10 Effet de la température sur la caractéristique I-V

Si l’on augmente la température en polarisation direct le courant augmente

pour une valeur donnée de tension. Egalement pour une valeur donnée
du courant direct, la tension directe diminuera, comme le montre la
figure.13
Id(mA)
Ta +ΔT Ta

VBR
V(v)
V(v)

V0 -ΔV V0

Iinvers(pA) Fig.13
La barrière du potentiel diminue à mesure que la température augmente

Le courant inverse augmente quand la température augmente.

Variation de la tension directe avec la température, sous un courant
constant.
Comme tout semi-conducteur la diode à jonction sera fortement
affectée par les variations de la température. Elle se traduit par
l’augmentation du courant de saturation Is et par la tension UT. Si le
courant Id est constant, donc la variation du courant par rapport à la
température est nulle, on peut donc calculer la variation de la tension
aux bornes de la jonction par rapport à la température .

dId/dT = 0 avec Id = Is[Exp( V/nUT ) -1 ],

Is = CT3Exp( -Eg/KT) et UT = KT/q
dId/dT = (Id/Is)(dIs/dT) +( Id+Is)[(-Vq/(nKT²) +(1/nUT)(dV/dT)]
dIs/dT = (Is/T)( 3+Eg/KT) = (Is/T)( 3+Eg/qUT) > 0

En remplaçant dIs /dT par son expression et en néglige Is devant Id, on obtient:

dV/dT|Id =cste = ( V- 3nUT-nEg/q) /T

Avec Eg/q valeur en eV.

Rq : La variation de la tension aux bornes de la jonction par rapport à la

température est toujours négative car la tension appliquée V reste inférieure à Eg.
11 Résistance thermique
Soit un dipôle dont on définit l’équation d’état électrique par : f(V,I ) = 0.
-En régime établit, la température ambiante Ta est admise constante , on peut
donc tracer la caractéristique statique f(I,V,Ta) =0 . On peut tracer pour différente
valeur de Ta une famille de courbes. Celles-ci seront expérimentalement acquises
en restant suffisamment longtemps sur chaque point de mesure pur obtenir aussi
des valeurs d’équilibre ou de régime continue établi.
-Si on travaille en régime transitoire suffisamment rapide, on pourra admettre que
la température interne de la jonction du dispositif Tj est maintenue constante. On
pourra écrire l’équation d’état dynamique par : f(V,I, Tj ) = 0. Entre les deux
régimes asymptotiques( régime statique et régime transitoire ), il existe une
relation de couplage liée directement à la notion de résistance thermique Rth du
dispositif donnée par la relation suivante:
 Tj –Ta= Rth .V. I = Rth .Pj = ΔT
La résistance Rth peut être diminuée par l’adjonction d’un radiateur ou
tout autre système de refroidissement.

ΔT

Rth
Pj

La figure .14 montre l’analogie directe avec la loi d’ohm.

Fig.14
 En générale Rth = RJB + RBA
 RBA : résistance thermique du boîtier propre au dispositif seul
 12 - Limitations technologiques
– Il est important du point de vue pratique, de connaître les limites absolues
à ne pas dépasser sous peine de détruire le composant utilisé. Il pourrait
être défini, quelques que soit le dispositif, un domaine d’utilisation dont
les limites sont directement liées à des processus physiques tels que
l’échauffement et le claquage.

La figure 15 montre les limitations technologiques d’un composants dans le

cas général .
 Id Hyperbole de dissipation

Im(d)

Pm(d)
VR Vm(R) II I
V
III IV Vm(d)

Im(R)
Pm(R) IR
Fig.15
Il existe dans chaque quadrant trois limites absolues:
- Limites en courant Im ( liée à une densité maximale de courant pour des
raisons de structure , de fabrications )
- Limite en tension ( lié au phénomène de claquage pour un composant
linéaire, peut avoir lieu aussi en direct qu’en inverse). Pour un composant non
linéaire , le claquage aura lieu en zone inverse. Il se traduit par une
augmentation rapide de courant (destruction du composant).
- Limite en puissance ( liée à l’échauffement ou à la puissance dissipée par
effet joule . Le lieu correspond à l’hyperbole de dissipation maximal.

13- Modélisation statique

Modélisation linéaire par morceau de la diode
Modèle idéal ( parfait ): Le modèle idéal de la diode est un simple interrupteur .
Lorsque la diode est en polarisation directe, elle se comporte comme un
interrupteur fermé. Lorsque elle est en polarisation inverse, elle se comporte
comme un interrupteur ouvert comme le montre la figure. 16.
Modèle idéal
I

I >0 , V=0

I=0 , V<0
V
Directe

Inverse

Fig.16
Modèle semi-idéal
I

V Vd
Directe

Inverse
Vd
Fig.17
Modèle réelle I

Directe

V
rd

Vd

Inverse
Fig.18 rR
Modèle dynamique ( inertiel )

rd I

C = CT+ Cd
V

I: Courant circulant dans la jonction PN

V: Tension aux bornes de la jonction
Fig.19
rd: Résistance dynamique
I=Is[Exp( V/nUT ) -1)]
n:coefficient d’émission
Modèle en haute fréquence
R

Ls Rs

C
Cp

V
Cp: Capacité parallèle

Rs: Résistance série Fig.20

Ls: Inductance série

C:Capacité totale ( diffusion et transition )

14 -Capacité de charges stockées
Les charges stockées proviennent des porteurs minoritaires en excès à
travers la jonction en polarisation directe. Ces charges sont proportionnels au courant
total traversant la jonction. La quantité de charge QD s’ écrit alors:

QD = τ I avec I = Is[Exp( V/nUT ) -1]

On définit la capacité de charges stockées par la relation suivante :

Cd = dQD/dV = τ IsExp( V/nUT)/ nUT

τ : Temps de transit des porteurs

Capacité de charges d’espaces

Lorsque on change la tension aux bornes d’une jonction, la largeur de la zone de
transition est modifiée, ce qui entraîne une variation de la charge électrostatique contenue
dans cette zone. Si dQ désigne la variation de la charge dans la zone de transition
consécutive à une variation dV de la tension aux bornes de la jonction. :
 On définit la capacité de charge d’espaces ou capacité de transition par le rapport; :

CT = dQ/dV = Cj0/(1- V/φ)m +…Cp

Cj0 :Capacité à polarisation nulle

Cp: Capacité parasite

V : tension aux bornes de la jonction

m: Coefficient de gradualité 0.33 < m < 0.5

φ : Potentiel de diffusion ( dépend de la techniologie )

Rq :
L’expression de la capacité de transition à un sens uniquement physique
pour V < φ . La non validité de cette équation pour V= φ est très gênante pour la
simulation. Pour remédier à cela, on utilise la relation linéaire donnée par :
 C

Cd>> CT

CT>> Cd
Cj0+ Cp

Cp V

Polarisation de la jonction en inverse Polarisation de la jonction en directe

Fig.21
 Pour V< φ

CT = Cj0/(1- V/φ)m +…Cp

Pour V> φ
CT = Cj0/(F2(F3+mV/φ)

F2 = ( 1 – Fc)1+m , F3 = 1 – Fc( 1+m), Fc : Facteur correctif de valeur 0.5 en générale

Rq : Cette équation représente en faite l ’équation de la tangente en V= φFc

Finalement une diode à jonction peut être modélisée par huit ( 8 ) paramètres:
-Trois ( 03 ) paramètres statique: Is, n et Rs.

-Cinq ( 05 ) paramètres dynamique: Cj0, Cp, m, τ et φ .

 Diodes à usage particulier
Diode Zener
Une diode Zener est un composant à jonction PN au silicium qui diffère
d’une diode au redressement régulière, elle est conçue pour être utilisée en
polarisation inverse. La tension de claquage inverse d’une diode zener est ajustée
en contrôlant soigneusement le niveau de dopage lors du procédé de fabrication.
Lorsque une diode atteint le claquage inverse, sa tension demeure presque
constante bien que le courant puisse varier brusquement. Sous polarisation
directe elle se comporte conne une diode de redressement régulière comme le
montre la figure .22
Claquage Zener:
Il existe deux types de claquage inverse pour une diode Zener . L’avalanche et
l’effet Zener.
Le claquage zener se produit dans une diode zener à de faibles tensions
inverses. Une telle diode est fortement dopée pour réduire la tension de claquage et est
munie d’une région d’appauvrissement très étroite. Près du niveau de claquage (Vz), le
champ électrique devient assez intense pour tirer les électrons de leurs bandes de
valence et ainsi créer un courant.
 VBv
106
Effet avalanche Effet Zener
105

104

103

102

10
N(Cm-3)

1014 1015 1016 1017 1018 1019 1020

Nombre volumiques des atomes
 Id(mA)

Claquage

V(v) VZ

V(v)
Région de polarisation inverse Vd

Région de polarisation directe

Iinver(pA) Fig.22
 Les diodes Zener dont les tensions de claquage sont < # 5 V fonctionnent en claquage
Zener.Celles dont les tensions de claquage sont > à 5 V fonctionnent pour la plupart en claquage
avalanche, elles toutes deux appelés diodes Zener. Leurs tensions variant de 1.8V à 200 V avec une
tolérance de 1% et 20%.

Caractéristiques de claquage
La figure .23 montre la partie inverse de la courbe caractéristique d’une diode Zener

Région de polarisation inverse

V(v) VZ

Genou
IZG (Courant Zener au genou)

IZT (Courant Zener de test )

IZM (Courant Zener maximal)

Tension à peu près constante Iinver(pA)

Fig.23
Caractéristique de claquage
La courbe de la figure .23 montre la portion inverse de la caractéristique d’une diode Zener . Lorsque
la tension inverse augmente, le courant inverse demeure infime jusqu’à la valeur IZG. Le courant
inverse est également appelé le courant Zener Iz. A ce point l’effet de claquage commence: la
résistance interne Zener ( Rz), aussi appelée impédance Zener. Au bas de ce genou, la tension de
claquage Zener ( VZ) demeure essentiellement constante à mesure que le courant Zener ( Iz)
augmente.
Régulation Zener
La caractéristique principale de la diode Zener est son habileté à garder une tension
essentiellement constante à ses bornes. Une diode Zener opérant en claquage inverse agit comme un
régulateur de tension car elle maintient une tension presque constante à ses bornes . Une valeur
minimale de courant inverse, IZG doit être maintenue afin de garder la diode en claquage pour qu’elle
effectue la régulation de tension . Il faut également s’assurer de ne pas dépasser la valeur maximale
de courant IZM, pour ne pas endommager la diode par une dissipation de puissance excessive. Donc,
la diode Zener pourra maintenir une tension à peu près constante à ses bornes pour les valeurs de
courant inverse comprises entre IZG et IZM.
 Symbole d’une diode Zener

Le symbole de la diode Zener est donné par la figure.24

Cathode (K)
Anode (A)

Fig.24
Modèle équivalent d’une diode Zner

a) Modèle idéal

Le modèle idéal de la diode Zener est représenté par la figure.25. La

diode agit simplement comme une pile de valeur égale à la tension Zener. Cette
chute de tension constante est schématisée par une source de tension continue.Cette
source indique simplement que l’action du claquage inverse produit une tension
constante aux bornes de la diode Zener.
 Iz Vz0

Vz

Vz
Vz = Vz0
Fig.25
b) Modèle réel
La figure .26 représente le modèle réel d’une diode Zener ou l’on y inclut la résistance
Rz. Puisque la courbe de tension n’est pas parfaitement verticale, un changement de
courant inverse (dIz) produit un faible changement de tension Zener ( dVz).On définit Rz
par le rapport dVz sur dIz .

Rz=dVz/dIz
Rz est spécifiée à Iz, cette valeur est constante pour toute la gamme des valeurs de courant
inverse .
 Rz Vz0
Iz Iz

Vz

Vz
Vz = RzIz + Vz0
V(v) ΔVz

ΔVz
Rz =
ΔIz ΔIz

Fig.26
Iinv (mA)
Rq: Dans le cas de la simulation, le calcul fait appel à un coefficient de multiplication M et le
modèle de la diode Zener sera donnée par la figure. 27.

ID
1
M= VD
(1- )x
BVD
(M-1)ID
Mnp= 1
Fig.27 VD
(1- )x
BVD
Le paramètre x est différent pour les électrons et pour les trous typiquement x:
X # 2 pour les électrons, X# 4 pour les trous dans le cas du silicium.

Une autre approche est suivant ( logiciel SPICE ) la caractéristique inverse, on découpe
la caractéristique en quatre ( 4) régions, comme le montre la courbe représentée par de la
figure.28
 Vz

Id=Is[ Ep(V/nUT - 1)]

1
Id= - Is + GDVD
2

3
Id= - IBV

4 Fig.28
Iz
Id = -Is[ Ep(-(VD+Bv)/nUT - 1+ Bv/nUT)]

Applications de la diode Zener : Elle est souvent utilisée comme régulateur de

tension dans les blocs d’alimentation. Elle peut être utilisée aussi comme
limiteur ou écrêteur de tension.
Autres type de diode
Diode varicap ( diode varactor ou d’accord)

C’est une diode opérant en polarisation inverse et utilisant la capacité

inhérente de la région d’appauvrissement de sa jonction PN. La région
d’appauvrissement crée par la polarisation inverse agit comme un condensateur
diélectrique par ses caractéristiques non conductrices. Les régions P et N sont
conductrices et jouent le rôle des plaques du condensateur. La figure .29 montre le
symbole d’une diode varicap.
CT (pF)

Vinv
Fig.29
 La capacité CT est déterminée par l’aire de la surface ( A ) des plaques , la
constante diélectrique ( ε ) et l’épaisseur diélectrique ( d ), se la relation suivante:

CT = A ε / d

Dans une diode varactor, les paramètres de la capacité sont réglés par la méthode de
dopage de la région d’appauvrissement et par taille et la géométrie de construction de
la diode. Les capacités de la diode varactor varient de quelques picofarads à quelques
centaines de picofarads.

Diode tunnel ou Esaki

La diode tunnel possède une caractéristique spéciale qui est la résistance

négative. Cette caractéristique rend ce composant utile dans des applications
d’oscillateurs et d’amplificateurs à micro-ondes. Les diodes tunnel sont composées de
germanium et d’arséniure de gallium et leurs régions Pet N sont dopées beaucoup plus
fortement que celles d’une diode conventionnelle. Ce dopage particulier donne une région
très étroite et permet la conduction pour toutes les tensions inverse. La figure.30 montre le
symbole de cette diode. La région d’appauvrissement très étroite fournit <<tunnel >> aux
électrons pour qu’ils traversent la jonction PN sous des tensions directs très faibles
 Entre les points A et B la diode agit comme un conducteur.

Id

Courant de tunnel

A
C

V
Fig.30
Région de la résistance négative

Entre les points B et C, la tension V commence à développer une barrière et le courant Id tend à
diminuer à mesure que le courant continue d’augmenter . Cette zone est appelée région à
résistance négative.
 Après le point C, la diode ce comporte comme une diode conventionnelle en
polarisation directe.
Diode Schottky

Les diodes Schottky ( figure.31 ) sont surtout utilisées dans les applications à
haute fréquence et à communication rapide. On les appellent aussi diode à porteurs
majoritaires. Elle se compose d’une région à semi-conducteur dopé ( habituellement de
type N ) joint un métal pur tel que l’or, l’argent ou le platine. Nous ne somme pas en
présence d’une jonction PN, mais d’une jonction métal- à–semi-conducteur. La tension
de coude d’un tel composant est de l’ordre de 0.3 V.

Métal

Jonction métal-silicium

Structure interne de base de la

Symbole de la diode Schottky diode Schottky
Fig.31
 Il n’existe pas de porteurs minoritaires et donc aucun courant de fuite inverse (
pas de stockage de charge ni de temps de récupération inverse ) comme dans les autres
diodes.

Diode PIN

La diode PIN se compose de régions P et N fortement dopées séparées par une

région intrinsèque (I), comme le montre la figure.32. En polarisation inverse, la diode
PIN fournit une capacité presque constante et en polarisation directe elle agit comme une
résistance variable ( figure .33) contrôlée par un courant.

P I N

Région intrinsèque
C
R

En polarisation inverse
En polarisation directe
Fig.32
 CT( pF)
R(Ω)

0
Vr(V)
Id( mA)

Fig.33

La diode PIN est utilisée comme un interrupteur micro-onde contrôlé par des
variations rapides en courant de polarisation, ou comme composant de modulation ( H.F)
grâce à sa caractéristique de résistance variable, elle peut être utilisé comme atténuateur sa
résistance pouvant être contrôlée par la quantité de courant. Certains types de diodes PIN
sont utilisés comme photo-détecteurs dans des systèmes à fibre optiques.
 Diode de recouvrement
La diode de recouvrement utilise un dopage progressif dans le quel le niveau de
dopage des matériaux semi-conducteurs est réduit à mesure qu’on s’approche de la
jonction PN. Cette diode produit un temps d’arrêt abrupt en libérant très rapidement une
charge emmagasinée lorsqu’on passe de la polarisation directe vers la polarisation
inverse, elle permet aussi le retour rapide du courant direct lorsqu’on passe de la
polarisation inverse vers la polarisation directe. Elle est utilisée dans les applications à
très haute fréquence ( V.H.F) et à commutation rapide.

Diode électroluminescente ( D.E.L)

Ce sont des diodes conçus pour émettre de la lumière. Cette lumière provient
des recombinaison entre les électrons et les trous son symbole est représenté par la
figure.34.
Diode laser

Le terme anglais laser ( Iight amplication by stimulated emission of radiation )

désigne une source lumineuse électronique pouvant produire un faisceau lumineux cohérent
intense. La lumière du laser est monochromatique, c’est à dire qu’elle ne possède qu’une seule
couleur au lieu d’un mélange de couleurs. Cette lumière est aussi appelée lumière cohérent, à
une seule longueur d’onde,contrairement à la lumière incohérente qui est constitué d’une large
échelle de longueurs d’onde. La diode laser ( fig.34) émet normalement une lumière cohérente
, tandis que la DEL émet une lumière incohérente.
 Symbole d’une diode laser et d’une D.E.L

Fig.34
Photodiode

Une photodiode est un composant à jonction PN qui fonctionne en polarisation

inverse, où Iλ désigne le courant inverse. La photodiode possède une petite fenêtre
transparente qui permet à la lumière de toucher la jonction PN. Le courant de polarisation
inverse est produit par les paires électron-trou de la région d’appauvrissement qui, sous
l’effet thermique, sont propulsées à travers la jonction par un champ électrique créé par la
tension inverse.
Une photodiode diffère d’une diode de redressement, car le courant inverse augmente avec
l’intensité de la lumière sur la jonction PN exposée. Lorsqu’il n’y a pas de lumière, le courant
inverse Iλ est presque négligeable; on l’appelle le courant d’ombre. Une augmentation de
l’intensité de la lumière, exprimée par une valeur d’irradiation ( mW/cm²), produit une
augmentation du courant inverse , comme le montre le graphique de la figure.35.
 Les D.E.L réalisent la transformation courant lumière. Les diodes photo-réceptrices
( ou photodiodes ) réalisent la transformation inverse ( c’est à dire lumière courant ).

Courant inverse Iλ
Courant inverse Iλ (µA)

H( mW/cm²) = Cte

Fig.35

Vr tension inverse ( V) Irradiation,H( mW/cm²)

Rinv= Vr/Iλ

Rinv: Résistance du composant, la photodiode peut être utilisé comme résistance variable.

Symbole d’une diode photodiode

Afficheur sept segments

Le modèle équivalent d’un segment d’un afficheur est représente par la figure .36

+E R

f g b

e c

a d

Fig.36
Symbole schématique d’un afficheur à sept segments
Le modèle équivalent d’un afficheur est représente par la figure .37

+E R

E =10 V

R= 680Ω

Fig.37