ROYAUME DU MAROC

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

FACULTE DES SCIENCES DE RABAT
DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

PROJET DE FIN D’ETUDE

Licence en Sciences de la Matière Physique
Réalisé par : Asmae OURHEDJA

Caractérisation des Cellules Photovoltaïques

sous Eclairement

Encadré par : Pr. MZERD AHMED

Soutenu le 04 / 07 / 2014 devant le jury :

MZERD Ahmed : Professeur à la Faculté des Sciences de Rabat.

BELAYACHI Azzam : Professeur à la Faculté des Sciences de Rabat.
HASSANAIN Najem : Professeur à la Faculté des Sciences de Rabat.

Année universitaire 2013 / 2014

1
 SOMMAIRE

INTRODUCTION GENERALE ………………………………………………………......…. 6

Chapitre 1 : CONJONCTURE ENERGETIQUE ........................................................... 7

1. Conjoncture mondiale ........................................................................................ 7

2. Conjoncture nationale ........................................................................................ 8

Chapitre 2 : THEORIE DES SEMICONDUCTEURS .................................................... 10

1. Introduction ......................................................................................................... 10
2. Bandes d’énergie ................................................................................................ 10
3. Isolant, Semiconducteur, Conducteur ............................................................. 11
4. Semiconducteurs intrinsèques ......................................................................... 12
5. Semiconducteurs extrinsèques ........................................................................ 15
6. Semiconducteurs type P ................................................................................... 15
7. Semiconducteurs type N ................................................................................... 15
8. Jonction abrupte à l’équilibre thermodynamique ........................................... 16
9. Jonction abrupte alimentée en courant ........................................................... 19
9.1. Densité de courant ..................................................................................... 19
9.2. Polarisation continue inverse ................................................................... 22
9.3. Polarisation continue directe .................................................................... 24
9.4. Caractéristique courant-tension ............................................................... 24
10. Polarisation alternative inverse, capacité de diffusion ................................. 24

Chapitre 3 : FONCTIONNEMENT D’UNE CELLULE SOLAIRE SOUS ECLAIREMENT

1. Introduction …………………………………………………………............…….…. 27
2. Structure d’une cellule solaire photovoltaïque ……………………..........……. 27
2.1 Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque ……........…… 28
2.2. Courant de charge …………………………...………………….....….............. 29
2.2.1 Le photo courant I ϕ …………………………...…………........……… 29

2.2.2 Le courant de diffusion I D ou courant d’obscurité …….......…… 29

2.2.3 Le courant de pertes I p ………….......……...……....……………….. 30

2
 3. Réponse spectrale des cellules photovoltaïques ……...……………………… 33
4. Rendement des cellules photovoltaïques …………...………………………….. 33
4.1 Rendement idéal ………………………….....………………………………… 33
4.2. Rendement réel ………………………………….......………………………… 35
4.2.1. Influence de la résistance de charge …......………………………. 36
4.2.2 Influence de l’éclairement …………….......………………………….. 38
4.2.3 Influence de la température …………...…………………………….. 38
5. Utilisations …………………..........……………………...………………………….. 38
5.1 Montage série ………………….......…………………………………………… 38
5.2 Montage parallèle ……………….......…………………………………………. 39
5.3 Modules photovoltaïques …………….......……..........………......………… 39
6. Installation photovoltaïque ……………….....………………………….…………. 40
7. Dimensionnement des systèmes PV ……...……………………………………... 40
8. Etude expérimentale...........................….....……………………………..………... 41

CONCLUSION GENERALE ……………………………..........…………………………... 45

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES ………………………………….........…………… 46

3
 Remerciements
C’est avec un grand plaisir que je réserve cette page en signe de gratitude et
de profonde reconnaissance à tous ceux qui m’ont aidé de près ou de loin à la
réalisation de ce travail.
Je remercie en particulier mon Professeur Mr. Ahmed MZERD pour avoir
accepté de m’encadrer, pour l’aide et les conseils qu’il m’a fournis et pour le
temps qu’il m’a consacré pour suivre de près mon travail. Sa disponibilité
sans réserves pour réaliser ce travail était pour moi un meilleur soutien.
Je profite de cette occasion pour remercier les membres de jury, Professeur
Najem HASSANAIN et Professeur Azzam BELAYACHI pour avoir
accepté d’évaluer ce projet.
Je n’oublierai point de remercier vivement le Laboratoire de Physique des
Matériaux pour son accueil et pour l’aide et les conseils que ses membres
m’ont donnés pour réaliser les mesures de caractérisation des quelques
cellules photovoltaïques.
Mes vifs remerciements vont aussi au corps professoral de la Faculté des
Sciences de Rabat pour leur contribution dans le processus de formation de
licence fondamentale SMP.

4
 Je dédie ce travail à ceux qui m’ont soutenu par leur

amour, par leur confiance et par leurs encouragements

illimités.

A ma très chère Mère.

A mon très cher Père.

A mes chers frères.

A tous ceux que j’aime.

A tous ceux qui m’aiment.

5
 INTRODUCTION GENERALE

La conversion photovoltaïque de l’énergie solaire se révèle compétitive dans des domaines de plus
en plus nombreux : signalisation, télécommunication, pompage de l’eau, installations militaires,
électrification rurale, etc.

Actuellement, malgré que la fiabilité de fonctionnement des dispositifs photovoltaïques incite un

nombre croissant de consommateurs à les utiliser, quand le réseau électrique de distribution n'est
pas disponible, leur coût relativement élevé nécessite le développement de méthodes précises
permettant d'estimer leur taille et minimiser le coût d'investissement de l'installation. L’étude des
paramètres définissant le fonctionnement électrique de la cellule, présente un intérêt considérable
quant à la caractérisation des matériaux utilisés et de la technologie du dispositif de conversion
exploité. C’est dans ce contexte que se situe notre travail qui vise à expliquer le principe de
fonctionnement des cellules photovoltaïques.

Ainsi, nous présenterons dans un premier chapitre la conjoncture énergétique nationale et mondiale,
justifiant l’intérêt d’utiliser les énergies nouvelles et renouvelables comme alternative aux sources
classiques de production d’énergies, cause principale de la pollution atmosphérique et du
réchauffement climatique.

Dans le deuxième chapitre, nous expliquerons l’effet photovoltaïque sur lequel se base la
conversion de l’énergie solaire en énergie électrique. Nous présenterons à cet effet une étude sur la
physique des semiconducteurs et des jonctions PN, ainsi que les relations physiques et
mathématiques qui les gouvernent et qui permettent d’obtenir l’expression générale de la
caractéristique courant-tension I (V) d’une cellule photovoltaïque.

Une analyse détaillée de la cellule photovoltaïque fera l’objet du troisième chapitre et nous
permettra, d’une part d’étudier d’une façon précise l’effet des éléments suivants : la résistance série,
la résistances shunt, le courant de saturation, le courant photogénéré, etc., sur la caractéristique I(V)
de la cellule, et la variation de cette caractéristique sous éclairement et à l’ombre, et d’autre part de
présenter les résultats expérimentaux réalisés au laboratoire de physique des matériaux sur quelques
cellules en Silicium.

6
 Chapitre 1 : CONJONCTURE ENERGETIQUE
1. CONJONCTURE MONDIALE

Depuis la révolution industrielle du 19ème siècle, les sociétés à dominance agraire et artisanale ont
commencé à basculer vers des sociétés commerciales et industrielles, provocant une mutation
radicale des coutumes de consommation énergétique dont la quantité n’a depuis cessé d’augmenter.

Au 20ème siècle, le développement rapide qu’a connu le monde a suscité une ruée sans précédent
vers la recherche de points d’approvisionnement et d’alimentation en énergie, utilisant des
démarches non souvent respectueuses de l’environnement (utilisation intense des énergies fossiles
comme combustibles, déforestation massive des forêts équatoriales et tropicales, etc.).

Ces démarches non totalement déterminées par une logique marchande, cherchaient surtout, pour
répondre aux besoins du marché, à minimiser les coûts de production par tous les moyens, sans
prendre en considération l’épuisement des ressources naturelles.

Après le choc pétrolier de 1973, l’augmentation rapide et énorme des prix du pétrole a engendré des
prises de conscience des menaces que font peser sur l’ensemble de la planète, la limitation des
réserves mondiales en énergies fossiles par utilisation excessive et non contrôlée des sources
d'énergie polluantes (voir figure 1.1).

Figure 1.1 : Consommation énergétique mondiale

Les dangers liés aux émanations libres dans l’atmosphère des gaz responsables de la destruction de
la couche d'ozone, de l’augmentation de la teneur en CO2 et l’élévation de la température globale de

7
la planète (effet de serre), ont suscité l’opinion mondiale à commencer alors à s'intéresser de plus en
plus à d'autres formes d'énergie comme l’énergie nucléaire et les énergies nouvelles ou
renouvelables.

2. CONJONCTURE NATIONALE

Parmi ces énergies renouvelables, l'énergie solaire semble être la plus prometteuse, et le Maroc,
pays non pétrolier, est particulièrement bien placé pour l'utiliser puisque son potentiel annuel
moyen varie de 2600 à 3400 heures d’insolation par an. Des plans ambitieux en matière de
développement des énergies renouvelables ont été alors engagés pour diversifier ses sources et les
voies de son approvisionnement en énergie, tout en préservant son environnement.

Dans une conjoncture économique internationale moins favorable, le développement économique et

la croissance démographique que connaît le Maroc ont engendré une augmentation importante de la
consommation énergétique, ce qui a amplifié davantage la dépendance du Maroc au marché
énergétique international.

Malgré une évolution importante de la structure de la production énergétique, suite aux réformes
introduites dans le cadre de la politique énergétique menée par l’Etat depuis le début des années
quatre-vingt-dix, les produits pétroliers restent dominants.

La promotion des énergies renouvelables à grande échelle s’inscrit dans une stratégie énergétique
qui vise, d’une part la réduction de la dépendance énergétique du Maroc et celle de la production
d’électricité à partir des énergies d’origine fossile, et d’autre part la contribution à la préservation de
l’environnement.

Le Plan solaire marocain qui prévoit la construction de cinq centrales consiste à la mise en œuvre
des deux programmes marocains éolien et solaire à l’horizon 2020, d'une capacité de
2 000 mégawatts, permettant d’augmenter de 28 % la part des énergies renouvelables en puissance
installée dans le bouquet énergétique, avec 14 % de solaire et 14 % d’éolien.

Cinq sites ont été identifiés pour la réalisation du projet (voir tableau et carte de la figure 1.2) :

Site de centrale Puissance (MW)

1 Aïn Béni Mathar 400
2 Ouarzazate 500
3 Sebkhat Tah 500
4 Foum Al Oued 500
5 Boujdour 100

8
 Océan Atlantique 1

3
4
Figure 2.
5

Figure 1.2 : Sites d’installation des centrales.

Cette mise en œuvre fera gagner au Maroc, pour le programme éolien 2 000 MW, une production
de 6 600 GWh par an, une économie d’énergie de l’ordre de 1,5 million de tonnes équivalent
pétrole (tep) par an, et une réduction d’émission de CO2 de l’ordre de 5,6 millions de tonnes par an.
Pour le programme solaire 2 000 MW, le Maroc gagne une production de 4 500 GWh par an, une
économie d’énergie de l’ordre de 1 million de tep par an et une réduction d’émission de CO2 de
l’ordre de 3,7 millions de tonnes par an.
On rappelle que le pétrole, le charbon et le gaz naturel ne possèdent pas le même pouvoir
calorifique. Par combustion :
1 kg de pétrole produit 10 000 kcal ;
1 kg de charbon cède 7 000 kcal ;
1 kg de gaz naturel fournit 8 000 kcal.

On définit ainsi la tonne équivalent pétrole (tep) comme unité permettant de comparer les sources
d’énergie au pétrole brut. Par convention : 1 tonne de pétrole correspond à 1,5 tonne de charbon ou
à 1 000 m3 de gaz naturel. On estime que :

1 tep = 11 627 kWh électrique (à rendement 100 %)

1 kilowattheure = 3,6 106 joules = 0,86 thermie
1 calorie = 4,186 joules
1 thermie = 1 M calorie = 1,163 kWh
1 baril de pétrole = 6 109 joules
1 tonne de pétrole = 7,33 barils = 260 gallons
1 tonne d'uranium = 10 000 tep.
1 térawattheure (TWh) = 109 kWh

9
 Chapitre 2 : THEORIE DES SEMICONDUCTEURS
1. INTRODUCTION

Parmi les matériaux semi-conducteurs, le silicium Si et le germanium Ge de la colonne (IV) du

tableau périodique sont composés d'atomes identiques, on les appelle semi-conducteurs purs.
D'autres semi-conducteurs comme l'arséniure de gallium GaAs sont composés d'atome d'éléments
différents : Ga (III) et As (V), leur permettant d'accéder à des propriétés électriques et optiques que
n'ont pas les semi-conducteurs pures.

Avant l'invention du transistor bipolaire en 1947, les semi-conducteurs n’étaient présents que dans
seulement deux dispositifs électroniques que sont les photodiodes et les redresseurs. Dans les
années 1950, le germanium est le plus utilisé. Cependant, il ne peut pas être employé dans les
applications nécessitant une faible consommation de courant et/ou soumises à de hautes
températures. Le silicium, d'un coût moins élevé et permettant des applications à faibles
consommations, sera très utilisé à partir de 1960.

2. BANDES D’ENERGIE

Selon le modèle de Bohr pour l'hydrogène, les niveaux énergétiques des électrons d’un atome isolé
de silicium Si sont discrets. Lorsque l'on rapproche de cet atome un atome identique, les niveaux
énergétiques discrets de ses électrons se scindent en deux sous l'interaction réciproque des deux
atomes. Plus généralement, lorsque l'on approche N atomes, les niveaux énergétiques se scindent en
N niveaux. Ces N niveaux sont très proches les uns des autres et, si la valeur de N est grande, ce qui
est le cas pour un cristal, ils forment une bande d'énergie continue. La notion de rapprochement des
atomes est donnée par la distance inter-atomique do.

Considérons des atomes de silicium Si arrangés aux nœuds d'un réseau périodique, mais avec une
maille très grande de telle manière que les atomes puissent être considérés comme isolés. Les deux
niveaux les plus énergétiques sont repérés par E1 et E 2 . Rapprochons homothétiquement les
atomes les uns des autres, les états énergétiques électroniques se scindent et forment deux bandes
continues appelées bande de conduction BC et bande de valence BV. La figure 2.1 montre la
formation de ces bandes en fonction de la distance do.

10
 Figure 2.1 : Formation des bandes d'énergie pour les électrons d'atomes de Si
arrangés en mailles cristallines de type diamant.

Pour les électrons d'un cristal de silicium (do = 2,35 Å), on constate qu'il existe deux bandes
continues d'énergie (BC et BV) et que ces bandes sont séparées par une bande interdite, d'énergie
inaccessible aux électrons. Cette région interdite est appelée « gap » et sa largeur E g est

caractéristique du matériau. Si on note par E c l'énergie du bas de la bande de conduction et par E v

celle du haut de la bande de valence, nous avons l'égalité E g = E c - E v . Précisons que les bandes

continues d'énergie BC et BV ne sont qu'une représentation des énergies accessibles par les
électrons, ceci ne présage en rien de l'occupation effective de ces bandes par ces derniers.

3. ISOLANT, SEMICONDUCTEUR, CONDUCTEUR

Les matériaux solides peuvent être classés en trois groupes que sont les isolants, les semi-
conducteurs et les conducteurs. On considère comme isolants les matériaux dont la conductivité
électrique σ (en siemens par mètre ou S/m) est inférieure à 106 S/m (diamant 1012 S/m), comme
semi-conducteurs les matériaux tels que 10 6
S/cm < σ < 10 5 S/cm (silicium 103 S/cm à 10 5 S/cm)
et comme conducteurs les matériaux tels que σ > 10 5 S/cm (argent 108 S/cm). Dans le Système
international d'unités (SI), 1 S/m = A2.s3.m3.kg 1.

Les propriétés électriques d'un matériau sont fonction des populations électroniques des différentes
bandes permises. La conduction électrique résulte du déplacement des électrons à l'intérieur de
chaque bande. Sous l'action d’un champ électrique appliqué au matériau, l'électron acquiert une
énergie cinétique dans le sens opposé au champ électrique.
Considérons à présent une bande d'énergie vide, il est évident de par le fait qu'elle ne contient pas
d'électrons, elle ne participe pas à la formation d'un courant électrique. Il en est de même pour une
bande pleine. En effet, un électron ne peut se déplacer que s’il existe une place libre (un trou) dans
sa bande d'énergie. Ainsi, un matériau dont les bandes d'énergie sont vides ou pleines est un isolant.

11
Une telle configuration est obtenue pour des énergies de gap supérieures à environ 9 eV, car pour de
telles énergies, l'agitation thermique à 300 K, ne peut pas faire passer les électrons de la bande de
valence à celle de conduction par cassure de liaisons électroniques. Les bandes d'énergie sont ainsi
toutes vides ou toutes pleines.

Figure II.2 : Représentation des bandes d'énergie.

Un semi-conducteur est un isolant pour une température de 0 K. Cependant ce type de matériau

ayant une énergie de gap plus faible que l'isolant (environ 1,1 eV pour le Silicium Si), aura de par
l'agitation thermique (T = 300 K), une bande de conduction légèrement peuplée d'électrons et une
bande de valence légèrement dépeuplée. Sachant que la conduction est proportionnelle au nombre
d'électrons pour une bande d'énergie presque vide, et qu'elle est proportionnelle au nombre de trous
pour une bande presque pleine, on déduit que la conduction d'un semi-conducteur peut être qualifiée
de «mauvaise».

Pour un conducteur, l'interpénétration des bandes de valence et de conduction implique qu'il

n'existe pas d'énergie de gap. La bande de conduction est alors partiellement pleine (même aux
basses températures) et ainsi la conduction du matériau est « élevée ».

4. SEMI-CONDUCTEURS INTRINSEQUES

Un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur non dopé, c'est à dire qu'il contient peu
d'impuretés (atomes étrangers) en comparaison avec la quantité de trous et d'électrons générés
thermiquement.
Pour mieux appréhender le comportement des semi-conducteurs, nous devons étudier plus en détail
les populations d'électrons et de trous dans chacune des bandes de conduction et de valence. Aussi,
nous allons réaliser un bilan électronique des semi-conducteurs intrinsèques. Pour ce faire, nous
devons introduire la notion de densité d'états énergétique N(E).
Cette grandeur, dépendante de l'énergie électronique E, correspond :
- à la place disponible pour les électrons dans la bande de conduction :

12
 3
 2m c 2
N c (E) = 1   E − Ec (cm3/eV)
 
2π 2  h 2 
- et à la place disponible pour les trous dans la bande de valence :
3
 2m v 2
N v (E ) = 1   E v − E (cm3/eV)
2π 2  h 2 

h = h / 2 π ≈ 1,0546.10 − 34 J.s étant la constante de Planck réduite, m c (respectivement m v ) la

masse effective de densité d'états dans la bande de conduction (respectivement dans la bande de
valence).
Pour un semi-conducteur à gap direct, m c (respectivement m v ) est égale à la masse effective d'un
électron m e (respectivement d'un trou m t ) dans le cristal. On rappelle que la plupart des composés
issus des colonnes (III) et (V) du tableau périodique des éléments chimiques sont des matériaux à
gap direct, le silicium (colonne IV) est un matériau à gap indirect.

Le concept de masse effective introduit dans les expressions précédentes permet de traiter les
électrons (et les trous) qui sont des particules quasilibres dans le cristal, comme des quasi-particules
libres. Le semi-conducteur devient alors un gaz d'électrons et de trous spécifiques de par leur masse
effective parfois très différente de celle de la particule libre. A titre d'exemple, pour le GaAs :

m c / m o = 0,066 avec m o = 0,911.10 - 30 kg la masse de l'électron libre.

Afin d'obtenir le nombre effectif d'électrons et de trous dans chacune des bandes, la densité d'état ne
suffit pas, il faut aussi connaître la probabilité de présence d'un électron sur un niveau d'énergie E.
Cette probabilité est donnée par la fonction de distribution de Fermi-Dirac :

f (E) = 1
1 + exp [(E − E F ) / kT ]
où k = 1,38.10-23 J.K-1 est la constante de Boltzmann, T la température et EF l'énergie de Fermi
considérée comme le potentiel chimique en semi-conducteurs.

Comme l'absence d'un électron implique la présence d'un trou et vice versa, il va de soit que la
probabilité d'occupation d'un niveau d'énergie E par un trou est égale à [1 - f (E)].

La densité d'électrons n [cm-3] dans la bande de conduction est alors obtenue en sommant sur toute
la plage d'énergie couverte par cette bande, la « place » disponible pour les électrons à l'énergie E
pondérée par la probabilité d’avoir un électron à ce même niveau d'énergie est :

13
 +∞
n = ∫ N c (E) . f (E) . dE
Ec
De même pour la densité des trous p [cm3] dans la bande de valence :
Ev
p = ∫ N v (E) . [1 − f (E)]. dE
−∞
Pour un semiconducteur dont le niveau de Fermi EF est distant des extrema de plus de 3 kT, la
fonction de Fermi se simplifie sous une forme exponentielle, et on obtient pour écriture des densités
de porteurs :

 E − EF  +∞  E − Ec 
n = N c . exp − c  avec N c = ∫ N c (E) . exp −  . dE
 kT  Ec  kT 

 E − EF  Ev E − Ev 
p = N v . exp − v  avec N v = ∫ N v (E). exp   . dE
 kT  −∞  kT 
N c et N v sont les densités équivalentes (ou effectives) d'états. Elles représentent en quelque sorte
le nombre d'états utiles, à la température T, dans leur bande d'énergie respective.
Remarquons que la relation donnée par le produit des densités de porteurs est indépendante du
niveau de Fermi. Elle est donc valable pour les semi-conducteurs intrinsèques mais aussi
extrinsèques. Notons qu'elle s'apparente à une loi d'action de masse comme celle de l'équilibre
d'auto-ionisation de l'eau : [H+][HO-] = Ke.
En désignant par ni la densité de porteurs intrinsèques (à 300 K, ni = 1010 cm3 pour le silicium), on
a:
 E − Ev 
n . p = n i2 avec n i = N c .N v . exp − c 
 2kT 
Pour un semi-conducteur intrinsèque (sans impuretés), à chaque électron de la bande de conduction
correspond un trou dans la bande de valence. De cette constatation, nous déduisons que les densités
d'électrons et de trous sont identiques pour ce type de semi-conducteur, et on écrit :
n = p = ni
En remplaçant les densités de porteurs par leurs expressions respectives, l'égalité précédente nous
permet de définir le niveau de Fermi EFi pour un semi-conducteur intrinsèque. Sachant qu'à
température ambiante, kT est très inférieur au gap, ce niveau se trouve très proche du milieu de la
bande interdite :
Ec + E v N E + Ev
E Fi = + kT . ln v ≅ c
2 2 Nc 2

14
5. SEMI-CONDUCTEURS EXTRINSEQUES

Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés

spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques (diodes,
transistors, etc.) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc.).

6. SEMI-CONDUCTEUR TYPE P

Un semi-conducteur type P est un semi-conducteur intrinsèque (ex : silicium Si) dans lequel on a
introduit des impuretés de type accepteurs (ex : Bohr B). Ces impuretés sont ainsi appelées parce
qu'elles acceptent un électron de la bande de conduction pour réaliser une liaison avec le cristal
semi-conducteur.

Un semi-conducteur dopé P a une densité d'électrons n plus faible et une densité de trous p plus
élevée que le même semi-conducteur pris dans sa configuration intrinsèque. On dit alors que les
électrons sont les porteurs minoritaires et les trous, les porteurs majoritaires.
Pour les semi-conducteurs extrinsèques, la densité de dopants est toujours très supérieure à la
densité de porteurs intrinsèques NA >> ni. Dans le cas d'un type P, la densité de trous est donc
proche de celle du dopant accepteur NA. La relation étant toujours vérifiée, nous obtenons pour les
densités de porteurs :

n i2
n= et p = NA
NA
Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type P ou potentiel chimique est alors :
Nv
E Fp = E v + kT. ln
NA
Ainsi, plus la densité d'accepteurs est élevée plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande de
valence. A la limite, si NA = NV, le niveau de Fermi entre dans la bande de valence, on dit alors que
le semi-conducteur est dégénéré.

7. SEMI-CONDUCTEUR TYPE N

Un semi-conducteur type N est un semi-conducteur intrinsèque (ex : silicium Si) dans lequel on a
introduit des impuretés de type donneurs (ex : arsenic As). Ces impuretés sont ainsi appelées parce
qu'elles donnent un électron à la bande de conduction pour réaliser une liaison avec le cristal semi-
conducteur.

15
Un semi-conducteur dopé N a une densité d'électrons n plus élevée et une densité de trous p plus
faible que le même semi-conducteur pris dans sa configuration intrinsèque. On dit alors que les
électrons sont les porteurs majoritaires et les trous, les porteurs minoritaires.

Par analogie avec les semi-conducteurs de type P, et en notant ND la densité de donneurs, les
densités de porteurs pour un semi-conducteur de type N sont :

n i2
n = ND et p=
ND
Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type N est alors :
Nc
E Fn = E c + kT. ln
ND
Ainsi, plus la densité d'accepteurs est élevée plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande de
conduction. A la limite, si ND = NC le niveau de Fermi entre dans la bande de conduction, on dit
alors que le semi-conducteur est dégénéré.

8. JONCTION ABRUPTE A L’EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE

Une jonction PN est la mise en contact entre un semi-conducteur type N et un semi-conducteur

type P issus d'un même cristal. La différence des densités de donneurs et d'accepteurs ND et NA
passe « brusquement » d'une valeur négative pour la région P à une valeur positive pour la région N.
La loi de variation de cette différence est donnée par deux constantes pour une jonction dite
abrupte.

Figure 2.3 : Variation de la différence de densités de donneurs et d'accepteurs pour une jonction abrupte.

Il existe d'autres types de jonctions comme les jonctions exponentielles, linéaires, etc. Cependant,
l'étude d'une jonction abrupte étant plus simple et de plus aisément généralisable à une jonction
quelconque, nous étudierons que ce seul modèle.

La figure 2.4 permet de mieux comprendre l'effet du rapprochement des deux semi-conducteurs sur
le bilan électronique de la jonction.

16
 Figure 2.4 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour une jonction PN de semi-conducteurs
au silicium (Si). Le dopage N est obtenu par de l'arsenic (As) et le dopage P par du Bohr (B).

Nous observons ainsi qu'à proximité de la jonction, les électrons de conduction excédentaires côté
N passent côté P pour se recombiner avec des trous. Ainsi, une charge d'espace statique négative se
crée côté P et une charge d'espace statique positive se crée côté N. Le lieu ou réside cette charge
d'espace est appelé zone de charge d'espace ou zone de déplétion. En raison de la présence, dans
cette zone, d'un champ électrique intense, la densité de porteurs libres dans cette région est
négligeable à l'équilibre thermodynamique. En outre les frontières entre la zone dépeuplée et les
zones neutres de la jonction sont très abruptes.

Figure 2.5 : Jonction PN à l'équilibre thermodynamique :

a) Charge d'espace, b) Champ électrique, c) Potentiel électrostatique.

Après la mise en contact des deux semi-conducteurs de dopage différent, une barrière de potentiel
pour les trous et les électrons est constituée. En effet, la double couche de charges négatives coté P
et positives coté N, crée un champ électrique dirigé de N vers P qui empêche la diffusion et

17
maintient la séparation des trous coté P et des électrons coté N. Par ailleurs à cause de cette double
couche, le potentiel électrostatique varie brusquement dans la zone de la jonction et la différence de
potentiel Vd , appelée tension de diffusion, atteint des valeurs non négligeables (pour le silicium :
Vd = 0,8 V ). Cependant, si l'on connecte un multimètre entre les deux extrémités du cristal il
indiquera 0, car cet instrument de mesure est sensible à une d.d.p. électrochimique et non pas à une
d.d.p. électrostatique seule. En effet, le potentiel électrochimique est constant dans tout le cristal y
compris dans la zone de charge d'espace car ce potentiel prend en compte non seulement le
potentiel électrostatique mais aussi le gradient de concentration des porteurs qui compense
exactement l'effet de ce dernier.

La relation liant les grandeurs : charges d'espace ρ [C.cm-3], champ électrique E et potentiel
électrostatique ϕ est :

d 2ϕ ρ
= − dE = −
2
dx dx εs
où ε s (en Farad par mètre ou F/m) est la permittivité du milieu (10-10 F/m pour le silicium).

Le potentiel (chimique) d'un semi-conducteur étant donné par l'énergie de Fermi, la tension de
diffusion est proportionnelle à la différence des niveaux de Fermi des semi-conducteurs non joints :
N N
Vd = 1 (E Fp − E Fn ) = kT . ln A D
q q n2 i
Pour la jonction PN et à l'équilibre thermodynamique, le niveau de Fermi côté dopé P et côté dopé
N est identique. Le diagramme d'énergie de la jonction PN comporte donc une courbure des bandes
de conduction et de valence. Cette courbure fait apparaître une différence d'énergie potentielle
électrostatique de valeur égale à qVd.

Figure 2.6 : Diagramme d'énergie d'une jonction PN à l'équilibre thermodynamique.

18
9. JONCTION ABRUPTE ALIMENTEE EN COURANT

9.1. Densité de courant

Afin de décrire le comportement d'un semi-conducteur hors équilibre thermodynamique (soumis à
une tension extérieure), nous devons étudier les courants résultants du déplacement des porteurs de
charges que sont les électrons et les trous. Ce déplacement de charges se fait sous l'action d'une
force dont l'origine peut être un champ électrique ou un gradient de concentration de porteurs de
charges. Dans le premier cas, le courant est appelé courant de conduction, dans le second il est
appelé courant de diffusion. Par ailleurs, nous ne caractériserons pas directement le courant I mais
la densité de courant J, qui est proportionnelle à ce dernier, et qui se définie comme étant la quantité
de charges qui traversent une unité de surface par unité de temps.

Lorsque les trous et les électrons baignent dans le champ électrique créé par la mise sous tension de
la jonction, ils se déplacent et génèrent ainsi le courant de conduction :

J n , c = n.q.µ n .E et J p, c = p.q.µ p .E

où n et p sont les densités de porteurs, q = 1,602.10-19 C la charge d'un électron, E le champ

électrique de la jonction polarisée et µ n et µ p les mobilités respectivement des électrons et des
trous.

D'autre part, lorsque les électrons ou les trous ne sont pas distribués uniformément dans le semi-
conducteur, leur mouvement s'effectue dans un sens qui tend à uniformiser leur distribution spatiale.
Le flux de porteurs et donc le courant de diffusion est proportionnel à leur gradient de
concentration :
∂p
J n , d = q.D n . ∂n et J p, d = q.D p .
∂x ∂x
où D n et D p sont des constantes de diffusion des deux types de porteurs.

La mobilité des électrons étant plus élevée que celle des trous, la relation d'Einstein :

D n D p kT
= =
µn µp q

montre que, pour un même gradient de concentration, le courant de diffusion des électrons est plus
grand que celui des trous.
Il est évident que le courant total est constant dans toute la jonction. Aussi, pour l'évaluer,
choisissons une région permettant de simplifier les calculs. Cette région correspond aux parties
neutres N et P. En effet, loin de la zone de déplétion le champ électrique E en régime de faible

19
injection est négligeable, ceci provenant de la conduction non nulle des semi-conducteurs. Le
courant total est la seule somme des courants de diffusion des trous et des électrons. De plus, dans
les zones neutres (hors zone de déplétion) la répartition spatiale des densités de porteurs
majoritaires, c'est à dire les électrons coté N et les trous coté P, est constante. Or les courants de
diffusion sont proportionnels au gradient de concentrations des porteurs, ainsi le courant total est
généré par les porteurs minoritaires, c'est à dire les électrons coté P et les trous coté N. L'expression
de la densité de courant total est donc :
J = J n , d ( x p ) + J p, d ( x n )
où xp (respectivement xn) délimite la frontière de la zone de déplétion coté P (respectivement N).

Figure 2.7 : Polarisation d'une jonction PN.

Afin d'exprimer J en fonction de la tension extérieure V, nous devons évaluer les densités de
porteurs minoritaires np = n(xp) et pn = p(xn) dans les zones neutres. Pour ce faire, nous allons
écrire les équations dites de continuité donnant l'évolution du nombre de porteurs au cours du
temps.

Figure 2.8 : Elément de volume de semi-conducteur.

20
Considérons un volume de semi-conducteur élémentaire de section unitaire et de longueur dx. La
variation de porteurs par unité de temps dans cet élément de volume est la somme algébrique du
∂J
nombre de porteurs qui entrent et qui sortent (traduit par l'apport de porteurs extérieurs 1 x ), de
q ∂x

ceux qui se créent et de ceux qui se recombinent (traduit par les durées de vie τ n et τ p ). Ainsi,
nous obtenons pour les trous et les électrons les équations de continuité suivantes :
dn p ∂ J n , d n p − n po dp n ∂ J p, d p n − p no
=1 − et =1 −
dt q ∂x τn dt q ∂x τp

où n po = n ( x p ) (respectivement p no = p( x n ) ) est la densité d'électrons (respectivement de trous)

coté P (respectivement N) pour la jonction non alimentée et τ n et τ p les durées de vie respectives
des porteurs dans les régions neutres.

Les équations de continuité à l'état stationnaire sont alors :

∂ 2n p n p − n po ∂ 2pn p − p no
− =0 et − n =0
∂x 2 L2 n ∂x 2 L2 p

où L n = D n .τ n (respectivement L p = D p .τp ) sont les longueurs de diffusions des porteurs.

En notant les densités porteurs majoritaires n no = N D et p po = N A , l'expression de la tension de

diffusion nous permet de lier les densités de porteurs majoritaires aux porteurs minoritaires pour la
jonction à l'équilibre :
 qV   qV 
n no = n po . exp  d  et p po = p no . exp  d 
 kT   kT 
Lorsque la jonction est alimentée, la d.d.p. électrostatique devient égale à Vd - V . Par analogie avec
la jonction à l'équilibre, les densités de porteurs majoritaires et minoritaires sont liées par :
 q (Vd − V )   q (Vd − V ) 
n n = n p . exp   et p p = p n . exp  
 kT   kT 
où V est la tension de polarisation de la diode si l'on néglige les pertes ohmiques dans les semi-
conducteurs dopés P et N.

Dans le cadre de l'injection faible, les densités de porteurs majoritaires sont quasi constants entre
l'état à l'équilibre et hors équilibre, on obtient alors pour variation de porteurs minoritaires :
  qV     qV  
n p − n po = n po . exp   − 1 et p n − p no = p no . exp   − 1
  kT     kT  

21
Nous pouvons à présent résoudre les équations de continuité écrites à l'état stationnaire. Ces
équations différentielles nécessitent de connaître des conditions aux limites. Or les densités de
porteurs minoritaires loin de la jonction n'ont pas été modifiées par l'alimentation de la diode, ce qui
se traduit par :
n p ( x = − ∞) = n po et p n ( x = + ∞) = p no .
Les variations de densité de porteurs minoritaires sont alors exprimées en fonction de la position x
dans la jonction hors zone de déplétion par :

  qV     (x − x p )  
n p − n po = n po . exp   − 1. exp   
      
kT  L n

  qV     − (x − x )  
p n − p no = p no . exp   − 1. exp  n 

 kT      
 Lp

En évaluant les densités de courants de diffusion aux limites de la zone de déplétion à l'aide des
relations précédentes, on obtient la densité de courant totale :
  qV   qn po D n qp no D p
J = J s . exp   − 1 avec Js = + .
  kT   Ln Lp

9.2. Polarisation continue inverse

En polarisation continue inverse (V < 0), quelque soit la tension faible appliquée aux bornes de la
jonction, le courant total est constant et vaut Js. Ce courant est fort naturellement appelé courant
de saturation. Cependant, pour de fortes polarisations inverses le courant total peut brusquement et
fortement augmenter. On dit alors que l'on a atteint la tension de claquage de la jonction, notée Vc.
En effet, lorsque l'on augmente la tension de polarisation inverse, on augmente de ce fait le champ
électrique à l'intérieur de la jonction. Or, il existe une valeur limite Eo à ce champ électrique. En
→ →
effet, lorsque le champ électrique augmente, la force électrique F = − q. E qui s'exerce sur les
électrons liés au réseau cristallin s'accroît et devient supérieure à la force de liaison des électrons de
valence sur les noyaux. Ces électrons sont ainsi libérés, le cristal devient alors conducteur et la
tension de polarisation inverse, et par conséquent le champ électrique, n'augmente plus. Ceci
signifie que le champ électrique maximum que l'on peut établir dans un cristal semi-conducteur est
celui qui provoque l'excitation directe d'un électron de la bande de valence à la bande de
conduction, c'est à dire l'ionisation du matériau.

22
Le phénomène de claquage peut être due à deux processus distincts : le premier est appelé effet
tunnel ou effet Zener. Le champ électrique élevé (environ 10 6 V/cm pour le silicium) génère des
paires électron trou. Les électrons associés à ces paires sont émis à travers la zone de déplétion, de
la bande de valence vers la bande de conduction, sans modification d'énergie, d'où le terme d'effet
tunnel. Dans la pratique, cet effet n'est observable que dans les jonctions PN fortement dopées, pour
lesquelles la zone de charge d'espace est très étroite (w ∼ 500 Å) diminuant ainsi la longueur du «
tunnel ».

Lorsque la largeur de la zone de charge d'espace n'est pas particulièrement faible, (w > 1000 Å), un
phénomène appelé effet d'avalanche entraîne le claquage de la jonction avant l'effet Zener. Pour
des champs électriques de l'ordre de 105 V/cm, c'est à dire pour une valeur environ dix fois
inférieure au seuil d'effet Zener, l'accélération acquise par quelques porteurs, essentiellement
d'origine thermique, est suffisante pour permettre de générer des paires électron trou par choc avec
les atomes du cristal. Ces paires électron trou sont à leur tour accélérées, et peuvent créer d'autres
paires. Il en résulte un processus en chaîne rappelant un phénomène d'avalanche. Ce processus est
donné par la figure 9. Il se décrit comme suit : la phase (1) correspond à la création thermique d'une
paire électron trou ; dans la phase (2) l'électron est accéléré par le champ électrique et se trouve de
ce fait de plus en plus haut dans la bande de conduction, on dit qu'il devient un porteur chaud ; la
phase (3) correspond au moment ou son énergie cinétique est suffisante pour créer par choc une
autre paire électron trou, à l'issus de ce choc, appelé impact d'ionisation, l'électron ayant perdu de
l'énergie se trouve dans le bas de la bande de conduction et une deuxième paire d'électron trou est
créée. Si la largeur de la zone de charge d'espace est suffisante, le processus peut se poursuivre.
Notons que le phénomène décrit ici pour l'électron existe aussi pour le trou.

Figure 2.9 : Bandes d'énergie à la tension de claquage.

23
9.3. Polarisation continue directe

En polarisation continue directe (V > 0) et dans le cadre de l'injection faible, le courant total
traversant la jonction est une fonction exponentielle de la tension de polarisation V. Cependant,
lorsque la polarisation directe devient importante, la barrière de potentiel constituée par la zone de
déplétion devient faible et ainsi la résistance propre de la jonction devient négligeable devant la
résistance ohmique R des deux semi-conducteurs N et P. On ne peut plus écrire que la tension
d'alimentation que l'on notera Va est égale à la tension de polarisation seule mais à V + VΩ ou V
est la tension de polarisation nécessaire pour réduire la barrière de potentiel à une valeur de l'ordre

de kT et VΩ = R.J est la chute de tension due à la résistance ohmique des régions N et P.

q

9.4. Caractéristique courant-tension

Nous pouvons à présent tracer la courbe courant-tension pour une jonction PN en tenant compte des
particularités des polarisations inverse et directe données dans les paragraphes précédents. Cette
courbe montre l'existence d'une quasi-tension d'offset Voff dans le cas où la résistance ohmique des
semi-conducteurs est faible.

Figure 2.10 : Courbe caractéristique de la jonction PN.

10. POLARISATION ALTERNATIVE INVERSE, CAPACITE DE DIFFUSION

En polarisation alternative directe la jonction PN est soumise à une tension de polarisation V

composée d'une tension constante sens direct ( Vo > 0 ) et d'une tension alternative de faible
amplitude ∆V et de fréquence f. On négligera la résistance ohmique des semi-conducteurs (régime

24
de faible injection). Cette tension alternative va générer une densité de courant total J composée elle
aussi d'une partie constante J o et d'une faible composante alternative ∆J (complexe).
V = Vo + ∆V. exp( jωt ) et J = J o + ∆J. exp( jωt )
où ω = 2πf est la pulsation de modulation.

Pour des fréquences de modulation relativement basses telles que ω.τ << 1 , où τ représente la

durée de vie des porteurs ( τ = τ n ou τ = τ p ), l'admittance complexe y = ∆J , s'écrit :

∆V
pour ω.τ << 1 , y = g d + j . C d . ω ,
où gd est la conductance de diffusion :

q2   qV    p no .D p n po .D n 
gd = . exp o  . + 
kT   kT    L p Ln 

et Cd la capacité de diffusion :

q2   qV  
Cd = . exp  o  .(p no .L p + n po .L n )
2kT   kT  
Cette relation montre que l'amplitude de la composante alternative du courant varie
exponentiellement avec la partie continue de la tension de polarisation. De plus, il existe un
déphasage entre la tension de polarisation et la réponse en courant, traduit par la capacité de
diffusion. Cette capacité trouve son origine dans la mobilité élevée des porteurs. En effet, il faut
savoir que les porteurs, électrons et trous, ont une masse non nulle, par ailleurs dépendante du

cristal (pour GaAs ; masse effective de l'électron : m e = 0,06.10 − 30 kg ). Sous l'action de la

polarisation, de par leur mobilité élevée, ils ont la possibilité d'acquérir une vitesse relativement
importante. Ainsi, lorsque cette polarisation est inversée rapidement, les porteurs par un phénomène
d'inertie ne répondent pas immédiatement à l'action de cette nouvelle polarisation. Par conséquent,
le courant total généré par le déplacement de ces porteurs est déphasé par rapport à la tension de
polarisation.

Pour des fréquences de modulation élevées telles que ω.τ >> 1 , l'admittance complexe devient :
pour ω.τ >> 1 ; y = g d + j(ω) + j . C d (ω) . ω , avec :

g d (ω) =
q2   qV  
(
. exp  o  . p no . D p + n po . D n . ω) et
g
C d (ω) = d
ω
kT 2   kT  

25
Ainsi, la conductance et la capacité de diffusion deviennent tout deux dépendants de la fréquence de

modulation et le courant est en retard de π sur la tension.

4

26
 Chapitre 3 :
FONCTIONNEMENT D’UNE CELLULE SOLAIRE
EN OBSCURITE ET SOUS ECLAIREMENT

1. Introduction

La menace à l’échelle planétaire que représente l’épuisement rapide des ressources d’énergie fossile
incite l’homme à chercher d’autres sources d’énergie moins éphémères. L’énergie solaire,
disponible d’une façon permanente en tout point du globe, présente un grand intérêt, aussi bien par
son caractère non polluant que par l’importance du flux énergétique envoyé sur terre sous forme
d’un rayonnement électromagnétique, et dont la valeur annuelle est de l’ordre de 4.107 kWh.
La photopile solaire ou cellule photovoltaïque, qui permet de convertir une partie de cette
gigantesque énergie en électricité, représente une application importante de l’effet photovoltaïque,
phénomène physique de transformation directe de l’énergie solaire en électricité. L’objet de ce
chapitre est d’étudier les caractéristiques électriques d’une cellule solaire photovoltaïque afin de
mieux comprendre son fonctionnement.

2. Structure d’une cellule solaire photovoltaïque

Une cellule solaire est un composant électronique qui convertie la lumière du soleil en électricité.
La structure de base est présentée sur la Figure 3.1 :

éclairement
solaire
couche antireflet

contact avant (cathode)

zone dopé N (émetteur)

charge
externe
zone dopé P (base)
paire électron-trou

contact arrière
(anode)

Figure 3.1 : Coupe schématique d’une cellule solaire.

27
2.1 Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque

Le principe de la conversion photovoltaïque peut être décrit par les mécanismes suivants :
• l’absorption de photons par le semi-conducteur entraîne, lorsque leur énergie hν est supérieure
à la largeur de la bande interdite Eg, l’excitation des électrons provoquant leur migration de la
bande de valence vers la bande de conduction, c'est la génération de paires électron trou. Cette
génération donne naissance à un courant proportionnel à l’éclairement solaire intercepté, appelé
photo courant I ϕ .

• lorsque cette génération se produit dans la région interne de la jonction PN, appelée zone de
charge d’espace où se développe un champs électrique E, les porteurs libres en excès sont
séparés de part et d’autre de cette zone et peuvent, par diffusion, arriver sur les bords externes
de la jonction où ils sont collectés. Au cours de la diffusion des charges vers la zone de charge
d’espace, une partie des charges électriques peuvent se recombiner et être perdues, le photo
courant se trouve alors altéré et son intensité sera diminuée d’une valeur correspondant à un
courant, appelé courant de diffusion I D .

• à côté des pertes dues au courant de diffusion, d’autres pertes peuvent être occasionnées par la
présence de courants parasites traversant la cellule et par les contacts ohmiques du matériau
semi-conducteur avec les collecteurs de charges. Le courant résultant de ces deux types de
pertes inévitables sera appelé courant de pertes I p .

Si la cellule débite sur une résistance de charge R ch , la tension V aux bornes de la cellule n’est
plus nulle, et le courant d’obscurité ID s’accroît exponentiellement, réduisant d’autant le courant de
charge I . Le comportement de la cellule est alors similaire à celui d’une diode représentée par la
figure 3.2 suivante :

Iϕ ID Ip Rs I

générateur
diode R sh V R ch
à courant

Figure 3.2 : Circuit électrique équivalent d’une cellule photovoltaïque réelle.

Si l’on néglige la résistance shunt R sh et la résistance série R s , on obtient le schéma équivalent

d’une cellule idéale :

28
 Iϕ ID I

générateur
diode V R ch
à courant

Figure 3.3 : Circuit électrique équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale

2.2. Courant de charge

Sous un éclairement donné, toute cellule photovoltaïque est caractérisée par une courbe courant-
tension I = f(V) représentant l'ensemble des configurations électriques que peut prendre la cellule.
Le courant total I qui traverse la cellule, appelé courant de charge, est alors donné par l’équation :

I = Iϕ - ID - Ip (1)

Dans cette équation, on distingue les trois types de courants :

2.2.1 Le photo courant I ϕ

C’est un courant généré par l’éclairement solaire et dû au déplacement de porteurs minoritaires

d’un côté à l’autre de la jonction. En traversant une résistance de charge R ch branchée aux bornes
de la jonction PN, il peut donner une différence de potentiel avec un signe + sur la zone P et un
signe – sur la zone N. La jonction PN éclairée, donc excitée, se comporte comme un générateur de
puissance qui, à partir de l’énergie lumineuse incidente, nous fournit de l’énergie électrique.

2.2.2 Le courant de diffusion I D ou courant d’obscurité

C’est un courant équivalent au courant direct d’une diode quand elle est soumise à une tension
positive à l’obscurité. Il provient du fait que la jonction est soumise à un phénomène d’injection de
majoritaires : la paire créée dans la zone de charge d’espace est dissociée par le champ électrique E,
l’électron sera collecté par le côté N et le trou par le côté P. Du côté P (respectivement du côté N),
seul l’électron (respectivement le trou) pourra passer au côté N (respectivement du côté P) en
descendant la barrière de potentiel.

Le passage de ce courant dans la résistance de charge R ch est tel que la région P se trouve portée à
un potentiel positif par rapport à la région N et polarise la diode en direct., la cellule solaire présente
alors les mêmes caractéristiques électriques I = f(V) qu’une diode.

29
En considérant seulement les mécanismes de diffusion dans les régions P et N de la diode, le
courant d’obscurité I D s’exprime par la relation :

  V + R s .I  
I D (V ) = I o exp   - 1 (2)
  U T  

où I o est le courant inverse de saturation de la diode ; U T = kT ≈ 26 mV à 25 °C est le potentiel

q

thermodynamique, k = 1,381.10- 23 J/K est la constante de Boltzmann, q = 1,602.10 -19 C est la

charge de l’électron et T la température de jonction en Kelvin ;

ID

diode V
V

Figure 3.4 : Caractéristique d’une diode à l’obscurité.

2.2.3 Le courant de pertes I p

C’est un courant dû à l’existence des deux résistances : la résistance série R s due aux pertes
ohmiques du matériau, et la résistance shunt R sh due aux courants parasites qui traversent la
cellule. Il s’exprime par la relation suivante :
V + R s .I
Ip = (3)
R sh
Lorsque la lumière éclaire la cellule, la courbe I(V) se déplace et la cellule qui se comporte comme
un générateur de puissance commence à produire de l'énergie, le courant total I qui traverse la
cellule éclairée s’exprime alors par la relation :
  V + R s .I   V + R s .I
I = I ϕ - I o exp   - 1 - (4)
  U T   R sh

Compte tenu de la faible valeur de la résistance série R s (inférieure à 1 Ω), le courant total I qui
traverse la cellule éclairée devient alors :

30
     V
I = I ϕ - I o exp  V  - 1 - (5)
  UT   R sh

De même, compte tenu de la valeur élevée de la résistance shunt R sh (supérieure à quelques kΩ),
le courant total I qui traverse la cellule éclairée devient alors :
   
I = I ϕ - I o exp  V  - 1 (6)
  UT  

Caractéristique I = f (V)

Le photo courant I ϕ (A) étant proportionnel à l’éclairement E (W/m2), on peut donc l’exprimer par
la relation :

I ϕ = I ϕo *E (7)

où le coefficient de proportionnalité I ϕo peut être estimé par la relation [J. BERNARD,2001] :

I ϕo = 2,5.10 −7.T + 2.10 −4 (8)

Le courant d’obscurité I D est de la forme :

   
I D = I o exp  V  - 1 (9)
  UT  

où le courant inverse de saturation de la diode I o peut être estimé par la relation

[J. BERNARD,2001] :

 q 
I o = 4.10 − 6* T 4* exp −  (10)
 kT 

q = 1,602.10 -19 C est la charge de l’électron, k = 1,381.10- 23 J/K est la constante de Boltzmann, et
T la température de jonction en Kelvin.

Pour une température de fonctionnement de la cellule T = 300 K, on trouve :

I ϕo = 2,75.10 −4 (A.W-1.m2.)

   
I D = 0,533.10 -12. exp  V  - 1 (A) (11)
  0,026  
Et finalement le courant de charge s’écrit :

31
 [ ]    
I = 2,75.10 - 4* E - 0,533.10 -12. exp  V  - 1
  0,026  
(A) (12)

La caractéristique d’une cellule solaire éclairée est donnée par la courbe suivante :

Plus l'intensité de l’éclairement est grande, plus cette caractéristique I(V) est décalée :

0.30
I (A) E = 1000 W/m2

0.25
E = 800 W/m2
Et puisque la cellule se comporte sous
0.20
éclairement comme un générateur de
E = 600 W/m2
puissance, il est plus commode, par
0.15
convention, d'inverser l'axe des
E = 400 W/m2
courants. La figure suivante montre les 0.10
caractéristiques I(V) d’une cellule
E = 200 W/m2
solaire sous différents éclairements E. 0.05
E = 100 W/m2
E = 50 W/m2 V (Volt)
0.00
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8

32
3. Réponse spectrale des cellules photovoltaïques

Un photon, de longueur d’onde λ, possède une énergie E λ telle que :

E λ = h.c (13)
λ

h = 6,626.10 -34 J.s est la constante de Planck,

c = 299,8.106 m.s1 est la vitesse de la lumière.

Si cette énergie est inférieure à l’énergie de la bande interdite Eg, le photon ne produira pas de paire
électrontrou. On peut donc définir une longueur d’onde de coupure λc donnée par :

λ c = h.c (14)
Eg

Suivant l’énergie du gap Eg du semi-conducteur :

• les photons dont la longueur d’onde λ = λc, s’ils ne sont pas réfléchis, créeront une paire
électron-trou qui diffusera vers la zone de charge d’espace (c’est à dire la jonction) où le
champs électrique E séparera les charges. Chacune d’entre elles migrera alors vers son électrode
respective (charges + vers l’anode, charges – vers la cathode) ;

• les photons de grande longueur d’onde λ > λc traverseront la photopile sans effet
photovoltaïque ;

• les photons de courte longueur d’onde λ < λc créeront une paire électron-trou accompagnée de
chaleur puisque leur énergie est supérieure à l’énergie Eg nécessaire.

4. Rendement des cellules photovoltaïques

Le rendement d’une cellule solaire est le rapport entre la puissance électrique P produite par la
cellule et l’éclairement solaire E s reçue à la surface de cette même cellule.

En supposant que tout photon intercepté par la cellule donne lieu à la création d’un électron qui est
ensuite collecté, les photons dont l’énergie est trop faible (λ > λc) traverseront la cellule et ne seront
donc pas pris en compte, on parlera alors d’un rendement idéal.

4.1 Rendement idéal

Le rendement idéal d’une cellule est défini comme étant le rendement d’une cellule élémentaire
placée à la limite de l’atmosphère terrestre (AM0) perpendiculairement aux rayons solaires. Il est
donné par le rapport :

33
 ηi = P (15)
I on

où I on est la constante solaire hors atmosphère, et P la puissance de la cellule.

Le flux de photons incidents, pour une bande de longueurs d’onde dλ du spectre solaire est donné
par :
Mλ
dN (λ ) = dλ (16)
Eλ

où M λ est l’émittance du soleil pour la longueur d’onde λ, et E λ l’énergie des photons

correspondant à cette même longueur d’onde.

Tant que E λ est supérieure à E g , chaque photon donne naissance à un électron de charge q, et le

courant théorique ainsi créé s’écrit :

I i = q ∫0λ c dN(λ ) = q ∫ 0λ c
Mλ
dλ (17)
Eλ

Si l’énergie du gap du matériau semi-conducteur constituant la cellule est E g = h.c , la tension de

λc
Eg
sortie de la cellule est Vi = , et la puissance de la cellule sera donc :
q

Pi = Vi . I i = E g ∫ 0λ c
Mλ
dλ (18)
Eλ

Le rendement idéal est alors :

ηi = 1 E g ∫ 0λ c
Mλ
dλ (19)
I on Eλ
1,13 eV
En faisant varier Eg, ce rendement
passe par un maximum de 44 %
0,44
correspondant au matériau ayant
Rendement idéal ηidéal

0,4
une bande interdite Eg = 1,10 eV,
ce qui correspond sensiblement au 0,3

silicium (Eg = 1,11 eV), le courant 0,2

2
obtenu s’élevant à 55 mA.cm .
0,1
Ceci explique le choix du silicium
comme matériau de base des
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
cellules photovoltaïques.
Bande interdite Eg (eV)

34
4.2. Rendement réel

Le rendement d’une cellule est altéré par différents phénomènes :

- l’absorption incomplète des photons (λ > λc) ;

- l’excès d’énergie de certains photons (λ < λc) ;

- la réflexion à la surface de la cellule (qui peut être contrôlée par un traitement de surface :
couche antireflet) ;

- le facteur de collecte : la disparition de certains porteurs durant leur migration par

recombinaison en paires électron-trou provoque une collecte incomplète des porteurs ;

• la résistance de charge : suivant le branchement électrique de la photopile, la dissipation de

puissance dans la charge externe et dans les résistances parasites se fait selon trois modes de
fonctionnement :

o si la photopile est fermée sur un court-circuit, on a : V = 0, et le courant débité sera appelé

courant de court-circuit I cc , la puissance fournie est nulle ;
o si la photopile est en circuit ouvert, I = 0, la tension électrique aux bornes de la jonction PN
sera appelée tension en circuit ouvert Voc , la puissance fournie là aussi est nulle ;
o si la photopile est branchée sur une charge résistive R ch , son comportement est celui d’un
générateur de puissance, la puissance électrique fournie est : P = V * I. Pour une valeur
particulière de cette charge, la puissance de sortie passera par un maximum, et on a :
Pmax = Vmax * I max .

I
Pi
Pmax
Ii
Icc
I max

V
Vmax Vcc Vi

35
 - le facteur de tension : la tension maximale Voc , mesurée aux bornes de la cellule en circuit
ouvert est toujours inférieure à la tension idéale Vi ;

- la résistance série R s : généralement de l’ordre de l’Ohm, c’est un élément parasite dû à

l’épaisseur du semi-conducteur du type P qui est équivalent à une résistance R sp , et du

semi-conducteur de type N qui est équivalent à une résistance R sn , de sorte que :

R s = R sp + R sn doit être la plus petite ;

- la résistance shunt Rsh : de valeur bien supérieure à R s , la résistance shunt provient des
contacts métalliques et des résistances de fuite sur les bords de la cellule. Selon la qualité de
la photopile, la résistance shunt d'une photopilde idéale est infinie, celle d’une photopile
réelle est comprise entre 100 kΩ et 1 GΩ,) ;

- le facteur de courbe ou facteur de forme FF : la caractéristique courant tension d’une

cellule n’est pas rectangulaire. Pour un éclairement E, une température T et une surface Sc
donnés, la cellule fournit un courant I cc en court-circuit et une tension Voc en circuit
aire A I max .Vmax
ouvert. Le facteur de forme est donné par le rapport FF = = .
aire B I cc .Voc

I Pmax

Icc
I max

B
V
Vmax Vcc

4.2.1. Influence de la résistance de charge

A partir de la caractéristique I(V) d’une photopile, on définit le point de fonctionnement comme

l’intersection de cette courbe avec la droite de charge, de pente 1 / R ch :

36
 1/R’
I(V)

1/Rm
A B M
Im
Pm
C 1/R’’

D
Vm V

Une cellule photovoltaïque n’impose ni un courant ni une tension mais un couple (I, V) déterminée
par la résistance de charge R ch .

Si celleci est petite (cas R’), le point de fonctionnement se trouvera dans la partie AB de la courbe
pour laquelle la cellule se comporte comme un générateur de courant pratiquement constant, tandis
que pour une grande résistance (cas R’’), ce point se trouvera dans la partie CD où la cellule se
comporte comme un générateur de tension pratiquement constante.

La puissance maximale Pmax = Vmax . I max sera obtenue pour une impédance R m . Le point M
caractérise le plus grand rectangle inscriptible sous la caractéristique de la photopile.

Au point M, l’hyperbole :
P
I= m
V

a pour dérivée :

dI  = - Pm  = - I m .Vm = - I m
 
dV  M V 2 M Vm 2 Vm

et comme :

Vm = R m . I m

au point M de fonctionnement optimal on a :

dI = I m
dV Vm

37
4.2.2 Influence de l’éclairement

Lorsque l’éclairement E varie au cours de la journée, la caractéristique d’une cellule

photovoltaïque évolue. Il y a proportionnalité entre le photo-courant et le flux lumineux incident sur
la cellule. Pour extraire le maximum d’énergie solaire, il faut adapter l’impédance de charge. La
figure suivante montre (pour deux intensités différentes E1 et E2 de l’éclairement) que cette
impédance varie d’une façon inverse à la variation de l’éclairement incident.

I(V)

E2 = 700 W/m2 1/R1

1/R2
2
E1 = 500 W/m
Pm1

Pm2
V

Variation de l’impédance de charge en fonction de l’éclairement E.

La baisse de l’éclairement incident n’entraîne pas une variation sensible du rendement maximal
η m , à condition que la résistance de charge soit adaptée aux nouvelles conditions.

4.2.3 Influence de la température

Quand la température de la cellule augmente, il en est de même du photo courant I ϕ , mais

également du courant d’obscurité I D qui croit très vite, faisant ainsi chuter la tension Vm , la
puissance Pm et le rendement η m . Un léger accroissement de l’intensité I m maximale est
observé.

5. Utilisations

5.1 Montage série

La tension délivrée par une cellule photovoltaïque est toujours très faible (environ 0,6 V). Afin
d’augmenter cette tension, il suffit de mettre en série plusieurs cellules. La figure suivante montre
un module photovoltaïque composé de trois cellules identiques en série, permettant d’avoir une
tension trois fois plus grande aux bornes de la résistance de charge R :

38
 I
I(V)
1/R
V

Rch

3V V
Montage en série des cellules photovoltaïques permettant d’accroître la tension délivrée.

5.2 Montage parallèle

Pour accroître le courant, il suffit de placer en parallèle un certain nombre de cellules élémentaires.
La figure suivante montre un module photovoltaïque composé de trois cellules montées en parallèle.
Le courant qui passe dans la résistance de charge R ch est trois fois celui qui circule dans chacune
des cellules identiques :
I(V) 1/R
3I 3I

I V Rch

V
Montage en parallèle des cellules photovoltaïques permettant d’accroître le courant délivré.

5.3 Modules photovoltaïques

Les modules photovoltaïques sont constitués en général de 36 ou 72 cellules photovoltaïques,

connectées en série, encapsulées entre une plaque de verre (ou résine) et une couche de Tedlar, et
enserrées dans un châssis en aluminium. La tension continue délivrée par un module est de 12 ou 24
volts, fonction du nombre de cellules en série.

Un panneau photovoltaïque regroupe généralement des modules en série et en parallèle afin

d’obtenir un courant suffisant sous une tension acceptable.

En fonction du besoin en puissance et en énergie, le système photovoltaïque est dimensionné avec

un certain nombre de modules PV. La puissance d’un module (ou d’un panneau photovoltaïque) est

39
définie par sa puissance crête, exprimée dans les conditions standards en watt crête (Wc) ou en kWc,
et définie comme étant la puissance délivrée par le module sur une charge optimale, sous
éclairement perpendiculaire de 1000 W.m2, avec une répartition spectrale correspondant à AM1,5
et une température de cellules de 25 °C.

6. Installation photovoltaïque

Une installation photovoltaïque ne se limite pas aux modules ou panneaux PV, il faut leur associer :

- des batteries pour tenir compte du déphasage entre la production d’électricité et la

consommation ;

- une diode anti-retour qui évite le déchargement des batteries lorsque les panneaux ne sont
plus ensoleillés (période nocturne par exemple) ;

- un régulateur qui gère la charge des batteries en leur évitant d’être en surcharge ou en
décharge profonde ;

- un onduleur pour transformer le courant continu (DC) 12V, 24V, 48V, … en en courant
alternatif (AC) 110 V, 220 V ou plus.

Toute installation utilisant l’énergie photovoltaïque doit être pensée en termes d’économie
d’énergie. On privilégiera donc les équipements à basse consommation comme les lampes
fluorescentes compactes, les réfrigérateurs performants, etc.

7. Dimensionnement des systèmes PV

On distingue trois types de systèmes photovoltaïques :

- le premier type concerne les systèmes photovoltaïques connectés au réseau électrique où

l’ensemble de la production électrique est injecté dans le réseau, dans ce cas le
dimensionnement aura pour objectif de maximiser la production annuelle d’électricité ;

- le deuxième type concerne les systèmes photovoltaïques pour sites isolés, où le

dimensionnement se fera en fonction du nombre de jours d’autonomie sans soleil. Un moyen
de stockage comme les accumulateurs est nécessaire pour l’utilisation de l’énergie en temps
différé ;

- le troisième type concerne les systèmes qui utilisent directement (au fil du soleil) l’énergie
photovoltaïque lorsqu’elle est produite, c’est le cas du pompage solaire. Le dimensionnement
se fait en général pour le mois le plus défavorable en irradiation solaire. Dans ce type de

40
 système, il n’y a pas de stockage d’énergie électrique, car l’eau pompée sert directement pour
l’arrosage ou pour remplir un réservoir constituant le système de stockage.

8. Etude expérimentale

Afin de tracer les caractéristiques d’une cellule solaire, nous avons réalisé le montage expérimental
suivant :
I
A
Eclairement

R
U V 0-100 kΩ

Cellule photovoltaïque

Schéma d’étude de la cellule photovoltaïque.

Dans ce montage, nous avons utilisé les appareils de mesure suivants :

un voltmètre KEITHLY à affichage digital ;

une cellule au silicium monocristallin ;

41
un ampermètre JEULIN à affichage digital ;

une résistance variable à décades ;

un luxmètre DVM 1300 VELLEMAN ;

42
 une lampe halogène d’éclairement E = 260.102 lux pour éclairer la cellule ;

un générateur de tension LEYBOLD pour alimenter la lampe halogène.

Pour tracer la caractéristique I = f(U), nous avons relié la cellule éclairée par la lampe homogène à
une résistance de charge qu’on fait varier entre 0 et 100 kΩ. Les mesures obtenues sont données par
le tableau suivant :
I(mA) U(Volt) I(mA) U(Volt) I(mA) U(Volt)
0.109 0.1102 0.103 1.03 0.053 8.2
0.108 0.214 0.102 1.99 0.044 8.25
0.108 0.312 0.098 2.91 0.031 8.68
0.106 0.42 0.096 2.945 0.024 8.75
0.108 0.52 0.095 3.69 0.019 8.65
0.101 0.604 0.083 3.93 0.016 8.77
0.099 0.695 0.086 4.206 0.014 8.803
0.105 0.84 0.085 4.475 0.012 8.825
0.104 0.927 0.084 4.72 0.011 8.82
0.102 1.01 0.083 4.93 0.01 8.818

Tableau de mesures de la caractéristique I(V) de la cellule 1 au Silicium (30/06/14)

La figure suivante représente la courbe I = f(U) obtenue expérimentalement.

43
 0.12

Icc = 0.117 mA

0.10

0.08
I(mA)

0.06

0.04

0.02

0.00
0 2 4 6 8 10
U(Volt) Voc = 9.15 V
Variation expérimentale de la caractéristique I = f(U) de la cellule au Silicium.

On note clairement les positions du courant de court circuit Icc, de la tension du circuit ouvert Voc
et de la puissance maximale Pmax = 0,4092 mW.
Pour une surface S = 8 cm2 de la cellule éclairée par la lampe, de puissance E = 260.102 W.m-2, le
rendement obtenu est calculé par le rapport :
Pmax
η= =2%.
S. E

44
 CONCLUSION GENERALE
Nous avons précisé dans ce mémoire le rôle joué par l’utilisation des énergies renouvelables comme
alternative aux énergies classiques polluantes, et en particulier l’exploitation des cellules
photovoltaïques pour la production de l’énergie électrique, à partir de l’énergie solaire issue du
rayonnement solaire incident.

Nous avons ainsi donné dans un premier chapitre les grandes lignes situant la conjoncture
énergétique nationale dans le contexte mondiale, et la nécessité de promouvoir les énergies
renouvelables dans le tissu économique nationale pour, d’une part réduire la dépendance
énergétique du Maroc, et d’autre part contribuer à préserver notre environnement.

Dans le deuxième chapitre, nous avons donné des généralités sur la théorie des semiconducteurs
intrinsèques ou extrinsèques et des jonctions PN, notamment la description des mouvements des
porteurs de charges négatifs (électrons) et positifs (trous), leur génération et/ou leur recombinaison
en fonction du type du semiconducteur (type P ou type N) et de l’influence de l’intensité de
l’excitation des photons lumineux reçus par la cellule sur les nivaux énergétiques des porteurs de
charges.

Une étude théorique de la caractéristique courant-tension I = f (U) a mis en évidence dans le

troisième chapitre l’existence de trois types de courants : le photo-courant, le courant de saturation
et le courant de pertes. La variation et l’importance relative de chacun de ces courants dans le
courant total généré par la cellule a permis de dégager les principaux paramètres d’identification
d’une cellule photovoltaïque, à savoir : le courant de court-circuit, la tension de circuit ouvert, la
résistance shunt, la résistance série, le facteur de forme, et surtout l’adaptation d’une impédance de
charge optimale permettant à la cellule de délivrer à ses bornes une puissance maximale, et
d’augmenter par conséquent son rendement.

Une simulation du fonctionnement de la cellule sous éclairement et à l’obscurité a permis, en

traçant les caractéristiques courant-tension I = f (V), de montrer la variation de ces paramètres en
fonction de l’éclairement reçu.

Une confrontation des valeurs théoriques de ces paramètres avec les valeurs obtenues
expérimentalement a montré un très bon accord.

45
Références bibliographiques

- Jacques BERNARD. Energie Solaire – Calculs et optimisation, Ellipses Editions. 2001, 255
pages.

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Rayonnement Naturel à Rabat. DES de 3ème cycle. Faculté des Sciences de Rabat. 1982.

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46