Présentée à

L'UNIVERSITE DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLE

pour obténir le titre de

DOCTEUR DE L'UNIVERSITE
spécialité : électronique

Par

ALAIN LORTHIOIR
ingénieur EUDIL

METHODE DE SIMULATION DE CIRCUITS

HAUTES FREQUENCES ET MICROONDES
A PARTIR D'UNE PILE "LIFO"
APLICATION A L'ETUDE
DE FILTRES PASSIFS

Soutenue le 9 février 1993 devant la Commisison d'Examen :

Membres du jury: MM Y. CROSNIER Président

P.A. ROLLAND Directeur de Thèse
S. TOUTAIN Rapporteur
R. TORGUET Rapporteur

r; ~:; ·: ,
'
à mes parents

à Armelle, ma chère épouse

à Marie-Joséphine et Paul-Emile, mes chers enfants

REMERCIEMENTS

Je remercie tout d'abord M. le Professeur ROLLAND de

m'avoir accueilli au sein de son équipe de recherche tout
au long de ces quatre années, et d'avoir accepté de
diriger mon travail. Je le remercie également pour sa
patience et sa disponibilité, en effet, travaillant à
l'extérieur de l'Université, il fut souvent nécessaire de
faire les points d'avancement le soir. Je lui en suis
vivement reconnaissant.
Je remercie M. le· Professeur CROSNIER de me faire
l'honneur de présider le jury.
Je remercie MM. les professeurs TORGUET et TOUTAIN
d'avoir accepté de juger mon travail.
Je remercie i•ensemble des personnels de l'Université
de LILLE I, mes anciens collègues, qui ont pu contribuer,
sous quelque forme que ce soit, à la construction de la
présente thèse.

AVANT-PROPOS

L'objectif initial du travail présenté consistait à

réaliser un outil de calcul simple pour la conception de
circuits en gamme VHF-UHF. Dans sa forme finale, il
présente l'organisation d'une structure de calcul
orientée vers la conception de filtres radio-fréquences
et hyper-fréquences.
Cette structure basée sur une pile LIFO fait appel à
des opérations arithmétiques simples et peu nombreuses
par rapport aux structures matricielles classiques.
Cette structure est intégrée dans un logiciel qui
contient également des modèles de composants et un
langage interprété pour décrire les circuits électriques.
Les possibilités pratiques de ce logiciel sont évaluées
par l'expérience et par comparaison à d'autres logiciels
de simulation.
Quelques exemples de simulations sont commentés.
 page 1

SOMMAIRE

INTRODUCTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 5

PARTIE I: ETUDE DE LA STRUCTURE DE CALCUL ........ p 10

I - 1 - Méthodes classiques de modélisation

du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 11
I - 1 - a - Méthode des courants
de mailles ................... p 11
I - 1 - b - Méthode des matrices d'ondes~p 13
I - 1 - c - Autres méthodes .............. p 15

I - 2 - Traitement d'assemblages de dipôles

par une pile de calcul ............... p 16
I - 2 - a - principe de la pile .......... p 16
I - 2 - b - assemblages série
et parallèle .....•.......... p 19
I - 2 - c - combinaisons d'assemblages ... p 23
I - 3- Conclusion sur les dipôles, limites ... p 26
I - 4 - Assemblages de quadripôles
et combinaisons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 28
I - 4- a - traitement des quadripôles .. p 28
I - 4- b- traitement du stub simple ... p 30
I - 5 - Conclusion
sur les régles d'assemblages .......... p 34

I - -
Etude de la structure du logiciel ..... p
6 35
I - 6 - a - interpréteur simple ........ p 35
I - 6 - b - exemple de circuit ......... p 36
I - 6 - c - interpréteur accéléré ...... p 37
I - 7- Choix d'une méthode d'optimisation .... p 40

I - 8- Conclusion de la première partie ...... p 44

 page 2

PARTIE II: MODELES DE COMPOSANTS ET SYNTHESES DE FILTRES

..............................................•.. p 4 5

I I - 1 - Modèles de composants . . . . . . . . . . . . . . . . p 46

I I - 1- a - Modèle de dipôles ............. p 46

II - 1- b- Modèles de quadripôles ....... p 48

II - 1 - c - Modèles de discontinuités ..... p 49

i- approche des problèmes ........ p 50
ii- approximation QUASI-TEM ....... p 51
iii - modèle de ligne géométrique ... p 54
iv - traitement d. discontinuités .. p 56

II - 1 - d - Conclusion sur les modèles de

composants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 62

II - 2 - Synthèses de filtres
à composants localisés ............... p 63

II - 2 - a - Filtre passe-bas équivallent.p 64

II - 2- b- Filtres polynomiaux .......... p 69

i - définition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 69
i i - familles de polynômes ......... p 70

II - 2- c - Filtres élliptiques .......... p 72

II - 2 - d - Conclusion
sur les synthèses de filtres ..... p 74
 page 3

PARTIE III: REALISATION DU LOGICIEL ET APPLICATIONS

III - 1 - réalisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 75

III - 1 - a - aspect général . . . . . . . . . . . . . . . p 75

III - 1 - b - le simulateur et opt imi seur .. p 76
III - 1 - c - synthése de f: polynomiaux ... p 78
III - 1 - d - synthése de f. élliptiques ... p .79
III - 1 - e - sy:q.thése de f. couplés ....... p 81

III - 2 - évaluation de la vitesse de calcul .. p 82

III- 2 - a - présentation . . . . . . . . . . . . . . ~· .p 82
III~ 2 - b- résultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 84

III- 2 - c - conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 86

I I I - 3 - conclusion sur la réalisation ....... p 86

I I I - 4 - Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 37

III - 4 - a - Etude d'un filtre élliptique

passe-bas (5 MHz) et réalisation .... p 88
III - 4 - b - Etude d'un filtrage
VHF (200 MHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 97
·III - 4 - c - Etude de filtres
hyperfréquences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 108
 / page 4

CONCLUSION

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 114

BIBLIOGRAPHIE

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 116

ANNEXES

. . . . . . . • • • . . . . . • . • . . . . . . . . • . . . . . . . . . • . • . . . . . . . . . . p 12 3

Al (16 pages)
exemples de calculs sur diverses topologies
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . • . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p 12 4

A2 ( 22 pages)
modéles hyperfréquences utilisés
................................................. p 140

A3 ( 18 pages)
topologies de filtres synthétisées
................................................. p 16 2
 page 5

INTRODUCTION

Le but initial de ce travail était de réaliser un

outil de calcul économique pour des études de circuits en
gamme VHF et UHF. Cet outil devait notamment faciliter la
mise au point des adaptations d•entrée, de sortie, et
inter-étages d•amplificateurs de puissance. Il devait
pouvoir être supporté par des moyens informatiques
simples (genre PC). L•évolution des outils disponibles
sur le marché, d•une . part, et les résultats
intermédiaires obtenus dans ce travail, d•autre·part, ont
conduit à donner une nouvelle orientation vers une
application spécifique: le calcul de filtres passifs.

Intérêt économique et scientifique:

Actuellement, un concepteur de circuits et de

systèmes radio-fréquences ou hyperfréquences peut s•aider
de logiciels de simulation et de CAO qui sont trés
performants, mais qui, en même temps, conduisent à une
utilisation assez lourde. Ces programmes sont souvent
basés sur des méthodes nodales et nécessitent des
calculateurs rapides pour être commodement utilisables.

Ainsi, le coût total d•uné station de CAO

hyperfréquences reste encore généralement élevé. Ce coût
inclut :
-!•achat d•une ~station de travail~
-!•achat et la maintenance d•un logiciel
-l•apprentis~age

-un ingénieur ~système~ à temps partiel ou complet

 page 6

Sans prétendre à atteindre la qualité de ces

logiciels trés performants, un outil plus modeste et
limité aux cas linéaires en régime établi peut rendre de
nombreux services: calculs d'impédances, adaptation,
filtrage, gain ... Un tel logiciel utilisable avec des
moyens de calculs limités (genre PC) aura un coût
d'utilisation intéressant et pourra être complémentaire à
d'autres logiciels plui volumineux.

L'orientation spécifique du logiciel cas

linéaires en régime établi ) peut aussi le rendre plus
rapide dans son domaine d'utilisation, ce· qui lui
conférera un avantage en optimisation.

Originalité de la méthode:

Les méthodes de simùlation classiques sont bâties

suivant une démarche logique:
partir d'une méthode générale permettant de
traiter tous les cas d'une façon la plus systématique et
naturelle possible
- puis simplifier pour rendre plus rapide ou plus
facile à programmer.

La méthode élaborée au cours de ce travail est

issue de la même démarche, après inversion:
partir d'un calcul le plus simple possible, donc
plus facile à programmer, et plus rapide.
puis systématiser pour traiter le plus grand
nombre de cas.
 page 7

plupart des méthodes classiques font appel aux

La
lois de KIRCHHOFF (noeuds et mailles) et permettent de
prendre en compte des assemblages quelconques de dipôles.
La résolution passe par l'inversion d'une matrice carrée
dont l'ordre est égal au nombre de mailles, ce qui
necéssite naturellement un grand nombre de calculs
élémentaires. Les techniques de matrices creuses
permettent de réduire' ce nombre de calcul et donc de
simplifier.

La méthode imaginée ici part de la loi la plus

simple: la loi d'ohm (non matricielle). Lorsque des
dipôles sont en série, les impédances s' additionnent et
le courant est commun, lorsque les dipôles sont en
parallèle, les admittances s'additionnent et la tension
est commune (Norton et Thevenin). Les assemblages séries
et parallèles de dipôles demandent effectivement des
calculs trés simples: l'addition suffit. Trouver un moyen
de pouvoir se rapporter à un cas série ou parallèle le
plus souvent possible permettrait ensuite de
systémati~er. Ce moyen consistera en l'utilisation d'un~
structure de type "PILE LIFO" (dernière donnée entrée,
première sortie).

Tout ce travail a èté programmé en langage "C" sous

système DOS. Le choix du langage a été déterminé par la
possibilité de portabilité vers d' autres systèmes
d'exploitation informatiques (notamment UNIX dont le
langage naturel est le C).

Le simulateur a été réalisé sous la forme d'un

interpréteur capable de lire et d' interprêter un fichier
ASCii décrivant un circuit suivant des règles syntaxiques
logiques et surtout systématiques (avec une sorte de
logique répétitive).
 page 8

Orientation vers une application spécifique:

Partant d'un objectif initial limité aux

applications VHF-UHF, il était ensuite intéressant
d'essayer d'étendre les possibilités de la méthode de
simulation, en particulier vers les hyperfréquences. Ces
différentes extensions' sont envisagées dans les sections
suivantes.

La prise en compte de schémas équivalents de

transistors est techniquement possible, mais . pose des
problèmes quant à l'aspect systématique de la méthode.
L'extension aux cas non linéaires n'a pas été envisagée.

Pour tirer pleinement parti de ce travail, il

fallait donc partir de ses qualités propres. Un des
avantages de la méthode est la vitesse de calcul de
simulation des structures de type filtres (gain en temps
jusqu'à un rapport 10).

D'autre part, examinant les besoins des concepteurs

de filtres, il faut constater qu'il existe beaucoup de
méthodes de synthèses de filtres par approche analytique.
Mais les filtres ainsi synthétisés n'offrent presque
jamais les caractéristiques réellement souhaitées. Ces
insuffisances s'expliquent par la non prise en compte de
composants physiques (donc imparfaits), et par le
compromis gain-adaptation-phase figé par la synthèse.
Après une synthèse, il faut souvent avoir recours à une
approche simulation-optimisation pour affiner les
calculs: simulation pour prendre en compte des éléments
physiques, et optimisation pour obtenir le meilleur
compromis entre les différentes caractéristiques du
filtre.

Hors, les méthodes d'optimisation sont toujours de

 page 9

grandes consommatrices de temps de calcul. En effet,

celle-ci consistent en une suite d'un grand.nombre de
simulations dont les variables d'entrée évoluent de façon
à ce que les résultats de simulation s'approchent d'aussi
près que possible d'un "objectif".

Dans ces conditions, Le gain en temps de calcul

possible avec la méihode étudiée dans ce travail sera
utile. C'est donc vers l'application spécifique du calcul
de filtres qu'il a été choisi d'orienter l'essentiel de
ce travail.
 page 10

I ETUDE DE LA
STRUCTURE DE CALCUL

La conception d'un simulateur de circuits

électriques nécessite une approche à trois niveaux:

1) la modélisation des composants élémentaires

2) la modélisation de la topologie, c'est .à dire du

circuit créé par les liens existant entre ces composants
élémentaires.

3) la gestion automatique des modèles de composants et

de topologies, sous la forme de procédures numériques.

Le présent travail n'a pas pour objet d'étudier de

nouveaux modèles de composants (niveau un). Des modèles
sont cependant nécessaires pour valider les deux autres
niveaux, des modèles de composants ont donc été adaptés
d'après des travaux antérieurs (ref [8] à [34]). Ces
modèles sont détaillés dans le chapitre II ainsi qu'en
annexe 2.

L'approche des niveaux deux et trois est l'objet

de ce chapitre.
 page 11

I - 1 - METHODES CLASSIQUES DE MODELISATION DU CIRCUIT

Dans un premier temps, il s'agit de modéliser les

connexions pouvant exister entre des dipôles passifs.
Dans un second temps, les liens avec des quadripôles
pourront être pris en compte.

I - 1 - a - METHODE DES COURANTS DE MAILLES

Pour calculer les te~sions et les courants dans toutes

les branches d'un assemblage quelconque de dipôles, il
est possible d'utiliser la méthode des courants de
mailles (dite aussi méthode de Maxwell). Les principales
étapes de cette méthode sont rappellées ici:

a) La loi des noeuds est appliquée systématiquement

sur tout le circuit. Pour cela, le circuit est divisé en
N mailles indépendantes numérotées de 1 à N. Chacune
d'enre elle est parcourue par une intensité (fictive) de
maille il, ... ,iN , la même pour toute la maille.

b) L'application de la loi des mailles permet

d'obtenir les différences de potentiel aux bornes de
chaque dipôle du circuit. Il suffit pour cela
d'additionner algébriquement tous les courants de mailles
traversant chaque dipôle, puis d'appliquer la loi d'ohm.
 page 12

Ces écritures peuvent être présentées sous une forme

matricielle:

z(l,l) I(l) + z(l,2) I(2) + . . . + z{l,N) I(N) = E(l)

z(2,1) I(l) + z(2,2) I(2) + . . . + z(2,N) I(N) · = E(2)

z(N,l) I(l) + z{N,2) I(2) + . . . + z(N,N) I(N) = E(N)

où:

z(i,j) est la somme des impédances des branches

communes aux mailles i et j

I(j) est le courant de la maille j .

E(j) est la somme des fern et fcem de la maille j

Une telle matrice posséde des propriétés

intéressantes:
- elle est symétrique et peut toujours s'inverser.
La résolution du systéme permet de calculer les
tensions et courants en tous points d'un circuit composé
de dipôles.

Les inconvénients majeurs sont les suivants:

Pour obtenir cette matrice, il est nécessaire de
déterminer automatiquement les mailles indépendantes.
Le nombre de calculs est important et croît comme le
carré de la dimension du circuit.

Dans la matrice qui vient d'être décrite, de nombreux

termes sont nuls. En effet, les termes z(i,j) sont
 page ~
13

majoritairement nuls, la plupart des mailles d'un circuit

possédant seulement quelques mailles "mitoyennes" parmis
l'ensemble des mailles.

La technique dite de matrice creuse permet de

n'effectuer que les calculs à termes non nuls.

I - 1 - b - METHODE DES MATRICES D'ONDES

Cette méthode convient mieux au traitement de

problèmes radio-fréquences et micro-ondes parcequ'elle
permet de prendre en compte des composants possédant un
nombre quelconque d'accès, alors que la matrice
précedente ne permettait de traiter que les dipôles.

Un circuit micro-ondes peut comprendre des composants

Cl,C2, ... ,CM et des sources Sl, ... ,SN.

Le circuit est décrit par deux types de relations

(A) et (B) :

A des relations utilisant les matrices "S", qui

décrivent le comportement des composants:

[ :~ J J[ a~ J
sll
sl2
=[ s21 s22 aJ

où b et a désignent respectivement les ondes rentrantes

et sortantes, et les indices correspondent aux accès i et
j pour un quadripôle par exemple. Pour une source, la
relation précédente devient:

[ :~ ] = [
sll
s21
sl2
s22
 page 14

L'ensemble des relations du type "A" peut s'écrire

sous la forme d'une seule matrice:

bg = Sg 1 0 ag + cg
t- -- -
1
'1
b 0 s a 0

où l'indice . "g" se rapporte

termes sources. La aux
matrice "S" totale est diagonale par blocs. Cette
relation peut s'écrire sous une forme abrégée:

(b) = [S] (a) + (c)

B des relations exprimant les liaisons entre

composants, en écrivant l'égalité entre une onde sortant
d'un accès de composant et celle entrant dans un accés de
composant voisin (et réciproquement):

ai = bk et bi = ak

L'ensemble de ces relations peut s'écrire sous une

forme matricielle:

(b) = (a)

où la matrice [f] ne comprends que des 1 ou des 0 .

En posant: [W] = [f] - [S], les relations précedentes

deviennent:

(b) = [r] (a)

(a) = [W] ( c)

Ces deux dernières relations permettent de calculer

 page 15

les ondes en tous points d'un circuit en fonction des

termes sources.

L'inconvénient majeur de cette méthode est le nombre

élevé de calculs. Elle nécessite une description du
circuit sous une forme nodale, puis un traitement
automatique pour en tirer une description sous la forme
d'une matrice d'onde pour pouvoir utiliser les relations
matricielles décrites précédemment. Comme dans la méthode
des courants de mailles, il est possible d'utiliser des
techniques de matrices creuses pour diminuer le nombre de
calculs.

I - 1 - c - AUTRES METHODES

Il n'est pas facile d'obtenir des informations

précises sur les méthodes utilisées dans les logiciels
commercialisés, ce qui est tout à fait compréhensible. Il
est raisonnable de penser que la plupart des méthodes
actuelles sont basées sur les méthodes matricielles
exposées en I-1 , chaque éditeur de logiciei apportant un
environnement logiciel propre, et des améliorations
calculatoires originales et non publiées.

Peu d'autres méthodes sont utilisables en pratique.

Citons par exemple:

la méthode des matri.ces de quadripôles (ordre 2),

nécessitant une "gymnastique" compliquée pour décrire un
circuit en blocs et sous-blocs représentables par une
matrice (chaîne, ou Z, ou Y, ou autre ... ).

des modélisation à topologies figées, faciles à

programmer, mais peu souples à utiliser.
 page 16

I - 2 - TRAITEMENT D'ASSEMBLAGES DE DIPOLES

PAR UNE PILE DE CALCUL

La méthode de modélisation présentée ici a pour but de

faire appel à des calculs les plus simples possibles,
tout en restant ouverte au plus grand nombre possible de
topologies de circuits.

I - 2 - a - PRINCIPE DE LA PILE

La pile de calcul de type "LIFO" (Last In First

Out) est une structure d'informations dans laquelle
l'ordre d'accés est inversé par rapport à l'ordre de
rangement [5], c'est à dire que seule la derniére
information entrée est accessible. C'est une telle
structure qui est utilisée dans la méthode de simulation
étudiée ici.( la pile comptera 20 niveaux) :

IDiia Opép Réel lut

1
z
3
4
 page 17

Les différents niveaux de la pile seront occupés

durant la lecture séquentielle d'un tableau de
description représentant le circuit simulé. Cette lecture
séquentielle s'effectue de la sortie du circuit vers son
entrée (il peut y avoir plusieurs sorties, mais une seule
source d'entrée). Suivant leur fonction, les opérateurs
incrémentent ou décrémentent l'indice de pile. Le premier
niveau de la pile (pointeur, ou indice 1) est occupé
après la rencontre du premier opérateur qui est
obligatoirement "s+".

Les opérateurs disponibles sont: (définitions)

s+ ouverture d'une branche reliant la masse au

point courant du déroulement de la description
séquentielle du circuit. Sauf si l'opérateur courant
était p+, auquel cas s+ signifie simplement un assemblage·
série. Dans tous les cas, tant que l'opérateur s+ est
courant, les dipôles rencontrés dans la description sont
en série.

s- connexion de la branche ouverte par s+ au

point du circuit où la description séquentielle avait été
interrompue par s+.

p+ la suite ast un assemblage parallèle.

p- fin de l'assemblage parallèle.

Les définitions de ces opérateurs entrainent

diverses conséquences:

Si l'opérateur courant (le dernier. rencontré) est

"s+" (connexions séries ),la zone donnée contient alors
une impédance. Le courant traversant est choisi
 page 18

arbitrairement égal à (1 + J 0).

Si l'opérateur courant est "p+" (connexions

parallèles), la zone donnée contient alors une
admittance. La tension aux bornes est choisie
arbitrairement égale à (1 + j 0).

Le ·changement de niveau de pile (vers le haut

ou vers le bas) n'à lieu que si un nouvel opérateur est
rencontré au cours de la lecture séquentielle du tableau
de description.

Lorsque l'indice de pile décrémente, un calcul de

mise à jour (tenant compte du dernier et du nouvel
opérateur courant) affecte le contenu de la zone données
de la pile.

Ces empilements d'opérateurs et de données

permettent de calculer (par étapes) l'impédance d' entrée
du circuit et le rapport entre la tension aux bornes d'un
dipôle du circuit et la tension d'entrée du circuit.
Quelques exemples sont donnés dans la suite ainsi qu'en
annexe.

Remarque: Les exemples qui vont suivre anticipent sur la

construction du logiciel et du langage qui permet de
décrire le circuit. Dans ces exemples, seul le modèle de
résistance parfaite est utilisée pour simplifier.
 page 19

I - 2 - b - ASSEMBLAGE SERIE ET PARALLELE

Le circuit suivant représente un assemblage série:

1=11

Le circuit est décrit par: s+; R, 10; ? R,30; s-;

Remarque: le "?" signifie un marquage pour le calcul de
la tension et du courant affectés à la résistance de lOQ.

La pile prend les états suivants:(page suivante)

Lecture des+ étape (a) 1 Lecture de R,lO étape (b)
Lecture de ? étape (c) 1 Lecture de R,30 étape (d)
Lecture de s- étape (e)

Le calcul de tension est éffectuée en choisissant

arbitrairement une tension de (l+jO) volts aux bornes du
dipôle marqué. Puis, à mesure que le circuit se déroule
(une entrée courante du circuit remonte vers la vraie
entrée), la tension d' entrée "vraie" du circuit qui
provoquerait (l+j o) aux borne du dipôle marqué est
calculée. Lorsque le circuit est totalement parcouru, le
gain (en grandeur complexe) est l' inverse de la tension
d' entrée ainsi obtenue. La page suivante illustre
l'évolution de la pile de calcul au cours de la
description. Seul le niveau 1 est utilisé dans cet
exemple. En général, peu de niveaux de pile sont
réélement utilisés.
 page 20

j Etape : a., j Index Op& Béel lut S• ,Cil

1 54- 0 0 k ~~
z ~:'\~
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3
4

1 Etape : 'o Index Opér Réel Iug · o.f.~l,,·~

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4
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 Le circuit suivant représente un assemblage parallèle:

1
lJ

.
Le circuit est décrit par: p+ , R,lO; ? , R, 30 . p -
La pile prend les états successifs suivants:
Lecture de p+ étape (a)
Lecture de R, 10 étape (b)
Lecture de ? étape (c)
Lecture de R,30 étape (d)
Lecture de p- étape ( e)

La page suivante illustre l'évolution de la pile

de calcul au cours de la description. A nouveau, Seul le
niveau 1 est utilisé.
 page 22

1 Etape : Cl.. 1 Index Op&t Réel laag "'-'-) d.~c.. 'lrlli.VG.Ï.t.

1 P+ 0 0 ~ ..~-:w ~ '"'- ""t.~Md
2 Il 1 • Il

3 .f...~""""""" -"~

1 Etape : b Index Opér Héel IMr o. J.J..;.'t ......

1 p• Oel 0 ~r-J.Mo'-'
z
3
4

1 Etape : c. Réel ~ v-t..o....~v.· ~ ~ .e...

1 ,...
Index Op&t
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0
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2
3
v~v4...
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4 el.~c.. !l.o4rw

Index Opér Réel Iaa1 a.,.....- ~",·INti

J,.._.
p .. ~·~~\f~u. aLe.. 2 a ~o.Jl.
1 o. ll'l~ 0
.z ~;~~ .: ~...... kA~ . .
3 . ~..JI~~
4
l'~v""' -.
1 Etape : e 1 Index Opér Réel Iaag P- ~

z
1 - ~V\~ rkA.
...,_- o, \\1
y.-
3
4 I,.,._y-J.,. : o,
Oiw..l' b~
 page 23

I - 2 - c - COMBINAISON DES ASSEMBLAGES

Plusieurs exemples progressifs d'assemblages combinant

des mises en série et parallèle sont donnés en annexe, et
les états de piles y sont complètement décrits. Ce
paragraphe sera limité à fétude d'une structure
ressemblant à une section de filtre coupe-bande:

148

1
58

~~! -6

description du circuit et étapes successives

étape ASCCII
a s+;
b et c r,50; .,. ,.
d s+;
e r,20;
f r,lO;
g s-;
h p+;
i r,40;
j r,30;
k p-;
1 s-;
La pile est décrite page suivante (2 niveaux utilisés)
 page 24

1 Etape : "" 1 Index Opép Réel l I.at 1

! ..-...v-.'ww. al- ~
.
1 .S+ c- 0 1
z 1

3
•
l Etape : 1. Index Opérl Mel lut ! Q,.cl~'r,·- .la.l'•
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4
 page 25

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1 Etlpe : e1 Iu Ope Réel lut
~ .1. G.J "'L
1
z
- - -
3
..
 page 26

I 3 CONCLUSION SUR LES ASSEMBLAGES DE DIPOLES ET

LIMITES

la méthode exposée en II-2 II-3 permet de calculer

une tension ou un courant en tout point d'un circuit
constitué de dipôles. Pour un circuit linéaire, il est
donc possible de calcuier facilement :
l'impédance d'entrée d~ circuit
le gain
la tension et le courant en tout point de circuit
(pour une excitation donnée à l'entrée ) ·
la phase et le temps de groupe

Cependant, pour pouvoir être simulé, le circuit

doit avoir une topologie descriptible par la pile, c'est
à dire :

Avoir des assemblages séries connectés à la masse

d'une part, en tout autre point du circuit d'autre part
(sauf à l'intérieur d'un assemblage série contenu dans un
assemblage parallèle).

~ Avoir des assemblages parallèles dont on peut

calculer des dipôles équivalents pouvant s'insérer dans
des assemblages série. Les assemblages parallèles pouvant
eux-mêmes contenir des assemblages série ett ....

Il y a une liste limitative des suites possibles

d'opérateurs pour décrire une topologie:

aprés S+, on peut trouver: S+ S- P+

aprés P+, on peut trouver: P- S+
toute description de circuit commence par: 8+
 page 27

Ainsi, certaines topologies ne peuvent être décrites

directement par la méthode, par exemple:

Ces simulations seraient possibles au prix d'une

extension de la méthode. Par exemple, des méthodes basées
sur des assemblages de quadripôles permettraient d'y
parvenir. Cependant, Il fa~t noter ces améliorations
seraient obtenues au détriment de l'aspect systématique
du processus étudié.

Il est par ailleurs difficile de prendre en compte

plusieurs sources de tension ou de courant commandées ou
non. C'est pourquoi l'étude du bruit et des phénomènes
non linéaires ne sera pas abordée.

Malgré ces limitations, les assemblages de dipôles les

plus classiques sont simulables directement: filtres,
réseaux d~adaptation ou de déphasage, etc ...
 page 28

I - 4 - ASSEMBLAGES DE QUADRIPOLES

La méthode ne saurait être complète si elle

n'incluait pas le traitement des quadripôles linéaires:
lignes et transistors petits signaux essentiellement.

I - 4 - a - TRAITEMENT DES QUADRIPOLES

La matrice chaîne (ou abcd) permet de convertir le

couple tension courant de sortie en un couple
tension-courant d'entrée. C'est donc cette matrice qu'il
faut utiliser pour prolonger la méthode de calcul
précedente au traitement des quadripôles. Il sera
possible d'utiliser les paramétres S, z ou Y à condition
de prévoir un conversion vers la matrice chaine.

Exemple:

121

le circuit est décrit par

s+ ; r, 10 ; ? ; Quadripôle, a, b, c, d; s-

( Détail calcul p suivante avec pile décomposée )

 page 29

!Etape : <l. 1 Index Op& Béel Iut 0"11-J/......

1 .s .. 0 ()
f'M- s~
z '"a.~.:J .'- .
3
4

1 lUpe : b Index Opép Réel 11111 a.)J,;.\'""' ~

1 S• . 10. 0 J.. "" :. 10
z AM. ~: vu,w-
3
4

1 Etape : c:. Index Opép Réel llq 1 ~v~..t.;

•
1 S+ 10 0 ~~
.... .........
z ,.. -
-~~~o.
\
3 ...
-
\f;. ... \
4

Index Opép Réel 1111 ~

4 fl~~~
.... ,,....
• ~c.a. ,
,
tl..~...;;.
1 S+ x y
.. ....
z ..., ~

3
.4
.
1 Etape : e. 1 Index Op& Réel laq s- ... Ill$ t..
1
z
- - - ~~ ~

3 ..
4
 page 30

I - 4 - b - TRAITEMENT DU STUB SIMPLE (NON GEOMETRIQUE)

A partir des régles de connexion, il est possible

de simuler un assemblage de stubs si l'approximation du
noeud de KIRCHHOFF suffit à décrire la jonction des
lignes.

exemple:

LZ

L3 j L1
.........~~------~L_L&-~::::::Z~~
r -

le schéma équivalent est le suivant:

qz
(:/)
C&,.,c,i)
IL ....

--
Q3
(&,.,c,il

l_
c~
Q1
.•.c.i) 1
0
 page 31

description du circuit et états de la pile

étape ASCCII
a s+;
b et c r,50; ?. ,•
d QLigne,pararnétres;
e s+;
f r,le99;
g QLigne,paramétres;
h s-;
i QLigne,paramétres;
j s-;

Remarques:

Dans cet exemple simple, le circuit ouvert est

simulé par un résistance de valeur trés grande devant les
autres éléments du circuit; l'effet de bord capacitif n'y
est pas simulé.

pour la ligne, il est possible d'utiliser le modéle

'M' (ligne parfaite). Trois paramètres (longueur,
impédance caractéristique, célérité) permettent de
calculer les éléments de la matrice chaine pour
utilisation dans la méthode.

un modèle de quadripôle doit être utilisé avec (S+)

comme opérateur courant.

Les différents états de la pile LIFO sont décrits

page suivante.
 page 32 ~

Index Opép Réel Iut ()1A-II~"Mu-

1 .5-+- 0 0 fd"'- ~ +-
z
3
4

1 Etape : b Inèx Opér Réel IMt ea,.~l-··~ k

1 Sot- 5o a R.:. So o
z
3
4

1 Etape ! G Index Opér Béel llllf c:....r:~~

1 s~ ~0 0 ~
z
3
4

jltape : J.. 1 Index Opér Réel Illt k.~~ .Jt~~

1 S• x y ~ .i'~v~ 1

~--
z ~,..-. ~i'A.
3
4 .
.1

Index Opér Béel [Mf OCt-'li.M..V"~

~M ... Jv.. f'4"4A
1 S+ x :f_
z S• ~ 'S ~vLo •
Cl 0
J..J.. p ; ~ ..a41.-
3
4
 page 33

l Etape : f 1 r• Opép Réel laat ~

'
e,M
1 ~.- x y .
oLe-. cM
z 5-t 1. -e~~ 0 ~~;<(.lAM;
3 ~~""(. .
4

Index Op& Réel IMt ~~~

1 S+- x y ~
(
......
z .S+- . \J.J~ 0 ':ë:. ~ c;'r"(o
3
4

Index Op& Réel I.at s- CLII~III•ll 'Â lt\ill~

~ 'fl.t._ ~.-.k--
.
1 s+ '1...' y 1
' .....,. v~~
H.;k "'- .
z
3 2'.,.;.,..i~"' ~ . . . :,11~
4 -1. k e..r~ 1 .J- N't 1"<..
.... "k ~~-
!Etape : .i. j Index Opép Réel Iut ~~~~u. ~,~~,. .
1 S+ ){ ,, y" llr'v~ .: t.'~~~
z "-' r1~ , """ L."3
3 J~j~,.: j~ ~"' ~--
4

Index Op& Réel Iaar ~ ~ (.

1 - - -
z ..
3
4
 page 34

I - 5 - CONCLUSION SUR LES REGLES D'ASSEMBLAGE

Les principes de calculs exposés permettent de

prendre en compte des assemblages de dipôles et de
quadripôles, dans certaines limites topologiquss qui ne
seront pas rappellées ici.

Il faut encore montrer que ces dipôles et ces

quadripôles peuvent représenter des éléments réels et
physiques pour que la méthode soit utilisable en
pratique, c'est l'objet de la deuxième partie.

Enfin, l'étude a été limitée aux dipôles et aux

quadripôles. L'extension à des hexapôles est nécessaire
pour pouvoir traiter certaines discontinuités
géométriq~es entre tronçons de lignes (cas de la jonction
en "T" pour les stubs).
 page 35

I - 6 - ETUDE DE LA STRUCTURE DU LOGICIEL

Il a été choisi d'organiser le logiciel d'essai de la

méthode suivant une structure d'interpréteur. A la notion
d' interpréteur, il faut ajouter la notion de langage de
description. Ces différentes notions sont explicitées
dans ce chapitre.

Le choix de la structure d'interpréteur est justifiée

par l'objectif de souplesse et d'ouverture de la méthode
de calcul.

I - 6 - a - INTERPRETEUR SIMPLE

Un interprêteur simple est un programme

informatique capable de lire séquentiellement une suite
d' objets dans un fichier ASCii, puis à l'intérieur de
chaque objet, de reconnaitre des "sous-objets" puis de
décider une action.

Par exemple, un interpréteur BASIC pourra

reconnaitre une instruction par ligne (l'objet), chaque
instruction comprennant une commande et des paramètres
(les sous-objets).

Dans le cas du simulateur étudié ici les objets

pourront être soit des opérateurs de connexion, soit des
modèles dont les paramètres seront les sous-objets.
 page 36

exemple tiré du logiciel réalisé:

s+; opérateur connectant un ensemble de dipôles

assemblés en série à un point de masse.
R,SO; modèle de résistance parfaite de valeur 50
ohms
la reconnaissance des objets passe par la
détection de leurs iimites (terminator est le terme
généralement utilisé).

Dans l' exemple:

";"marque la fin d'un objet
","marque la fin d'un sous objet

le début est marqué par premier caractère utile et

les caractères inutiles sont ignorés

Remarque: avec cet exemple, la notion de langage apparait

également. C'est le langage de description du circuit.

I - 6 - b - EXEMPLE DE CIRCUIT

Le circuit (simple) suivant:

est décrit par la syntaxe suivante

s+; r,50; s-;
pour pouvoir être simulé
 page 37

"s+;" signifie que les dipôles qui vont suivre sont

en série "R,50;" est une résistance parfaite de 50
ohms
"s-;" ferme l' assemblage série ( et termine le
circuit)

Les caractères ASCII "blanc"(ou ESPACE),

"CR"(carriage return ou retour chariot), "LF"(line feed
ou aller à la rigne suivante), "TAB" (tabulation), etc ...
étant ignorés, la description peut aussi bien s'écrire:

s+;R,50;s-;

la résistance est d' abord lue sous forme d'

objet

R, 50

Puis les sous-objets sont séparés

R
50

I - 6 - c - INTERPRETEUR ACCELERE

Pour être simulé, le cicuit précédent nécessitait

la lecture de 15 caractères :

s + cr lf tab r 5 0 cr lf s

alors qu'il n'y a que 4 informations:

S+ R 50 s-
 page 38

Dans un balayage en fréquence, ou dans une

optimisation, le même circuit doit être simulé, et donc
relu de nombreuses fois. C'est pourquoi il est
intéressant de trouver un moyen d'accélérer cette
lecture.

Pour cela, la ·description ASCii est lue une seule

fois par le programme informatique qui la transforme en
une description plus compacte de "deuxième niveau" dont
le format autorise une vitesse de lecture
considérablement améliorée, comme schématiquement
illustré ci-dessous.

Fichier ASCii ( langage "clair")

lecture, première interprétation

et transformation
v
Tableau de deuxième niveau (plus compact)

lecture, deuxième interprétation

et calcul
v
Résultat

Pour l' exemple précédent le tableau de deuxième

niveau contient:
indice contenu signification
1 1001 s+
2 1010 R
3 50 50
4 1002 s-
l'indice est l'ordre de lecture (séquentielle).
 page 39

La lecture d'un tel tableau permet par ailleurs

une utilisation optimale de l' instruction d'aiguillage
rapide " switch" /case" du langage C

Ce tableau peut indifféremment contenir des

opérateurs des modèles et des paramètres sans qu'il soit
nécessaire d'intercale~ des opérateurs ou des marqueurs
de fin. En effet, à chaque modèle correspond un nombre
prédéterminé de paramètres.

Exemple
R, 50;
la resistance a pour seul paramètre sa valeur en
ohms
traduction:
1010 modèle de résistance
donc attente d'un (seul) paramètre ensuite
puis: 50 paramètre (valeur de la résistance)
puis: suite du tableau

Remarque: tous les paramétres du modèle doivent être

renseignés.
 page 40

I - 7 - CHOIX D'UNE METHODE D'OPTIMISATION

Une modélisation de circuit permet la prédiction

de ses caractéristiques. Lorsque des caractéristiques
spécifiques sont souhaitées par le concepteur, celui-ci a
la possibilité de modifier les variables du modèle pour
effectuer de nouvel1es analyses jusqu'à ce que la
simulation soit satisfaisante.

En pratique, le nombre de variables à ajuster peut

être grand, et il peut être alors difficile d'appréhender
le "réglage" du circuit. Il est alors inévitable
d'automatiser l'ajustement des variables et la succession
des simulations: c'est l'optimisation.

~iables initiales

uUl icatioa des

~i&bles
 page 41

Pour construire une méthode d'optimisation, il

faut choisir:

1 *une mesure d'écart entre l'objectif à atteindre

et la résultat courant. C'est souvent une distance au
sens géométrique (racine des somme des carrés des
différences) qui est choisie. En pratique, toute distance
au sens mathématique· (vérification de l'inégalité de
CAUCHY-SCHWARZ) convient. La distance choisie sera une
somme de valeurs absolues; cela nécessite moins de temps
de calcul qu'une distance géométrique obtenue par une
racine de somme de carrés.

2 * une loi de variation des variables libres (ou

degrés de liberté) en utilisant soit une méthode de
gradient, soit une méthode de recherche directe, ref [7].
La loi de variation choisie sera une combinaison des deux
types, cette loi sera décrite ci-aprés.

Les méthodes de gradients sont des méthodes

dérivatives permettant de déterminer une direction
d'amélioration à partir du point courant dans
l'hyper-espace des degrés de liberté.

uatii~let initiilet
1

.
il icatin des
uatii~let
 page 42

Les méthodes de gradient sont réputées rapides,

mais elles sont piégeables dans des minimums locaux
(puits et vallées):

Les méthodes de recherche directe consistent à

essayer des jeux de valeurs, soit au hasard, soit d•une
façon calculée; le meilleur ~eu est mémorisé. Ces
méthodes sont insensibles aux minimums locaux, mais
!•approche du résultat optimum peut durer longtemps.

jeu ie uari&ila
SUÎUint

coa.r_. la
IMI'i&•l•
C•il li!IP résait&tl

h r -.z.o
 page 43

La méthode effectivement utilisée dans ce travail

combine les deux approches précédentes pour essayer de
cumuler les avantages de rapidité et de
~non-piégeabilité". Elle consiste en une suite de tirages
aléatoires immédiatement suivis d'une recherche de
minimum local par gradient.

La méthode peut être comparée à ce qui pourrait

être constaté en observant un mauvais joueur de pétanque
jouant sur un terrain sec, accidenté et parsemé de nids
de poules. Chaque tir est évidement aléatoire. Les boules
tirées finissent toutes leur course dans un minimum
local. Au bout d'un temps raisonnable, il est probable
que tous les minimums locaux aient été visités. Le
meilleur minimum local connu est alors qualifié de
solution optimale.

Le dessin suivant illustre la méthode:

,.,- __..--<-----.. '

/ ........

1/ '
r-.
f \.
1
/\ \ \ 1 \
J
\ \
'· - _, i \...
-·
partie pil'til aléatoire
gradient
 page 44

I - 8 - CONCLUSION DE LA PREMIERE PARTIE

Dans cette partie, les principes d'une structure de

calcul basée sur une pile LIFO, et les principes d'une
structure logicielle basée sur un interpréteur, ont été
posés.

Il a été montré que ces principes de calculs ne

permettront pas de simuler toutes les combinaisons
d'assemblages possibles, mais la plupart des circuits
classiques pourront ê-t;:re simulés simplement et
rapidement.

A ces principes purement calculatoires, il faut

maintenant relier les réalités expérimentales de la
physique (c'est l'objet de la deuxième partie qui traite
de modèles de composants) pour obtenir un outil
utilisable.
 page 45

II MODELES DE COMPOSANTS
ET SYNTHESES DE FILTRES

Cette partie présente les modèles de composants qui

seront utilisés pour éprouver la méthode, ainsi que des
calculs de synthèses de filtres qui permettront d'étendre
les possibilités du lo~iciel.

En ce qui concerne les modèles de composants, il

s'agit essentiellement d'un travail de recherche
bibliographique notamment pour les modèles de
discontinuités dans les lignes microruban. Les modèles
présentés ont déja été validés par d'autres auteurs, ces
validations ne seront pas remises en question dans ce
travail. Les modèles utilisés sont détaillés en annexe.
Il s'agit surtout de montrer que la méthode développée
est apte à intégrer de nombreux modèles.

Pour la partie synthèse de filtres, les méthodes de

synthèse et les propriétés des principales familles de
filtres sont rappellées. Ce travail a permis de générer
des exemples d'applications pour la dernière partie de ce
mémoire.
 page 46

II - 1 - MODELES DE COMPOSANTS

II - 1 - a - MODELES DE DIPOLES

L'élaboration des modèles de dipôles provient de

documentations techniques (8](9] et de quelques
vérifications expérimentales

·R RC
....
--c
-~

C CF CQ CQF
tl_ tl_ c c

T.T
L LF LQ LQF

c c
R R
 page 47

Lorsque l'interpréteur rencontre l'expression d'un

dipôle dans une description de circuit, celui-ci calcule
1' impédance et l'admittance complexes correspondantes,
puis affecte la pile LIFO suivant les principes exposés
antérieurement.

Les différents modèles de dipôles disponibles

(syntaxes et calculs détaillés en annexe) sont:

RESISTANCES:
RESISTANCE PARFAITE
RESISTANCE CAPACITIVE

CAPACITES:
CAPACITE PARFAITE
CAPACITE RESONNANTE
CAPACITE à PERTES
CAPACITE à PERTES et RESONANTE

SELF-INDUCTANCES:
INDUCTANCE PARFAITE
INDUCTANCE RESONNANTE
INDUCTANCE à PERTES
INDUCTANCE à PERTES et RESONNANTE

AUTRES EXPRESSIONS DE DIPOLES:

Les modèles suivant sont d'autres expressions de

l'impédance complexe d'un dipôle:
IMPEDANCE COMPLEXE
ADMITTANCE COMPLEXE
COEF DE REFLEXION CARTESIEN
COEF DE REFLEXION POLAIRE
 page 48

II - 1 - b - MODELES DE QUADRIPOLES

Lorsque l'interpréteur rencontre l'expression d'un

quadripôle dans une description de circuit, celui-ci
calcule la matrice chaîne correspondante, puis affecte la
pile LIFO suivant les principes exposés antérieurement.

Les différents modèles disponibles (syntaxes et

calculs détaillés en annexe) sont les suivants:

LIGNES:
LIGNE SANS PERTES
LIGNE A PERTES

TRANSFORMATEURS:
TRANSFORMATEUR PARFAIT

Autres expressions de quadripôles:

Les quadripôles peuvent être représentés par plusieurs

types de matrices (paramètres Z,Y,S,Chaîne ... ). Pour le
traitement dans la structure de calcul, il est nécessaire
de procéder à une transformation en paramètres chaîne.
Pour des paramétres variant avec la fréquence, il faut
utiliser des fichiers de valeurs.

PARAMETRES Chaine
PARAMETRES S CARTESIENS / POLAIRES
PARAMETRES Z
PARAMETRES Y
 page 49

II - 1 - c -MODELES DE DISCONTINUITES GEOMETRIQUES

Le chapitre II-3 expose le travail effectué pour

introduire dans la méthode, les modèles géométriques
permettant de traiter des problémes de micro-ondes
classiques.
les notations adoptées ~ont les suivantes:

~ fréquence dg fonctionnement
h ~paisseur du substrat tmultiples de 127 ~m>

t épa1sseur de métallisation rsouvent 10~m ou 17.5~m)

Wi larg~•-•r du r11ban métalliqt-le de la ligne n°i.

E~fi ~onst~nte d1électrique effective r~uasi TEM) :igne i
Zci 1mpé~anc~ caractér1stique d~ la lign~ i.
'fei adm1tt~nce c:ar='ctéristlqLte de la ligne i
Ag1 !ongueur d'nnde ligne i
hb hauteur du couvercle de bottier (éventuel).
par rapport à la surface du ruban métallique
c ''itesse de la lLtmière (3.e8 m/s)
10 perméabilité. magnétique du vi.de
eo rermittivité du vide
1r .er grandeurs relatives associées
?, Zo 1mpédanc:e car~ctéristique du vide
rzo = 12~ • rr = 377 Q)

t
lt
/1/JJ/JIII//1/I//IIül/1/hl/lllllh/JJII/I/1/IIü//IN////IIIJI/11111/111/.

~, li -l
 page 50

II - 1 - c - i - APPROCHE DES PROBLEMES

La recherche bibliographique a permis de lister des

modèles pour la plupart des discontinuités classiques.
Les modèles faisant intervenir un schéma équivalent en
assemblage de dipôles RLC peuvent être exploités plus
facilement, même si les dipôles sont fonction de la
fréquence.

Le processus de traitement informatique du modèle

est le suivant:
lecture d'un modèle de discontinuité par
*
l'interpréteur de premier niveau.
* réservation de la place nécessaire dans le
tableau de deuxième niveau pour écrire le modèle, suivi
de la description du circuit RLC équivalent, le tout en
langage de deuxième niveau.
* lors de la simulation, la rencontre du modèle de
discontinuité permet d'effectuer un recalcul des éléments
RLC suivants si ceux-ci sont dépendants de la fréquence.

La réalisation de ce principe ne pose pas de

problème pour décrire une discontinuité de type
quadripôle (changement de largeur, gap, encoche ... ), car
le circuit équivalent à incorporer dans le tableau de
deuxième niveau (cf I-6) nécessite un nombre fixe
d'indices de tableau.

Il n'en pas de même pour une discontinuité

n'est
de type hexapôle (jonction en T) ou plus généralement
pour .les multipôles d'ordre supérieur car les branches
dérivées rapportent peut-être des circuits non
prédéterminés par le modèle, donc avec un besoin non fixé
d'avance en indices de tableau de deuxième niveau. Le cas
de la jonction en »T" est exposé dans la suite.
 page 51

Avant de présenter les différentes discontinuités,

il convient de rappeller les principales caracteristiques
d'une ligne microruban (microstrip), sans perturbation
géométrique, et de définir un niveau de finesse de
modélisation des lignes avant d'en étudier les
discontinuités.

II - 1 - c - ii - APPROCHE QUASI-TEM

Le mode de propagation le long d'une ligne

micro ruban est hybride et possède (cas général) six
composantes non nulles de champs électromagnétiques. La
résolution du problème électromagnétique correspondant à
ces structures n'admet pas de solutions analytiques
simples pour la distribution des champs et les
caractéristiques de propagation.

Les formules qui vont être employées utilisent

l'approximation quasi-TEM c'est à dire que les
composantes longitudinales (dans la direction de
propagation) sont négligées devant les composantes
transverses des champs électrique et magnétique
ref [10] [11] [12]

Pour les besoins du calcul, la structure inhomogène

de la ligne microruban est remplacée par une structure
homogène équivalente dont la permittivité relative
effective Eff et l'impédance caractéristique Zc sont
déterminées par une étude électrostatique de la
structure.

Pour une ligne situées dans le vide, l'impédance

 page 52

caractéristique Zco et la vitesse de propagation Vo sont

égales à:

Zco= j L/Co Vo=l/ j L*CO

où L et Co sont les constantes linéiques selfique et

capacitive dans le vide.
Pour une même ligne située dans un milieu diélectrique de
permittivité relative Er:

Zc= 1 L/C = ) L/(CO*Eff) = Zco / j Eff

L'impédance caractéristique de la ligne (Zc), la

vitesse de propagation (V), et la constante diélectrique
effective (Eff) dépendent de la permitivité du
diélectrique et de la géométrie de la ligne.

Différentes théories permettent de calculer Zc et

Eff. les principales sont:
- l'approche quasi-statique
- les modèles dispersifs
- l'analyse multimodale
etc ...

L'objet de ce chapitre n'est pas d'en refaire les

démonstrations, seuls les résultats les plus simples à
programmer seront utilisés.

Les formules retenues pour la programmation sont

celles établies par Schneider [15] et Hammerstad [16] à
partir des formules de Wheeler [13][14] valables pour une
épaisseur de métallisation nulle (ce qui est faux en
pratique).
 page 53

Les formules sont les suivantes:

Er + 1 Er - 1
Eff = + * f(W/h)
2 2

avec:

1
*f(W/h)= + .04 * (1 - W/h) 2 si W/h <=1
/-1 + 12 h/W

1
*f(W/h) = si W/h > 1
/- 1 + 12 h/W

l'erreur relative sur Eff est inférieure à 1% pour:

.05 <= W/h <= 20 et Er <=16

Zo
Zc = * log (8 * h/W + .25 * W/h) si W/h<=1

Zo
Zc = /[W/h + 1.4 + 0.67*10g(W/h+1.44)] si W/h<=1
/Eff
 page 54

Des facteurs modifient Zc et Eff:

-épaisseur de métallisation (t) ref [17].
le rayonnement qui est proportionnel à

l'effet de boitier, qui est plutôt un effet de

couvercle.
l'influence de la fréquence; des formules plus
complètes peuvent en tenir compte (ref [18][19][20]),
cependant, il n'en a pas été trouvée qui intègrent tous
ces phéfiomènes simultannément.

II - 1 - c - iii - MODELE DE LIGNE GEOMETRIQUE

la &

t L

Zc, ulc ~
 page 55

SYNTAXE DU MODELE LIGNE MICRORUBAN

nom MSTRIP
syntaxe MSTRIP,xl,x2,x3,x4;
xl est la largeur de la ligne (W)
x2 est la hauteur de diélectrique en rn (H)
x3 est la constante diélectrique relative Er
du sub~trat

x4 est la longueur de la ligne

PROGRAMMATION:

Ces paramétres permettent de calculer l'impédance

caractéristique de la ligne et la célérité (égale à
1//Eff). Les formùles déjà uiilisées par le modéle de
ligne »M» sont alors directement utilisables, et la suite
du processus est le même.
 page 56

II - 1 - c - iv - TRAITEMENT DES DISCONTINUITES

Ce paragraphe décrit la méthode utilisée pour traiter

les discontinuités en faisant appel à la logique décrite
dans la première partie.

Pour cela, deux exemples seront utilisés:

- l'extrémité ouverte
- le saut d'impédance

Le principe utilisé est toujours le même: remplacer la

discontinuité par un circuit RLC équivalent, écrire la
description de ce circuit équivalent dans celle du
circuit total, puis calculer les valeurs du circuit en
fonction de la fréquence.

L'ensemble des circuits équivalents et les

discontinuités qui ont été traités dans ce travail sont
présentés en annexe.
 page 57

EXTREMITE OUVERTE (open-end)

L'extrémité ouverte est le cas le plus simple à

incorporer dans le simulateur, car un dipôle capacitif
suffit à décrire la discontinuité. ref [21][22][23]

REPRESENTATION ET SCHEMA EQUIVALENT:

\ y Zc
la Zc
o/
J
1 1
p p p

Les expressions utilisées pour calculer la valeur de

Cf sont rappellées en annexe.

SYNTAXE DU MODELE EXTREMITE OUVERTE (OPEN-END):

nom MSTRIPOE
syntaxe MSTRIPOE,xl,x2,x3;
xl est la largeur de la ligne (W)
x2 est la hauteur de diélectriqu8 en rn (H)
x3 est la constante diélectrique relative Er
du substrat
TRAITEMENT:

L'interpréteur de premier niveau doit transcrire le

modèle de premier niveau (ASCii) vers un modèle de
deuxième niveau suivi de la description du circuit
équivalent. Les valeurs des composants du circuit
équivalent sont recalculés à chaque balayage du tableau
de deuxième niveau.
ainsi:
MSTRIPOE,xl,x2,x3;
se transforme en:

contenu du tableau signification

3000 modèle MSTRIPOE en langage niveau 2

xl xl servent a calculer C
x2 x2 c a d le contenu du tableau
x3 x3 ) deux indices plus loin

C modèle C: capacité parfaite.

valeur de C valeur recalculée a chaque balayage
 page 59

SAUT D'IMPEDANCE (impedance step)

La variation en largeur est un quadripôle dont les

caractéristiques peuvent être représentées par un
assemblage LC. ref [24](25][26]

REPRESENTATION ET SCHEMA EQUIVALENT:

U1 ?A:1 ZcZ

1 1
p p

Les expressions utilisées pour calculer la valeur de

C, Ll, L2, sont rappellées en annexe.

SYNTAXE DU MODELE SAUT D'IMPEDANCE (IMPEDANCE STEP):

nom MSTRIPSTEP
syntaxe MSTRIPSTEP,xl,x2,x3,x4;
xl est la largeur de la ligne 1 (Wl)
x2 est la largeur de la ligne 2 (W2)
x3 est la hauteur de diélectrique en rn (H)
x4 est la constante diélectrique relative Er du substrat
 page 60

TRAITEMENT:

L'interpréteur de premier niveau doit transcrire le

modèle de premier niveau (ASCii) vers un modèle de
deuxième niveau suivi de la description du circuit
équivalent.

ainsi:

MSTRIPSTEP,xl,x2,x3,x4;

se transforme en:
contenu du tableau signification

3000 modèle
xl xl )
x2 x2 ) servent à calculer Ll,L2,C
x3 x3 )

L
valeur de L

S+
c
valeur de c
s-

L
valeur de L
 page 61

CAS DE LA JONCTION EN "T"

ref [32][33][34] Les formules retenues sont

essentiellement celles de GUPTA. Elles font encore une
fois appel à un assemblage équivalent de dipôles:

Pl 1
Pl P1

Le traitement informatique de ce modèle par la méthode

de la pile LIFO peut se faire d'une façon similaire au
traitement du modèle de saut d'impédance. Il se pose un
problème de réservation de places dans le tableau
interprété de deuxième niveau (tableau compact), en
effet, la taille de description du circuit connecté à la
branche secondaire du "T" n'est pas connue d'avance. Ce
modèle pourrait servir de base à la constitution de
modèles évolués, tels que cette partie de filtre
passe-bas élliptique (la taille du circuit secondaire est
fixée):
 page 62

II - 1 - d - CONCLUSION SUR LES MODELES DE COMPOSANTS

Beaucoup de composants passifs discrets ou

répartis peuvent être modélisés simplement. La
littérature fournit des circuits équivalents en
assemblages L-C pour les discontinuités géométriques dont
certaines ont été programmées à titre d'exemple.

De tels circuits équivalents existent pour les

guides, les lignes coaxiales et les striplines, Ainsi, à
la liste des modèles programmés, de nombreux autres
composants (et leurs discontinuités géométriques) peuvent
être additionnés à la liste déjà établie.
 page 63

II - 2 - SYNTHESE DE FILTRES
A COMPOSANTS LOCALISES

principe: Un réseau de transmission idéal permet de

transmettre sans déformation tout signal qui lui est
appliqué à l'entrée:

sCU
~

Un filtre idéal permet de transmettre sans

déformation la seule partie utile d'un signal qui lui est
appliqué à l'entrée. Sa fonction de transfert s(t)/e(t)
possède les propriétés suivantes:
(a) son module est égal à 1 pour les composantes de
fréquences à passer
(b) son module est égal à 0 pour les composantes de
fréquences à stopper
(c) son argument est une fonction linéaire de la
fréquence, d~/dw = este

Dans la pratique, les propriétés (a)(b)(c) ne sont

jamais pleinement satisfaites simultanement, le
concepteur est amené à chercher le compromis le moins
mauvais pour son application. Il existe des méthodes de
synthèse de filtres capables de calculer les éléments L
et C pour qu'un circuit possède des caractéristiques
aussi proches que possible du filtre idéal. Les méthodes
les plus connues sont les paramètres image initiée par
ZOBEL vers 1920 et la méthode polynomiale initiée par
NORTON et BENET [36]. Les principaux résultats des
méthode~ polynomiales seront rappellés ici.
 page 64

II - 2 - a - FILTRES PASSE-BAS EQUIVALENTS

Pour simplifier les calculs, il est pratiqué une

transformation des gabarits de filtres à synthétiser de
façon à avoir à calculer un filtre passe-bas équivalent
dont la pulsation de coupure Qo est égal à 1 (rad/sec) et
l'impédance caractéristique est égale à lQ. La procédure
de synthése est:

choix de l'ordre du passe-bas

normalisé lQ - lrad/s

v
valeurs des éléments localisés
Lk et Ck

dénormalisation des éléments

v
filtre

Les valeurs des composants Lk et Ck peuvent çetre

calculés, ou bien lues sur des tables. Zverev [36]
fournit des tables de filtres normalisés: polynomiaux
(impédance constante et adaptatifs) et élliptiques. Les
formules de dénormalisation applicables sont rappelées
dans les pages suivantes.
 page 65

Les formules de dénormalisation applicables sont

rappellées:

Passe-bas:

1 -> L Lk = Gk * (ZojQc)
c -> C Ck = Gk '; (ZO*QC) k=l, .. ,N

OÙ

Qc est la pulsation de coupure du filtre à réaliser

Zo est l'impédance caractéristique (d'entrée)

( pour un filtre polynomial, Gk est le kième coefficient

(du polynôme (k=l,,ordre N)

pour un filtre élliptique, Gk correspond au kième

( élément localisé du filtre passe bas normalisé.

-lt-
•
 page 66

Passe-Haut:

1 -> C Ck = 1 1 (Gk*ZO*QC)
c -> L Lk = Zo 1 (Gk*QC) k=l, .. ,N

où

( Qc est la pulsation de coupure du filtre à réaliser

Zo est l'impédance caractéristique (d'entrée)

pour un filtre polynomial, Gk est le kième coefficient

du polynôme (k=l,,ordre N)

pour un filtre élliptique, Gk correspond au kième

élément localisé du filtre passe bas normalisé.

-il- ~·
)

•
Lranstoi.tioa ~ae-haut _j
)
-il-
 page 67

Passe-Bande:

1 -> L--e Lk = (Zo * Gk) 1 (Qc2 - Qcl)

Ck = 1 1 (Lk * Qo2)

c -> L//C Ck = Gk 1 (ZO*(Qc2 - Qc2))

Lk = 1 1 (Ck * Qo2) k= 1, .. , N

où:

Qcl Qc2 sont les pulsations de coupure du filtre

( Qo 2 = Qc1 * Qc2 (moyenne géométrique)
( la pulsation normalisée: W=[Qoj(Qc2-Qc1)]*[QjQo-QojQ]

Zo est l'impédance caractéristique (d'entrée)

pour un filtre polynomial, Gk est le kième coefficient

du polynôme (k=l,,ordre N)

pour un filtre élliptique, Gk correspond au kième

élément localisé du filtre passe bas normalisé.

~~ :n: - \\
 page 68

Coupe-bande:

1 -> L//C Ck = 1 1 (Zo * Gk * (Qc2 - Qcl))

Lk = 1 1 (Ck * Qo2)

c -> L--e Lk = Zo 1 (Gk * (Qc2 - Qc2))

Ck = 1 1 (Lk * Qo2) k=l, .. ,N

où

( Qcl Qc2 sont les pulsations de coupure du filtre

( Qo 2 = Qcl * Qc2 (moyenne géométrique)
la pulsation norm.: W=l/{[Qoj(Qc2-Qcl)]*[Q/Qo-QojQ]}

Zo est l'impédance caractéristique (d'entrée)

( pour un filtre polynomial, Gk est le kième coefficient

(du polynôme (k=l,,ordre N)

pour un filtre élliptique, Gk correspond au kième

élément localisé du filtre passe bas normalisé.

+
)

. • 1--J- ·~
trand'orMtlOD COUpe-NIIIIG --J
 page 69

II - 2 - b - FILTRES POLYNOMIAUX

II - 2 - b - i - DEFINITION

Un filtres polynomial possède une fonction de

transfert s(t)/e(t) dont l' inverse (fonction de
transmission) dégénère en un polynôme en s (s=jQ, Q étant
la pulsation normalisée).

Les coefficients (Gk k=l,N) de. ce polynôme donnent

directement les valeurs des éléments localisés du filtre
passe-bas normalisé, surlequel il suffira de pratiquer
une dénormalisation. Ces coefficients peuvent être
calculés, ou lus sur des tables [36].

Il existe plusieurs topologies possibles pour le

passe-bas normalisé:

les différentes torwes da filtre passe-bas de référence •

•

e 1

G1 G2 GJ

e 1

Gl
Les 16 topologies possibles en filtres polynomiaux
dénormalisés sont répertoriées en Annexe.
 page 70

II - 2 - b - ii - FAMILLES DE POLYNOMES

Les différentes formes polynômiales et leurs

propriétés sont rappellées, avec les notatios suivantes:
x = QjQc
( W est la fonction de transfert
N est l'ordre du filtre

* BUTTERWORTH:

W = 1 1 ( 1 + x2N )
cette fonction est définie pour une coupure à 3 dB, cette
synthèse permet d'obtenir un bon compromis entre la
sélectivité et la distortion de phase.

* TCHEBYSCHEFF

W= 1 1 Je 1 +d 2 Tn 2 (x)

avec 0 <= d <= 1

Tn est un polynôme de Tchebyscheff:
Tn(x) = cos( N * arccos(x) pour lxi <= 1
Tn(x) =ch ( N * argch(x)) pour lxi>= 1

d est un facteur de compromis entre la sélectivité

(grande si d proche de 1) et l'ondulation dans la bande
(faible si d proche de 0 ) . Cette synthèse permet
d'obtenir les filtres polynômiaux les plus sélectifs. La
distortion en phase reste cependant importante.

L'ondulation dans la bande est donnée par:

(linéaire) 11J (1 + d 2 )
 page 71

* GAUSS

IWI =exp( -Q 2 )

la synthèse d'un tel filtre à l'ordre N utilise les

N+l premiers termes du développement limité du carré de
la fonction de transmission w. (Un filtre de gauss
parfait nécessitant un nombre infini d'éléments). Ce type
de filtre est utilisé pour des signaux impulsionnels en
raison des caractéristiques temporelles (qui ne seront
pas évoquées dans ce tr~vail).

* BESSEL

(ou filtre de Thomson, ou "maximally flat delay").

W = exp( -s * to )
où to est un temps de groupe fixé

les caractéristiques sont proches de celles obtenues

avecla synthèse de 'Gauss. Le développement est du même
type.
 page 72

II - 2 - c -FILTRES ELLIPTIQUES

Un filtre élliptique possède une fonction de

transmission qui ressemble à celle d'un filtre de
TCHEBYSCHEFF, mais qui ne dégénère pas en un polynome:

1 W1 2 = 1 1 ( 1 + d2 * Cn 2 ( Q) )

avec, suivant l'ordre pair ou impair:

C2n(Q) =

C2n+l(Q) =

Le dénominateur de ces fonctions donne des pôles de

réjection (infini) dans la bande coupée. Le numérateur
donne des zéros d'atténuation dans la bande passante.

La réponse fréquentielle d'un filtre passe-bas

élliptique type:

---·---····---- -i
i ~
1

1 1 1
1
i i
1
1 1
'\
1 1 ! ~ i 1
1
1
i
~i
1

! "{
-So o...6J.. :.. ~' oc.- ·--l !\ /
......
~·
''/
1 1
o.W. 3
! 1
C01,
~t '1
K
'"r
IJ... ~ 1 .j_p, i 1
'
i
1
1
1
i

-
1
!

1 1 1 1 \ 1 1 1
1 ' 1

0 So
 page 73

Les propriétés d'un tel filtre peuvent être résumées

ainsi:
possibilité d'obtenir une sélectivité très élevée,
mais "remontées" dans la bande coupée
- ondulation dans la bande passante
- mauvaise performance en temps de groupe
Lors de la synthèse d'un tel filtre, des compromis seront
cherchés:
la sélectivité peut être augmentée en acceptant une
ondulation dans la bande plus élevée:
0 .
Ai\~.·.,
1 1
'
! i 1
J

' ... 1 1 i !
i
~
'
1 1
lt \! 1 !
t-'' ~- 'tl
~ "'{
~1\ ~-;- -
1'~.' il~ -
L JL
... .!.
- ' -

i
'l i
1
1 1 1 i
'
1 1
1
0

la sélectivité peut être augmentée en acceptant un

plancher de remontées plus haut dans la bande coupée:

1 1

""\, : i 1
1
~'· 1 !
\ {"-l. ~ A A
v 1
1
·,~
T l
1
•\ /
~

~ ~\ /
-
1

•100
i l
0

Les valeurs des composants localisés d'un filtre

élliptique normalisé peuvent également être calculées ou
lues sur des tables [36].
 page 74

II - 2 - d - CONCLUSION SUR LES SYNTHESES DE FILTRES

Les méthodes de synthèses exposées permettent

d'esquisser rapidement des solutions de filtrage. Le
transfert des éléments calculés vers une réalisation pose
les problèmes suivants:

* La plupart des synthèses ne prennent en compte que

des éléments purement réactifs parfaits (sans perte et
sans phénomène de résonance).
Certains éléments calculés peuvent être
*
irréalisables (Inductance ou Capacité de valeurs élevées
compte tenu des fréquences de fonctionnement).
* Le compromis entre les caractéristiques
Gain/Atténuation/Impédance du filtre n'est pas toujours
satisfaisant pour l'application.

C'est pourquoi ces différentes méthodes de

synthèses sont avantageusement complétées par un
processus d'optimisation.

Enfin, l'ensemble constitué par le simulateur, les

modèles de composants et les synthèses de filtres
constitue un excellent outil de éalcul et de simulation
de filtres dont il reste à montrer les possibilités dans
la dernière partie.
 page 75

III REALISATION DU LOGICIEL

ET APPLICATIONS

Cette partie a pour but de présenter la

réalisation effective du simulateur dans un environnement
logiciel intégrant d'autres fonctions, et d'évaluer les
performances de cet ensemble à l'aide de quelques
applications.

III - 1 - REALISATION

III - 1 - a - ASPECT GENERAL

Les logiciels ont été écrits en langage C, sous

système DOS, avec un compilateur BORLAND Turbo C 2.0
Ils se présentent sous la forme d'un ENVIRONNEMENT
INTEGRE comprennant plusieurs programmes exécutables dont
les principaux sont le simulateur et des synthèses de
filtres.

L'ensemble est organisé pour offrir le maximum de

convivialité et d'ergonomie à l'utilisateur et inclut les
fonctionnalités des logiciels du commerce. cet ensemble
de logiciels peut être utilisé sur du matériel
informatique faible coût (pc-xt).
 page 76

Les fonctions seront décrites dans la suite. Les

principales sont:

- le simulateur et l'optimiseur

- la synthése de filtres polynomiaux

- la synthése de fil~res élliptiques

- la synthése de filtres à résonateurs couplés

NOTA: quelques autres fonctions améliorent l'ergonomie de

l'ensemble: utilitaires de calculs divers, éditeur de
texte pleine page intégrable aux autres fonctions (trés
utile en simulation).

III - 1 - b - LE SIMULATEUR ET L'OPTIMISEUR

Le simulateur se présente sous la forme d'un

programme exécutable dont les principales fonctions
accessibles par menus sont:

le chargement d'un fichier ASCII (avec r~cherche

dans l'arborescence des répertoires du disque) contenant
la description du circuit à simuler.

un éditeur intégré pour effectuer facilement des

modifications sur le contenu du fichier.

- une entrée de paramétres de simulation:

* points de fréquence (répartition linéaire)
* impédance caractéristique du générateur
d'entrée.
 page 77

le calcul de simulation lui-même, dont la structure

a été décrite en section II.

une interface de sortie graphique (avec copie

d'écran graphique). Les échelles peuvent être
automatiques ou imposées. Les résultats accessibles sous
cette forme sont:

* ABAQUES DE SMITH:
- impédance d'entrée

* DIAGRAMMES RECTANGULAIRES:
- gain c

- temps de groupe
phase (relativement à la phase d'entrée)
- TOS en dB
- tension au point de mesure
- courant au point de mesure
- impédance d'entrée, partie réelle
impédance d'entrée, partie imaginaire
- TOS en valeur absolue
- coefficient de réflection

L'optimiseur est intégré dans le même programme

executable. Ses principales fonctions accessibles par
menus sont:
- une définition des degrés de liberté:
* nombre de degrés de liberté (maximum 10 )
* intervalle
* précision (intervalle découpé en tranches )
- une définition des objectifs:
* nombre d'objectifs à atteindre
* résultats à atteindre pour chaque objectif en
fonction de la fréquence
* poids relatif de chaque objectif
 page 78

un calcul d'optimisation (dont les principes sont

exposés enI):

une présentation des résultats en mode texte. Une

visualisation graphique de l'évolution des
caractéristiques du circuit en cours d'optimisation
serait intéressante, mais aurait pour conséquence un
ralentissement important du déroulement des calculs.
Cette option n'a donc pas été retenue à ce stade
d'évolution du programme.

III - 1 - c - SYNTHESE DE FILTRES POLYNOMIAUX

La synthèse de filtres polynomiaux (filtres à

stucture LC classique) est construite sur une méthode de
dénormalisation [35] [36] [37] et se présente sous la
forme d'un programme exécutable dont les principales
fonctions accessibles par le menu sont:

choix d'un gabarit à réaliser avec entrée du type de

gabarit (passe-bas/haut/ ou passe/coupe-bande) et entrée
de ia bande passante utile et des fréquences et valeurs
de réjection hors-bande. A l'issue de cette définition,
le programme calcule (à titre indicatif) l'ordre du
filtre de Tchebyscheff qui réaliserait le gabarit.

choix d'une famille de filtres parmi celles de:

* Butterworth
* Tchebyscheff
* Bessel (maximally flat delay)
* Legendre
* Gauss

- une entrée d'autres données:

* impédances et ordre du filtre
 page 79

- le choix d'une topologie en "PI" ou en "T" et le

calcul des inductances et capacités parfaites
correspondant au filtre parfait demandé. Ces éléments
étant calculés, i1 est pos.sible de générer un fichier
ASCII décrivant ce filtre pour une simulation ultérieure.

Le principe de ce programme repose sur une suite

d'opérations simples:

- normalisation du gabarit réel.

recherche du filtre normalisé le plus proche, parmi

de nombreuses tables de filtres normalisés (1 Q, 1 r/s),
et rangés dans des fichiers classés.

- dénormalisation.

Remarque: il s'agit d'une synthèse de filtre à éléments

parfaits. A partir du fichier ASCII de description, il
est possible de changer les modèles parfaits pour des
modèles dégradés.

Remarque: l'ensemble des topologies de filtres LC

polynomiaux classiques est présenté en annexe.

I - 1 - d - SYNTHESE DE FILTRES ELLIPTIQUES

La synthèse de filtres élliptiques (filtres à

stucture LC classique) est construite sur une méthode de
dénormalisation [36] et se présente sous la forme d'un
programme exécutable dont les principales fonctions
accessibles par le menu sont:

choix d'un gabarit à réaliser avec entrée du type de

gabarit (passe-bas/haut/ ou passe/coupe-bande) et entrée
 page 80

des fréquences de coupure (uniquement).

-choix de l'impédance caractéristique.

fonction de compromis: la bande passante utile ,les

fréquences et valeurs de réjection hors-bande ( remontées
et pôles du filtre), la pente ainsi que l'ondulation dans
la bande sont reli~s implicitement. Le choix d'un
compromis entre ces caractéristiques est possible.

lechoix· d'une topologie en "PI" ou en "T" et le

calcul des inductances et capacités parfaites
correspondant au filtre parfait demandé. Ces éléments
étant calculés, il est possible de générer un fichier
ASCII décrivant ce filtre pour une simulation ultérieure.

Le principe de ce programme repose sur une suite

d'opérations simples:

- normalisation de la fréquence de coupure.

choix d'un compromis recherche du filtre

normalisé correspondant dans des tables de filtres
normalisés (1 ohm, 1 Hz), et rangés dans des fichiers
classés par noms affichage du compromis dénormalisé
ces opérations sont immédiates et peuvent être
répétées jusqu'à ce que le bon compromis soit trouvé.

- dénormalisation.

Remarque: il s'agit d'une synthése de filtre à éléments

parfaits. A partir du fichier ASCII de description, il
est possible de changer les modèles parfaits pour des
modêJes dégradés.
 page 81

III - 1 - e - SYNTHESE DE FILTRES A RESONATEURS COUPLES

La synthèse de filtres à résonateurs couplés

(filtres passe-bande à stucture LC classique) est
également construite sur une méthode de dénormalisation
[36] et se présente sous la forme d'un programme
exécutable. La méthode dite de prédistortion a fourni
l'analyse pour ce programme, les filtres sont de type
polynomiaux. Par rapport à la forme canonique des filtres
passe-bande polynomiaux, cette méthode présente
l'avantage de proposer des valeurs localisées souvent
plus aisément réalisables aux fréquences supérieures à
300 MHz.
 page 82

III - 2 - EVALUATION DE LA VITESSE DE CALCUL

III - 2 - a - PRESENTATION

Le but de cette évaluation est de situer le simulateur

par rapport au simulateur TOUCHSTONE V2.0 (r) en terme de
rapidité de calcul.

Pour cela:

les essais sont effectués sur la même machine

(un PC 286 équipé d'un co-processeur arithmétique,
vitesse relative au PC XT original: 375 %)

les circuits simulés ne contiennent que des

résistances pour que la comparaison ait bien lieu au
niveau de la méthode de simulation, et non au niveau des
calculs propres aux modèles physiques.
 page 83

Deux circuits élémentaires sont utilisés, il s'agit de

cellules d'atténuation de -6dB:

CIRCUIT A:

cellale-6 B

CIRCUIT B:

5I

5I

cellale -6 B
 page 84

Les paramétres de simulation sont les suivants:

* 101 points de fréquence

* calcul du gain
* simulations pour différents nombres de cellules

Le temps est mesuré à 0,5 sec prés (montre en main),

la précision est suffisante pour effectuer des
comparaisons (tendances) de calculs qui durent plusieurs
secondes. Il suffit en effet de cascader des cellules
supplémentaires pour que la durée du calcul de simulation
soit suffisante.

III - 2 - b - RESULTATS

Les tableaux suivants rassemblent les temps mesurés:

CIRCUIT A:

taille du circuit temps en secondes

TOUCHSTONE V 2.0 !NOUVEAU

1 SIMUL
N Cell N dipôles lprepar + calcul = total 1 total

4 8 2,5

8 16 4 11 15 3,5

16 32 9 19 28 7

32 64 42 30 72 14
 page 85

CIRCUIT B:

taille du circuit temps en secondes

TOUCHSTONE V 2.0 jNOUVEAU

1 SIMUL
N Cell N dipôles 1 pre·par + calcul = total total

2 8 2,5 13,5 16 2

4 16 6 37 43 4

-------- ---------- --~---~------- --------- -------

~~ m: -l,
remarque: avec un PC386SX 16 MHz et coprocesseur
arithmétique, 32 cellules sont calculées en 7 secondes,
toutes chose étant égales par ailleurs.

L'avantage en vitesse de la méthode de calcul par pile

LIFO apparaît nettement avec le circuit B, le calcul par
le nouveau simulateur peut être plus de 10 fois plus
rapide!

Ces résultats appellent d'autres commentaires:

Il semble y avoir deux étapes de calcul dans le

logiciel TOUCHSTONE: une étape de prépararation
( "preparing") et une étape de calcul. Il faut noter que
le temps de calcul croît plus que proportionnelement au
nombre de dipôles dans le circuit.

Pour le nouveau simulateur, le temps de calcul est

proportionnel au nombre de dipôles du circuit.
 page 86

III - 2 - c - CONCLUSION SUR LA VITESSE DE CALCUL

En conclusion, il est difficile de prévoir le gain de

temps exact avec la méthode à pile de calcul, cet
avantage semble varier avec la topologie du circuit
(rapport de 4 à 10 dans les exemples traités).

Néanmoins, le rapport des temps de calculs est

suffisamment élevé pour que.la méthode à pile LIFO soit
avantagement choisie (dans le cadre spécifique d'étude en
régime linéaire et établi ) pour effectuer d~s calculs
répétitifs tels que des balayages sur de nombreux points
de fréquence, ou tels que des calculs d'optimisation.

III - 3 - CONCLUSION SUR LA REALISATION

L'ensemble de logiciels ainsi réalisé permet

d'effectuer rapidement des calculs d'adaptation et de
filtres. La synthèse de filtres à composants localisés
est avantageusement complétée par une optimisation
rapide; l'ensemble ainsi configuré constitue une
véritable boîte à outils de conception de filtres.

L'outil reste ouvert, il est possible d'y ajouter

d'autres synthèses, d'autres modèles de composants, et
d'autres calculs (autres algorythmes d'optimisation par
exemple).
 page 87

III - 4 - APPLICATIONS

Ce paragraphe présente quelques études menées à

l'aide des outils logiciels créés:

- exemple a : (III - 4 - a)

Filtre L-C élliptique passe-bas (5MHz ).Ce filtre a

été étudié et réalisé par la société EXER (59
VILLENEUVE D'ASCQ), spécialisé~ dans les systèmes de
vidéocommunications.

- exemple b (III - 4 - b)

Filtres VHF. Ces filtres ont été étudiés pour les

besoins du Centre Hyperfréquences des·Semi-conducteurs,
(CRS-Université de LILLE I) pour être inséré dans la
partie IF d'un système DOPPLER.

- exemple c : (III - 4 - c)

Filtres hyperfréquences. Ces filtres ont été calculés

pour montrer que le logiciel est aussi utilisable en
micro-ondes, et que le simulateur pourrait recevoir
d'autres modèles hyperfréquences avec profit.
 page 88

III - 4 - a - ETUDE D'UN FILTRE ELLIPTIQUE

PASSE-BAS (5MHz) ET REALISATION

le but est de réaliser un filtre passe-bas (fc=SMHz,

grande sélectivité) pour des applications en
vidéo-communications. Le filtre doit être trés faible
coût (facile à réaliser, utilisation de composants
discrets standarts).

à l'aide de la partie synthèse du logiciel, un filtre

élliptique passe-bas d'ordre 5 est synthétisé:

1) un gabarit est sélectionné dans la table de filtres

normalisés, l'affichage des caractéristiques prédites
s'effectue en valeurs dénormalisées:
action des touches de fonctions :
Fl/F2 :diminuer/augmenter l'ordre
F3/F4 :diminuer/augmenter le coefficient de reflection
F5/F6 :diminuer/augmenter la rejection minimum
F8 :rejection minimum la plus grande (pour l'ordre et la ref)

Ordre (3à7) et Reflection (%): 5 1 5 i

Fréquence(s) de coupure 5e+06 Hz
Rejection minimum 49.220 dB
à le+07 Hz

P01es de réjection à
l.63e+07 Hz
l.04e+07 Hz

2) les valeurs des éléments localisés correspondant à

ce gabarit sont calculés pour réaliser le filtre en
topologie "T" ( cf annexe: A3

Ordre: 5 Schéma en T

Ll ,. 1.13e-06 H
C2 = 7.80e-10 F L2 = 1.23e-07 H
L3 = 2.28e-06 H
C4 =- 6.6le-10 F L4 • 3.5le-07 H
LS ,. 9.36e-07 H
 page 89

3) le filtre est écrit en langage de simulation dans

un fichier ascii:
debut >
S+;-
R,50;?;-
L,9.36e-07; ....
S+;-o
L,3.5le-07;-o
C,6.6le-1Q; ....
s-:-
'L, 2. 28e-06: ....
S+;-o
L,l.23e-07;-
C,7.8e-10;-
S-;-o
L, 1.13e-06; ....
s-;:...

> fin

la partie synthèse est terminée, les étapes 1,2 et 3

ont nécéssité moins d' une minute de travail.

la partie simulation qui suit va permettre de

visualiser la réponse du filtre synthètisé (parfait),
puis de remplacer les éléments théoriques par des
éléments réels: valeurs normalisées (composants faible
coût du marché) et éléments imparfaits (Q et résonances).

4) réponse CC à 20 MHz

aa1n c:t1t s.oa- 06 elllPtl~ or-are ::1. r-e ::1 r1HZ,

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0 .1. . . 0'7 . . . 0'7
 page 90

5) réponse CC à 300 MHz

-?.?.ta-.t .

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0 .t.s-oe ~-·oe
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~'~ 1l!' - '
6) réponse cc à 5,5 MHz

o•.tn ae elllPtlaue orare ~. ~c ~ HHZ. tn.ortau•

5.0.1-06
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-O • .tl5.t

-o.saa
0
 page 91

7) remplacement des valeurs calculées par des valeurs

"commerciales". Prise en compte dans le fichier ascii de
simulation:

S+;
R,SO;?;
L,le-06;
S+;
L,0.33e-06;
P+;
C,220e-l2;
C,220e-12;
C,220e-l2;
P-;
s-:
L,2.2e-06;
S+;
L,O.l2e-06;
P+;
C,270e-l2;
C,270e-l2;
C,220e-l2;
C,22e-12;
P-;
S-;
L,l.2e-06;
s-:
8) réponse CC à 20 MHz

s.oa-06
o.a~.a.
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 page 92

9) réponse CC à 300 MHz

-.L • .L.La-.L "W

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......
-- -.......

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10) réponse cc à 5,5 MHz

S • .LS-06
-o.oooe, ..
0
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' ~ ......
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1

-O.J.6J.

-o.saa
s.a ...a.
cle, 0
 page 93

11) remplacement des valeurs précédentes par des

éléments physiquement imparfaits. Prise en compte des
coefficients de qualité des inductances catalogue
DELEVAN) et des capacités chips (RTC), et de la résonance
des inductances uniquement. Ecriture dans le fichier
ascii de simulation:
S+:
R,50;?;
LQF,!e-06,25,230e6;
S+:
LQF,0.33e-06,30,410e6:
P+;
CQ,220e-l2,100;
C0,220e-l2,100:
CQ,220e-l2,100:
P-:
s-:
LQF,2.2e-06,30,ll5e6:
S+:
LOF,O.l2e-06,40,640e6:
P+:
CQ,270e-l2,l00;
CQ,270e-l2,l00:
CQ,220e-l2,l00;
CQ,22e-l2,l00;
P-:
s-:
LQF,l.2e-06,25,150e6:
s-:
12) réponse CC à 20 MHz

0
...
'\ \
.
~-
\
\
~
J..0 . . . . 07
-60.!,
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""~ ~

'\. /
J..lo4e•07
-74~

0 J. ... 07
 page 94

13) réponse CC à 300 MHz

-.1.. oa.-o

a.av-oe

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\-4-"6
-m: - \2..
~'
14) réponse cc à 5,5 MHz

-.a.. oa.-o
~
~
-....._
~ ......._
~

-0.664
. "' ~
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~-0.1.-0C-.
-o.~~

\
\
-.1..33
a.?s ... oe
'
 page 95

15) filtre réalisé et mesuré:

16126:31 3a SEP 1991

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17:03154 30 SEP 1991

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IRES BW 309 kHz IVBW 109 kHz SW "' ms•c

* Courbe CC à 20 MHz :
les valeurs remaquables de la courbe sont presque
respectées. L'atténuation dans la bande passante est plus
importante que prévue (0.35 dB en plus) et les
fréquences des pôles sont légérement différentes, mais
quand même déplacées vers la droite par rapport au filtre
théorique. Les fabriquants des composants utilisées
indiquent une précision de 20% sur leurs valeurs, c'est
 page 96

une explication possible des écarts. Un traçage de

courbes calculées sur des tirages aléatoires de valeurs
de composants permettrait d'encadrer les courbes de
réponses d'une série de tels filtres en fabrication.
Cette fonction est facile à ajouter dans le logiciel.

* Courbe CC à 800 MHz

La réponse hors-bande du filtre coïncide avec la réponse
du dernier filtre simulé; jusqu'à environ 100 MHz, soit
jusqu'aux environs de la fréquence de résonance la plus
basse des composants utilisés. Une comparaison au delà de
cette fréquence (ne présente pas d'intérêt, les
comportements des composants deviendraient complexes et
non reproductibles.

CONCLUSION:

Ce logiciel a permis a permis un gain de temps

appréciable dans l'étude de ce filtre passe-bas. Il
permet de calculer les valeurs des composants, et
d'apprécier les dégradations de caractéristiques d'uu
filtre à éléments physiques.
 page 97

III - 4 - c - ETUDE D'UN FILTRAGE VHF

le but est de réaliser un jeu de filtres passe-bas et

passe-haut avec les caractéristiques suivantes:
passe-bas:
Insertion infériéure à 3 dB : 200 MHz à 220 MHz
(partie CC -> 200 MHz sans importance)
Réjection de 40 dB à 240 MHz
passe-haut:
Insertion inférieure à 3 dB : 240 MHz à 260 MHz
(partie 260 MHz à a sans importance)
Réjection de 40 dB à 220 MHz

Les selectivités souhaitées sont élevées, la synthèse

de filtres polynomiaux classiques pose les problèmes
suivants:
un filtre de Butterworth d'ordre 53 répondrait à la
question ( au moins 26 inductances!)
un filtre de Tchebyscheff d'ordre 13 répondrait aussi à
la question (au moins 6 inductances dans une topologie en
PI). Mais, les tolérances sur les valeurs des composants,
les effets de température, et la nécéssité d'utiliser des
valeurs normalisées (commerciales), au moins pour les
capacités nécessitent de s'orienter plutôt vers une
solution à 7 ou 8 inductances.

Les pertes d'insertion par effet Joule vont augmenter

avec le nombre d'inductances puiqu'elles participent
majoritairement à la dégradation du coefficient de
qualité global.

Ces fitres ont finalement été étudiés par une méthode

d'approches successives pour minimiser le nombre
d'inductances.
 page 98

1) FILTRE PASSE-BAS

1 a) partant d'une cellule passe-bas en "PI" d'ordre 3:

lS'"I+
tJ-f/1 _I,...__..rrrfl'____,t_. . .
~~rF J 1 ~~,:

1 b) une capacité en parallèle sur l'inductance vient

augmenter l'inductance apparente (fonction croissante de
la fréquence jusqu'à la résonance):

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IS;rr ~
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S+; C,2.""e-tt; S-;
 page 99

1 C) puis, 5 cellules semblables sont cascadées. Les

capacités étant fixées (valeurs commerciales
normalisées), il suffit d'ajuster les valeurs des
inductances pour obtenir une courbe de réponse
satisfaisante.

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1 d) Le circuit obtenu est le suivant:

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S+;
S+;
c' 2. 7~-1 t;
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S+; C,2.7e-ll;
C,2.7e-tt;
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~ c, 15e-1 2; L, 1. 8~-,-'8; r-; - '
S+; C, 2. 7e- t 1; S-;
• ~+·
- !1 C, 2. 7e-1 1 ; S-;
p+; c:, t 5e- t 2; L, 1. 8e-('8; r.-;
S+; C,2.ïe-11; s-;
S+; C, 2. 'e-t 1; -
~-· ~
c:, 15e- .12; L• 1• 8e-·~'8; p-;
S+; C,2.'e-t1; S-·
S -·
~ ~ '

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 page 100

1 e) Passage aux éléments physiques:

Des coefficients de qualité sont attribués: 100 aux
inductances et 200 aux capacités. (dans les simulations,
les coefficients des capacités sont pratiquement masqués
par ceux des inductances). Les fréquences de résonances
sont ignorées: les décalages de courbes produits aux
alentours de la coupure seront corrigés par ajustement
des inductances, et les éventuelles remontées hors bande
peuvent être corrigées par une simple cellule passe-bas
supplémentaire (non critique). La description du circuit
devient:

S-r;
R,50;?;
r +~ ;:o, .1 56'-t :2 :(H~';
•:Q '2 ~-1 1 ''2fH~1:
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S•; CO. 4. 'e-t t , 2r)r'; S-;
p•; ~D,15e-12,20n; L0,1.85e-08,10n; p-;
S+; C0,4. 7e-t 1 ,:··:,0; ... '
~-·
p +; :-'r.1, 1 Se-12 , 2(l(l; L0,1.85e-ns,10~; p-;
S+; co ' 4 • 7 P.- 1 1 • 2(11); S -·
p+; 20,15e-12,20n; L0,1.85e-n9,t~~; p-; '
S+; CQ, 2. 7e-t 1, 2rl('; -
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(~~~)
 page 101

et la courbe de réponse:

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 page 102

le logiciel permet aussi de prédire d'autres

caractéristiques telles que le temps de groupe et la
partie imaginaire de l'impédance d'entrée en fonction de
le-07
s i1
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 page 103

2 ) FILTRE PASSE-HAUT:

la démarche est similaire à celle utilisée pour concevoir

le filtre passe-bas:

2 a) partant d'une cellule passe-haut en "T" d'ordre 3:

~!!1---t\ \-_,....---t{1-----oo
,(,,ç ,,~ff

2 b) une capacité en paralléle sur l'inductance vient

augmenter l'inductance apparente:

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\\ \\ •
'1 ~r,f

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~ 6,Yrf' ~

0 ~

L. \~, F-

r~ m: - 2..6
 page 104

2 c) en cascadant 5 cellules, le circuit suivant présente

les caractéristiques recherchées:
S+;
R • ·.::~~~; 1;
C.6.2e-t2;

r:, t8e-t 2;
c.=.~~-j2;
r::, 18e-l1;
r:. 18e- t 2; r,..,_.!' ~-·
.• ~

C , 3 • 9e- .1 2;
r:, 18e-11;
C,3.·~~-.12;
F'-; S-;

c.~.s~-i::

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f.~ m: -11-
la réponse obtenue

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"e+cs 3 • oee •oe
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 page 105

2 d) en utilisant des éléments physiques:

S+;

r=·-; S-;

LO, 1 • 38e-n8, t r~,r-,; t='-; s-;

S+; F'+; CG, 18e- 1 2 • 2(1t~,; r·-;s-;
,..,.. , "._..., • .::;>j::o-1
..... - --::'• 4'::'•r"l•'l•
-. ~

S+:P+~ CQ.t8e-t2,70n; P-;S-~

CQ .. ::. '~c:-1 : 4 :-:~'i,.l;
S·~~-...._! CQ .. l8~-t2~·:ca'...-': P-~s-~

CQ . ,s . .;t?- 1: ":r~·.("·;;
S-;

la réponse devient:
2.4a+OS
··O.SSh

---")" --
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 page 106

2 e) les courbes de temps de groupe et de partie

imaginaire de l'impédance d'entrée en fonction de la
fréquence sont données à titre indicatif:
Tenps Or·oune

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:
1

/r 1 1
!

-BZ. 7 -lt ; - 1
z.~a.ae
 page 107

3 ) CONCLUSION:

le simulateur a permis de trouver des solutions

simples et originales à un problème de filtrage qui
semblait difficile à aborder.

Les solutions proposées ne relèvent pas d'une analyse

explicite (c'est à dire d'un ensemble d'équations exactes
fournissant des solutions), mais d'une approche intuitive
par étapes successives utilisant des connaissances sur
les caractérisiques des composants utilisés.

Une telle approche peut être pratiquée lorsqu'une

solution analytique est proche d'un objectif à atteindre
en termes de caractéristiques. Elle permet par exemple de
dégrader ~ne partie des propriétés contre une
amélioration d'une autre partie. C'est ainsi que le
filtre passe-haut obtenu n'est plus vraiment un filtre
passe-haut puisque les signaux de fréquences supérieures
à 300 MHz sont réjectés. Par contre la réponse aux abords
de la fréquence de coupure de 240 MHz est conforme à
l'objectif recherché. Dans la plage de fréquences
d'intérêt, le filtre obtenu est beaucoup plus performant
qu'un filtre polynomial classique d'ordre égal ou
utilisant le même nombre d'inductances.
 page 108

III - 4 - c - ETUDE DE FILTRES HYPERFREQUENCES

Les deux exemples de filtres présentés dans ce

chapitre utilisent les modèles de discontinuité de la
partie II:

le premier filtre est un filtre passe-bas constitué

d'une alternance de sections de lignes haute et basse
impédance. Les valeurs géométriques de ce filtre ont été
obtenues par optimisation.

le second filtre est un filtre passe-bas du type

élliptique. Les valeurs géométriques ont également été
obtenues par optimisation.

Les deux filtres ont été simulés, et les résultats de

simulation ont été comparés aux résultats obtenus avec le
logiciel "MDS" de Hewlett-Packard.

Dans les simulations par le simulateur étudié ici, les

jonctions en "T" ont été approximées par des noeuds de
KIRCHHOFF, cette approximation est justifiée à priori
pour des fréquences basses, et à postériori par la
comparaison des résultats obtenus (le logiciel "MDS"
possédant un modèle géométrique de jonction en "T").
 page 109

* 1) le filtre à alternances hautes et basses impédances

est décrit par la syntaxe et le dessin suivants:

~ +;
r,'50;?;

mstripst~p,.6•-1,.2•-1,.635•-~,9.6;
m~trip,.2•-1,.61~•-3,9.~,1.9•-1;

mstripst•p,.2•-3,1~1•-3,.~35•-3,9.6;
m~trip,l.l~-3,.61~•-1,9.6,.947•-1;

mstripst•p,l.l•-3,.2•-3,.635•-3,9.6;
m~trip,. 2•-1,.615•-1,9.6,1.271~-1;

m~tripst~p,.2•-1,1.3•-3,.635•-3,9.~;
m'trip,l.l~-1,.635•-1,9.6,1.12•-1;

mstripst•p,l.l•-3,.2•-3,.635•-3,9.6;
m~trip,. 2~-1,.61~•-1,9.~,2.0~•-1;

mstripst•p,.2•-3,1.3•-3,.635•-1,9.6;
m~trip,l.l•-1,.~1~•-1,9.6,1.556•-1;

mstripst•p,l.3•-3,.17•-1,.635•-3,9.6;
m,trip,.17•-1,.61~•-1,9.~,2.28•-1;

mstripst•p,.17•-3,1.3•-3,.635•-3,9.6;
m~trip,l.l•-3,.635•-1,9.~,2.17•-1;

mstripst•p,1.3•-3,.17•-1,.~35•-3,9.6;
m~trip,.17e-1,.635•-1,9.6,2.2~•-1;

mstripstep,.17•-3,1.3•-l,.635•-1,9.6;
m~trip,1.1e-1,.635•-1,9.6,2.~•-1;

mstripst•p,1.3•-3,.335•-3,.635•-3,9.5;
m!trip,.115•-1,.~1~•-1,9.~,2.~66•-1;

mstripst•p,.33~•-3,.6•-3,.635•-3,9.5;
m!trip,.6•-1,.61~•-1,9.6,1~-1;

c:- - ·1
 page 110

Les réponses obtenues par le logiciel "MDS" et par le

nouveau simulateur sont les suivantes:
0
ï
'
1
~
- ~
!
'.... ~\'\
~

\~
\\
\\
\'. -

\~ .... _..... J
~
~

'
1"'
ff . . ' \ /

'1\ \
\ /}_
'
1 \ ~ 1
1

1
.,
' KOS
< r.-l.J-IW'
Les courbes
présentent des allures sensiblement
identitiques. Dans la bande passante, il y a pratiquement
identité entre les deux courbes. Les écarts de valeurs
sont plus importants hors-bande.

L'utilisation de modèles plus précis devrait permettre

de réduire ces écarts. (En supposant que les modèles
fournis avec "MDS" soient réellement excellents). Les
modèles différent sans
plus que la doute d'autant
fréquence augmente, ce qui pourrait expliquer les écarts
plus importants à fréquence élevée.
 page 111

* 2) le filtre élliptique est décrit par la syntaxe et le

dessin suivants:

-; +;
r,50;?;
m~trip,.~~-1,.~1~~-1,9.~,2~-1;
mstrip~t~p,.~~-3,.15~-1,.635~-3,9.6;
mstrip,.1~~-1,.~1~~-1,?.~,.2~-1;

s+;
mstrip~~,1.~-1,.~1~~-l,9.~;
mstrip,l.~-3,.635~-3,9.~,2~-3;
m~tripst~p,1.~-1,.15~-3,.~1~~-1,9.6;
mstrip,l.~-3,.~35~-3,9.~,.2~-3;
'=. -·,

s+;
mstrip~~,1.~-1,.~1~~-3,9.~;
mstrip,l.~-1,.~3~~-3,9.~,1.~~-3;
mstripst~p,1.~-1, .. 15~-1,.~1~~-1,9.~r
mstrip,.15~-1,.~35~-1,9.~,.2~-3;
c. - ·1

c; +;
m~trip~~,1.~-1,.~1~~-1,9.~;
mstrip,l.~-3,.635~-3 1 9.~,2~-1;
m~tripst~p,1.~-1,.15~-3,.~1~~-1,9.~;
mstrip,.15~-3,.635~-3,9.~,.2~-3;
c• - ·1

s+;
mstrip~9 1 1.~-1,.61~9-1 1 9.~;
mstrip,l.~-3,.635~-3,9.6,1.5~-3;
mstripst~p,1.~-1,.15o-1 1 .6159-1 1 9.6;
mstrip,.15~-3,.615~-1,9.~,.2~-3;
c; -;

mstrip,.1~~-1,.~1~~-1,9.~,.2~-1;
mstripst~p,.15~-1,.~~-3,.635~-3,9.~;
m~trip,.~~-1,.61~~-1,9.6,2~-1;
s-;
 page 112

Les réponses obtenues par "MDS" et par le nouveau

simulateur sont les suivantes:
0
~!> \
\

,\\
\\
\
\\ Il

\\ J
1 1
1
.
J
1

~\ 1\
1 •
1\ 1
1 i

\\ \ \ ,., Jj
~ l\
1
1
\ 1 1 \
/'l
~ 1
l
-~ 1 \ \ v
Il ...
- - - HOS

Les commentaires produits pour la courbe précédente

peuvent être reproduits intégralement. Les écarts dans la
bande passante sont plus faibles.

La bande coupée est affectée de résonances parasites

dont les fréquences sont plus élevées avec le nouveau
simulateur. Ces écarts peuvent être dus:
-soit à l'imprécision des modèles programmés
soit à un facteur trés sensible su~ les deux
fréquences de résonance. Dans ce cas, une variation des
paramètres de simulation pourrait permettre de lever le
doute.
 page 113

III - 4 - d - CONCLUSION SUR LES APPLCATIONS

Les simulations de composants hyperfréquences

produites par le simulateur à pile LIFO donne des
résultats proches de ceux obtenus avec un simulateur
sophistiqué. Ces résultats pourraient être améliorés en
utilisant des modèles physiques plus précis.

Les études de filtres V-UHF ont démontré la souplesse

et les possibilités étendues de l'outil.
 page 114

CONCLUSION

D'autres apports de fonctions et de modèles

peuvent encore améliorer sensiblement la méthode
présentée dans ce mémoire. Cependant, les principaux
objectifs fixés pour ce travail ont été atteints.

Les essais pratiques ont montré que:

* cette nouvelle méthode de calcul basée sur une pile

"LIFO" est rapide et permet de simuler de nombreuses
topologies de circuits classiques.

* dans le domaine RF et VHF-UHF, les modèles proposés

sont réalistes. et les simulations sont confirmées par
les mesures sur prototypes.

* les fonctions et modèles existant à ce jour sont

déjà un outil complet pour la synthèse et la simulation
de filtres à composants discrets. (VHF - UHF - et aussi
au delà avec des technologies récentes).

Des modèles hyperfréquences pourraient compléter

 page 115

ceux qui ont déjà été programmés, et d'autre part, il

serait intéressant de poursuivre la recherche
bibliographique pour trouver des modèles plus précis, ou
plus complets.

Dans la perspective d'un prolongement de ce

travail, il faut aussi noter que celui-ci a nécessité un
effort important en programmation, parfois au détriment
de l'étude de la physique des phénomènes. En effet, en
CAO, les logiciels ne seraient pas utilisables sans une
ergonomie poussée: les utilisateurs passent beaucoup de
temps dans des opérations répétitives pour ajuster des
jeux de données dans le but d'obtenir un résultat
escompté. Le manque de convivialité des outils de calculs
provoque souvent un phénomène (humain) de rejet de la
part de l'utilisateur. C'est pourquoi cet effort de
présentation et d'ergonomie est utile, même s'il s'agit
d'un logiciel relativement simplifié comme celui qui a
été réalisé au cours de ce travail.

Enfin, le logiciel présenté dans ce travail

pourrait servir d'outil pour l'enseignement, aussi bien
dans le but d'initier à la simulation que pour écrire et
essayer de nouveaux modèles de composants.
 page 116

BIBLIOGRAPHIE

ANALYSE DE CIRCUITS:

[1] Gupta, Garg, Chadha

"COMPUTER AIDED DESIGN OF MICROWAVE CIRCUITS"
Artech House - 1981 chap 11

[2] Chua, Lin

"COMPUTER AIDED ANALYSIS OF ELECTRONIC CIRCUITS"
(Algorithms and computational Techniques)
Prentice Hall - 1975

[3] Monaco, Tiberio

"ON THE TRANSFORMATION OF A LUMPED ELEMENT LINEAR NETWORK
INTO A CIRCUIT COMPOSED OF MULTIPORTS"
Alta Freqenza vol 39 - NOV 1970 p 1013 et 1014

[4] . (compilation d'articles et .d'auteurs)

"MICROWAVE ENGINEERS'HANDBOOK" VOL 1
Artech House, Inc- 1971 p 2,3,4,179

[5] Meinadier
"STRUCTURE ET FONCTIONNEMENT DES ORDINATEURS"
Larousse - 1971 chap II 4-3

[6] Gupta, Garg, Chadha

"COMPUTER AIDED DESIGN OF MICROWAVE CIRCUITS"
Artech House - 1981 p 336 et 337
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OPTIMISATION:

[7] Gupta, Garg, Chadha

"COMPUTER AIDED DESIGN OF MICROWAVE CIRCUITS"
Artech House - 1981 chap 16-17-18

CONCEPTION DE MODELES:

DIPOLES:

[8] Documentation technique ATC (American Technical

Ceramics)
Capacités céramiques UHF

[9] Geffroy
"CONSIDERATIONS TECHNIQUES SUR L'EMPLOI DU Q-METRE"
Ferisol - 1968 chap 1 et 4

LIGNES:

[10] C Genti1i
"AMPLIFICATEURS ET OSCILLATEURS MICRO-ONDES"
Masson - 1984 annexe B

[11] Edwards
"CONCEPTION DE CIRCUITS MICROONDES"
traduction française: Masson Technique -
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[12] Getsinger
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IMPEDANCE OF MICROSTRIP"
MTT-31 - Aout 1983

[13] Wheeler
"TRANSMISSION LINE PROPERTIES OF A STRIP ON A DIELECTRIC
SHEET ON A PLANE"
IEEE tr micr wv tech vol MTT 13 - 1965 p 172 à 185

[14] Wheeler
"TRANSMISSION LINE PROPERTIES OF A STRIP ON A DIELECTRIC
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IEEE tr micr wv tech vol MTT 25 - Aout 1977 p 631 à 647

[15] Schneider
"MICROSTRIP LINES FOR MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS"
Bell system tech jour. vol 48 - 1969 p 1421 à 1444

[16] Hammerstad
"EQUATIONS FOR MICROSTRIP CIRCUIT DESIGN"
European microwave conference - 1975 p 268 à 272

[17] Bahl, Garg

"SIMPLE AND ACCURATE FORMULAS FOR MICROSTRIP WITH FINITE
STRIP THICKNESS"
IEEE vol 65 - nov 1977 p 1611 et 1612

[18] Getsinger
"MICROSTRIP DISPERTION MODEL"
IEEE trans mie wv tech, vol MTT 21 - 1973 p 34 à 39
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[19] Edwards, Owens

"2-18 GHz DISPERSION MEASUREMENT ON 10-100 ohms
MICROSTRIP LINE ON SAPHIRE"
IEEE trans mie wv tech, vol 24 - aout 1976 p 506 à 513

[20] Bianco
"FREQUENCY DEPENDENCE OF MICROSTRIP PARAMETERS"
alta freq., vol 43- 1974 p 413 à 416

DISCONTINUITES DANS LES LIGNES:

[21] Hammerstad
"EQUATIONS FOR MICROSTRIP CIRCUIT DESIGN"
European mw conf - 1975 p 268 à 272

[22] Sylvester et Benedek

"EQUIVALENT CAPACITANCE OF MICFOSTRIP OPEN CIRCUITS"
IEEE trans, vol MTT 20 - 1972 p 511 à 516

[23] Kirschning, Jansen, Koster

"ACCURATE MODEL FOR OPEN END EFFECT OF MICROSTRIP LINES"
Electronic Letters, Vol 17 No 3- Fev 1981 p·123 à 125

[24] Horton
"EQUIVALENT REPRESENTATION OF AN ABRUPT IMPEDANCE STEP IN
MICROSTRIP LINE"
IEEE trans, vol MTT 21 - 1973 p 562 à 564

[25] Benedek et Silvester

"EQUIVALENT CAPACITANCE FOR MICROSTRIP GAPS AND STEPS"
IEEE trans, vol MTT 20 - 1972 p 729 à 733
 page 120

[26] Farrar, Adams

"MATRIX METHODS FOR MICROSTRIP THREE DIMENTIONAL
PROBLEMS"
vol MTT 20 - aout 1972 p 497 à 504

[27] Gopinath
"EQUIVALLENT CIRCUIT PARAMETERS OF MICROSTRIP CHANGE IN
WIDTH AND CROSS JUNCTIONS"
IEEE trans, vol MTT 24 - 1976 p 142 à 144

[28] Madea
"AN ANALYSIS OF GAP IN MICROSTRIP TRANSMISSION LINES"
IEEE trans, vol MTT 20 - 1972 p J90 à 396

[29] Gupta, Garg, Chadha

"COMPUTER AIDED DESIGN OF MICROWAVE CIRCUITS"
Artech House - 1981 p 195

[30] Thomson et Gopinath

"CALCULATION OF MICROSTRIP DISCONTINUITIES INDUCTANCES"
IEEE trans, vol MTT 23 - 1975 p 648 à 655

[31] Benedek et Silvester

"EQUIVALENT CAPACITANCE FOR MICROSTRIP GAPS AND STEPS"
IEEE trans, vol MTT 20 - 1972 p 729 à 733

[32] Gupta, Garg, Chadha

"COMPUTER AIDED DESIGN OF MICROWAVE CIRCUITS"
Artech House - 1981 p 192

[33] Mehran
"THE FREQUENCY DEPENDENT SCATTERING MATRIX OF MICROSTRIP
RIGHT ANGLE DENDS, T JUNCTIONS AND CROSSINGS"
AEU, vol 29, 1975 p 454 à 460
 page 121

[34] Mehran
"FREQUENCY DEPENDENT EQUIVALENT CIRCUITS MICROSTRIP RIGHT
ANGLE DENDS, T JUNCTIONS AND CROSSINGS"
AEU, vol 30, 1975 p 80 à 82

SYNTHESE DE FILTRES:

[35] Blinchinkoff et Zverev

"FILTERING IN TIME AND FREQUENCY DOMAINS"
Wiley - 1975 chap 3

[36] Zverev
"HANDBOOK OF FILTER SYNTHESIS"
Wiley 1967 (ensemble de l'ouvrage et tables
normalisées)

[37] (compilation d'articles et d'auteurs)

"MICROWAVE ENGINEERS'HANDBOOK" VOL 1
Artech House, Inc ~ 1971 p 153 à 192

FORMULES GENERALES:

[38] Matthaei, Young, Jones

"MIÇROWAVE FILTERS, IMPEDANCE MATCHING NETWORK AND
COUPLING STRUCTURES"
Mac Graw Hill - 1964

[39] Gupta
"MICROSTRIP LINES AND SLOTLINES"
Artech House, Inc -
 page 122

[40] Edwards
"CONCEPTION DE CIRCUITS MICROONDES"
traduction française: Masson Technique -

[41] C Gentili
"AMPLIFICATEURS ET OSCILLATEURS MICRO-ONDES"
Masson - 1984 chap 2 et 3

et également:

[42] De Champlain
"STANDARTS, STYLE ET EXERCICES EN C"
BQ-PRE (Canada) - 1986
 page 123

A N N E X E S

PLAN DES ANNEXES:

ANNEXE 1: (16 pages) p 124 à 139

Exemples progressifs de circuits simulés avec les

états de la pile LIFO en fonction de l'avancement de la
simulation.

ANNEXE 2: (22 pages) p 140 à 161

Ensemble des modèles programmés avec détail des

calculs et références bibliographiques.

ANNEXE 3: (18 pages) p 162 à 1?3

Liste des topologies possibles pour réaliser des

filtres LC polynomiaux, élliptiques, et à résonateurs
couplés.

ANNEXES
 page 124

ANNEXE 1

EXEMPLES DE CIRCUITS SIMULES AVEC ETAT DE LA PILE LIFO

1) Assemblage série exemple

Le circuit est décrit par: s+; R,lO; ? ; R,30; s-;

La pile prend les états suivants:(page suivante)
Lecture de s+ étape (a)
Lecture de R, 10 étape (b)
Lecture de ? étape (c)
Lecture de R, 30 étape (d)
Lecture de s- étape (e)
Le calcul de tension est éffectuée en choisissant
arbitrairement une tension de (l+jO) volts aux bornes du
dipôle marqué. Puis, à mesure que le circuit se déroule
(une entrée courante du circuit remonte vers la vraie
entrée), tension d' entrée "vraie" du circuit qui
provoquerait (l+j o) aux borne du dipôle marqué est
calculée. Lorsque le circuit est totalement parcouru, le
gain (en grandeur complexe) est l' inverse de la tension
d' entrée ainsi obtenue. La page suivante illustre
l'évolution de la pile de calcul au cours de la
description.

ANNEXE 1
 page 125

j Etape : a., Index Op& Réel ~~ ~(.. ~o-.,~

1 lur s•
1 S-4- 0 0 fM. ~~ ~ (&,. J.._ ..,.
\1
2 cl~\4
~~fi'W-
3
4

1 Etape : 'o Index Opér Réel Iur c...l.L.:'-",·~

1 .S• •. o ·o \0 ot-j 0
2 ~t:
3
4

1 Etape : c:. Index Op& Réel laar ~ri&L:wi ,., ,1.. J...
1 s+ 10 0 fft\J.~; (1)
2 l._,'r~ ::. -1.-A
3 (..._..,'t-~ ... ,, .... )
4 "'""c.. J
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'lky,oUol. 0:. 1.0 v
1-

Index Opér Réel Iur ' ~~i

'~
1 S+ 40 0 ~o•j o
z .~'sc. --l~ riL~~~
3 , d.A
:! lM.Y'fu. :..
4 , 0 v
y. , -
""""'
-
-
1 Etape : e. 1 Index Op& Réel laar ~- ~

1 - - - s-' \o;.. J... I.A.

2
3
i:~ - "' 0 ~ j 0

4 V· : "'ct l'~ 4,A v

""".t... &.ol;.f~ """~ri

ANNEXE 1
 page 126

2) Assemblage parallèle

exemple

1
JI

~t A :t - 3

Le circuit est décrit par: p+ ; R,lO; ? ; R, 30 p-

La pile prend les états successifs suivants:
Lecture de p+ étape (a)
Lecture de R,lO ; étape (b)
Lecture de ? étape (c)
Lecture de R,30 étape (d)
Lecture de p- étape (e)

La page suivante illustre l'évolution de la pile

de calcul au cours de la description. A nouveau, Seul le
niveau 1 est utilisé.

ANNEXE: 1
 page 127

1 Etape : a.. 1 Index Opér Réel llaf P•) d.""c.

1 P+ 0 0 ~ ... .L.-..~
z ~~~
Il

3
4

1 Etape : b Index Opér Réel' Iut .. clJ.;.~.-~ ;.... .('~};--~

;. ~:lo.A.
1 p• o.t 0 ~ r-.1 ""'v
2
3
4

1Etape : c. Index Opér Réel lug ~v-t~.-.t.-.· .., tÂL J....

1 p+- o. \ 0
~, .......... : ('1)
2 V~v,J.. :. 1.'1
3 (..,...;v-"'....:" .., .... Jr)
4 J.""c.. ! ~~.,a ;: ~. \ Â

Index Opér Héel r., Q,.~ -

.~v,·lM J.,t__
~·..,l~'t~u. J..,. ~ 0 .11. e. )
1 p .. o. 1 il~ 0
.z ~; ~~ .: ~f'4oCo\ kk.~:
3 . ~..JI~"' -iv
4
:t""'v""' .- o.\'\"\ A
!Etape : e 1 Index Opér Béel Iaq P- ~1
1 - ~V\t. r)...~

2 y_. - o, \;3
~-
3
::c~v..:... -= o,
4
-...: b~

ANNEXE 1
 page 128

3) Circuit en échelle

exemple

1
21

La pile prend les états successifs suivants:

étape ASCCII
a s+;
b et c r, 10; ?
0 '
0

d· s+;
e r,20;
f s-;
g r,30;
h s+;
i r,40;
j s-;
k s-;
Dans cet exemple, deux niveaux de pile sont utilisés.
Lorsque l'index de pile est décrémenté, les données du
nouveau niveau courant sont mises à jour en fonction des
données du niveau de pile courant précédent (opérateur et
données quantitatives): ce sont les calculs de mise à
niveau de pile.

ANNEXE 1
 page 129

1 Etape : a.. j Index Op& Réel lllf s. ~~

y~
1 s• 0 0
~ ~p.& ~~
,
z
3
4

1 Etape : b Ind=c Opér Réel l~q ~i ... J..J_ LO +~ 0

1 S_+ \() 0
2
3
4
1.

1 Etape : c Index Opér P.éel r., 1 ~;t,; ...Q.;i

•
.v.·... k~ ~"4&..
.1 S• 10 0 r· lM - -1 A
2 ~·
""
-:.. IO "~"s
3
4

1 Etape : elj Index Op& P.éel lllf

I.A. w4,.'ra.u.
~,..,..~w.
1 .S• ID 0 ~ (1 ~ e....lrf.. 1

2 S+ Q 0 s-~~
3 t·~~ k~
4 t ~~ f;.Q....
"*-' ...

j Etape : e Index Opép P.éel I~~t A,~l~ ~

1 S+ 10 0 Q.A4 •,_.' y """

2 S+ ~0 0
3 ..
4

Index Opér Réel Iut

s- .,_,J. c;,,..
~~r.....
1 S+ '1 ,, a ~i~ .. Mo'"
2 - e'.-.~<4
3
4 • ~ '1~ .,x 1..;..
V;.= to'l ~:. \J~A
f.'t,41 -6
1

ANNEXE 1
 page 130

l Etape : ~ j IDdex Opép Béel lut .,.t.J;v:- ol.

1 J-1-
z ~' 0
""''"'*:
J "

3 '1~:. ;c;v
4 ,.. . -
--- \ ~~ 4

1Etape : ~ 1 Inëx Opér Réel Iaq ~;~J'

1
z
s~
s~
~, .
0
" e-
()
4.-.J& ..t.,..·
Clw\ ,,.._ JD Vc

3 .2.JQ.~~
4

1 Etape : .;_ 1 Index Opér Réel .. J~ t,,· ~ ;.._ &,o ~jo

1 <)~
~'
,, 0
1111
a.w.. ~"(.Ml. ~~~
z ~ .... L,o 0
3
4

Réel ~- 4. s•
Index Opér llilf "'
~"~
.._ """'"~~ ~
s-r
1
z
3
4
I~L l'; 0 ~v- ~.Q,,Q. ~.-ise.'"';~

-~~*'- ""~--
-{I'..:.
1/.;., ~ ~
... ~
t.,
~

1 Etape :a 1 Index Opép Réel laaf s- """" ...4 Sot-' ~h'c...

1 J.L ~ f' .t.&..
z ~ ~- \~1 -; ~~ 0
3
4
"""-
".;,. :. c; c; v ,.....
~~ ~~-'\... ~~ Y'\a..ll~
~··

, ,.,.. .._ ~-'-'~-:i.A.

ANNEXE 1
 page 131

Pour décrire le circuit précédent, une autre

description est possible:

Ill

R 1
48 21

étape ASCII
a s+;
b p+;
c et d r,lO; ?
e r,20;
f p-;
g r,30;
h s+;
i r,4Q;
j s-;
k s-;

Nota: un opérateur est toujours fermé par son opposé.

Pour cette autre description, deux niveaux de pile sont
également utilisés.(page suivante)

ANNEXE 1
 page 132

1 Etape : a.. 1 Index Opép Béel lug d..... w..~"'

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ANNEXE 1
 page -133

1 Etape : cr 1 IDda Op& Réel laar -..l.l;v.·- cJ.

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ANNEXE 1
 page 134

4) COMBINAISONS DES ASSEMBLAGES PRECEDENTS

Les deux exemples qui suivent montrent le

déroulement des calculs pour des topologies de circuits
permettant de réaliser des filtres LC. A partir de ces
deux exemples, il est facile d'imaginer d'autres
topologies simulables: déphaseurs, adaptateurs ...

4 - a) structure passe-bande

Le schéma suivant ressemble à un filtre passe-bande:

Ill

1 1
21 5I

description du circuit et étapes successives

étape ASCCII
a s+;
b et c r,50; •
? •
1

d s+;
e p+;
f r, 10;
g r,20;
h p-;
i s-;
j r,30;
k r,40;
l s-; la pile est décrite page suivante

ANNEXE 1
 page 135

J Etape : e...l Index Opépj Réel IMf 1

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1 s .. 0 0
z
3
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1 Etape : b 1 Index Opép . Réel Iut ! .,J.J.W..iM ,.l.&. .e '•,.:

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1 S+ .::o 0
~ tP-;,A ~= \0
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3 ~ ... 0.1 0
4

ANNEXE 1
 page 136

lùex O]léP Réel 1

1 r.., 1 .,...t~~~ ~ J-.
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;.., 1 ..

1 .S-+ (J
,Jo.. ~f~ A.~ 10-
z s~ Q Q !
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•
Index OpépÎ
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Réel
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1 .S+ ) ft 0
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1 s~ ;~ 9 0 . .. ' kR..
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1v.
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Olé Réel r.., o-4~"''"" ~ Il.~

1
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Index Opép
1 -
Réel
-
IMt

- -r ~ <Al u.J.
2
3
4

ANNEXE 1
 page 137

4 - b) structure coupe-bande

Le schéma suivant ressemble à un morceau de filtre

coupe-bande:

148

1
58

description du circuit et étapes successives

étape ASCCII
a s+;
b et c r,SO; ".
• 1

d s+;
e r,20;
f r,lO;
g s-;
h p+;
i r,40;
j r,30;
k p-;
1 s-;
La pile est décrite page suivante (2 niveaux utilisés)

ANNEXE 1
 page 138

1
1 Etape : "" 1 Index Opés- R!el ! lNf
1
""-~~
""'"--~
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z 1

3
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1 Etape : 1.. Index Opép Réel Iug !
0 ~~~'r,·- .1&. l' ..:.
1 s... so 0
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z
3
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1 Etape : ' 1 Index Opép Réel Iut ~\vi~41,~- J.,.l ~ ...
-~ i.& ~t~
1 h· So Q ~- - So
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3
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Index Opér Réel [Mf ,., t-:.""
1 s... ;o 0
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3
4 .

Index Opép Réel ,.., Cl.

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'""
À~- 1
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1 (+- !o Q

z 5• JO Q

3
4

ANNEXE 1
 page 139

1 E~ : '\' 1 Indu Opél'

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Réel
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0
1
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3
4

Index Opép Réel {Mf AJ~\-,•.,. ~ l 1A

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3
4

IDiex Opér Réel lut ~~.·- ~~·~

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4

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1 5+ '3S'~ 0
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3 v ... : 1, 9 "
r""' : o, DS'1 A
lnàx o,é. lléel {Mf
-!- ;.. G.I.~
1
z
- - -
3
4

ANNEXE 1
 page 140

ANNEXE 2

DESCRIPTION COMPLETE DES MODELES PROGRAMMES

REMARQUES SUR LES REGLES D'ECRITURE:

Les modèles définis dans cette annexe sont utilisables

à condition de respecter scrupuleusement leurs syntaxes.
La forme générale est:

NOM, Parametrel, Paramètre 2, ... , dernier Paramètre

Le nom du modéle est suivi d'une virgule, . puis de

paramètres séparés entre eux par des virgules, le tout
est obligatoirement terminé par un point-virgule.
Exemple: R,lO; est.une résistance parfaite de 10 ohms.

Les valeurs numériques des paramètres peuvent avoir

les formes suivantes: 10 10. 1.e1 1e1 0.1E2 etc ...
et peuvent être suivis et précédés de "blancs",
tabulations, ou passage à la ligne suivante ... Ces
derniers caractères ne seront pas interprétés.

tous les paramètres d'un modéle donné doivent être

renseignés.

La plupart des grandeurs complexes sont exprimées en

coordonnées rectangulaires, cependant, certains modèles
font appel aux coordonnées polaires

REMARQUE SUR LES MODELES PRESENTES:

Les modèles exposés dans la suite ont été programmés.
La liste n'est pas limitative, et il est facile d'ajouter
des modèles, quelque soit le nombre de paramètres.

ANNEXE 2
 page 141

- 1 - DIPOLES

L'élaboration des modèles de dipôles provient de

documentations techniques [8][9] et de quelques
vérifications expérimentales .

·R RC
...
--
-~
c
R

C CF CQ CQF
_J___J__ c
_,...,_..(-----
c

T ~L
L LF LQ LQF

c c
R

ANNEXE 2
 ·page 142

- 1 - a - RESISTANCES

RESISTANCE PARFAITE:

nom R

syntaxe : R,xl;
xl est la valeur de la résistance en ohms

commentaire: l'impédance du dipôle est Z =R + j 0

exemple R,lOO; est une résistance de 100 ohms

RESISTANCE CAPACITIVE:

nom RC

syntaxe RC,xl,x2;
xl est la valeur d~ la résistance en ohms
x2 est la valeur de la capacité parallèle en Farads

commentaire: l'impédance du dipôle est Z = 1/(jCw + 1/R)

exemple : RC,lOO,le-12;
est une résistance de 100 ohms dont la capacité parallèle
est de 1 pF

ANNEXE 2
 page 143

- 1 - b - CAPACITES

CAPACITE PARFAITE:
nom C
syntaxe C,xl;
xl est la valeur de la capacité en Farads
commentaire: l'impédance du dipôle est Z = 0 + 1/j Cw
exemple C,lOOe-12; · est une capacité de 100 pF

CAPACITE RESONNANTE:
nom : CF
syntaxe : CF,xl,x2;
xl est la valeur de la capacité en Farads
x2 est la valeur de la fréquence de résonance série
en Hz (self série)
commentaire: l'impédance du dipôle est
Z = 0 + ( 1 - w 2 jwo 2 ) 1 j Cw
résonance série due à une self-inductance série
parasite. le modèle doit être utilisé en dessous de
la fréquence de résonance,il est utile pour étudier
les phénomènes de remontées dans les filtres.
exemple : CF,l00e-12,450e6; est une capacité de 100 pF
résonant à 450 MHz

CAPACITE à PERTES:
nom : CQ
syntaxe : CQ,xl,x2;
xl est la valeur de la capacité en Farads
x2 est la valeur du cefficient de qualité (sans U)
commentaire: l'impédance du dipôle est
Z = 1/QCw + 1/jCw
exemple CQ,lOOe-12,100; est une capacité de 100 pF
de coefficient de qualité 100

ANNEXE 2
 page 144

CAPACITE à PERTES et RESONANTE:

nom : CQF
syntaxe : CQF,xl,x2,x3;
xl est la valeur de la capacité en Farads
x2 est la valeur du cefficient de qualité (sans U)
x3 est la valeur de la fréquence de résonance série
en Hz (self série)
commentaire: l'impédancé du dipôle est
Z = 1/QCw + (1- w 2 /wo 2 ) 1 jCw
mêmes remarques que CF .et CQ
exemple: CQF,l00e-12,100,450e6; est une capacité de lOOpF
de coefficient de qualité 100 et résonnant à 450MHz

- 1 - c - SELF-INDUCTANCES

INDUCTANCE PARFAITE:
nom L
syntaxe L,xl;
xl est la valeur de l'inductance en Henrys
commentaire: l'impédance du dipôle est Z = 0 + j Lw
exemple L,lOOe-9; est une inductance de lOO nH

ANNEXE 2
 page 145

INDUCTANCE RESONNANTE:
nom : LF
syntaxe : LF,xl,x2;
xl est la valeur de la capacité en Farads
x2 est la valeur de la fréquence de résonance
parallèle en Hz (capacité parallèle)
commentaire:
l'impédance du dipôle est Z =0 + jLw/(1- w 2 jwo 2 )

résonance parallèle · due à une capacité parallèle

parasite. le modèle doit être utilisé en dessous de la
fréquence de résonance,il est utile pour étudier les
phénomènes de remontées dans les filtres.
exemple : LF,l00e-9,1000e6; est une inductance de 100 nH
résonant à 1000 MHz
INDUCTANCE à PERTES:
nom : LQ
syntaxe : -LO~xl,x2;
xl est la valeur de l'inductance en Henrys
x2 est la valeur du cefficient de qualité (sans U).
commentaire: l'impédance du dipôle est
Z = Lw/Q + jLw
exemple LQ,lOOe-9,100; est une inductance de 100 nH
·de coefficient de qualité 100
INDUCTANCE à PERTES et RESONNANTE:
nom LQF
syntaxe LQF,xl,x2,x3;
xl est la valeur de la capacité en Farads
x2 est la valeur du cefficient de qualité (sans U)
x3 est la valeur de la fréquence de résonance série
en Hz (self série)
commentaire: l'impédance du dipôle est
Z = Lw/Q + jLw 1 (l-w 2 /wo 2 )

mêmes remarques que LF et LQ

exemple:
LQF,l00e-9,50,1000e6; est une inductance de lOOnH
de coefficient de qualité 50 et résonnant à 1000 MHz

ANNEXE 2
 page 146

- 1 - d - AUTRES EXPRESSIONS DE DIPOLES

Les modèles suivant sont d'autres expressions de

l'impédance complexe d'un dipôle:

IMPEDANCE COMPLEXE:
nom z
syntaxe : Z,xl,x2;
xl est la valeur de la partie réelle en ohms
x2 est la valeur de la partie imaginaire en ohms
commentaire: l'impédance du dipôle est
Z = xl + j x2
ADMITTANCE COMPLEXE:
nom : Y
syntaxe : Y,xl,x2;
xl est la valeur de la partie réelle en ohms(-1)
x2 est la valeur du la partie imaginaire en ohms(-1)
commentaire: l'impédance du dipôle est
Z = 1/(xl + j x2)

COEF DE REFLEXION CARTESIEN:

nom : RO
syntaxe : RO,xl,x2;
xl est la valeur de la partie réelle du coefficient
x2 est la valeur de la partie imaginaire du coeff
commentaire:
l'impédance du dipôle se calcule pour une impédance
caractéristique Zc à entrer dans la simulation

COEF DE REFLEXION POLAIRE:

nom : ROPOL
syntaxe : ROPOL,xl,x2;
xl est la valeur de la norme du coefficient
x2 est l' argument du coefficient
commentaire: l'impédance du dipôle se calcule pour une
impédance caractéristique Zc à entrer dans la simulation

ANNEXE 2
 page 147

- 2 - MODELES DE QUADRIPOLES

- 2 - a - LIGNES
L

Zc ' ulc =111Er 1 .

Remarque: dans les modèles M et ML, l'impédance

caractéristique et la célérite doivent être calculées
d'avance.

LIGNE SANS PERTES:

nom : M
syntaxe : M, xl, x2, x3;
xl est la valeur de l'impédance caractéristique en ohms
x2 est la longueur en rn (lmm = le-3)
x3 est la celérité relative (<1) à c = 3.e8 m/s

LIGNE A PERTES:
nom : ML
syntaxe : ML,xl,x2,x3,x4;
xl est la valeur de 1 'impédance caractéristique en ot,ms
x2 est la longueur en rn (lmm = le-3)
x3 est la celérité relative (<1) à c = 3.e8 m/s
x4 est l'atténuation (dB/rn)

ANNEXE 2
 page 149

- 2 - c - AUTRES EXPRESSIONS DE QUADRIPOLES

La méthode de simulation utilise la matrice CHAINE

pour traiter les quadripôles. Par conscéquent, les autres
types de paramètres (S-Z-Y- ... ) sont d'abord transformés
en paramètres chaine (formules de transformation
rappellées en annexe 2). Les modèles décrits ici ne sont
guère utilisables sous leur forme brute qui ne prend pas
la fréquence en compte. Pour des paramètres variant avec
la fréquence, il faut utiliser les opérateurs de modèles
non analytiques définis en II-6

PARAMETRES Chaine
nom : QC
syntaxe : QC,xl,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8;
xi: respectivement partie réelle et imaginaire de
Cll,Cl2,C2l,C22
PARAMETRES S CARTESIENS
nom QS
syntaxe QS,xl,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8;
xi: respectivement partie réelle et imaginaire de
Sll,Sl2,S2l,S22 en coordonnées rectangulaires
PARAMETRES S POLAIRES
nom : QSPOL
syntaxe : QSPOL,xl,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8;
xi: respectivement partie réelle et imaginaire de
Sll,Sl2,S21,S22 en coordonnées polaires
PARAMETRES Z
nom : QZ
syntaxe : QZ,xl,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8;
xi: respectivement partie réelle et imaginaire de
Zll,Zl2,Z2l,Z22
PARAMETRES Y
nom : QY
syntaxe : QY,xl,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8;
xi: respectivement partie réelle et imaginaire de
Yll,Yl2,Y21,Y22

ANNEXE 2
 page 150

- 3 - MODELES DE DISCONTINUITES GEOMETRIQUES

Le 3 traite des problèmes de lignes microruban et

des discontinuités géométriques les plus courantes.

les notations adoptées sont les suivantes:

f fréquence de fonctionnement
h épaisseur du substrat (multiples de 127 pm)
t épaisseur de métallisation (souvent lOpm ou 17.5pm)
Wi largeur du ruban métallique de la ligne noi
Effi constante diélectrique effective (quasi TEM) ligne i
Zci impédance caractéristique de la ligne i
Yci. admittance caractéristique de la ligne i
\gi longueur d'onde ligne i
hb hauteur du couvercle de boitier (éventuel)
par rapport à la surface du ruban métallique
c vitesse de la lumière (3.e8 m/s)
po perméabilité magnétique du vide
Eo permittivité du vide
pr,Er grandeurs relatives associées
I) , zo impédance caractéristique du vide
(Zo = 120 * n = 377 Q)

t
h
/.1/IIJI/IIJ/1//III/II////htl/ll//l/ilil///l,/,//1/üiJIIIIIIII/ü/1//////JI//.
1

ANNEXE 2
 page 151

3 - a - modèle de ligne géométrique

Ja

Zc, ulc f;

ANNEXE 2
 page 152

SYNTAXE DU MODELE LIGNE MICRORUBAN

nom MSTRIP
syntaxe MSTRIP,xl,x2,x3,x4;
xl est la largeur de la ligne ( W)
x2 est la hauteur de diélectrique en rn ( H)
x3 est la constante diélectrique relative Er
du substrat
x4 est la longueur de la ligne

PROGRAMMATION:

Ces paramétres permettent de calculer l'impédance

caractéristique de la ligne et la célérité (égale à
1//Eff). Les formules déjà utilisées par le modèle de
ligne "M" sont alors directement utilisables, et la suite
du processus est le même.

ANNEXE 2
 page 153·

- 3 - b - extrémité ouverte (open end)

L'extrémité ouverte est le cas le plus simple à

incorporer dans le simulateur, car un dipôle capacitif
suffit à décrire la discontinuité. ref [21][22][23]

REPRESENTATION ET SCHEMA EQUIVALENT:

u Zc

p p

EXPRESSIONS UTILISEES:
Des expressions simples pour calculer la valeur de Cf
ont été établies par Hammerstad [21] :

* leo
Cf =
Zc * c
où:
c est la vitesse de la lumière
leo est l'allongement apparent de la ligne ( effet
de bord):

Eff + 0.3 W/h + 0.264

leo/h = 0.412 * ) * ( )
Eff-0.258 W/h + 0.8

ANNEXE 2
 page 154

SYNTAXE DU MODELE EXTREMITE OUVERTE (OPEN-END):

nom MSTRIPOE
syntaxe MSTRIPOE,xl,x2,x3;
xl est la largeur de la ligne (W)
x2 est la hauteur de diélectrique en rn (H)
x3 est la constante diélectrique relative Er
du substrat
TRAITEMENT:

L'interpréteur de premier niveau doit transcrire le

modèle de premier niveau (ASCii) vers un modèle de
deuxième niveau suivi de la description du circuit
équivalent. Les valeurs des composants du circuit
équivalent sont recalculés à chaque balayage du tableau
de deuxième niveau.

ainsi:
MSTRIPOE,xl,x2,x3;
se-transforme en:
contenu du tableau signification
3000 modèle MSTRIPOE en langage niveau 2
xl xl ) servent à calculer la valeur de
x2 x2 ) c a d le contenu du tableau deux
x3 x3 ) indices plus loin
c modèle C: capacité parfaite.
valeur de C valeur recalculée à chaque balayage

ANNEXE 2
 page 155

- 3 - c - variation de largeur (step)

La variation en largeur est un quadripôle dont les

caractéristiques peuvent être représentées par un
assemblage LC. ref [24][25][26]

REPRESENTATION ET SCHEMA EQUIVALENT:

ZcZ
Ca

1 1
p p

EXPRESSIONS UTILISEES:
L' L"
Ll = * Ls L2= * Ls
L 1
+ L" L 1
+ L"

avec L1
= Zc 1 * c lE / L" = Zc2 * VE 1 c
Ls=h*[40.5*(Wl/W2-l) - 32.6*10g(W1/W2) + 0.2*(Wl/W2-1) 2 ]
(formule à 5% prés si Wl/W2 <= 5 et W2/h =1)
et
* si 1.5 <= Wl/W2 <= 3.5 et Er <= 10
Cs=fWl/W2*[(4.39*10g(Er)+2.33)*Wl/W2 -5.47*log(Er) -3.17]
(formule à 10% prés)
* si 3.5<=W1/W2<=10 et E=9.6
Cs= Ml/W2 *[56.48*log(Wl/W2) - 44] (formule à 0.5% prés)

ANNEXE 2
 page 156

SYNTAXE DU MODELE VARIATION EN LARGEUR (STEP):

nom : MSTRIPSTEP
syntaxe : MSTRIPSTEP,xl,x2,x3,x4;
xl est la largeur de la ligne 1 (Wl)
x2 est la largeur de la ligne 2 (W2)
x3 est la hauteur de diélectrique en rn (H)
x4 est la constante diélectrique relative Er du substrat

TRAITEMENT:

L'interpréteur de premier niveau doit transcrire le

modèle de premier niveau (ASCii) vers un modèle de
deuxième niveau suivi de la description du circuit
équivalent.

ainsi:

MSTRIPSTEP,xl,x2,x3,x4;

se transforme en:
contenu du tableau signification
3000 modèle
xl xl
x2 x2 ) servent à calculer
x3 x3 )
L
valeur de 1
S+
c
valeur de C
s-
L
valeur de L

ANNEXE 2
 page 157

- 3 - d - coude à angle droit (right angled bend)

Le coude à angle droit est un quadripôle dont les

caractéristiques peuvent être représentées par un
assemblage LC. ref [33][34]
REPRESENTATION ET SCHEMA EQUIVALENT:

Pl
~ 1

1
- -n
v

u '
1 1
Pl n

EXPRESSIONS UTILISEES:
* si W/h >=1 :
Cp= W*[[(l4*Er+l2.5)*W/h+(l.83*Er-2.25)]*fw/h+.02*Er*h/W]

* si W/h <=1 :
Cp= W*[7 + 5.2*Er + (W/h)*(9.5*Er + 1.25)]

Ll = L2 = h*lOO*( 4*{W/h - 4.21)

Les capacités sont en pF et les inductances en nH
La précision sur Cp est de 5% si 2.5<=Er<=l5 O.l<=W/h<=5
Pour les inductances, l'écart avec les résultats de
Thomson et Gopinath [30] est de 3% si 0.5 <= W/h <= 2.0

ANNEXE 2
 page 158

SYNTAXE DU MODELE COUDE A ANGLE DROIT (BEND):

nom MSTRIPBEND
syntaxe MSTRIPBEND,xl,x2,x3;
xl est la largeur de la ligne (W)
x2 est la hauteur de diélectrique en rn (H)
x3 est la constante diélectrique relative Er du substrat

TRAITEMENT:
L'interpréteur de premier niveau doit transcrire le
modèle de premier niveau (ASCii) vers un modèle de
deuxième niveau suivi de la description du circuit
équivalent. Le traitement est similaire à celui de
MSTRIPSTEP

- 3 - e - trou en série (gap)

· Le trou en série est un quadripôle dont les

caractéristiques peuvent être représentées par un
assemblage de capacités. ref [25]

REPRESENTATION ET SCHEMA EQUIVALENT:

Zc - Zc
Cp Cp

1 1
" P1 PZ 1
P1
1
.PZ

{~ Al -!5
ANNEXE 2
 page 159

EXPRESSIONS UTILISEES:

Cp et Cg sont définis ainsi:

Co = 2*Cg + Cp et

où:

mo me
Co=(s/W) * exp(ko) * w· et Ce=(s/W) * exp( ke) * W

mo=(W/h)*[0.267*ln(W/h) -0.3853 ko = 4.26 -0.63l*ln(W/h)

(pour 0.1 <= s/W <= 1)

0.12
me= 0.8675 ke= 2.043*(W/h) (pour O.l<=s/W<=0.3)

0.16
me= 1.565/(W/h) - 1 ke= 1.97 - 0.03/(W/h)
(pour 0.3 <= s/W <= 1.0)

SYNTAXE DU MODELE TROU EN SERIE (GAP):

nom MSTRIPGAP
syntaxe MSTRIPGAP,xl,x2,x3,x4;
xl est la largeur de la ligne (W)
x2 est la hauteur de diélectrique en rn (H)
x3 est la constante diélectrique relative Er
du substrat
x4 est la côte du gap en rn
TRAITEMENT:
L'inte~préteur
de premier niveau doit transcrire le
modéle de premier niveau (ASCii) vers un modèle de
deuxième niveau suivi de la description du circuit
équivalent. Le traitement est similaire à celui de
MSTRIPSTEP

ANNEXE 2
 page 160

- 3 - f - encoche transversale (notch)

L'encoche est un quadripôle dont les

caractéristiques peuvent être représentées par une
inductance serie. ref [32]

REPRESENTATION ET SCHEMA EQUIVALENT:

p
1
L

••
1 1
p p
~t Az- to

EXPRESSIONS UTILISEES:

L = 2 * h *[ 1 (Zo/Zo') * j Eff/Eff' J2
L est exprimé en pH
l'exposant (' prime) se rapporte à une ligne
microruban de largeur (W-b).

L'expression est correcte pour:

0 <= (b/W) <= 0.9 et a <= h

ANNEXE 2
 page 161

SYNTAXE DU MODELE ENCOCHE (NOTCH):

nom MSTRIPNOTCH
syntaxe MSTRIPNOTCHGAP,xl,x2,x3,x4,x5;
xl est la largeur de la ligne (W)
x2 est la hauteur de diélectrique en rn (H)
x3 est la ~onstante diélectrique relative Er
du substrat
x4 est la côte de l'encoche
suivant l'axe de la ligne (a)
x5 est l'autre côte de 'l'encoche

TRAITEMENT:

L'interpréteur de premier niveau doit transcrire le

modèle de premier niveau (ASCii) vers un modèle de
deuxième niveau suivi de la description du circuit
équivalent.

Le traitement est similaire à celui de MSTRIPSTEP

ANNEXE 2
 page 162

ANNEXE 3

TOPOLOGIES DE FILTRES LC:

- POLYNOMIAUX

- ELLIPTIQUES

- A RESONATEURS COUPLES

ANNEXE 3
 page 163

12 Ln-2 Ln

\,,,'li.
'd, 1 Il Il

: ~~
\ ' '

~ I
in
,
;

Cl Cn-1
FIUJΠPOLYttOniAL PASSE-BAS en ''Pi" Ordre Pair

L2 Ln-3 Ln-1

in ZL

Ct Crt-2 Cn
FILm: POL~IAL PASSE-BAS en ''Pi" Ordre lapair

ANNEXE 3
 page 164

11 Ln-3 Ln-1

C2 Cn-Z Cn
FILTRE POLYtOUAL PASSE-BAS en "Y., Ordre Pair

L1 Ln-Z Ln

in
~\il
I\ ". ZL
/ /~---+------~

C2 Cn-1
FILTRE POLYitltiAL PASSE-BAS en "t" Ordre l•pair

ANNEXE 3
 page 165

C2 Cn-2 Cn

---..t.....-iiH
in ~ ( ZL
__.,...._ _"""'!/
1 • 1
-

L1 Ln-1

~E-fWJT en
41
FILTRE POLYtOtiAL Pi'' Ordre Pair

C2 Cn-3 Cn-1

ID ~ ZL
.r
Ll Ln-2 Ln

FILTRE POLYttofiiAL PRSSE-Httlt en "Pi" Ordre l•p&ir

ANNEXE 3
 page 166

Cl Cn-3 Cn-1
\

~~
-11 t
1

•\

i:r
1
in /\. ZL
)
/
)

L2 Ln-2 Ln

FILTRE POL~IAL PASSE-wtiT en "T" ONre Pair

Cl Cn-2 Cn

ZL

L2 Ln-1

FIL'CJŒ POLYI«)ftiAL PASSE;wJt en '' T" Ordre lapa ir

ANNEXE 3
 page 167

LVC2 Ln-2/Cn-2 Lrv'Cn

~ill~
'.l.lU/
(
'
\ \
in \\
\
\
i ZL
) i
!

L11C1 Ln-1/Cn-1

FILTRE POL'MltiAL PASSE-BMDE en "pr• Ordre Pair

LVC2 Ln-3/Cn-3 Ln-1/Cn-1

• 1

L11C1 Ln-2/Cn-2 LniCn

FILTRE POLYtœiAL PASSE-ME en "Pl" Ordre lapair

ANNEXE 3
 page 168

L11C1 Ln-3/Cn-3 Ln-1/Cn-1

LVC2 Ln-2/Cn-2 LniCn

FILTRE POL'ltOUAL PASSE-BAttDE en "t" Ordre Pair

L11C1 Ln-ZICn-2 LniCn

-1\ilH
1
\4HB
1
\'
\
ZL
in '
1

l
!
1
1

LVC2. Ln-1/Cn-1

FILTRE POLYHOftiAL PASSE-BMDE en "t" Orbe b1pair

ANNEXE 3
 page 169

L21C2 Ln-2/Cn-Z LniCn

Tf~
~ \
in .~ ) ZI.
T ,
-- 1
11
----·11

i
J
L11C1 Ln-1/Cn-1

FIURE POL~IAL COOPE-BMDE en "Pl" Ordre Pair

LZIC2 Ln-3/Cn-3 Ln-1/Cn-1

L!IC1 Ln-2/Cn-2 LniCn

FILTJIE POLYttOIUAL COOPE-BMDE en "Pl" Ordre lapa ir

ANNEXE 3
 page 170

L11C1 Ln-3/Cn-3 Ln-1/Cn-1

ZL

LZICZ Ln-VCn-2 LIV'Cn

FILTRE POLYttOrtlAL COOPE-BMDE en "t" Ordre Pair

L11C1 Ln-2/Cn-2 LniCn

ZL

UIC2 Ln-1/Cn-1

FILtJΠPOL'MlftiAL COOPE-ME en "t" ONre lapa ir

ANNEXE 3
 page 171

LVC2 Ln-2/Cn-2 Ln

ZL

FILTRE ELLIPTifM: ~!-BAS en ''Pi" Ordre Pair

LZICZ Ln-VClt-1

ZL

FILTRE ELLIPTIWE PASSE-BAS en "Pl" Ordre lapair

ANNEXE 3
 page 172

L1 Ln-3 Ln-1

in
. -_ ___
·~) If
1

T//
·\
)
1

...

1
.
\
......... ____,
ZL

LVCZ Ln-2/Cn-2 Cn

FILTRE ELLIPTIIM PASSE-BAS en "t" Ordre Pair

L1 Ln-Z Ln

\~r7rf;
\V~
\ \ )
1 1
i 1

~
in
ii ) ___..____
I) /,___
•' . ___.
ZL

L21C2 Ln-1/Cn-1

ANNEXE 3
 page 173

1.21C2 Ln-2/Cn-2 Cn

~~~~~rf
in ~~
l~
\
\
......, \
-+----·i /
1 /
L1 Ln-3 Ln-1
FILTRE ELLIPTIQUE PASSE-+WJT en ''Pi" Ordre Pair

L21C2 Ln-1/Cn-1

ZL

L1 Ln-Z
FILTRE ELLIPTIQUE PASSE-+WJT en ''Pi" Ordre l1pair

ANNEXE 3
 page 174

Ct Cn-3 Cn-1

~l-n/ /~l-r-lt----.-----,
in ~\
~'
t~1 \
\T-' \
-'- 1
\',\
\
1
'.....

...
ZL

__T...._/ /-__... __....__....l

1 !
LZICZ Ln-2/Cn-Z Ln
FILTRE ELLIPTIWE PASSE-fWJT ell "Tu Ordre Pair

Ct Cn-2 Cn
1
(
\
\
in \
ZL
\

'Il 1 1

1 !
1

1.2/CZ Ln-1/Cn-1
FILTRE ELLIPTIIM: ~;wJT en "t" Ordre lapair

ANNEXE 3
 page 175

L121C12 L2ZICZZ L1n-ZIC1n-2 L2n-ZIC2 n-2 LIY'Cn

in

C11L1 Ln-3/Cn-3 Ln-l/Cn-1

FILTRE ELLIPTIWE ~E-BMDE en ''Pi" Ordre Pair

Ll2/Cl2 LZZICZZ Ll~rl/Cln-1 I2n-11C2n-1

in

C11L1 Ln-VCn-Z LniCn

FIL TU ELLIPTIQUE PASSE-BAHDE en "Pi" ONre l•pair

ANNEXE 3
 page 176

L11C1 Ln-3/Cn-3 Ln-1/Cn-1

Il (~~~\ i T
-,r. :.diiJJ _l ,l

in ''
TT
L121C1Z LZZICZZ Lln-VClu-2 LZn-VCZn-Z Ln/Cn

FILTRE ELLIPTIQUE PASSE-BAHDE en "T" Ordre Pair

L11C1 Ln-21Cn-2
1 1
1kl))m likfi:---'MTh'illl
"' \
in ' : ,§1 \ \ ZL
\ ) 1 /

TT /
1
1/ .,i-_ _ _...___...__ _ __
i
L1VC12 LZVCZZ L1n-11C1n-1 LZn-1/CZn-1

FILTRE ELLIPTIQUE PASSE-BAHDE en"T 11 Ordre !l'pair

ANNEXE 3
 page 177

L1VC12 LZZICZZ L1n-VC1n-2 L2~21C2n-2 LIV'Cn

ZL

LJIC1 Ln-3/Cn-3 Ln-1/Cn-1

FILm: ELLIPTIWE COOPE-ME en ''Pi" Ordre Pair

Ll2/C12 LZZICZ2 L1n-11C1n-1 L2n-VCZn-1

ZL

L11C1 Ln-2/Cn-2 LniCn

FILTRE ELLIPTIQUE COOPE-BMDE en "Pi" Ordre lt~~pair

ANNEXE 3
 page 178

L11C1 Ln-3/Cn-3 Ln-1/Cn-1

ZL
~

L1ZIC12 L2ZIC2Z L1n-VC1n-2 L2n-VC2n-2 LniCn

FILW: ELLIPIIIU COOPE-ME en "t" Ordre Pair

L11C1 Ln-2/Cn-2 LniCn

ZL

L1ZIC12 L2ZIC22 L1n-11C1n-1 LZn-VCZn-2

ANNEXE 3
 page 179

FIL tm) P~I-ME à 1\F.StWtTIDRS COOPLES

C1b C1-Z C2h

ZL

Cla L1 LZ C2a

ORDRE 2

Clb Ct-2 CZ-3

ZL

C1a L1 CZLZ L3 C3a

ORDRE 3

Er c ...

ANNEXE 3