TRAVAUX PRATIQUE
Simulation sous
LTSPICE IV
En technologie CMOS
Réalisée par: HICHAM Ghizlane
Master S1 2ME2S
A.U:2017/2018
2017/2018
TP1 : Vu Schématique, Analyse sous LTSpice des transistors NMOS et PMOS
Question 1:
Le courant IDS en fonction de VDSIDS=f(VDS) :
Question 2:
Le courant IDS en fonction de VGS IDS=f(VGS) :
IDS=f(VGS)
Question 3:
- IDS MAX =96uA
- Vth= 209.30mV
TP2 : Caractéristiques des inverseurs en technologie MOS
Problème 1:Inverseur logique NMOS en technologie CMOS 1 m
Question 1:
- IDS=1e-04 A
- VGS=1V
Question 2:
On a : Vth=0.8 et VGS=1V et VDS = 1.8
VGS-Vth = 0.2 V
VDS> VGS-Vth
Donc M1 est dans la zone de saturation
Question 3 :
Caractéristique de transfert Vout=f(Vin) :
Problème 2:Inverseur logique PMOS en technologie CMOS 1 m
Question 1:
IDS=5.55556e-005 A
VGS=1V
Question 2:
Pour VGS=0.6
On a VDD=2V
L’équation de la maille : VDD=VDS+ [Link]
VDS=[Link]
Pour VGS=0.6V et Vs=[Link]=0.1
Vds=2 - 1.9=0.1v
VGS-Vth=0.6+0.9=1.5V
Donc VDS> VGS + Vth
Donc le Transistor M1 n’existe pas dans la zone de saturation
Problème 3 :Inverseur
Inverseur logique CMOS en technologie CMOS 0.18 m :
Question 1
Caractéristique de transfert Vout=f(Vin) :
Question 2 :
Analyse transitoire Vout=f(Vin) :
Question 3 :
Analyse ACVout/ Vin :
Fréquence de couper : fc=947.061MHz
Marge de Gain :11.339407dB
Marge de Phase : 174.92°
TP3 : Création des symboles et simulation des ports logiques INV, AND2 et OR en
technologie CMOS 0.18 m
A) Composant : INV :
B) Composant AND :
C) Composant OR :
TP4 : Calcule et simulation les valeurs de l'ID et VGS dans les circuits base sur
NMOS et PMOS En technologie 1 m
Problème 1 :
IDS= 1.50343e-005
005 A
VDS= 0.49657 V
Problème 2 :
IDS= 1.29804e-005
005 A
VDS= 0.70196 V
Problème 3 :
Id = 4.14072e-005A
005A
Vs = 4.14071 V
VGS = 5-Vs=
Vs= 0.86 V
Problème 4 :
Id = 3.18007e-005
005 A
Vs = 3.18007V
VGS = 5-Vs= 1.82 V