temps [1,;1, ]donné, la sommation de toutes les puii sances instantanées. Ainsi, l’énergie, en joules (J) consommée par un dipole récepteur (ou délivrée par un générateur) sur un intervalle de temps [#,:1) ] est définie par : E= | pitydt = fecnitay at 3. La puissance moyenne La puissance moyenne consommée sur un intervalle de temps [1):t,]] par un dipdle récep- teur ou délivrée par un dipéle générateur est définie par : 1 E (P) = —— | oar = 4 Cette puissance moyenne s’exprime, comme la puissance instantanée, en watts. La puissance moyenne consommée sur une durée infinie (de —2 420) se calcule ainsi co) if (Py = dim: or) e(thi(t) dt.5 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un Pour le calcul de la puissance moyenne consommée entre les instants 0 et +20, on utilisera Fexpression : r al (P)= Jing lamina 4. Le principe de la conservation de l’énergie Dans un circuit électrique formé de n dipdles récepteurs et de p dipdles générateurs, quel que soit le régime de fonetionnement, la somme des puissances fournies par l'ensemble des générateurs est égale & la somme des puissances consommeées par ensemble des dipdles récepteurs. 5. La puissance en régime continu Un circuit linéaire en régime continu ne comporte en général que des générateurs de tension ou de courant et des résistances. Dans ce régime de fonctionnement, les tensions et courants dans tout le circuit sont constants. Ainsi, la puissance instantanée consommée par une résistance en régime continu. (figure 13.2) est constante et égale & sa valeur moyenne p(t) = Ul =C® = e(f)=£,,V2eosut Figure 14.1 La source de tension continue qui délivrerait la méme puissance moyenne aurait pour E i : en valeur ea On décide d’appeler valeur efficace d'une tension sinusoidale, et on note E, E : et = S la valeur de la tension continue correspondant a la méme puissance moyenne délivrée. Tl en est de méme pour un courant sinusoidal. Ainsi, on peut écrire 0) i(0) = Ip cosloot + 9) = Ig V2 cost + 9). 9 COSOt = Exe V2 cost 2. La puissance consommeée par un dipdéle Pour un dipdle électrique récepteur fonctionnant en régime sinusoidal, présentant A ses bornes une tension e(t)=E,j;V2coset et parcouru par un courant i(1) = Iy¥2(coser +g), la puissance instantanée consommée par le dipéle a pour expression : p(t) = Explese 0089 + Ez ly COS20t + 9). 2a r 1 ‘Sur une période T = =“, la puissance moyenne est : (P) = ne J Plt) dt = Expl gp C089. 5yright © 2015 D c (© Danod. Tous reproduction non autos est un La quantité Ey;/aq Sappelle la puissance apparente consommée par le dipdle. Lexpression cos s‘appelle le faeteur de puissance. Comme le déphasage entre le courant et la tension, dépend a la fois de la pulsation « et du dip6le, on remarquera que la valeur de la puissance moyenne consommée peut étre fortement influeneée par le type de dipdle alimenté, ainsi que par le choix de la pulsation d'alimentation.. S..... On se souviendra que ce déphasage ¢p n'est rien d'autre que 'opposé de l'argument de Vimpédance complexe du dipdle. Ainsi, pour une résistance R : g = 0. On aalors : (P) = Eygleyy = RIRy-P x Pour une inductance pure ou pour un condensateur, on a 9 Dood: (P) = 0. 3. La puissance complexe Afin de disposer d'un modéle de puissance en relation avec les modéles complexes des circuits, on définit une notion de puissance complexe : , avec : E= Ey & T° = Tye !?,conjugué deT = Iye!?. ‘On montre facilement que : P = Bagh ge? = Batley 6089 jBagleg sing = P, = iP it P,, dite puissance active, correspond a la puissance moyenne consommée dans le dipdle : P, = (P} et od P,, dite puissance réactive, correspond a la nce échangée entre la source et les éléments non résistifs du dipOle, sans qu'il y ait, en moyenne, de consommation de puissance. Résultat fondamental Lorsqu’un circuit composé d’éléments résistifs, capacitifs et inductifs, est alimenté par une source de tension sinuscidale, la puissance active fournie par le générateur (ou consommée par ensemble du circuit) correspond a la somme des puissances dissipées par les éléments résistifs du circuit. On ne peut toutefois pas considérer que le dimensionnement d'un générateur sinu- soidal puisse étre calculé en se basant uniquement sur la puissance consommée par les dipéles résistifs. En effet, méme si l’énergie captée par les condensateurs et les bobines finit toujours par étre restituée, le générateur doit fournir, méme temporairement, cette énergie. S a ke 2930 La modélisation des quadripGles 1 Bon nombre de systtmes électroniques sont chargés de transformer des signaux. Autrement dit, ils pcuvent étre considérés comme des systémes possédant une entrée (le signal original) et une sortie (le signal transformé), La modélisation des systémes sous forme de quadripdles est alors essentielle pour disposer d'outils adaptés A cette représentation. Elle est associée & un certain nombre de méthodes que nous allons étudier dans les fiches 15 & 17. 1. Definition Un quadripéle est un circuit électrique possédant quatre bornes dont deux seront définies comme bornes d’entrée, les deux autres étant les bornes de sortie (figure 15.1). bones bomes y, de sortie dentrée Figure 15.1 Quatre grandeurs sont définies : tension d'entrée v,, courant d’entrée i,, tension de sortie v, et courant de sortie i,. v, et v, sont mesurées par rapport a des bornes de réfé- rence : une a entrée et une la sortie. Souvent, ces deux bornes n’en forment qu'une seule et constituent la masse du circuit (potentiel 0 V). orientation des courants découle du choix de la convention récepteur pour Ventrée du quadripdle et de ta convention générateur pour la sortie. Ce choix est pertinent car les quadripdles inter- viennent dans des circuits comme celui de ta figure 15.2, entrée du quadripole éant alimentée par un circuit amont, tandis que sa sortie alimente un circuit de charge. Ce circuit de charge est parfois une simple résistance. II peut s‘agir également d’un deuxigme quadripéle. Remarque importante (On ne peut parler de quadripale qu’a la condition expresse que le port d’entrée d'une part et le port de sortie d'autre part, puissent étre considérés comme des dipdles. Autrement dit, le courant sortant de la borne inférieure gauche doit étre égal i, et le courant entrant par la borne inférieure droite doit étre égal i, (figure 15.2).Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non ate et un of t alimentation circuit du quadripéle de charge Figure 15.2 2. Les modéles de fonctionnement en régime sinusoidal Nous nous limiterons a l'étude des quadripéles en régime sinusoidal, composés unique- ‘ment d’éléments passifs linéaires (résistances, condensateurs et auto-inductances). D'une maniére générale, on supposera que les quadripdles étudiés sont alimentés, & leur entrée, par une source de tension sinusoidale ; par exemple :v,(1) = V, o¢-V2cosaar. Ai comme cela est la régle en régime sinusoidal, tous les courants et tensions dans le circuit, en particulier les courants i, et i,, ainsi que la tension v,, seront sinusoidaux, de méme Ia pulsation et le modéle complexe, par conséquent, s'impose : les grandeurs Ver Verde €t i, Seront associées & leur forme complexe (figure 15.3). Les problémes ligs aux quadripéles nécessitant la connaissance de relations entre V,.T,.V, et. nous devrons, en général, & partir de deux de ces grandeurs, déterminer les deux autres. {r i, i. Figure 15.3 3. La matrice de transfert On peut ainsi chercher & exprimer les deux grandeurs de sortie en fonction des deux grandeurs d’entrée. Si le circuit est linéaire, cette linéarité se retrouve dans les équations qui expriment V, et 7, en fonetion de V, et J, Ces deux équations peuvent aussi s’écrire sous forme matricielle et on définit ainsi la matrice de transfert (7) du quadripéle : ()-(2 8 D-@) Les coefficients 7;, sont évidemment complexes, dans le cas le plus général, Par ailleurs, ils ne correspondent pas tous a Ja méme grandeur. Ainsi, 7), est sans dimension, puisque reliant Va V,, tandis que 7,2 est homogene & une impédance complexe. ocm Exercices 3132 Fiche 15 La modélisation des quadripdles 2 Au-dela de la matrice de transfert introduite dans la fiche précédente, il est possible de caractériser le fonctionnement d’un quadripéle en régime sinusoidal de multiples maniéres. Plusieurs autres matrices caractéristiques peuvent étre définies : matrice impé- dance, matrice admittance et les deux matrices hybrides. D’autres nous limiterons ici uniquement & ces quatre modéles. Par ailleurs, 8 c6té de ces matrices qui traduisent les équations de fonctionnement du quadripOle, deux grandeurs absolument fondamentales seront définies i entrée et son impédance de sortie qui sont d'un intérét capital pour placer le quadripole dans son environnement externe. 1. La matrice impédance En exprimant les tensions V, et V, en fonction des courants 7, et 7,, on obtient les rela- tions suivantes dans lesquelles les Z,; sont homogenes & des impédances = Remarque Le signe moins devant 7, est introduit de manigre & pouvoir rendre compte d'une éven- tuelle symétrie dans le quadripdle, Ce signe négatif permettra alors de retrouver cette symeétrie dans la matrice. 2, La matrice admittance La matrice admittance est définie comme la matrice inverse de la matrice impédance : Fle + Have (ft Ss a eg Ve + YaaCopyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non ate et un 3. Les mati es hybrides Les matrices hybrides (G) et (#7) sont définies par + road aeeln)-( 2 ot a) °G) Ay Hy 4. Limpédance d’entrée Depuis sa porte entrée, le quadripdle apparait toujours comme une impédance équiva- lente au circuit composé du quadrip6le lui-méme et de la charge Z, qu'il alimente. Cette impédance équivalente Z, est appelée impédance entrée. i, Onaévidemment: (H) =(G)' in ' i T- Figure 16.1 Cette définition implique évidemment la relation : ‘Attention Contrairement a une idée recue, impédance drentrée n'est pas une caractéristique Intrinséque du quadripéle : elle dépend toujours de l'impédance de la charge connectée ala sortie du quadripéle. En revanche, les matrices caractéristiques définies plus haut, ne dépendent que du quadripéle et non de la charge qui lui est connectée. 5. Limpédance de sortie Si un quadrip@le est alimenté a son entrée, Fensemble du circuit, au niveau de la porte de sortie, peut étre modélisé par un générateur de Thévenin (figure 16.2). oo Figure 16.2 Ce générateur est constitué d’un générateur de tension parfait Vig placé en série avec une impédance Z,. Vig est appelée tension de sortie & vide du quadripdle puisqu’on a V, = Vo lorsque 7, = 0 (figure 6.7). Z, est appelée impédance de sortie du quadripdle. 33 ocm Exercices fon)TA) Les schémas equivalents 7, } des quadripéles Les différents modéles du quadripdle (matrices impédance, admittance, etc., impédances entrée et de sortie) permettent de construire plusieurs types de schémas équivalents. Nous nous limiterons ici a deux schémas équivalents possibles : celui obtenu & part de la matrice impédance et celui obtenu en considérant les deux paramétres que sont les impédances dentrée et de sortie. Il s'agit, pour chaque schéma équivalent, de reproduire les équations de fonctionnement déterminées par le type de modele utilisé. En bref, il Sagit de « dessiner » les Equations. La deuxiéme partie de cette fiche sera consacrée & l'association de plusieurs quadri- péles selon les modes série, paralléle et cascade. Les différents mod@les du quadripdle (matrices impédance, admittance, etc., impé- dances d’entrée et de sortie) permettent de construire plusieurs schémas équivalents. @. oianena Un schéma équivalent ne représente pas la réalité du circuit. Il correspond a un schema, théorique simple qui posséde les mémes équations de fonctionnement. 1. Le schéma équivalent a partir de la matrice impédance ule ~ Zak, Te Les équations : . se traduisent par le schéma de la figure 17.1. 21 Figure 17.1 2. Le schéma équivalent a partir des impédances que les impédances d'entrée et de sortie dépendent de la charge connectée la sortie et du générateur connecté & Fentrée, il est possible de proposer un schéma équi faisant intervenir ces deux parametres (figure 17.2). Figure 17.2 34Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non ate et un 3. Lassociation de quadripdles Lassociation en paralléle consiste 4 relier les bornes des deux quadrip6les deux & deux, afin de constituer un nouveau quadrip6le (figure 17.3). Dans ces conditions, les matrices admittances s'ajoutent et le nouveau quadripéle est tel que (Y) = (Y") +(¥"). Figure 17.3 Dans l'association série (figure 17.4), les matrices impédances s’ajoutent : (Z) = (Z') + (2"). Figure 17.4 Lorsque deux quadripdles sont associés en cascade (figure 17.5), la matrice de transfert équivalente (T) est égale au produit de la matrice de transfert du second, soit (7"), par celle du premier, soit (T’) : (T) = (T")-(T'). Figure 17.5 DB vvocvan La mutt n matricielle n’est pas commutative et le quadripéle résultant de la mise en cascade de deux quadripéles dépend de 'ordre dans lequel ils sont placés. Par ailleurs, les régles d'association ne sont valables que si le systéme résultant reste modélisable en tant que quadripdle. Fiche 15 35 QCM Fiche 17 Exercices fon)2015 Dunod Copyright € 2 Chapitre 3 36 Non, ilne s‘ait pas de parler ici du groupe de rock mondialement connu mais de courant alternatif (AC: Alternating Current) et de courant continu (DC : Direct Current). Laplupartdes systemes électroniques fonctionnent en étant alimentés pardes tensions continues mais la production d’électricité, son transport et sa distribution jusqu‘aux prises de courant se fait majo- ritairement sous forme sinusoidale. Les centrales convertissent une énergie thermique, mécanique, hydraulique, etc, en énergie électrique en agissant sur des machines tournantes appelées alternateurs. Larotation de ces machines, quisonten quelque sorte des moteurs électriques fonctionnant al'envers, fabrique naturellement, par effet électromagnétique, des signaux cycliques, autrement dit alternatifs. Les premiers réseaux électriques qui sont apparus en France et aux Etats-Unis dans la seconde moitié du XIX? siécle acherinaient des tensions continues produites par des dynamos, machines & courant continu créées en 1869 par Zenobe Gramme, inventeur belge, Tovtefois, utilisation de|'électricitén‘est possible que dans un rayon de quelques kilometres autour du dispositif de production et les puissances délivrées ne permettent pas un usage industriel Lorsque Nikola Tesla, quitravallait pour Georges Westinghouse, invente 'alternateur triphasé en 1892, il donne le coup de grace aux défenseurs du courant continu, parmi lesquels figure Thomas Edison. La ville de Buffalo choisit en 2836 la solution proposée par Tesla et Westinghouse pour alimenter'indus- trie locale & partir d'une centrale hydraulique installée surles chutes du Niagara. Le courant alternatif stimpose alors durablement comme le meilleur moyen de produire et transporter 'électricité sur de longues distances. Aujourd'hui, les réseaux de distribution d'électricité qui acheminent énergie depuis les centrales de production jusque dans chaque foyer ov chaque usine sont des systemes extrémement complexes au sein desquels s‘interconnectent des éléments tels que lignes haute tension, transformateurs, réseaux secondaires, etc. Ladaptation en temps réel de la capacité de production & la consommation de I’en- semble des usagers est en soi un veritable défi technologique permanent. Certains appareils domestiques fonctionnent directement & partir de la tension alternative déliveée par les prises de courant en 230 V, comme par exemple ceux qui sont équipés de moteurs ou de résis- tances chauffantes, En revanche, un grand nombre de dispositifs nécessitent une tension continue: ordinateur, amplificateurs audio, chargeurs de téléphone, téléviseurs, etc. Il est alors nécessaire de convertir la tension sinusoidale délivrée par le secteur en une tension constante de valeur appropriée. Crest leréle des alimentations intégrées & ces appareils qui, d'une maniére générale, sont composées d'un transformateur (pour obtenir une tension sinusoidale d'amplitude moins élevée que celle fournie parle réseau), d'un redresseur (pour convertirle signal variable en un signal possédant une composante continvel, d'un filtre (pour isoler cette composante continue) etd’un régulateur de tension (pourassurer Une totale stabilité & le tension continve ainsi produite).Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non autorise est un Ml 1.2 13 14 15 1.6 Ww 1.8 OGD) our chaque question, cocher la ou es réponse) exact(s (es réponses sont au verso). Dans un circuit électrique simple alimenté par un générateur de tension continue parfait: 1 av les électrons circulent toujours vers la borne positive du générateur 1 bile courant électrique circule vers la borne négative du générateur 1 c.le courant est imposé au circuit par le générateur Lorsque deux résistances sont placées en parallele = 1 a. leurs résistances s'ajoutent 1 b. leurs conductances s'ajoutent 1 c.leurs résistances se multiplient LLunité d'inductance propre d'une bobine est : 1 ale farad 1 ble siemens 0 cle henry Le théoréme de Millman est une conséquence directe 1 a.de la loi des mailles 1 bide la lol des neuds 1c. du théoréme de Thévenin Limpédance d'une bobine : 11 acest proportionnelle a son inductance propre 1b. dépend de la pulsation du signal qui la traverse Cc. dépend de amplitude du courant qui la traverse Laquelle ou lesquelles de ces trois équations est (sont) par nature fausse(s) : Dad = Uyer RCO BREo + DG Uyge? = Ugy costut + 9) O baie) Un dipéle est alimenté par une source de tension sinusoidale. La puissance active : 11 acest celle qui est dissipée dans les éléments résistifs du dipdle 1 b.est la puissance moyenne consommée par le dipdle 1 est la puissance moyenne fournie par le générateur Lorsque deux quadripdles sont associés en cascade : 1 a. leurs matrices impédance s'ajoutent 11 bi leurs matrices de transfert se multiplient 1 c.leurs matrices admittances se multiplient 3738 Réponses 1.2 13 1.4 15, 1.6 17 1.8 ‘a. et b. Le courant est imposé a la fois par le générateur mais aussi et surtout par le circuit qui lui est connecté. b. La réponse a concerne association en série de deux résistances. Rappelons que la conductance est égale a Vinverse de la résistance et dans le cas d'une association en paral- lle, ce sont bien les inverses des résistances qui s'additionnent. . Le farad est lunité de capacité. Le siemens est lunité de conductance. b. Voir fiche 6. ‘a. et b. Lexpression Z = Lo montre effectivement que ce sont les deux premiéres proposi- tions qui sont correctes. b. et c. Ne pas mélanger modéles complexes et représentations temporelles. Les deux sont associés mais il ne peut y avoir égalité entre eux. La seule écriture correcte est celle qui correspond a la proposition a dans laquelle la forme complexe d'une tension est bien égale lun nombre complexe, a., b. et c Les trois propositions sont exactes. Voir fiche 14. a. Voir fiche 17.Copyright © 2015 Dunod. EXERCICES Les corrigés sont regroupés en fin d’ouvrage (p. 344). 1.1 Le schéma de la figure ci-dessous représente une association de quatre résistances, Déterminer Ja résistance équivalente du dipdle AB ainsi formé par cette association. R100 —-R=600 1.2 Sur le schéma de la figure ci-dessous, déterminer la tension U inconnue. E=5V 120,34 A-8 A B u=? 1.3 Sur le schéma de Ta figure ci-dessous, déterminer la tension U inconnue. E-15V 1=0,1A R=300 Sh O)- 8 u=? 1.4 On considére le montage représenté sur la figure ci-dessous. On cherche & déterminer la condition sur les quatre résistances Rj, Ry, Ry, Ry, de maniére a ce que le courant J dans R; soit nul. En considérant que / est nul, déterminer expression de V,. Puis déterminer expression de ‘Vg. En déduire la condition recherchée, (© Danod, Tous reproduction non antorise et un40 1.5 Déterminer le générateur équi la figure ci-dessous. lent de Thévenin (Ey et R.,) du dipole AB représenté sur 1.6 Calculer rimpédance complexe puis réelle du dipdle de la figure ci-dessous, supposé alimenté par une source de tension sinusoidale de pulsation égale & « = 500 rad -s" 1.7 Da 3s le circuit de la figure ci-dessous, déterminer Pexpression de u(t). On donne : e() = E,g V2 cose. “0, 1.8 Déterminer Fexpression du courant i(¢) circulant dans la résistance R dans le circuit repré- senté sur la figure ci-dessous. On utilisera le théoréme de Millman afin de déterminer, dans un premier temps, la diffrence de potentiels aux bornes de cette résistance. On donne : e(7) = E,y V2 cose. att)Copyright © 2015 Dunod. (© Danod, Tous reproduction non antorise et un 1.9 La figure ci-dessous représente un montage de Boucherot possédant, lorsqu’il est alimemté par une source de pulsation appropriée, une propriété tres intéressante, Calculer la pulsation de résonance « pour laquelle la valeur efficace du courant dans la résistance Rest maximale. Calculer Pexpresson du rapport Q = -PL pour cette pulsation F, ot Calculer la valeur efficace du courant circulant dans la résistance R pour cette méme pulsation. On donne : Egy = 10V, C= 8,2 uF, L = 7mH, R = 15009. 1.10 Le montage de la figure ci-dessous représente un générateur réel de tension continue (force électromotrice F et résistance interne r) qui alimente une résistance variable R. Calculer la puis- sance P dissipée dans la résistance R. Pour quelle valeur de R cette puissance estelle maximale ? 1.1] Dans le schéma de la figure ci-dessous, un dipdle AB est alimenté par un générateur parfait de tension sinusoidale. Calculer Ia puissance active et la puissance réactive consommées dans le dipdle, Dans un second temps, on place un condensateur en paralléle avec le dipdle AB. Calculer a valeur de C qui permet d’annuler la puissance réactive consommée par ce nouveau dipdle AB. 41 ES relat)2 Cor 42 1.12 Dans le schéma de ta figure ci-dessous, déterminer la puissance moyenne < P > dissipée dans la résistance R. Calculer la puissance complexe et montrer que la puissance active dissipée dans le dipole AB correspond bien a la puissance moyenne < P >. A t}- 5 V2eo8t 1.13 Un quadripéle quelconque possédant une impédance de sortie purement résistive Z, = R, est alimenté par une source de tension sinusoidal. On effectue une mesure de la valeur efficace de la tension de sortie a vide : soit Vi, . On relie ensuite les bones de sortie de ce quadripéle & tune résistance de charge R, variable, On ajuste R, de maniére & mesurer une valeur efficace de Yi a, Montrer que cette valeur de R, est égale & Pimpédance de sortie O_| | olf Toe la tension de sortie ¢ R, du quadrip6le.right © 201! c Chapitre 2 Signaux et systemes Objectifs Les systémes électroniques ont la plupart du temps vocation a traiter des signaux, autrement dit a capter, transformer, transmettre des informations qui se présentent comme des fonctions du temps, en général des tensions ou des courants. Le traitement des signaux fait appel bien souvent a des méthodes de modélisation particuligres. Ainsi l'approche fréquentielle de la description des signaux revét un aspect fondamental. Il en est de méme pour des modéles de type transformée de Laplace qui séduira sans aucun doute le lecteur quant & sa facilité de mise en ceuvre. Sans rentrer dans de longs développements théoriques, ce chapitre présente les outils de modélisation les plus couramment utilisés pour aborder le fonctionne- ment de la plupart des systémes électroniques.La notion de spectre Bon nombre de systémes électroniques ont pour vocation de traiter des signaux qui sont porteurs d’informations. La représentation temporelle de ces signaux n’est pas, pour ce faire, la caractérisation optimale et on lui préfére en général une représentation fréquen- tielle grace & laquelle on décrit ces signaux selon leur spectre 1. La représentation fréquentielle d’une sinusoide On peut décrire naturellement un signal sinusoidal, notamment une tension, par son équation temporelle, par exemple e(1) = Asinot. On peut tout aussi bien évoquer les mémes informations en disant simplement qu'il s‘agit d’une sinusoide d’amplitude A et de fréquence @ / 2. Dans ces conditions, on peut, au lieu de représenter Pévolu- tion temporelle du signal, représenter un unique point de coordonnées [Ae / 27]. La figure 18.1 représente, & gauche, le graphe tempore! du signal et & droite, son graphe fréquentiel qui se résume en un unique point. En fait, on trace une raie pour mieux matérialiser Vinformation amplitude Figure 18.1 2. La représentation fréquentielle d’un signal composé Le signal s(1) = A\sin@yt + A, sino,t composé de la somme de deux sinusoides peut étre représenté en portant uniquement, dans le graphe amplitude - fréquence, les deux points (ou plutat les deux raies) de chacune des deux sinusoides (figure 18.2). 2015 Remarque "Nous perdons information de deéphasage a Vorigine entre les deux sinusoides. Toutefois, les applications pour lesquelles nous avons besoin d'introduire cette représentation fréquenticlle ne nécessiteront pas obligatoirement cette information. Par conséquent, sa perte ne doit pas susciter d’inquitude. yright © 445 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un @ Be a Figure 18.2 3. Le spectre d’un signal quelconque Par analogie avec les spectres lumineux composés de raies de lumidre, la représentation fréquentielle est appelée spectre du signal. Le spectre d'un signal est la description de Ja maniére dont il se décompose en signaux élémentaires (ci-dessus des sinusoiides). En régle générale, on utilise plutdt une décomposition du signal selon une base de fonctions élémentaires e/* = ef?*F Ainsi, le spectre dun signal sinusoidal s(t) = Acoso correspond au graphe de la elt 4 ese figure 18.3, puisque s(¢) = Avosea = AS amplitude Figure 18.3 Remarque Pourquoi avoir choisi une telle base de décomposition ? Pour une raison tres simple : le ‘mathématicien frangais Joseph Fourier a démontré que presque tous les signaux pouvaient se décomposer en une somme de signaux de ce type. A partir de maintenant, nous n’envi- sagerons plus aucun spectre sans qu'il ne correspond une décomposition selon une base de fonctions élémentaires e/ = @!?*!, La notion de spectre d'un signal est indissociablement lige au fait que l'on décrit souvent le fonctionnement des systémes électroniques selon leur comportement fréquentiel. Pour bien comprendre F'intérét d'une telle représentation, imaginons simplement un syst¢me capable de filtrer les signaux qu’on Ini injecte & son entrée en laissant par exemple passer les signaux de basse fréquence tandis qu'il élimine les signaux de haute fréquence. La connaissance combinge du spectre du signal d'entrée et du comportement fréquentiel du systéme permet de déterminer immeédiatement ce qu‘il restera de ses composantes fréquenticlles une fois traité par le filtre. ocM Exerci 45ght € 46 Le spectre des signaux périodiques 1, La décomposition en série de Fourier Joseph Fourier a démontré que tout signal périodique de période 7, done de fréquence eo 5 ou encore de pulsation a = 27-f) = +. possédait une decomposition en une somme finie ou infinie de sinusoides dont les fréquences sont des multiples de la fréquence fy (dite fondamentale) du signal On démontre en effet que si s(F) est périodique, on a : 8(1) = Cot DC, cosnagt + 7S, sinnaot. Cet énoncé de la décomposition en série de Fourier se traduit également dans la base de fonctions élémentaires e7 = e!” = r si) = >) A,ein™, avec A, ¥ [senor at. ° On trace alors le spectre d'un signal périodique quelconque en reportant, dans le graphe amplitude - fréquence, les modules des coefficients 4, qui sont, en général, complexes, en fonction des fréquences nf (figure 19.1). Les deux raies correspondant n= 1 ou n= =I sont appelées composantes ou raies fondamentales du signal. Les autres sont ses harmoniques. valeurmoyenne jg) rales fondamentales harmoniques fe fa Bo8hy4h, Figure 19.1 Dune maniére générale, on a |A,| = |A_,,| ce qui se traduit par la symétrie du spectre par rapport & axe des ordonnées. Si le signal périodique posstde une composante continue, autrement dit une valcur moyenne non nulle, il sagit évidemment de r Ay 4) (0) dt, que Ton trace, sur le spectre, & la fréquence nulle (voir figure 19.1). °Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non ate et un 2. Le signal en dents de s Soit un signal en dents de scie, de période T (Figure 19.2) a 2: i é . eet Soit wy = 2m fy = = Pour tracer son spectre, il faut calculer sa décomposition en série de Fourier, clest-dire la suit fréquence. des coefficients A,, puis tracer les |4,] en fonetion de la sit) Figure 19.2 ” r Ona: s()= ¥. Aye! avec A, = : Jscnermv' dr. —_ io r Soit: A, = Ff Ate ns it = fA pour rem0, TT FE La valeur moyenne se calcule ou se remarque de manire évidente sur le graphe de A + Ja figure 19.2: 4y = 5 etl suffit de porter Vensemble des informations sur le graphe de la figure 19.3 pour disposer du spectre recherché. bh 2hShah, [sie Figure 19.3 La décomposition en série de Fourier qui est présentée ici ne concerne que les signaux périodiques dont on retiendra qu’ils sont caractérisés par un spectre discret, c'est-d-dire composé de raies spectrales positionnées a des fréquences parfaitement déterminées et qui dépendent de la fréquence du signal considéré. ocM Exercices 4748 Le spectre des signaux non périodiques 1. Les signaux a énergie fii Un signal non périodique & énergie finie est un signal non périodique quelconque tel que Vintégrale généralisée [ s?(7) dr converge vers une valeur finie. Les résultats qui suivent ne s‘appliquent qu’a ce type de signaux. Dans la pratique, il s'agit de signaux transitoires, possédant un début et une fin, ou tout du moins décroissant suffisamment rapidement pour faire converger cette imtégrale. 2. La transformée de Fourier d’un signal a énergie finie On définit la transformée de Fourier d'un signal non périodique & énergie finie par : Sif) = J side? dt II Sagit d'une fonction complexe de la variable réelle f Pour des raisons de rapidité écriture, on note parfois Sf) = J sie dr ave @ = 2af. La transformée inverse de Fourier a pour expression : s(t T sche dt. Cette transformée de Fourier correspond & a représentation fréquentielle d'un signal quelconque, non périodique, du moment qu’il est & énergie finie, Le spectre d'un tel signal est donné par la fonction |S(f)| et est continu, ce qui revient & dire qu’un signal quel- cconque a énergie finie se décompose en une somme de sinusoides de toutes fréquences. Lune des propristés essentielles de la transformée de Fourier est : Sf) = *(f) (S* correspondant au conjugué de S). Ten découle que |S(/)| = |S(—f)| et que le spectre d'un signal queleonque est symé- trique par rapport & Vaxe des ordonnées.Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non ate et un 3. Le calcul d’un spectre Soit s(7) un signal nul pour r < 0 et défini par s(¢) =e pour r > 0 (figure 20.1). s() of Figure 20.1 Nous pouvons sans peine vérifier que le signal est & énergie finie te te ; 2 a a Jswar= ferar > ct a La definition de la transformée de Fourier s‘applique done : SUP) = J stent dt = fetes dr = [even de - a ° eee 7 1 1 sf) =|4——| = = IS) se (Son b I+ jo 14 jaf Isa La figure 20.2 présente ce spectre. sisi oe, “er 0 tae Figure 20.2 On retiendra qu’a la diffrence des signaux périodiques, les signaux non périodiques a énergie finie possédent un spectre continu, c’est-i-dire qui n'est pas composé de raies discrétes. Tout se passe comme si ces signaux étaient composés d'une infinité de raies positionnées & toutes les fréquences possibles. Pour les signaux non périodiques qui ne seraient pas & énergie finie, les modéles présentés ici ne sont pas valables et il est nécessaire, pour décrire leur spectre, utiliser autres outils mathématiques comme la théorie des distributions que nous naborderons pas dans le cadre de cet ouvrage. 49 ocm Exercices fore)ight © 50 La transformation de Laplace 1 Considérant une fonction réelle d'une variable réelle s(7) telle que s(t) = 0 pour t < 0, on définit sa transformée de Laplace S() comme la fonction S de la variable complexe ptelle que Sip) = J site? dt > La fonction S(p) est une fonction complexe d'une variable complexe p, avec p= t+ jo. Latransformée de Laplace d’une fonction s(¢) r’existe que si cette intégrale converge. Cette convergence est vérifige si la partie réelle + de la variable p est supé- rieure & une valeur donnée «, appelée seuil de convergence. D’une manitre plus générale, la transformation de Laplace est une application de 'es~ pace des fonetions du temps (nulles pour ¢ < 0) vers espace des fonctions complexes une variable complexe. s(F) s‘appelle Voriginal de S(p), ou sa transformée inverse. Remarque La connaissance d'une dizaine de transformées de Laplace usuelles et de quelques propriétés permet de déduire pratiquement n'importe quelle transformée de Laplace. 1. La linéarité La linéarité de la transformation de Laplace résulte naturellement de la linéarité de Vintégration, Tl s'agit 1a, malgré des apparences de simplicité, d'une des proprigtés les plus importantes : L[af + Bg] = aL[f]+ BL[g]. En particulier : Lf + l= LUf] + Liglet: LLAf] = KEL FI). 2. La transformée de Laplace d’une dérivée Soit f(1) une fonction du temps. Soit F(p) sa transformée de Laplace. La transformée de Laplace de sa dérivée premire se calcule simplement en fonction de F(p) : 4, PF(p) — f(0). dt De méme, la transformée de Laplace de sa dérivée n-ieme est : en Par exemple: “L -» prin) f0)~ F).unod. 2 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non autos est un Une premitre constatation ‘impose en observant ces expressions : la transformation de Laplace transforme Vopérateur dérivation en un opérateur arithmeétique. Il faut noter que Yon retrouve dans ces expressions les conditions initiales c’est-i-dire les valeurs en 1 = 0 des dérivées successives d’ordres inférieurs a Pordre de dérivation considéré. Dans le cas oit ces conditions initiales sont nulles, ce qui est a priori trés souvent le cas, on peut retenir simplement les relations suivantes : df anf o> Fi) ; dt dt > p"F(p). 3. La transformée de Laplace d’une primitive Soit P(0) une primitive d'une fonction (1) et F(p) la transformée de Laplace de cette fonction, On a: Pa) = [finde > P, PO Po OP La encore, Fopérateur intégration se trouve changé en un opérateur arithmétique dans Trespace des transformées de Laplace. Dans le cas ob a condition initiale P(O) est nulle, ce qui est a priori trés souvent le eas, on peut retenir simplement la relation suivante : F(p) PO =[sods ae 4. Les propriétés de changement d’échelle flkt) > +e(2) t(¥) + kF(p) k. Remarque On veillera & ne pas confondre ces deux propriétés avec la linéarité de la transformation de Laplace, Les différentes propriétés de la transformation de Laplace vues ici présentent un carac- tre absolument fondamental car elles sont & Vorigine de Pintérét que présente cet outil dans la résolution simple et rapide de bon nombre de problémes. Nous verrons que la transformée de Laplace permet de résoudre facilement des équa- tions différentielles d’ordre élevé, de mettre en équation le fonctionnement de dispositifs complexes et ce avec un minimum de caleuls. = o o 2 Fiches 22, 23,24 5152 La transformation de Laplace 2 Cette fiche présente d'autres propriétés fondamentales de la transformation de Laplace, quelques transformées usuelles ainsi que la méthode générale permettant de calculer nimporte quelle transformée de Laplace. 1, Le théoréme du retard Si F(p) est la transformée de Laplace de la fonction f(1), alors la transformée de Laplace de la fonction /(/ ~ r), autrement dit cette méme fonction /(0) retardée d'un temps 7 (figure 22.1), a pour expression F(p)e"*. 0) At-r) Ol ol Figure 22.1 2, Les théorémes de la valeur initiale et de la valeur finale Le théoréme de la valeur initiale permet d’obtenir la valeur de f au voisinage de 0 par valeur supérieure en fonetion de sa transformée de Laplace : fO*) = lim [pF(p)}. pove Encore plus utile, le théoréme de la valeur finale permet de calculer la limite quand 1 @ d'une fonction temporelle (1) en connaissant sa transformée de Laplace = lim Lf] = lim [pF(p)h. ite poor 3. Propriétés diverses Sans étre fondamentales, les trois propriétés suivantes peuvent s'avérer utiles lors du calcul de certaines transformées de Laplace : ef 3 F(p+a) dF fo + £0 > f F(p) dp 0unod. 2 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non autos est un 4. La transformée de Laplace de quelques signaux usuels Echelon unitaire ut) Opourt<0 t Ho-{ ours 1 ue) t 2 oO Rampe ou échelon devitesso 10 Opourt <0 0 torte ve 1 0 Impulston de Dirac at ayye{ OPourtd 4 l0pourdsts8 a avec 0-+0 ot MP)=1 ol 0 Figure 22.2 Remarque La rampe est une primitive de I'échelon unitaire tandis que limpulsion de Dirac est sa dérivée. 5. Le calcul d'une transformée de Laplace quelconque Face & un signal queleonque, on peut certes entreprendre le calcul direct de la trans- formée de Laplace. Ce calcul peut parfois étre relativement délicat. On peut aussi se reéférer a une table de transformées de Laplace telle que celle fournie en annexe. Les tables ne contiennent peut-étre pas directement la fonction qui nous intéresse, mais, les propriétés fondamentales et la Lingarité de la transformation permettent la plupart du temps de se ramener & des compositions simples. Ceci est notamment trés utile lorsque Von cherche Voriginal d’une fonction F(p) et que celle-ci se présente sous la forme d'une fraction rationnelle. I! faudra alors penser a la décomposer en éléments simples qui seront facilement identifiables dans la table. In fine, il est rarissime de devoir calculer une transformée de Laplace ou une trans- formée inverse & partir de Yexpression directe de leur definition. A aide des tables et des propriétés fondamentales présentées ici, on arrive en général & résoudre tous les problémes, des plus simples aux plus compliqués. Exerci 2 Fiche 24 53ght € Gr 23 54 La fonction de transfert d’un systeme La notion de fonction de transfert permet de caractériser le fonctionnement d'un systéme autrement que par son équation différentielle. Elle donne tout son sens et toute son utilité a la transformation de Laplace. 1. Les systémes linéaires mono-entrée mono-sort ett) xt) Figure 23.1 Un syst#me linéaire mono-entrée mono-sortie (figure 23.1) est un syst#me qui, sollicité par un signal d'entrée e(t), répond par un signal de sortie s(), ces deux signaux étant liés par 'équation de fonctionnement du systéme qui, en occurrence, est une Equation différentielle linéaire & coefficients constants : a": ne ae ae +o +a, + dgs(t) = b, <4. +4 + bye(t). it it an 2. Définition Si nous appliquons la transformation de Laplace aux deux membres de cette équation, tout en supposant nulles les différentes conditions initiales, il vient : a,p"S(p)+ +a,pS(p) + dy S(p) = Py >" ECD) +b pE(p) + byE(p). Soit: [a,p"+ . Hayp + ay]S(p) = [by p™+ — b,p + bo ECP) won; EmPMt tpt by _ Sip) 4p" +a,p +d) E(p) Cette fraction rationnelle de deux polynémes de Ia variable complexe p est appelée fonction de transfert du systeme et communément notée : BY Gp) = 5 EW) Comme cette fonction est une fraction rationnelle de deux polynémes en p, il est possible de factoriser ces deux polynémes dans le corps des complexes. On obtient : 4, (P — PrP ~ Pr)yright © 2015 D c (© Danod. Tous reproduction non autos est un Les racines <, qui annulent le numérateur sont appelées les zéros de la fonction de transfert. Les racines p; qui annulent son dénominateur sont les pdles de la fonction de transfert. Ces paramétres peuvent étre complexes ou réels. Nous verrons plus loin que étude, le signe ou Vappartenance A ensemble des réels de ces pdles ou 7ér0s, jouent des r0les trés importants dans Pétude des systémes. 3. La mise en cascade de systémes Sur le schéma de la figure 23.2, nous avons placé deux systémes en c: ment de fonction de transfert G,(p) et G)(p). ade, respective ap so) Figure 23.2 A la condition expresse que la mise en cascade ne perturbe pas le fonctionnement du systéme situé en amont, la fonction de transfert globale du systtme composé des deux éléments a pour expression : G(p) = G\(p)G,(p)- Ul convient done d’étre particuligrement vigilant avant d’utiliser cette propriété, notam- ‘ment pour les systémes électriques qui, en régle générale, sont affectés par la présence d'une charge & leur sortie, 4. original d’une fonction de transfert Bien qu'une fonction de transfert G(p) ne soit pas, & proprement parler, la transformée de Laplace d’un signal, on peut calculer sa transformée inverse g(1) que Von appelle original de la fonction de transfert. Le principal intérét de ce concept réside dans le fait que, si on injecte une impulsion de Dirac dans un systéme de fonction de transfert G(p), Ie signal de sortie s(t) sera égal A g(t). Eneffet, si E(p) = 1, ona: S(p) = G(p). La réponse impulsionnelle d'un systéme est donc original de sa fonction de transfert. Cette propriété (bien que dans la réalité il soit impossible de construire une impulsion de Dirac parfaite), joue un rdle important dans Videntification des systémes. 5. Dans la pratique Nous aurons l'occasion de découvrir A maintes reprises au cours de cet ouvrage tout Vintérét que revét la notion de fonction de transfert dans la modélisation des systtmes électroniques, en particulier en ce qui concerne étude des filtres au chapitre 7. Nous y verrons en particulier le lien qui existe entre la fonction de transfert d’un systéme linéaire et son comportement fréquentiel, Nous verrons également qu'il est possible «'introduire une notion d'impédance généralisée qui permet, directement & partir des lois de 'électro- cinétique, de mettre en équation ta fonction de transfert d'un montage sans passer par des équations différemtielles. ocM Exercices 5556 Les méthodes de résolution des problémes 1. Principe La premidre utilisation intéressante du modéle Laplacien réside dans 1a résolution systématique de problémes physiques dans lesquels on posséde un systéme linéaire quel- conque régi par une équation différentielle clairement identifige. On injecte a Ventrée de ce systéme un signal donné et on souhaite déterminer quel est le signal de sortie. La connaissance de la fonction de transfert du systéme (qui s‘écrit immédiatement a partir de 'équation différentielle) fournit évidemment la relation entre S(p) et E(p) Cest-A-dire entre les transformées de Laplace respectives de la sortie et de entrée du systéme S(p) = G(p)E(p). I suffit done de calculer ou de déterminer a partir des tables, la transformée de Laplace de ¢(1), puis d'effectuer le calcul de S(p) puis, enfin, toujours & partir des tables, de determiner original de S(p), e'est-a-dire s(1), B...can Un rapide coup d'ceil sur la table de transformées de Laplace fournie en annexe nous ‘montre que la plupart des transformées des signaux usuels se présentent sous la forme d'une fraction rationnelle simple de polynémes de la variable p. La fonction de transfert se présentant toujours sous la forme d'une fraction rationnelle, il est clair qu'll en sera de méme pour la transformée de Laplace du signal de sortie, qui ne sera rien d'autre que le produit de deux fractions rationnelles. En décomposant la fraction rationnelle Sip) en éléments simples que l'on retrouvera facilement dans la table et en utilisant la propriété de linéarité de la transformation, on calculera aisément expression de la sortie s(t). 2. Exemple Considérons le circuit RC représenté sur la figure 24.1. Le signal d’entrée injecté est et) = 3¢ et la sortie correspond 2 s(t) dont on cherche expression. On suppose qu’aucun courant ne sort par la borne de sortie, C’est donc le méme courant i(f) qui circule a la fois dans la résistance R et dans le condensateur C. { e(0) ~ s(0) = Ril) Les équati Alectriques du sysunod. 2 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non ate et un ett) =3t Figure 24.1 ds En combinant ces deux équations, on obtient Ree + s(t) = e(t). i Nous sommes done en présence d’un systéme du premier ordre dont la fonction de transfert sobtient immeédiatement : 1 Gp = = owl 3 Par ailleurs, e(t) = 3¢ = E(p) = P Dod: S(p) = et d'aprés la table de transformées de Laplace, on a: iaasast- tei p?(RCp +1) = s(t) = - © Sip) = P+ zp) Dioi on tire immédiatement : S(p) = = s()= aac{ er + ne = 1 |u(r) poe Pr(L+ RCp) ‘Les expressions temporelles fournies par les tables ne sont valables que pour 1 > 0; ces fonctions sont nulles pour r <0. La présence de u() dans ces expressions suffit nous le rappeler. Parfois, par abus d’écriture, on peut omettre u(t) & condition de ne pas perdre de vue que expression nfest valable que pour 1 > 0 et que toutes les fonctions que nous utilisons sont nulles pour r <0. ‘On mesure au travers de cet exemple la simplicité de la méthode que l'on peut géné- raliser 8 rvimporte quel circuit. Il convient de rappeler ici que la plupart des circuits électroniques sont composés d’éléments linéaires et que bien souvent, la mise en équation de ces dispositifs conduit a des Equations différentielles linéaires & coefficients constants dont la résolution, griice & la transformation de Laplace, devient un véritable jeu d’enfant. Avec un peu d'expérience, le lecteur deviendra, nous en sommes sf, un inconditionnel de cet outil. tira ey = o o 572015 Dunod Copyright € 58 Dans ce chapitre, nous avons évoqué essentiellement des signaux variant continment en fonction du temps ainsi que des systémes continus dont la principale fonction consiste & traiter contindment, en temps réel, ces signaux représentés par des fonctions continues du temps, On parle alors de signauxet de systemes temps continu, Dans|aréalité industrielle, la complexité des ystemes, ainsi que celle des traitements &réaliser, nécessite souvent e recours& des outils numériques de traitement : ordinateurs, calculateurs, systémes numériques en tout genre. De tels outils ne peuvent en aucun cas s'accommoder de signaux continu; ceux-ci doivent étre trans- formés en suites de nombres pour pouvoir étre traités. De méme, ces systémes délivrent,& leur sortie, des suites de valeurs numériques, autrement dt, des signaux numériques. On parle aussi de systmes et de signaux& temps discret par opposition & la notion de temps continu. De l'analogique au numérique Pourtransformer un signal continu en une svite de nombres compatible avec un systéme de traitement numérique, on a recours 8 deux opérations successives : ’échantillonnage qui consiste & prélever, & intervalles de temps réguliers, des valeurs discrétes du signal, pus, la conversion analogique numérique quitransforme ces échantilons en nombres, généralement codés sous forme binaire. Léchantillonnage réalise donc une discrétisation dans le temps, tandis que la conversion analogique numérique réalise une discrétisation en amplitude. En effet, sion considére qu'un convertisseur anlo- gique numérique dispose de n bits en sortie pour coder valeur numérique du signal, celui-cine pourra prendre que 2° valeurs. Cette double discrétisation est bien évidemment susceptible d’engendrer des erreurs étant donné que l'on ne connaitra le signal qu'a des instants donnés et que, de surcroit, les valeurs numériques correspondantes seront arrondies en fonction du nombre de valeurs disponibles ensortie, Préserver l'information Le théoréme de Shannon est un des résultats les plus fondamentaux de étude des signaux échan- tillonnés. Un des objectifs essentiels de 'échantillonnage consiste & ne pas perdre d'information lors de la diserétisation dans le temps, ce qui peut se traduire parla possibilité de reconstitver simplement le spectre du signal origina 8 partir de celui du signal échantillonné. Le principe le plus fondamental en matiére d'échantillonnage est énoncé au travers du théoréme de Shannon :siB estlalargeur spectrale du signal s(t), autrement ditsa limite fréquentielle supérieure, et sila fréquence d’échantillonnage, autrement dit la fréquence avec laquelle on dscrétise le signal dans le temps, est appelée f,, alors on doit avoir, > 28. Lerespect de cette condition est nécessaire pour préserver, lors de son échantillonnage, information contenve dans un signal Sans entrer dans les détails le lecteur doit savoir qu'il existe des outils spécifiques pour moddlise les signauxet les systémes fonctionnant a temps discret. Le plus utilisé d’entre eux estla transformée en z.Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non autorise est un 24 22 aa 24 25 26 27 OGD pour chaque question, cocher Ia ou les réponset) exacts) (les réponses sont au verso). ‘Tous les signaux continus du temps : 1 a. possédent une décomposition en série de Fourier 1b. possédent une transformée de Fourier 1c possédent un spectre fréquentiel La valeur moyenne d'un signal périodique 1 acest toujours nulle 1 b. est nulle sie signal posséde une partie négative 11 cest nulle sile terme d'indice 0 de sa décomposition en série de Fourier lest Lequel ou lesquels de ces signaux sont des signaux a énergie finie : 1 a. limpulsion de Dirac 1 b.échelon unité 1 c.un signal en dents de scie nul pour ¢ < Oet nul pour t > T Les poles d'une fonction de transfert : 1 a. sont les racines de son numérateur 1 b. sont les racines de son dénominateur 1 c. sont les coefficients de Méequation différentielle correspondante Pour déterminer la valeur d'un signal lorsque ¢ + = a partir de sa transformée de Laplace, oon utilise : 11 ale théoréme de la valeur initiale 1 bile théoréme du retard 1 cle théoréme de la valeur finale Si on peut facilement déterminer la transformée de Laplace de nimporte quel signal a partir de la connaissance d’a peine une dizaine de transformées de fonctions usuelles, c'est grace : C1 a.a la linéarité de la transformation de Laplace 1 b.au fait que les fonctions de transfert sont des fractions rationnelles de polynémes 1 cau théoréme de la valeur initiale La transformée de Laplace du signal défini par s(t) est égale a Osit < Oet par s(t) = -Asit> 0 ]201 Copyright € 60 Réponses a 2.2 2.3 24 25 2.6 27 c. La décomposition en série de Fourier ne concerne que les signaux périodiques. La trans- formée de Fourier, au sens oi: nous Vavons définie dans ce chapitre, ne concerne que les signaux a énergie finie. En revanche, il est possible de déterminer, quel que soit le signal, son spectre fréquentiel, a aide d'outils mathématiques plus ou moins complexes selon les cas. c.La valeur moyenne d'un signal périodique correspond au terme dindice 0 de sa décom- position en série de Fourier. ‘a. etc. Tous les signaux qui, peu ou prou, possédent un début et une fin sont des signaux a énergte finte. b. Par definition, les ples sont les racines du dénominateur de la fonction de transfert. «ll agit bien du théoréme de la valeur fit le, 1a. et b. Le théoréme de la valeur initiale n’a rien a voir avec cela. b. Il s'agit d'une conséquence directe de Ia linéarité de la transformation de Laplace. Le signal est un échelon unité multiplié par le coefficient (A). Sa transformée de Laplace est donc celle de I'échelon unité multipliée par le méme coefficient.Copyright © 2015 Dunod. (© Danod, Tous reproduction non antorise et un EXERCICES Les corrigés sont regroupés en fin d’ouvrage (p. 353). 2.1 On considére la fonction s(t) définie par s(t) = 0 pour t < 0 et s(t) = sinot pour t = 0. Determiner Fexpression de S(p) en utilisant la définition de la transformation de Laplace. 2.2 On considére une impulsion s(2) de largeur T et de hauteur A (figure ci-dessous), st) A +t Calculer Fexpression S(p) de la transformée de Laplace de ce signal. 2.3 Calculer la transformée de Laplace inverse de expression F(p) = ——>. Pie 5p? + 6p 2.4 On considere un systéme régi par V'équation différentielle Calculer la fonction de transfert de ce systéme et calculer ses poles et ses 2610s. 2.5 On considére un systéme régi par "equation différentielle = Ba sey = Keto. a) Calculer la fonction de transfert de ce systéme, En déduire S(p) si le signal dentrée est un échelon unité, b) Déterminer la valeur finale de s(‘)en utilisant le théoreme de la valeur finale. © Calculer expression de s(f) et retrouver le résultat précédent, 4) Pour quelle valeur fg de t, s(¢) atteint-il 95 % de sa valeur finale ? 2.6 On cons lere un systéme régi par Péquattion différentielle : Calculer la réponse de ce systtme & une entrée en rampe e(?) 2.7 On considére le montage électrique représenté sur la figure ci-dessous. On injecte dans ce systeme un signal «entrée e(t) correspondant a un échelon de tension de 0.4.5 V. a) Déterminer 'équation différentielle qui lie e(2) ala tension de sortie s(r).. 6162 ) En déduire la fonction de transfert du systéme. 2.8 Soit un signal périodique s(t) (période 7) et sa décomposition en série de Fourier : 2 = Ayer aero = 272 FJ sicosnan ar a) Monttrer que si s(¢) est pair, on a: 4, FO ooaeedenteeniret dete vince Chaco tee ae ee B} by Montrer que si, de sure on aalors: 4, = 0 pours pair et A, Fa J s@cosner di pour n impair: ©) En appliquant ces résultats, calculer 1a décomposition d'un signal carré période T (figure ‘amplitude A et de i-dessous) et tracer son spectre. s(t) 2.9 On considére le signal non périodique s() défini par s(f) = A pour -a < ¢ < aet nul partout ailleurs. Calculer et tracer son spectre. st) A ot “aol @5 Dunod. right © 201! Cor Chapitre 3 Les diodes Objectifs La jonction PN, autrement dit la diode, constitue la brique de base de I’électro- nique moderne. II s'agit |a du composant a semi-conducteurs le plus simple. A partir d'une simple diode et de quelques composants électriques passifs, il est déja possible de réaliser bon nombre de montages fort utiles : redres- seurs, écréteurs, régulateurs, etc. Aprés avoir présenté en détail les principes fondamentaux du fonctionnement de ce composant, 4 la fois du point de vue microscopique et du point de vue « systéme électrique », ce chapitre présente quelques applications simples mais emblématiques de ces systémes a diodes.64 La conduction électrique intrinséque 1. Les principes Dans un matériau a structure cristalline, les atomes sont ligs entre eux par des liaisons dites covalentes qui consistent en des combinaisons d’électrons entre atomes voisins. Ces liaisons peuvent étre plus ou moins fortes. Dans le cas dune liaison trés forte, les électrons participant a cette liaison seront difficilement mobilisables. En revanche, cette liaison est plus faible, un apport d’énergie extérieur, par exemple un champ électrique, peut étre suffisant pour mobiliser ces Electrons : ces électrons sont dits libres, libres de se déplacer dans la structure cristalline : c'est le phénoméne de la conduction électrique intrinstque. En quittant sa position initiale, un électron devenu libre laisse derrigre lui un « trou » correspondant & une vacance d’électron. Liatome étant initialement neutre, un trou est done chargé positivement. Ce trou peut bien sir €tre comblé par un autre électron libre venu d'un atome voisin. Dans ce cas, le trou se déplace en sens contraire du déplacement de I'électron, La conduction électrique peut tout aussi bien tre interprétée comme un déplacement de trous que comme un déplacement d'électrons. Les Electrons libres sont appelés porteurs de charge négatifs. Les trous sont les porteurs de charge positif’. ¢ mobiliser pour participer 4 un phénoméne de conduction par des bandes d’énergies (figure 25.1) : + bande de valence : tant qu'un électron se trouve dans cette bande, il participe a une iaison covalente au sein du cristal ; * bande de conduction : un électron ayant acquis suffisamment d’énergie peut se trouver dans cette bande ; il est alors mobile et peut participer & un phénomene de conduction ; + bande interdite : la mécanique quantique a montré que les électrons ne peuvent pas prendre des niveaux d'énergic quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés ; entre la bande de valence et la bande de conduction peut donc exister une bande interdite Pour rendre un électron mobile, il faut done impérativement apporter de I’énergie en quantité suffisante pour franchir ce véritable fossé (gap en anglais). Remarque L’énergie d’un électron se mesure en électronvolts (eV) :1 eV = 6 x 10-19 J,Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non autos est un 3. La classification des matériaux En fonction de la disposition de ces bandes, et surtout de la largeur de la bande interdite, les matériaux peuvent étre isolants, conducteurs ou semi-conducteurs niveau d'énergie dos électrons ‘ ' ‘ bande interdite quelques eV bande interdite environ 1 eV matériauisolant _—matériau conducteur——_semi-conducteur Figure 25.1 La principale différence entre un conducteur et un semi-conducteur réside dans le fait que dans le premier, il n’y a pas ou peu de bande interdite, voire méme chevauchement des bandes de valence et de conduction. Les électrons sont done a priori mobiles et application d'un faible champ électrique génére une circulation de nombreux électrons Dans un semi-conducteur, il y a beaucoup moins d’électrons mobiles. Le matériau est done moins condueteur. Quel que soit le cas, la conduction est dite intrinseque lorsqu'll existe autant d’élec- trons libres que de trous par unité de volume : soit m et p les nombres respectifs de porteurs négatifs (lectrons) et de porteurs positifs ((rous) par unité de volume (concen- trations) ; on montre que : a8, = pan? =ATe avec : ‘A: constante dépendant du matériau, T : température absolue en kelvins, AB; : largeur de la bande interdite en eV, & = 1,38 x 1079 JK“: constante de Boltzmann. Ces concentrations n et p (notée parfois n, ou p,) sont appelées concentrations en porteurs intrinséques. Pour le silicium qui est le semi-conducteur le plus utilisé on a : AB, = 1.2 eV ny = 1,510! m3 aT = 300K. ocm Exercices 6566 La diode a jonction 1, Les semi-conducteurs dopés Si on remplace dans un cristal de silicium tres pur, certains atomes par des atomes d'un autre corps simple, on dit que on dope le cristal avec des impuretés. Le silicium étant (étravalent, on peut choisir d'effectuer ce dopage avec des atomes trivalents (bore, alum nium ou gallium) ou pentavalents (phosphore, arsenic ou antimoine). Dans le premier cas on eréera un déficit en électrons ou plutdt un apport de trous. On dit que le semi- conducteur est dopé P et que les impuretés introduites sont accepteuses d’électrons. Dans le second cas, on erée au contraire un apport d’électrons mobiles. Le semi-conducteur est dopé N et les impuretés sont dites donneuses d’électrons. La concentration en impureté dopante reste toujours trés faible quel que soit le cas : de Vordre de 1 atome d'impureté pour 107 atomes de silicium. Si le semi-conducteur est dope N, il y a beaucoup plus d’électrons libres que de trous. On dit que les électrons sont les porteurs de charge majoritaires. Dans le cas d'un dopage P, ce sont les trous qui sont les porteurs majoritaires. Dans les deux cas on a: n # p. En revanche, on a toujours : np = n?. B....can Pour un semi-conducteur dopé N, soit ng la concentration en impuretés donneuses diélectrons (nombre d'atomes d’impuretés par unité de volume). On aalors : n= ng et p~0. Pour un semi-conducteur dopé P, soit ny 1a concentration en impuretés accepteuses diélectrons (nombre d'atomes d’impureté par unité de volume). Ona alors: p= net n~0. Quel que soit le cas, les phénoménes de conduction s‘en trouvent trés largement mot figs. La conduction est alors dite extrinstque car ne dépendant plus uniquement du cristal de départ. 2. La jonction PN En dopant respectivement N et P deux parties d'un méme cristal semi-conducteur, on forme un dipole appelé diode a jonction (figure 26.1). La jonction est la surface de contact située entre les deux parties du cristal dopées différemment. Bien qu’au départ chacune des deux zones soit électriquement neutre, la mise en contact des deux parties induit un phénoméne de migration de porteurs majoritaires de part et d'autre de la jonetion : certains trous de la zone P se déplacent vers la zone N qui contient des donneurs d'électrons, tandis que certains électrons de la zone N migrent vers la zone P qui contient des accepteurs d’électrons.2015 Dunod Copyright € (© Danod. Tous reproduction non autorise est un jonction N P cathode anode Figure 26.1 _Un équilibre s'instaure autour de la jonction, eréant ainsi un champ électris E,. La zone située autour de la jonction correspondant & ce champ électrique est appelée zone de déplétion (figure 26.2). La présence de ce champ électrique se traduit également par la présence d'une diffrence de potentiel de part et d'autre de la zone de déplétion. Cette différence de potentiel est appelée barriére de potentiel. La zone de déplétion se comporte a priori comme un isolant et il devient trés difficile pour un électron libre, de franchir cette zone. migration ‘eos av pad e q 5 eo tae: e ; zone de déplétion migration délectrons Figure 26.2 Crest cette structure interne trés particuliére qui fait de la diode jonction un des composants de base essentiels de électronique. Nous allons étudier dans les fiches qui suivent le fonctionnement électrique de cette diode placée dans un circuit et voir que celle-ci se comporte tantt comme un circuit ouvert, tantét comme un circuit fermé, ou encore, comme on le dit souvent, que la diode laisse passer le courant dans un sens mais pas dans autre. C’est la présence de cette barriére de potentiel interne au niveau de la zone de déplétion qui gouverne ce comportement et permet de construire avec une ou quelques diodes, des montages extrémement = o o 672015 yright © iche ras 68 Le principe de fonctionnement de la diode 1. La diode passante et la diode bloquée Dans une jonction PN, application d'une tension V dirigée comme indiqué sur la figure 27.1 erée un champ électrique qui sajoute au champ électrique interne (dans le méme sens) poussant ainsi les électrons de la zone N a séloigner de la jonction, tandis que les trous de la zone P subissent le méme phénoméne : la zone de déplétion s‘élargit Ja jonction devient pratiquement isolante. On dit que la diode est bloquée. zone de déplétion sarge : diode bloquée " i : cathode t anode ener TTT Figure 27.1 sii ie ss pat N eo 8F® @ P ae ' eee catoco |@ @ | @ ©] anode AREER EP v Figure 27.2 on applique une tension V orientée comme indiqué sur la figure 27.2, le champ électrique externe ainsi créé s‘oppose au champ interne. La barrigre de potentic! cst ainsi diminuée : des électrons peuvent franchir la zone de déplétion (de la zone N vers la zone P compte tenu de orientation de V) qui devient done conductrice ; la diode est dite passante. La propriété essentielle de cette diode réside done dans le fait que la circulation des électrons au travers de la jonction ne peut s‘effectuer que dans un sens : de la zone N vers la zone P (de la cathode vers Fanode). Soit V la tension aux bornes de la diode et 7 le courant qui la traverse. Comme le courant circule de Fanode vers la cathode (sens inverse des électrons), on représentera tension et courant comme cela est indiqué sur la figure 27.3 (convention récepteut).unod. 201 Copyright © (© Danod. Tous reproduction non autos est un cathode anode PEELE te eete eee Hee eeetete eta v Figure 27.3 2. Détermination de l’état d’une diode La technique la plus efficace pour démontrer qu’une diode est passante ou bloquée consiste & supposer a priori qu’elle est dans un de ces deux états, par exemple qu'elle est bloquée. Si tel est le cas, ceci est trés facile & verifier ; dans le cas contraire, si elle est passante, on aboutit trés vite & une absurdité qui montre qu‘elle ne peut étre bloquée. Dans exemple ci-dessous, on supposera que la diode est bloquée et on cherchera la diffrence de potentiels & ses bornes. ae a Exerci Considérons le circuit de la figure 274 et vérifions que la diode est bloquée. F=2000 5=10V Figure 27.4 En supposant que la diode soit passante, on a Vs = 10,7 V, puisque Vc. = 10 V. La chute de potentiel aux bornes de la résistance (dirigée positivement vers le haut) impose done un courant dirigé vers le bas (convention récepteur), qui ne peut en aucun cas traverser la diode. Celle-ci ne peut donc pas étre passante. lest extrémement important de savoir déterminer si une diode est passante ou bloquée si Yon souhaite analyser le fonctionnement d'un circuit qui en comporte Dans certains montages, les diodes peuvent étre tant6t passantes, tant6t bloquées selon évolution des courants et tensions dans le circuit. 5 ES is] 6970 Les caractéristiques électriques de la diode 1. La caractéristique électrique réelle de la diode Si V est effectivement positif, on dit que la diode est polarisée en sens direct. Un courant T peut effectivement circuler dans la diode. Si V est négatif, la diode est polarisée en sens inverse et auicun courant ne peut y circuler. La figure 28.1 montre la caractéristique 1 = f(V) d'une diode courante. sens direct sens inverse va Ve (tension de seuil) quelques pA effet avalanche Figure 28.1 © Pour la diode réelle, on admet, en sens direct, que : ee tT = Le avec Vo = XT = 25 mv a température ambiante. 1, tant de Vordre du mA, ¢ = 1,6 x 10°? C, k = 1,38 x 10 J. K-!. Sauf pour de tis faibles valeurs de 7, et sauf pour des valeurs trés importantes, la tension V varie peu et est de Vordre de 0,6 8 0,7 V pour des diodes au silicium. Cette tension est appelée tension de seuil et se note souvent V,. En sens inverse, on admet que le courant est nul (en réalité quelques 1A subsistent). Pour des tensions inverses importantes (quelques dizaines de volts en valeur absolue), on observe un effet de conduction forcée au travers de la jonction, effet immédiat et en général destructeur : effet d’avalanche.unod. 2 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non ate et un 2. Le modéle de diode parfaite ‘Macroscopiquement parlant, et hormis certaines applications particulidres, on admet en général le fonctionnement suivant : ‘Modéle de diode parfaite ‘* Diode polarisée en sens direct : V = 0,7 V, v 1; la diode est dite passante. ‘* Diode polarisée en sens inverse : ! = 0, v V ; la diode est dite bloquée. Ce modéle de diode dite parfaite est représenté sur la figure 28.2, 1 1 1 pente ° ory ° ° o7v a. diode parfaite 'b diode idéale ‘&. modéle dynamique igure 28.2 3. Le modéle de diode idéale On peut encore simplifier le modéle en considérant que la tension de 0,7 V est négli- geable devant les autres tensions du circuit. On obtient alors le modéle de diode dite idéale dont la caractéristique est schématisée sur Ia figure 28.2.b. 4, La résistance dynamique de la diode Si au contraire on souhaite un modele plus fin et plus proche de la caractéristique de la diode réelle, on peut adopter le modele représenté sur la figure 28.2.¢ : on considére que cette caractéristique est formée de deux segments de droites. IModele dynamique de la diode V<0,7V < 1 =0 (diode bloquée) V-07V Vea7vet . Ry avec Ry résistance dynamique de la diode passante. 7La polarisation de la diode 1. La polarisation simple et le point de fonctionnement On polarise une diode en sens direct en I'incluant dans un circuit de sorte qu'elle soit parcourue par un courant 7. Sur le schéma de la figure 29.1, un générateur parfait de tension £ continue alimente un dipdle formé d'une résistance R et d’une diode en série. f a al] Figure 29.1 v On aévidemment : I = /,e% et E = RI+V T= 1,e% — caractéristique de la diode soit encore : E-V > droite de charge ' points de roites de charge fonetionnement R table Reélevee 0 ory & Figure 29.2 Le point d’intersection de ces deux courbes donne le point de fonctionnement du circuit (figure 29.2). On voit bien que pour diverses valeurs de R, la tension V varie peu. 722. Choix du modéle de diode Le circuit de la figure 29.3 présente une diode potarisée en sens direct alimentée par un générateur de tension E au travers d’une résistance R. On souhaite polariser la diode de sorte qufelle soit parcourue par un courant déterminé, par exemple J = 20 mA. Liobjectif consiste & chercher la valeur de R qui permet de fixer ce courant. oo Figure 29.3 Si Fon choisit le modéle de diode dynamique, figure 28.2.¢ avec, par exemple, une tension de seuil V; = 0,7 V et de résistance dynamique 1, = 10 Q, la te bornes de la diode a pour expression : V = Vg + ral La loi des mailles nous donne par ailleurs Véquation : E = RI+ Vg + rl. =10 = 205.0, Si on utilise le modéle de diode parfaite, on a : V = 0,7 V et la loi des mailles écrit aprésent: E = RI +0,7V. _E-0,7 5-07 T “20x10 71% Onadone: R Important On retiendra d'une part, que le modéle dynamique de la diode, figure 28.2.c, est trés facile a utiliser et d’autre part, qu'on ne commet pas une erreur trés importante en négligeant rg Cest-a-dire en choisissant le modile de la diode parfaite, surtout lorsque la diode est placée, comme ici, en série avec une résistance R >> ri. Dans certains cas que nous aurons occasion de rencontrer, aucun des modeles 2 approchés ne sera utilisable et il sera nécessaire de considérer 'équation réelle de fonc- fiche 28 2 tionnement de la diode, en particulier lorsque l'on cherche & tirer profit de la fonction S exponentielle ou & l'inverse, de la fonction logarithme qui est inhérente au fonctionne- 7 ‘ment de la diode. (© Danod. Tous reproduction non autos est un 7aLa puissance dissipée dans une diode 1. La limitation de puissance d’une diode Comme tout composant électronique, la diode possede ses propres limites de fone tionnement. En sens direct, la diode parcourue par un courant / et présentant & ses bornes une différence de potentiel V, dissipe (en général sous forme d'énergie calori- fique) la puissance P = VI. Toute diode posséde une puissance limite admissible Py. Graphiquement, cette puissance définit une zone de fonctionnement possible pour la diode (figure 30.1). Le point de fonctionnement doit se trouver en dessous de la courbe déquation VI = Py... Au-dela, la diode serait détruite. 1 a courbe déquation _| . Vi Fra zone de fonctionnement impossible ° o7Vv Figure 30.1 2. La détermination de la puissance dissipée dans une diode passante Pour calculer la puissance dissipée dans une diode passante, il suffit de choisir un des modles de la diode et de calculer le courant qui la traverse. Sur le schéma de a figure 30.2, la diode est bien passante. En effet, si on suppose qu'elle est bloquée, alors aucun courant ne circule dans le circuit, Il n'y a done aucune chute de a potentiel aux bornes de la résistance. Par conséquent, la diode présente A ses bornes une 8 tension de 10 V dans le sens direct, ce qui est incompatible avec "hypothe de départ. g La puissance dissipée dans la diode a pour expression P = VI. Si on opte pour le modéle = de diode parfaite de la figure 28.2.a, on a P = 0,7 V x I, = ‘Comme il régne une différence de potentiels de 9.3 V aux bornes de la résistance, on a & 1 = 93 mA. Ona done : P = 0,7 V x 93 mA = 65 mW. 74Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non ate et un R=1009 Remarque Lorsqu'une diode est bloquée (polarisée en sens inverse), elle ne dissipe aucune puissance, 3. Linfluence du modéle choisi Si on considére une diode parcourue par un courant J donné, par exemple 1 = 25 mA, il est aisé de comparer les calculs de puissance dissipée en fonction du modéle choisi Avec le modéle dynamique, en prenant par exemple V; = 0,7 V et rm = 10 2, ona: P= (Vg + ryI)I = (0,7 + 3 x 25 x 10-4) x 25 x 10-9 = 19,3 mW ‘Avec le modéle de la diode parfaite de la figure 28.2.a, on obtient : P= Vol = 0,7. 2510 = 17,5 mW. v En utilisant le modale réel, soit 7 = Ie" avec Vy = 25 mV et I, = 2x10" A,ona: P=VI= vm 2) 1 = 18,8 mW Les écarts entre les différentes valeurs sont assez faibles. Dans une diode passante, le calcul de la puissance se fera, sauf mention contraire, & Paide du modele de diode parfaite, figure 28.2.a, puisqu’aucune différence notable de précision n'est relevée & Vaide des deux modeles plus fins. II n'est évidemment pas possible d’'utiliser le modele idéal, figure 28.2.b, puisque dans ce cas, la tension aux bornes de la diode est supposée nulle et qu’aucun calcul de puissance n'est possible. ocM Exercices 6Les applications des diodes En électronique, les diodes sont utilisées pour de multiples usages. Les deux propriétés intéressantes de ces composants sont, d'une part la tension quasi constante & leurs bornes lorsqu‘elles sont polarisées en sens direct, et d’autre part le fait qu'elles peuvent alterna- tivement étre bloquées ou passantes. Les applications les plus simples qui se basent sur ces propriétés concernent le redressement des signaux alternatifs. 1. Le redressement simple alternance Dans le montage de la figure 31.1, la diode est supposée idéale, possédant la caractéris- tique de la figure 28.2.b. Le circuit est alimenté par une tension sinusoidal e(r) = Ey sinoor et on s‘intéresse a la tension u(r) aux bornes de R. ett) R | uo Figure 31.1 La diode est bloquée si et seulement si sa différence de potentiel en sens direct est négative : soit u(t) ~ e(r) < 0. Dans ce cas, aucun courant ne circulant dans le circuit, on a u(t) = 0. Dans le cas contraire, e(t) < 0, la diode est passante et on a alors u() = e(2). Soit le tracé de la figure 31.2. et ae a) 2015 Figure 31.2 yright © 765 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un 2. Lécrétage des signaux Le schéma de la figure 31.3 représente un circuit écréteur dont la fonction consiste & tronquer un signal, par exemple sinusoidal e(r) = Ey sinoor, en éliminant sa ou ses parties dont la valeur dépasse certains seuils. E, et Ey sont deux sources continues parfaites : tension de seuil nulle. Figure 31.3 Les conditions pour lesquelles les diodes sont bloquées sont u(t) > -E, <> D, bloquée u(t) Dy bloquée Par conséquent, lorsque ces deux diodes sont bloquées simultanément, et seulement dans ce cas, on a : u(t) = e(t). ‘On en déduit done : -Ey < e(t) < By = u(t) = (0). + Si e(A) > B,, ladiode D, devient passante. Comme elle est supposée idéale, 1a tension ses bornes est nulle, on a done : (1) > E, <> u(t) = Ey. + Si e(t) < —E}, la diode D, devient passante et on a: e(t) <—E) <> u(t) =-Ey Cela revient a dire que lorsqu’une diode bascule de Fétat bloqué dans état passant, elle court-cireuite la sortie sur le générateur de tension continue auquel elle est connectée. La figure 31.4 présente la forme de la tension u(t). Figure 31.4 Bien d'autres applications peuvent étre développées & partir des diodes. Nous aurons occasion, tout au long de cet ouvrage, de montrer quelle est importance de ces petits composants é1émentaires dans de nombreux montages. En attendant, la fiche suivante présente un grand classique des montages & diodes : le pont de Graetz, qui est le dispo- sitif de base de la conversion d'une tension sinusoidale en une tension continue. 77 = o o78 Le redressement double alternance 1. Le montage en pont de Graetz La figure 32.1 représente un pont de quatre diodes appelé pont de Graetz. Il est alimenté par une tension e(t) = Ey sinar et on s‘intéresse a la tension s(¢) aux bornes de R. On suppose que les diodes présentent des tensions de seuil nulles. si) 4 Figure 32.1 2. Analyse du fonctionnement Pendant la demi-alternance positive (figure 32.2), on a V, > Vg. Va est la tension la plus élevée dans le circuit. D, ne peut étre bloquée car cela impliquerait Vy > Vs. Done D, est passante et Vy = V,. D, ne peut étre bloquée car cela impliquerait Vi. < Vq. Vy étant Ja tension la plus faible du circuit, imposée par alimentation, ceci est impossible. D est done passante et on a Vy = Vi. ot) a Figure 32.2 Va >Ve | a> Ve Va > Vy => D, bloquée Par ailleurs: Vx = Vp } => Vy >Vq = Dy bloquée vy >Vayyright © 2015 Dunod. Cor (© Danod. Tous reproduction non autorise est un Onaalors : s(t) = et). Pendant la demi-alternance négative, on a: V, < Vp. Va est la tension la plus basse dans le circuit, tandis que Vj est la tension la plus élevée. Cette fois-ci, ce sont les diodes D, et D, qui sont passantes et les diodes D, et D3 sont bloquées (figure 32.3). Ona: s(t) = eta). a a (| x = Figure 32.3 En rassemblant les deux cas sur un seul graphe (figure 32.4), on constate que toutes les, demi-alternances sont & présent positives et que le signal s(1) posséde une composante continue (ie. valeur moyenne) alors que celle du signal e(s) était nulle. Figure 32.4 Le montage porte bien son nom de redresseur double alternance puisque chaque demi- alternance du signal de départ est & présent positive. La valeur moyenne se calcule aisément mais un inconvénient subsiste : en effet, si le signal de sortie posséde bel et bien une composante continue, on ne peut pas & proprement parler de tension continue. Pour transformer le signal de sortie en tension véritablement continue, il faut éliminer les variations du signal autour de cette composante continue. On y parvient en plagant en paralléle sur la sortie, un condensateur dit de filtrage ou de lissage dont lobjectif et @amortir ces variations. Les ponts de Graetz sont utilisés pour construire des générateurs de tension continue & partir de signaux sinusoidaux et lélimination des variations du signal de sortie est donc une condition essentielle Yobtention d’un signal constant de qualité. Bien souvent, on ne se contente pas d'un simple condensateur de filtrage mais on construit une véritable régulation de tension en aval du redressement double alternance. 2 Fiche 33 ” = o o80 Les régulateurs de tension 1. La diode Zener Certaines diodes sont congues de manidre & ce que effet d’avalanche ne soit pas destrue~ eur, mais soit au contraire maitrisé et méme utile, Dans ce cas, on parle d’effet Zener ct de telles diodes sont appelées diodes Zener (figure 33.1). Une diode Zener se polarise en sens inverse et présente & ses bornes, quel que soit le courant qui la traverse, une tension quasiment constante appelée tension Zener et notée V,. Les tensions Zener des diodes Zener couramment utilisées vont de quelques dixitmes de volts & plusieurs dizaines de volts (en valeur absolue). a sens direct Ee cathode ~, =Ve sens inverse 7 v anode ode Zener polaisée fen sens inverse Figure 33.1 2. Le régulateur de tension a diode Zener Un régulateur de tension est un dispositif qui permet de stabiliser une tension & une valeur fixe et qui est nécessaire pour alimenter des systémes électroniques qui ont besoin d'une tension ne présentant aucune fluctuation. Le régulateur de tension le plus simple est celui qui tire parti de cette propriété qu’a la diode Zener de présenter & ces bornes une tension constante lorsqu’elle est polarisée en sens inverse (figure 33.2). Dans ce circuit, la tension de sortie U reste constante et égale 4 —V, du moment que la tension E reste supérieure & -V,, Figure 33.2Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non ate et un Remarque ‘On choisit la diode Zener en fonction de la tension stabilisée que Von souhaite obtenir. Par ailleurs, il convient de procéder & une étude précise des puissances susceptibles d'etre mises en jeu dans un tel circuit afin de s‘assurer que la résistance et la diode Zener restent dans leurs limites de fonctionnement. 3. Le régulateur de tension intégré existe des régulateurs de tension préts & Yemploi qui se présentent sous la forme d’un petit composant disposant de trois pattes de connexion (figure 33.3). On les utilise de maniére extrémement simple en placant & leur entrée la tension non régulée E et on dispose, en sortie, d'une tension stabilisée qui dépend du modéle choisi (5 V, 10 V, 12 V, 15 Y, etc,). Il est souvent recommandé de placer un condensateur a entrée du boitier, de Vordre de quelques dixiémes de pF, (afin d’éviter un possible phénoméne oscillatoire). entree I [Vecrie 4. Le régulateur de tension ajustable est parfois difficile de trouver un régulateur présentant une tension de sortie correspon- dant exactement dla valeur recherehée. Le montage de la figure 33.4 montre comment on peut décaler la valeur de la tension présente en sortie du régulateur LM3I7. Epes vera J al| Figure 33.4 ocM Exercices Core) 815 Dunod. right © 201! Cor 82 Crest Karl Ferdinand Braun, physicien allemand, prix Nobel de physique en 2909, qui fut le premier & expérimenter en 1874 les propriétés électriques d’un cristal de sulfure de plomb (ou galéne) en construi- sant un dispositif qui ne laissait passer le courant électrique que dans un sens. La premiére diode La premiére diode a véritablement été inventée en 903 par John tube en verre Fleming, physicien anglais, sous la forme d’une lampe ov tube plaque (anode) _ électronique composé d'un filament de tungsténe parcouru par un filament (cathode) courant électrique et par une plaque en tale mince quientouraitle tl filament sans le toucher. Le tout était placé sous vide dans une enveloppe de verre. Le filament constituela cathode quiémet des lectrons. Ces demiers, sous certaines conditions de dférence de Tl potentiel, peuvent étre captés parla plaque qui constitue anode. a Ce phénomane est une application directe de leffet Edison, découvert par hasard par Thomas Edison en 1880. Les premiéres applications La premiére application de ces dispositifs fut la détection d'ondes radio. En 1906, américain Lee De Forest eut Iidée d'intercaler une grille métallique entre le filament et la plaque. En jouant sur les potentiels de la grille et de l'anode, on contrdle le flux d’électron qui atteint Vanade. Ce tube électronique a vide fut appelée triode car possédant trois électrodes et permit de concevoir les premiers amplificateurs a lampes. Cette invention est aussi a 'origine du cinéma parlant, de la TSF, des télécommunications en général et de informatique. Une version plus perfectionnée de la triode a été inventée quelques années plus tard en ajoutant deux grilles supplémentaires afin d’éviter un certain nombre d'inconvénients dela triode simple. Ce nouveau tube, appelé pentode est toujours utilisé aujourd'hui et méme particuliérement prisé des amateurs de Hi-Fi et des quitaristes. Malgré un certain encombrement et une durée de vie limitée (la cathode s‘use avec le temps), ces tubes ou lampes permettent de concevoir des amplificateurs & la pureté sonore incomparable et qui, de surcroit, nécessitent moins de composants que leurs homologues transistors. lis fonetionnent par ailleurs en trés haute fréquence, ce qui n’est pas obligatoirement le cas des amplis, modernes. II faudra attendre la fin des années 1940 pour que la diode au germanium vienne remplacer les tubes & vides dans bon nombre d’applications électroniques comme par exemple le redressement. Plus facies ’a mettre en ceuvre, plus compactes et fonctionnant avec des tensions plus faibles, elles vont devenir, des les années 2950, le composant de base de Iélectronique moderne. Ensuite, le silicium a pris le pas sur le germanium pour des raisons de colt mais également pour ses propriétés physico-chimiques quile rendent beaucoup plus intéressant que le germanium.15 Dunod. 20 Copyright © (© Danod. Tous reproduction non autorise est un 3 3.2 3.3 34 28 3.6 37 3.8 OGD pour chaque question, cocher Ia ou les réponset) exacts) (les réponses sont au verso). Quand on applique directement une tension de 5 V aux bornes d'une diode = 11 aysila cathode est reliée a la borne positive du générateur, il ne se passe rien 1 b.si anode est relige a la borne négative du générateur, la diode est détruite Cc. la diode est détruite dans tous les cas La résistance dynamique d'une diode 11 acest en général tras faible 1 b. permet de considérer que la diode est équivalente a cette résistance lorsquielle est passante Oc. sexprime en siemens Lorsqu’une diode est polarisée en sens inverse 1 a. un effet c'avalanche apparait si la tension appliquée dépasse un certain seull 1 b.un courant de quelques micro-ampéres circule malgré tout dans la diode O celle pe une forte chaleur Lorsqu'une diode est bloquée : 1 aelle se comporte comme un circuit ouvert 1 belle se comporte comme un condensateur 1 celle se comporte comme une résistance infinie La cathode d'une diode : 1 a.est la borne par laquelle entre le courant en sens direct 1b. correspond a la zone dopée N 1 est la borne de potentiel le plus bas lorsque la diode est polarisée en sens direct Un montage redresseur simple alternance nécessite : 1 a.une seule diode 1 b.au moins deux diodes 1 e.quatre diodes Un montage redresseur double alternance nécessite 1 a.quatee diodes 1 b.une diode Zener 0 c.deux diodes Une des principales applications des diodes Zener est: 0 a. lécrétage des sionaux bile redressement double alternance 1 cla régulation de tension 8384 Réponses 3.11 3.2 3.3 34 35 3.6 3.7 3.8 a. et b. Sila cathode est reliée au potentiel le plus élevé, elle est polarisée en sens inverse. Il ya peu de risque qu'un effet d'avalanche apparaisse pour une tension de 5 V donc la diode sera bloquée. Si clest lanode qui est reliée au potentiel le plus élevé, la diode est polarisée fen sens direct avec une tension de 5 V a ses bores. Un courant trés intense va la parcourir et risque de causer sa destruction. ‘a. La pente de la caractéristique de la diode en sens direct est plutat grande et cette pente est inverse de la résistance dynamique. Attention, la diode n'est pas équivalente a sa résis tance dynamique. Et bien sir, cette résistance dynamique s'exprime en ohms. Voir Fiche 28. a. et b, Leffet davalanche apparait effectivement dés qu'on dépasse un certain seuil de tension inverse, Sinon, un trés faible courant circule dans la jonction PN. Cela dit, la puls- sance dissipée dans la diode sera donc trés faible et il y a peu de risque quielle dégage de la chaleur. a., b. et c. Lorsque la diode est bloquée, la zone de déplétion se comporte comme un Isolant ; les trois réponses sont donc acceptables. Une résistance infinie s'apparente en effet un circuit ouvert, Il est intéressant de s'attarder sur la réponse b : si on appelle e !pais- seur de la zone de déplétion, 5 sa section et «,, la permittivité diélectrique relative du silicium, la zone de déplétion peut étre considérée comme un condensateur plan dont la capactté a pour expression : C = “25. Comme e dépend de la tension inverse applique, la capacité de la diode varie, de surcrott, en fonction de cette tension b. et c. En sens direct, le courant entre par l'anode, La cathode (qui est bien dopée N) est donc dans ce cas un potentiel plus bas. a. Une seule diode suffit. Voir Fiche 31. a. Il ‘agit du pont de Graetz étudié dans la fiche 32, . Voir Fiche 33.Copyright © 2015 Dunod. (© Danod, Tous reproduction non arise et und EXERCICES Les corrigés sont regroupés en fin Wouvrage (p.359). 3.1 Dans le circuit représenté sur la figure ci-dessous, déterminer l'état (passant ou bloqué) de la diode, Si elle est passante, déterminer la valeur du courant qui la traverse, On supposera que la diode est parfaite (tension de seuil égale & 0.7 V). 3.2 Dans le circuit représenté sur la figure ci-dessous, determiner Tétat (passant ou bloqué) de la diode, Si elle est passante, déterminer la valeur du courant qui la traverse, On supposera que la diode est parfaite (tension de seuil égale & 0,7 V). 3.3 Dans le montage représenté sur la figure ci-dessous, calculer la puissance dissipée dans la diode, On supposera que la diode est parfaite (tension de seuil égale & 0.7 V). 85ght € 86 3.4 Dans le montage représenté sur la figure ci-dessous, calculer la puissance dissipée dans la diode. On supposera que la diode est parfaite (tension de seuil égale & 0,7 V). 3.5 Deux diodes supposées parfaites supportent chacune une puissance maximale Pax = 200 mW. Ces diodes sont placées dans le circuit de la figure ci-dessous et on se propose @ajuster la valeur de R pour qu‘aucune des deux diodes ne consomme une puissance supérieure AP, R,=200 a) Montrer que les deux diodes sont passantes. b) Calculer les expressions des courants circulant dans les deux diodes. 6) En déduire que la puissance dissipée dans la diode D, est la plus importante. @) Déterminer la condition sur R pour que la puissance dissipée dans chaque diode soit inférieure A Prax 3.6 Dans le circuit représenté sur la figure ci-dessous, déterminer la puissance P, dissipée dans la diode Zener, ainsi que la puissance P, dissipée dans la rés snce. Montrer que P + F correspond bien & la puissance P, fournie par le générateur. La diode Zener est caractérisée par une tension V,, = 12 V. On donne E = 20V et R = 80.2.right © 201! c Chapitre 4 Les transistors bipolaires Objectifs Le transistor bipolaire est un composant fondamental des systémes électro- niques. Ses caractéristiques et ses différents types de comportement le destinent a participer a de nombreuses fonctions élémentaires dans pratiquement tous les dispositifs. Nous abordons dans ce chapitre I'étude de la polarisation du transistor qui correspond a son fonctionnement statique. Cette polarisation est une étape préalable a son fonctionnement en régime variable que nous aborderons au chapitre 5. Nous verrons également que le transistor n'a pas toujours vocation a fonc- tionner linéairement et que le régime de commutation permet des applications extrémement intéressantes.Cr 34 88 Le transistor bipolaire Composant essentiel de l’électronique moderne, le trans deux jonctions différentes qui lui conférent des caractéristiques électriques un peu plus complexes que celle de la simple diode. C’est & partir de ces caractéristiques que nous pourrons examiner le comportement électrique du transistor. 1. Définition Un transistor bipolaire est formé d'un cristal de silicium comportant trois zones de dopage distinctes. Selon les cas (voir figure 34.1), les transistors sont dits NPN ou PNP. collecteur émetteur zone fortement dopée base Figure 34.1 Ces trois zones correspondent aux trois bornes du transistor : le collecteur, la base et Vémetteur. La structure d'un transistor n’est pas symétrique. En effet, la zone corres- pondant a I’émetteur posséde un dopage plus important que celle correspondant au collecteur. On ne peut done pas inverser émetteur et collecteur dans un montage & tran- sistor. Le principe fondamental du fonctionnement de ce dispositif consiste A pouvoir contréler la conduction des électrons, de l'émetteur vers le collecteur, par le flux d’élec- trons issu de la base, dans le cas d'un transistor NPN. Dans le cas du transistor PNP, il Sagit de contréler la conduction des électrons, du collecteur vers ’émetteur par le flux d’électrons entrant dans la base. Schématiquement, on représente les transistors ‘comme indiqués sur la figure 34.2 et on associe & chacun six grandeurs électriques : trois courants et trois tensions. Ona bien évidermment Jy, = Jy + Ie et Ven = Ver ~ Var c ae E a he 8 at “m8 E “Ne E ¢ transistor NPN transistor PNP Figure 34.22. Les caractéristiques du transistor bipolaire NPN Le fonctionnement du transistor NPN est décrit par les courbes caractéristiques qui lient les grandeurs électriques précédemment définies. Comme J, et Veg se déduisent des quatre autres, usage est de considérer les caractéristiques liant Ip, Tc, Vax: et Ver (figure 34.3), Fondamentalement, il importe de retenir les propriété suivantes : brary + lacourbe I, = f (Vg) correspond au fonctionnement de la jonetion base — émetteur. Tlsvagit done de la caractéristique d'une diode. On a: I = I,e%#!" avec Vy = 25mV A température ambiante ; + le courant de collecteur /¢ et le courant de base Jy sont ligs par la relation fonda- mentale /¢ = ily. Le coefficient f est une caractétistique intrinstque du transistor. I Sagit de son gain en courant. Il est, en général, de Tordre de quelques dizaines 2 quelques centaines, selon les types de transistor ; = o o + Iafonetion fe = f (Vee) dépend de la valeur de Iq (done de Vpx.), ce qui nous donne, finalement, un réseau de caractéristiques. points de 'e= Ble polarisation — chaque courbe correspond a différentes valeurs de Vee Vgetrop faible transistor bloqué zone de saturation u transistor Figure 34.3 ‘Une fois placé dans un montage, le transistor présente des différences de potentiels et des courants donnés, En régle générale, on commence par polariser le transistor, c’est- a-dire par définir les valeurs continues des tensions de base, d’émetteur et de collecteur. ® Cela permet de définir un point particulier, dit de polarisation, sur le schéma de la 2 figure 34.3. Cette opération est réalisée en choisissant judicieusement les composants S environnant le transistor (généralement des résistances). II est ainsi possible de placer 7 le point de fonctionnement ott bon nous semble sur le réseau de caractéristiques de la 8 figure 34.3. Lorsque Pon souhaite utiliser ensuite le montage pour faire varier linéaire- ment les grandeurs électriques autour du point de polarisation, il convient de placer ce point dans la zone linéaire. (© Danod. Tous reproduction non autos est un 89Cn 35 90 La polarisation d’un transistor La polarisation du transistor est un préalable incontournable @ son fonctionnement en régime linéaire ou, d'une maniére générale, & la mise en ceuvte des fonctions que Ton souhaite lui faire remplir. Cette fiche présente, a la lumire du réseau de caractéristiques du transistor, le principe général qui préside au choix des grandeurs électriques que l'on souhaite lui imposer, selon application considérée. Nous reviendrons sur cet aspect fondamental qu’est la polarisation lorsque nous étudierons, au chapitre 5, le fonctionne- ment linéaire du transistor et nous nous contenterons ici, d'un exemple simple destiné a illustrer le principe. 1. Le point de fonctionnement Polariser un transistor, c'est l'inclure dans un montage qui lui impose un point de fone- tionnement, en régime continu, caractérisé par la définition des quatre grandeurs Ip, Tc. Vor: et Veg. Le point de polarisation ainsi defini (figure 34.3), peut se trouver : + dans la zone linéaire d'une caractéristique Io = f (Ver). On dit que le transistor est correctement polarisé pour fonctionner linéairement (nous verrons au cours du prochain chapitre que cela revét une importance capitale dans un grand nombre d'ap- plications du transistor), Dans ce cas, on admet que Vag: = 0,7 V ; + dans la zone de uration dune caractéristique Ie = f (Veg). Dans ce cas, on dit que le transistor est saturé et on a Ver 0. Ce phénoméne est en général causé par un courant de base trop important. On admet alors que tout se passe comme si le tran- sistor, entre son collecteur et son émetteur, était équivalent & un court-circuit ; + Sur la caractéristique particulitre J<. = 0 correspondant & une tension Vg trop faible. Le transistor est alors bloqué. Tout se passe comme si le transistor, entre son collecteur et son émetteur, se comportait comme un circuit ouvert. La figure 35.1 présente un exemple de circuit de polarisation trés simple Pun transistor NPN. Dans un tel transistor, le courant de base est toujours orienté positivement vers la base, le courant de collecteur, vers le collecteur et le courant d’émetteur est compté post vement sortant de lémetteur. En supposant que ce transistor est polarisé de sorte que le point de fonctionnement se situe dans la zone linéaire, on a : Vig = 0,7 V. ‘Comme 'émetteur est reli la masse, on a Vg = O et done Vq = 0,7. Dot Ig - te te Io = flg= pica ny BRe Wee cle = VeoCopyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non autos est un Figure 35.1 Ce calcul suppose a priori que le transistor est correctement polarisé. Le résultat trouvé pour Ver Validera ou non cette hypothése. Seule une valeur positive (et suffisamment éloi- née de 0 de surcroit) valide cette hypothése. Si on souhaite que le point de polarisation se trouve au milieu de la zone linéaire (nous verrons plus loin quel est l'intérét de ce choix), on opte en général pour une valeur de Vor voisine de 0,6 x Voc. 2. La polarisation du transistor PNP Les prineipes de fonctionnement et de polarisation du transistor PNP different de ceux du transistor NPN par les sens des courants (figure 35.2) et par la relation Vp = — 0.7 V - Noter que dans ce eas, la différence de potentiels Voy est négative. La relation Ic = ply reste valable & condition de compter positivement les courants /,, et Ic sortant respecti- vement de la base et du collecteur. Figure 35.2 Létude des montages & transistors PNP ne pose pas de difficulté particulitre par rapport & ceux composés de transistors NPN. En faisant bien attention aux signes qui sont différents, on appliquera les mémes régles de calcul pour déterminer les équations de fonctionnement et les points de polarisation. ae p Fetes] Exercices 5 ES is] 9192 iche 36 Lapproche physique de la polarisation 1, Le transistor commandé en tension La premiere approche physique naturelle de la polarisation du transistor NPN consiste & considérer qu'il s‘agit d'un systéme électrique commande par la tension base-émetteur, autrement dit Vpp. + Lorsque Veg: < 0,7 V, la diode base-€metteur est bloquée (figure 36.1). Comme il est tis rare que Vey, soit négatif, on a Veg > 0 => Vo = Vac + Vox <0,7V > Vgc < 0,7. La jonction base-collecteur est done bloquée également. Les trois zones du transistor sont donc comme déconnectées les unes des autres : le transistor est blogué, * Lorsque Vgz = 0.7 V, la jonction base-émetteur devient passante (figure 36.2). Comme l’émetteur est fortement dopé N, un flux trés important d’électrons est injecté dans la base. Une faible partie de ces électrons se recombinent aux trous de la base, générant ainsi un faible courant de base, tandis que la majeure partie d’entre eux fran- chit la jonction base-collecteur pour produire le courant de collecteur. Le transistor conduit. zones de déplétion ‘solantes N PN collectour 6metteur —_, | —___ Voc< 0,7 Vge<0,7V base Figure 36.1 zone N fortement dopée collectour émettour I Figure 36.2unod. 2 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non autos est un 2. Le transistor commandé en courant On peut aussi considérer le transistor comme un dipéle collecteur-émetteur commandé par le courant de base. En effet, la valeur du courant de base J, détermine entitrement Te type de fonctionnement du transistor. * Si Jy = 0 ou s'il est trop faible, le transistor est bloqué. Dans ce cas, le dipdle forme par le collecteur et l’émetteur du transistor se comporte comme un circuit ouvert : Jc = 0, quelle que soit la valeur de Voy. * Si Jg est trop important, le point de polarisation se trouve sur une caractéristique Ic = f (Vex) située trés haut dans le quadrant des caractéristiques (Jc, Veg) de la figure 34.3, Une valeur élevée du courant Je amene obligatoirement le point de pola- risation dans la zone de saturation du transistor. Dans ce cas, on aura Vey ~ 0 quel que soit le courant de collecteur J. Le dipdle collecteur-émetteur se comporte comme un court-circuit ; le courant de collecteur ne vérifie plus la relation [~. = fil ; le tran- sistor est saturé, Remarque En réalité, une tens subsiste. on limite de saturation Ver, de quelques dixiémes de volts * Si Jy posséde une valeur qui place le point de polarisation dans la zone linéaire dune caractéristique Ic. = f (Vex). le dipdle collecteur-émetteur est parcouru par un courant de collecteur tel que Ie = ily 93 cM ExerciLe fonctionnement en commutation 1, Détermination de l'état de conduction d’un transistor Si un transistor n'est pas polarisé dans sa zone linéaire, il peut étre soit bloqué (Vag: et Tp sont tres faibles), soit saturé (Vo tres faible). Tl existe de nombreux systémes faisant appel & cette propriété des transistors. On parle alors de fonctionnement en commutation dans le cas od seuls les deux états (bloqué ou saturé) nous intéressent, En régle générale, une simple analyse du point de polarisation suffit & déterminer si le transistor est bloqué ou saturé. Dans le cas de la figure 37.1, on constate immédiatement que Vag = 0. Le transistor est done bloqué et son courant de collecteur est nul. Vg 10V R Figure 37.1 Vog=10V A,=2000 Figure 37.2 Le cas de la figure 37.2 est moins évident et nécessite une méthode particuligre : pour déterminer l'état de conduction du transistor, on suppose qu'il est polarisé dans sa zone linéaire. Si ce nest pas le cas, on aboutit rapidement & une contradiction. Ai transistor est polarisé dans sa zone linéaire, on a: Vap = Vy = 0,7 V. Voc - Vy _ 10-0,7 Ry 1500 le ght € Dioa: fy = = 6,2mA et Ie = Bly = 50 0.0062 = 0,31 A. 945 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un Calculons a présent Voz = Ve. Ona: Voc Dood: Vo = Veo — Rel = 10 200 x 0,3 2. Orla tension V4, ne peut descendre en dessous de 0 V. L’hypothése de départ est donc fausse. Le courant [¢ ne pourra jamais atteindre cette valeur de 0,31 A mais se stabili- sera & une valeur correspondant & Ve = 0 V. \ Yoo _ 10 = soma. Re 200 Soit: Ic Le transistor est done saturé. Il faut noter que dans ce cas, Pgalité Je = fly n'est plus valable, On a, en réalité: Ic < ily. 2. Applications I existe de nombreuses applications des transistors fonctionnant en commutation car dans ce cas, il agit comme un interrupteur que l'on peut commander. Bon nombre de fonctions logiques peuvent aussi étre implémentées a partir de ce principe. Par exemple, la figure 37.3 représente la fonction logique de négation. Lorsque V; = 5 V,ona Vs = 0 V et réciproquement. En effet, si Ve = 0 V, la jonction base-émetteur est bloquée. Aucun courant de base, ni de collecteur ne peut circuler. La différence de potentiels aux bornes de Re est done nulle et on a V, = Figure 37.3 , Ve = 5V, la jonction base-émetteur est correctement polarisée et, 0,7V. Si, au contrai comme l’émetteur se trouve a la masse, on a Vp, Le courant de base est donc égal 3 : (On en déduit le courant de collecteur puis la tension V, pYiaYe — 100 x 0,43 x 107 Re Yoo -¥, = Role = Ve= Yeo ~ Role Te = Bly 43mA = 1000 x 43 x 103 = -38-V. Cette valeur étant impossible & obtenir, le transistor ne peut étre que saturé a la valeur Vo=V,=0. Pra Yd = o o 9596 Les montages a plusieurs transistors De nombreux montages fort utiles nécessitent Putilisation de plusicurs transistors comme le montage Darlington et le montage différentiel que nous décrivons ici. Ils sont particu- Jigrement intéressants dans la construction d’amplificateurs aux performances exigeantes. Nous verrons plus tard qu'il existe d'autres montages typiques (push-pull, miroirs de courant, etc.) basés sur 'utilisation simultange de plusieurs transistors, parfois méme d'un transistor NPN et d'un transistor PNP dits complémentaires, cest--dire qui posséde des caractéristiques similaires, tout en étant caractérisés par des tensions et courants et sens opposé: 1, Le montage Darlington Le montage de la figure 38.1 représente deux transistors placés en cascade au sein d’un montage dit Darlington, Les transistors T1 et T2 sont caractérisés respectivement par des gains en courant fi; et f,. IIs sont supposés étre polarisés dans leur zone linéaire. Ce montage permet, & partir de deux transistors différents, de construire un dispositif dont le gain en courant est le produit des deux gains fi et fi. Le montage Darlington constitue, cen quelque sorte, un « super-transistor >. E Figure 38.1 Aprés avoir remarqué que le courant de collecteur [¢, de T1 devient le courant de base de T2, soit fy3, on peut écrire : Loy = Pilg, => ey = Myo = (Br + Dlr Droit: [eo = Boly> = Br(B: + DI La oi des noeuds nous donne immédiatement : To = Ter + Tea = Biles + BoB + Dla: = (81 + Bo (B, + Dor. Par ailleurs : Ty) = (By +1)Iyo = (Bs + (By + Dy En considérant que les gains de chacun des deux transistors sont grands devant 1, on peut simplifier ces expressions : To = (1B, + BB Mas = B+ Bo)ni = BiBolor => Te ~ ByBotoi-5 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un 2. Le montage différentiel La figure 38.2 représente deux transistors supposés identiques avec = 100, dont on relie collecteurs et émetteurs. On s'intéresse au point de polarisation Ve. Figure 38.2 Le montage étant symétrique, les deux courants de base sont égaux. En supposant que les transistors sont polarisés dans leur zone de fonctionnement linéaire et compte tenu du fait que les émettcurs sont reliés & la masse, chacune des deux tensions de base vaut : Vp = 0,7 V. Les courants de base ont done pour intensités Veo =Vq _ 15-0.7 Re 8x 10° In= 1,79 mA. Chacun des deux transistors présente donc le méme courant de collecteur : Te = Bly = 100 1,79 x 109 = 179 mA. Le courant circulant dans la résistance Re est done égal A la somme de ces deux courants /¢ identiques, soit 2/¢. On a done : Veo ~ Ve = 2Rele. Soit: Vo = Voc — 2Rele = 15 - 2x 27 x 0,179 = 5,33 V. Remarque Ce type de circuit figure parmi les plus importants en électronique. Tl ‘agit d'un montage différentiel qui est & la base des amplificateurs du. méme nom que nous étudierons au cchapitre suivant. Nous retrouverons ce montage différentie! A plusieurs reprises puisqur'l est & la base un dispositif amplificateur particulier capable, justement, d'amplifier la diffiérence entre deux signaux, dot sa dénomination. Nous verrons par ailleurs qu'il existe plusieurs versions de cet amplificateur possédant des qualités différentes selon les aménagements que Yon y implémente. = o o 97qa \V @ Inventé en 2947 par trois Américains John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain, le tran- sistor simpose des les années 1950 comme une alternative robuste et efficace av tube électronique. Il fonctionne sous des tensions moins élevées, consomme peu d'énergie, il est facile & fabriquer et & rminiaturiser. lest de fait, aujourd'hui la brique de base de toute Iélectronique moderne. len existe de multiples modales qui, d'une maniére générale, se distinguent + parles valeurs maximales de leurtension Vc¢ et de leur courant Ic ainsi que parla valeur maximale du produit Vee lc, qui correspond a la puissance maximale admissible parle transistor; + parles conditions dans lesquelles ils peuvent étre utlisés (température, environnement a radiations, etc); parla précision de leurs caractéristiques. Les transistors se présentent sous la forme de différents boitiers dans lequel les semi-conducteurs sont implantés, Certains boitiers sont traversants, ce qui signifie quis sont dotés de pattes de connexions destinées & étre soudées sur des circuits imp: montage en surface) dont les pattes, plus larges, sont soudées directement, sans percage, &la surface des circuits, Cette derniére solution est particullérement bien adaptée av montage des composants par des robots. Ci-dessous plusieurs types de boitiers usuels. Les cing premiers sont traversants ; le botier SOT 8g est un boitier CMS. is percés. D'autres sont dits CMS (composants pour 9 Rh. Th To92 TOI TO39 T0220 Tos soT89 Les transistors de puissance se présentent souvent en bottiers TO 3 et doivent en général tre montés surdes radiateurs afin de dissiper la chaleur quills produisent sous peine de voir le fonctionnement du transistor se dégrader et méme dentrainer sa destruction. Il existe des radiateurs adaptés aux boitiers de moyenne puissance comme le TO 39 ou le TO 220. 98Copyright © 2015 Dunod. (© Danod. Tous reproduction non autorise est un 41 42 43 44 45 46 47 OGD pour chaque question, cocher Ia ou les réponset) exacts) (les réponses sont au verso). Lorsqu'un transistor bipolaire NPN est saturé : 1 a.sa tension base-émetteur est prache de 0V 1 b. sa différence de potentiels collecteur-émetteur est proche de 0V 1 cla relation fc = fly n'est plus valable Sion applique une tension Vi 1 ale transistor sera saturé 1 bile transistor sera détruit 1 cle transistor sera bloqué Si on applique une tension Vj_ = -1V entre la base et émetteur d'un transistor NPN : 1 ale transistor sera saturé 1 bile transistor sera détruit, 1 c.le transistor sera bloqué Un transistor NPN étant formé d'une zone P formant sa base et de deux zones N formant son collecteur et son émetteur : 1 a.on peut inverser émetteur et collecteur sans perturber le fonctionnement du transistor 1 bala structure du transistor est parfaitement symétrique 11 c.on ne peut pas inverser émetteur et collecteur Un transistor NPN est bloqué 11 aysissa tension Vgc est voisine de 0V 1 b.si son courant de base est nul Oc sison courant de collecteur est nul Dans un transistor NPN, les électrons circulent : 1 a.de lémetteur vers la base 0b. de Fémetteur vers le collecteur 1 .du collecteur vers la base Quand un transistor PNP est polarisé correctement, on a Da. V_ = -07V Ob k= Dee <0 1V entre la base et l'émettour d'un transistor NPN 99100 Réponses 4) 42 43 44 45 46 47 bet c. Le phénoméne de saturation est en général causé par un courant de base trop impor- tant. La relation ic = ply n'est plus valable et on a Ver > 0. b, La jonction base-émetteur du transistor fonctionne comme une diode. Appliquer une tension trés supérieure a 0,7 V aura pour conséquence de faire apparaitre un courant de base tras élevé qui sera, sans aucun doute, destructeur. Comme pour une diode, "application d'une tension négative faible entre la base et 'émet- teur bloque cette jonction. En revanche, si cette tension devenait trop importante, en valeur absolue, on observerait un effet avalanche destructeur. cc. La structure du transistor n'est pas symétrique et il n'est donc pas possible d'inverser collecteur et émetteur. La zone correspondant a lémetteur posséde un dopage plus impor- ‘tant que celle correspondant au collecteur. a. beet c Le transistor est bloqué lorsque sa tension Vgc tend vers 0, ce quia pour consé- quence un courant de base nul et un courant de collecteur tout aussi nul. a. et b. Voir Fiche 36. a. et €. Voir Fiche 35.Copyright © 2015 Dunod. (© Danod, Tous reproduction non antorise et un EXERCICES Les corrigés sont regroupés en fin d’ouvrage (p. 362). 4.1 On considere Je montage de la figure ci-dessous dans lequel le transistor est caractérisé par B = 100, Montrer que le transistor est polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire et calculer son point de polarisation. On suppose que la tension de saturation du transistor est Veg = 0.2 V. Ona Ry = 10K, Re = 50M et Voc = 10V. 4.2 On reprend le schéma de la figure précédente en changeant uniquement la résistance de collecteur qui vaut A présent Rc. = 1 000 ©. Montrer que le transistor est & présent saturé et que Végalité Ic = ly rest plus vérifige. 4.3 On reprend une fois de plus le schéma de la figure ci-dessus avec, cette fois-ci Re = 4000 Q. La résistance Ry est variable et Voc. = 10 V. Calculer Jc,y, le courant de saturation du transistor et en déduire la condition sur Ry qui assure une polarisation du transistor dans sa zone de fone- tionnement linéaire. On donne f = 100. 4.4 Dans le montage de la figure ci-dessous, calculer les valeurs des courants I, Je et I puis déterminer les potentiels aux points B, C et E. On donne :f = 200, Ry = 14 kQ, Re = 500, Ry = 70 Qet Ve 1014.5 Dans le montage de la figure ci-dessous, calculer les valeurs des courants Ip, Ie et Ty puis déterminer les potentiels aux points B, C et E. On donne f = 100, Ry = 10kQ, Re = 50M et Vpn = -10V. 4.6 Dans le montage de la figure ci-dessous, calculer les valeurs des quatre résistances de sorte que l'on obtienne un point de polarisation caractérisé par les potentiels Vo = 6 V et Ve = 2V avec un courant de base fy = 100 WA. On donne 4.7 Dans le schéma de la figure ci-dessous qui représente une partie réduite d’un montage, le potentiel au collecteur du transistor a pour valeur Ve = 4V. Les résistances ont pour valeurs Ry = 10k ct Re = 100. Calculer le potenticl Vz de V'émetteur du transistor, celui-ci étant supposé polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire. Le gain du transistor est = 200. RY % sY=10V 102Chapitre 5 Les transistors bipolaires en régime dynamique Objectifs Un des principaux intéréts du transistor bipolaire consiste a faire varier ses différentes grandeurs électriques (courants et tensions) autour de son point de polarisation. On parle alors de régime variable ou dynamique. Si les varia~ tions de tensions et de courants ont de suffisamment faibles amplitudes, les grandeurs électriques associées varieront linéairement. On parle alors aussi de régime de petits signaux. Ce fonctionnement est a la base de l'une des fonctions essentielles de l'électro- nique : amplification des signaux électriques.104 Les paramétres hybrides du transistor NPN Comme cela a déja été évoqué a plusieurs reprises, l'un des intéréts du transistor bipolaire réside dans la possibilité de faire varier ses grandeurs électriques (courants et tensions) autour d’un point de polarisation donné en supposant que ces variations sont linéaires, Cest-d-dire proportionnelles a la cause qui leur donne naissance. Liétude de ce fonetion- nnement linéaire du transistor va nous conduire & définir un certain nombre de paramétres fondamentaux qui, le moment venu, nous permettront de mettre en équations simples le fonctionnement des montages. 1. Le régime de petits Si un transistor bipolaire est polarisé en un point correspondant & Vie,» Ig,» Lc, et Ver, (figure 39.1) et que l'on fait varier la tension base-émetteur autour de la tension Vi. on peut écrire Vpp(t) = Vyp, + d¥pp(t) od Svpp(¢) représente la variation de la tension base-émetteur autour de son point de polarisation (ou point de repos). fe ‘zone linéaire Chaque courbe correspond & différentes valeurs de Vge Moe Latension oe a + ‘sur une seule + 1 eatactretque Veet) rials sur une dre Site de charge. Figure 39.1 Une variation de la tension vp, induit inévitablement une variation du courant de base ig, donc du courant de collecteur ic. II s‘en suit, par conséquent, une variation de la tension vcy. On imagine fort bien en observant ce diagramme, que de trés petites varia- tions de vp sont susceptibles dengendrer de grandes variations de ver, ce qui permet envisager le fonctionnement du transistor comme la base de la fonction d’amplification.right © 201! c (© Danod. Tous reproduction non autos est un On parle de régime dynamique de petits signaux lorsque les variations de vp: sont sutfisamment faibles pour supposer que la variation du courant de base est linéaire. Cela revient & assimiler localement la courbe ig = f(Vge) 8 une droite. Dans ces conditions, ict Veg Varient aussi linéairement avec ve. Ainsi, une variation sinusoidale de vp, se traduit par des variations sinusoidales de chacune des autres grandeurs électriques, associées au transistor. 2. Les paramétres hybrides Lorsque le transistor fonctionne lingairement en régime de petits signaux, on peut exprimer les variations de i et de vc, en fonction des variations de vy, ou de iy, ou inversement. Important Pour des raisons de commodité d'écriture, nous choisirons désormais de nommer Vee, fa, ic et Vor les variations de ces grandeurs autour de leurs points de repos, respec- tivement Vays ley fey €t Vets» Les expressions qui lient ces grandeurs variables entre elles, en régime linéaire, s‘expri- ment ainsi : ig + Iyer {rm = ic = Iain + Ine. ouencore: | "#® |=[ ft fe ca ic fy ten J vee) Yer La matrice H est la matrice hybride du transistor en régime de petits signaux. Les coefficients /, sont appelés paramétres hybrides du transistor. + Jn correspond a la résistance dynamique de la jonction base-émetteur (on dit aussi de la diode base-émetteur). Sa valeur est de ordre du kilo-ohm. Elle dépend normale- ment de la température et du courant de base. + Ing est un nombre sans dimension trés faible. En régle générale, on considére que In) = 0. + Ii est le gain en courant du transistor, soit ly = + hig est homogene a linverse d'une résistance, c’est-a-dire & une conductance, et s’ex- prime en siemens (S). Ce paramétre, appelé conductance de sortie, est tel que 1 / Iy2 est de ordre de quelques dizaines de kilo-ohms, Sous certaines conditions, on pourra considérer que fy, = 0. Ces paramétres hybrides vont nous permettre, a instar de ce que nous avons dja étudi€ pour les quadripdles, de construire des schémas équivalents des montages étudiés et d’en déduire un certain nombre de param@tres macroscopiques fondamentaux : gains, impédances dentrée et de sortie, notamment. 2 Fiche 15, 16,17 105106 Le schéma équivalent du transistor Le schéma équivalent du transistor en régime de petits signaux est un modéle qui valable que pour les composantes variables des grandeurs électriques. II suppose que le transistor est polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire et que les signaux sont d'une amplitude qui reste compatible avec 'hypothése de lingarité de fonctionnement, autrement dit, d’amplitude suffisamment faible. La construction du schéma équivalent global d'un montage est une étape indispensable pour déterminer ses caractéristiques de fonctionnement. 1, Le modéle basé sur les paramétres hybrides On peut représenter le fonctionnement du transistor en régime linéaire de petits signaux par un modéle de type quadripéle en considérant, par exemple, que les grandeurs entrée sont Vpp et ip et que ic et ver Constituent les grandcurs électriques de sortie (figure 40.1.a). Dans ces conditions, on peut proposer un schéma équivalent du tran- stor, valable uniquement pour les composantes variables de ces grandeurs électriques (figure 40.1.b). Figure 40.1 Selon que Von néglige h,» ou que Yon néglige & ta fois hy» et fiyy, Cautres schémas, Equivalents plus simples peuvent &tre utilisés (figure 40.2). hy rae Figure 40.25 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non autos est un 2. La construction des schémas équivalents Le schéma équivalent représente le fonctionnement dynamique du transistor. Ce schéma ne concerne que les signaux (courants ou tensions) variables. Lorsque le transistor est inclus dans un montage quelconque (par exemple, celui de la figure 40.3), il est néces- saire de proposer un schéma équivalent de 'ensemble. Vis-a-vis des signaux variables, un point quelconque porté & un potentiel constant (et c'est le cas pour tous les points reliés & Palimentation +Vcc) se trouve done a la masse puisque la tension en ce point ne peut en aucun cas varier. Dans un schéma équivalent en régime de petits signaux, le potentiel 0 correspond done aux points dont la partie variable de la tension est nulle. Figure 40.3 La figure 40.4 présente le schéma équivalent du montage réel en régime de petits signaux. Dans ce schéma équivalent, les résistances R, et Re. sont religes & la masse alors qu’elles sont religes 4 +V¢c dans le montage original. Me ick Yee (2) Figure 40.4 Dans un schéma équivalent en régime de petits signaux variables, seules les compo- santes variables des signaux sont considérées. Tous les potentiels constants sont Equivalents a la masse. 107right © 201! Cor an | 108 Les amplificateurs icateur de tension est un systéme électronique qui permet de multiplier P'am- plitude d'un signal dentrée v,(¢) par une constante Gy pour obtenir un signal de sortie ¥,(0 = Gyve(0). La constante Gy est appelée gain en tension de ’amplificateur. Un amplificateur de courant permet deffectuer une opération similaire sur les courants. Ainsi, si on appelle i,(Het i,(1) les courants d'entrée et de sortie d’un tel dispositif, on aura : i,() = Gai.(). La constante G4 est appelée gain en courant de lamplificateur. Certains amplificateurs amplifient a la fois la tension et le courant. Ce sont des ampli- ficateurs de puissance. Les transistors, compte tenu de leurs propriétés, se prétent trés bien a la réalisation de montages amplificateurs variés. Figure 41.1 2. Les résistances d’entrée et de so! On utilise un amplificateur en connectant une source de tension & amplifier sur son entrée et, d’une maniére générale, en reliant une charge a sa sortie. Cette charge est destinée & «utiliser » le signal ainsi amplifié (figure 41.2), Figure 41.2 Comme les amplificateurs sont des montages généralement linéaires, on peut appliquer le théoréme de Thévenin a leurs bornes de sortie, Ainsi, Pamplificateur, vu de sa sortie, est équivalent d un dipole de Thévenin composé d’un générateur de tension parfait placé en série avec une résistance Ry dite de sortie (ou d'une impédance de sortie Zs). Le agénérateur de tension parfait correspond a la tension a vide que Von note 49.201 Copyright € (© Danod. Tous reproduction non autorise est un Si on court-circuite le générateur placé A Fentrée du circuit, on Lorsque lamplificateur, vu de ses bornes de sortie, est équivalent & un dipdle contenant en série un générateur de courant, limpédance de sortie est considérée comme infinie. De méme, 'amplificateur, vu de ses bornes dentrée, est Equivalent a une résistance ¥, ‘entrée R_ (ou A une impédance d’entrée Z,) telle que : R, = ~=. te Dune manidre générale, cette résistance d’entrée dépend de la résistance de charge Rj, placée en sortie du montage. 3. Les limites de fonctionnement d’un amplificateur ‘Tout amplificateur est également caractérisé par son excursion de sortie qui correspond aux valeurs limites (supérieure et inférieure) que peut prendre la valeur de sa tension de sortie : Vain < V5 < Vian Dans un amplificateur de tension, cette excursion, de fait, i a : " 2. Vi admissible du signal d’entrée : B® < yy << —B. Gy Gy En tentant d'amplifier un signal d’entrée d'amplitude trop élevée, le signal de sortie risque de « saturer > A Vijq CUOU 2 Vina aussi Pamplitude 4. Les condensateurs de découplage Les amplificateurs & transistors ont un fonctionnement basé sur des variations de tensions ou de courants autour de valeurs constantes dites de polarisation. Trés souvent, la borne entrée d'un amplificateur correspond a la base d’un transistor qui, pour fonctionner en régime linéaire, est polarisée & une tension non nulle. C’est autour de cette tension non nulle que doit varier le signal d’entrée. Or, le générateur placé & entrée de amplifica- teur délivre, le plus souvent, une tension variant autour du potentiel 0 V. Pour autoriser Ia liaison des deux éléments, on insére un condensateur dont le réle consiste & isoler les deux composantes continues des signaux tout en se comportant comme un court-circuit vis-a-vis des composantes variables de ces signaux. Ce condensateur est appelé conden- sateur de découplage. 5. Les différents types d’amplificateurs Il existe de nombreux types d'amplificateurs utilisant des transistors bipolaires selon les caractéristiques et performances recherchées. Le choix d’un montage peut étre dicté par la valeur recherchée pour un gain en tension, un gain en courant ou méme les deux. La valeur attendue pour limpédance d’entrée ou rimpédance de sortie est également tres importante. Selon le type de signal & amplifier, on pourra également s’orienter vers des montages plus sophistiqués : amplificateurs différentiels, amplificateurs push-pull, etc. Les fiches qui suivent présentent les montages les plus courants avec, & chaque fois, la méme méthode d’étude qui est basée sur la construction du schéma équivalent. 109110 Lamplificateur 4 émetteur commun 1. Le montage La figure 42.1 représente un amplificateur a émetteur commun dans lequel le transistor st supposé polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire. Les résistances R, et Ry sont choisies de sorte que /,, soit us inférieur & la résistance équivalente & leur asso- ciation en parallele Ry et on formule également Phypothése que la résistance Re est du méme ordre de grandeur que h,,. Le générateur v, délivre une tension variant autour du potentiel 0 V. Le condensateur de découplage C, permet d'isoler le point de polarisation de la base du transistor de ce potentiel 0 V tout en se comportant comme un court-circuit pour la composante variable. Le condensateur C;, quant 4 lui, permet de considérer Témettcur du transistor comme étant a la masse vis-a-vis des composantes variables tout cen préservant son point de polarisation. L¥émetteur est donc la référence commune entre entrée et la sortic, d’ot le nom de montage & émetteur commun. Figure 42.1 2. Le schéma équivalent Le montage de la figure 42.2 représente le schéma équivalent de ce montage en régime de petits signaux. Les deux résistances de polarisation R, et R, étant associges en paral- léle, on peut les remplacer par une seule résistance Ry Figure 42.2right © 201! c (© Danod. Tous reproduction non autos est un 3. Le calcul des gains en tension et en courant Pour déterminer le gain en tension, on calcule successivement la tension v, et la tension v, en fonction du courant de base ig. Sur le schéma equivalent, on lit immédiatement expression de la tension de sortie : v, = Rei, = —Rc Big. Par ailleurs, comme Ry >> hj), ig est tres supérieur au courant circulant dans la résis- tance Ry. Ona done ig * ig, GOW Ve = hin. -ReBiy __ Reb Dia:G te Tite Pa Comme R¢ et hy, sont du méme ordre de grandeur et que [i est généralement élevé, le gain en tension est done, la plupart du temps, élevé : Gy >> 1 Le gain en courant se détermine aisément : i, = ~Plig et i, = ip > Gy = Test done tres élevé. hiyyiy Comme hj, << Ry, Pimpédance d’entrée a pour expression :Z, hay Le dipOle formé par les bornes de sortie étant une source de courant parfaite, 'impé- dance de sortie de lamplificateur est infinie. > ‘amplificateur & émetteur commun posséde un grand gain en courant et un grand gain en tension. Il s'agit donc d'un amplificateur de puissance. Son impédance d’entrée correspond peu ou prow a hy, donc de 'ordre du kilo-ohm ; son impédance de sortie est infinie. Létude mise en euvre autour de cet amplificateur & émetteur commun sera la méme quel que soit le type d’amplificateur étudié, La méthode & retenir est la suivante : + Etude du point de polarisation & partir du montage proposé. + Construction du schéma équivalent en régime de petits signaux variables. Il s‘agit de remplacer le transistor par son modéle hybride équivalent dans te montage complet. Dans le schéma équivalent, tous les potentiels constants sont considérés comme étant Ala masse vis-A-vis des signaux variables. Bien noter que tr&s souvent, on utilise le schéma équivalent simplifié du transistor avec uniquement son gain en courant et sa résistance d'entrée. + Determination du gain en courant et/ou du gain en tension & partir du schéma equivalent. + Détermination des impédances d’entrée et de sortic. Ces quatre derniers paramétres sont en général les quatre caractéristiques fondamen- tales qui décrivent le fonctionnement de lamplificateur. WWW2 Lamplificateur a collecteur commun 1. Le montage Le montage de la figure 43.1 représente un amplificateur & collecteur commun, Le tran- sistor est supposé polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire. Les résistances R, et R, sont choisies de sorte que het PR, Soient tres inférieures a la résistance Equivalente a Teur association en paralléle Ry. Le générateur v, délivre une tension variant autour du potentiel 0 V. Le condensateur de découplage C permet d'isoler le point de polarisation de la base du transistor de ce potentiel 0 V tout en se comportant comme un court-circuit pour la composante variable. Le collecteur du transistor est relié & un potentiel continu fixe ;il est done considéré comme étant la masse vis-a-vis des composantes variables et sert de référence commune entre entrée et la sortie, d’ot le nom de montage & collecteur commun. Figure 43.1 2. Le schéma équivalent Le montage de la figure 43.2 représente le schéma équivalent de ce montage en régime de petits signaux. Les deux résistances de polarisation R, et Ry étant associées en RRs Parallel, on peut les remplacer par une seule résistance Ry = pe + Figure 43.25 Dunod. right © 201! Cor (© Danod. Tous reproduction non ate et un 3. Le calcul des gains en tension et en courant Sur le schéma de la figure 43.2, on lit immédiatement : iin > Ve = Ve t+ hyip Dood: v, = Ry (B+ Dig + hyip RB +1) — ROD car Re (B +1) >> hy. Re(B+ D+ hy eA tD >> hy puis Gy Par ailleurs, i, ati r a sig "oii (B+ Dig Ro(B +) Diot: G, = i BD gd OR Ga == RDI TR, RB D+hy +R Ry Limpédance d'entrée se déduit des expressions de v, et de i. Nous posséidons déja expression de v, et de i, en fonction de i. Ye _ RolRe (B+ 1) + his] On tire donc trés rapidement: Z, Ry (B+ 1) + hy + Ro Pour calculer Fimpédance de sortie, on court-cireuite les bornes dentrée sur le schéma Equivalent et on ol Ys hyip _ i i (B+Dig B+ Il peut étre intéressant de comparer les caractéristiques de cet amplificateur collecteur commun avec celles du montage & émetteur commun étudié dans la fiche préeédente et de constater que le méme transistor, placé dans un environnement légerement diffé- rent, peut finalement se comporter de manigre complétement autre. Ainsi, 'un amplifie uniquement le courant tandis que autre amplifie courant et tension. Il est par ailleurs tres intéressant de noter que leur impédance de sortie présente une différence notoire : tres faible pour le montage & collecteur commun, elle est théoriquement infinie dans le cas du montage 4 émetteur commun. ‘amplificateur a collecteur commun amplifie uniquement le courant ; son impédance de sortie est trés faible. 3 ocM Exerci