100% ont trouvé ce document utile (1 vote)
246 vues4 pages

Polarisation d'un Transistor Bipolaire

Le document présente trois exercices sur la polarisation d'un transistor bipolaire. Il détaille les calculs pour déterminer les courants et tensions dans le transistor en fonction des paramètres du montage. Le document montre que l'ajout d'une résistance à l'émetteur permet d'augmenter la stabilité du montage.

Transféré par

abdellahmor
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
100% ont trouvé ce document utile (1 vote)
246 vues4 pages

Polarisation d'un Transistor Bipolaire

Le document présente trois exercices sur la polarisation d'un transistor bipolaire. Il détaille les calculs pour déterminer les courants et tensions dans le transistor en fonction des paramètres du montage. Le document montre que l'ajout d'une résistance à l'émetteur permet d'augmenter la stabilité du montage.

Transféré par

abdellahmor
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

[Link].

com 1/4

Polarisation d'un transistor bipolaire

Exercice 1

1. IB = URB / RB = (VCC – VBE) / RB = (15V - 0,7V) / 2M IB = 7,15µA

IC =  x IB = 100 x 7,15µA IC = 715µA

URC = IC x RC = 715µA x 10k URC = 7,15V

VCE = VC - VE = VC (VE = 0V)

VCE = Vcc - VRC = 15V - 7,15 VCE = 7,85V

IE = ( + 1) x IB = 101 x 7,15µA = 722,15µA

2. On calcule le nouveau gain en courant du transistor : ’

 /  =10%  (’ - ) /  = 10% ’ =110

Le nouveau courant d’émetteur du transistor : I’E

I’E = (’ + 1) x IB = 111 x 7,15µA I’E = 793,65µA

On calcule la variation de IE

IE / IE = (I’E - IE) / IE = (793,65µA - 722,15µA) / 722,15µA

IE / IE = 0,099 = 9,9% IE / IE ≈10%

IE dépend entièrement de . Si  change tout le calcul change.

 change si :

 la température du transistor change


 on change le transistor

Conclusion : Le montage n’est pas stable.

N. ROUSSAFI [Link] Polarisation d'un transistor


[Link] 2/4

Exercice 2

1. Vcc = VRE + VBE + VRB

Vcc = IE x RE + VBE + RB x IB

Vcc = IE x RE + VBE + RB x IE / (+1)

IE = (Vcc - VBE) / (RE + RB / (+1))

IE = (15V - 0,7V) / (1k + 2,2M / (100 + 1)) IE = 628µA

IC = IE x  / ( +1) = 628µA x 100 / (100 + 1) IC = 621µA

VE = IE x RE = 628µA x 1k VE = 628mV

VC = 15V - 621µA x 10k VC = 8,79V

VCE = VC – VE = 8,79V - 628mV VCE = 8,16V

VB = VE + VBE = 628mV + 0,7V VB = 1,33V

2. I’E = (Vcc - VBE) / (RE + RB / (’+1))

I’E = (15V - 0,7V) / (1k + 2,2M / (110 + 1)) I’E = 687µA

V’E = I’E x RE = 687µA x 1k V’E = 687mV

Si  augmente  IE augmente  la tension VE = RE IE augmente 


la tension VRB = Vcc – (VE + VBE) diminue  IB diminue  IC diminue
 IE diminue.

La résistance d'émetteur apporte donc, un élément de contre-réaction au système.

On augmente la stabilité en ajoutant une résistance à l'émetteur.

N. ROUSSAFI [Link] Polarisation d'un transistor


[Link] 3/4

Exercice 3

1)

Eth = VCC x R2 / (R2 + R1) = 15V x 10k / (100k + 10k) Eth = 1,36V

Rth = R2 // R1 = 100k // 10k Rth = 9,09k

2) Eth = URE + UBE + URth

Eth = IE x RE + UBE + IB x Rth

Eth = IE x RE + UBE + Rth x IE / (+1)

IE = (Eth - UBE) / (RE + Rth / (+1))

3)  = 100

IE = (Eth - UBE) / (RE + Rth / (+1))

IE = (1,36V - 0,7V) / (1k + 9,09k / (100+1)) IE = 605µA

’ = 100

I’E = (Eth - UBE) / (RE + Rth / (+1))

I’E = (1,36V - 0,7V) / (1k + 9,09k / (110+1)) I’E = 610µA

 /  = (’ - ) /  =10%

IE / IE = (I’E - IE) / IE


N. ROUSSAFI [Link] Polarisation d'un transistor
[Link] 4/4

IE / IE = (610µA - 605µA) / 605µA = 0,0082 IE / IE = 0,82%

IE varie faiblement et le montage est stable. Ceci est dû au fait que le terme :
Rth / (+1) est petit comparé à RE; il peut même être négligé.

4) IC = IE x  / ( +1) = 605µA x 100 / (100 + 1) IC = 600µA

VE = IE x RE = 605µA x 1k VE = 605mV

VC = VCC – IC x RC = 15V - 600µA x 10k VC = 9V

VCE = VC - VE = 9V - 605mV VCE = 8,4V

VB = VE + VBE = 605mV + 0,7V VB = 1,31V

N. ROUSSAFI [Link] Polarisation d'un transistor

Vous aimerez peut-être aussi