9 / COMPORTEMENT EN FREQUENCE

MODELE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE EN HF

Le modèle du transistor Bipolaire vu jusqu'à maintenant

présentait une bande passante infinie : il n'en est rien, bien
entendu : deux à trois éléments doivent être pris en compte
(au premier ordre) lorsqu'on monte en fréquence.

- La capacité Cb'e est une capacité dite de diffusion, de la jonction BE polarisée en direct. (lorsqu'un
diode est polarisée en direct, des électrons sont injectés dans la zone N des trous dans la zone P et
forment une accumulation de charges de part et d'autre de la jonction : ces charges se comportent
comme une capacité).
- La capacité Cb'c est une capacité dite de transition, de la jonction BC polarisée en inverse.
(lorsqu'un diode est polarisée en inverse, une zone déserté de porteurs apparaît de part et d'autre
de la jonction : cette zone se comporte comme un diélectrique et forme une capacité).
- La résistance d'accès à la Base rbb' : le contact de base étant pris en surface, il apparaît une
résistance entre le contact de la base et la base active dite "intrinsèque". Cette résistance intervient
dans certaines conditions sur la bande passante mais aussi est source de bruit dans le transistor, la
géométrie du transistor a donc des conséquences sur sa bande passante et sur le bruit généré.

Comment les paramètres dépendent-ils de la technologie ou de la polarisation ?

Le fabricant donne :
- β le gain du transistor (très forte incertitude : par exemple, 50 < β < 300)

gm
- FT : appelée fréquence de transition FT =
2π.(c b 'e + c b 'c )
Tout se passe comme si le gain β du transistor était limité en fréquence avec une fréquence de
f
coupure fβ avec f β = T ;
β
FT est la fréquence pour laquelle le gain coupe l'axe 0dB donc pour β = 1 .

FT varie de 100 MHz pour un transistor discret ordinaire, à FT ≈ 60 GHz dans les technologies les plus évoluées de
circuits intégrés (HBT - SiGe …).

- cb'c : la capacité de transition (dépend un peu de la tension Collecteur Base : cb'c ≈ 4 pF pour FT ≈ 100 MHz).
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 Comportement en Fréquence – Montage Cascode

La polarisation donne :
β
g m ≈ 40 .I C 0 → rb 'e =
gm

6,3 I C 0
on en déduit : cb 'e ≈ − cb 'c
FT

L' EFFET MILLER

Le calcul de la fréquence de coupure du montage émetteur commun donne des formules complexes
du fait de la capacité cb'c qui relie la sortie à l'entrée. L'effet Miller met en évidence que cette
capacité vue de l'entrée, était comme multipliée par le gain en tension de l'étage.
Les deux schémas ci-dessous sont équivalents, car présentent les mêmes impédances d'entrée et de
sortie (…) :

avec C E = (1 + A V ).C → C E ≈ AV .C
 1  CS ≈ C
CS = 1+ .C →
 AV 

1
La fréquence de coupure à l'entrée devient simplement : ω1 =
C E .R G

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 Comportement en Fréquence – Montage Cascode

MONTAGE EMETTEUR COMMUN

VCC

R1 RC

Rg C2
C1
+ e RU
R2
RE CE
=→

L' Effet Miller permet de simplifier le schéma :

avec C E ≈ Cb 'e + g m .RU .Cb 'c

et d'autre part R E = ((R G // R B ) + rbb' ) // rb 'e (par transformations Théveni-Norton)

1
La fréquence de coupure haute du montage apparaît immédiatement : fH ≈
2.π.R E .C E

1
fH ≈
2.π .(RG + rbb' )(
. C b ' e + Av .C c ' c )

Application Numérique :

Prenons RG = 500 Ω , rbb' = 100 Ω, AV = 100

avec un transistor discret BC337 : Cb'e =27pF et Cb'c = 5 pF
1
FH = ≈ 625kHz
→ 2.π .(600Ω // 2,5kΩ).(27 pF + 500 pF )

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 Comportement en Fréquence – Montage Cascode

MONTAGE CASCODE
Comparaison de la bande passante d'un Montage Emetteur commun et d'un Cascode :

VCC

RC

R3 Base Commune
C2

T2
CC

R1 R4

Rg
Emetteur Commun
T1
C1
+ e RU
R2 RE CE

on voit ici
l'intérêt d'utiliser
le modèle de
R'g Giacoletto pour
vbe Av = -1 vs1 E C vs l'émetteur
commun et celui
1/gm
cb'c d'Ebers Molls
+ gm vbe gm vbe RL
e pour le montage
rb'e
Base commune) :
le gain en
cb'e + 2.cb'c cb'e + 2.cb'c B
tension s'exprime
simplement

Dans le montage Cascode, la capacité ramenée en entrée est plus faible donnant une bande
passante plus étendue.

1
FH =
2.π .( RG + rbb ' ).(Cb ' e + 2.C b ' c )

Application Numérique :
pour le même gain en tension et transistors de même type BC337,
1
→ FH = ≈ 8,9 MHz
2.π .(600Ω // 2,5kΩ).(27 pF + 10 pF )

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 Comportement en Fréquence – Montage Cascode

CASCODE CMOS
Le comportement du Cascode en CMOS est plus complexe qu'en Bipolaire : ce montage est
largement utilisé pour offrir un gain en tension élevé. On le verra en général sous la forme
différentielle, avec des PMOS en entrée :
Cascode Différentiel Cascode

VDD
VDD
2.I0

ve e+ e-
S.C

G.C

s s-
V0
s+
I0 I0

en CMOS on n'utilise pas de résistance : les charges sont des sources de courant (courant I0 en
statique et impédance élevée en dynamique).

VDD

2.I0
On remarque que la
source de courant qui
e+ e- alimente le différentiel
d'entrée doit être
ajustée à 2.I0 pour
retrouver l'égalité des
courants (maîtrise de la
s- tension de mode
commun en sortie),
s+
cette opération est
I0 I0
réalisée à l'aide d'un
circuit supplémentaire.

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 Comportement en Fréquence – Montage Cascode

CASCODE REPLIÉ
Le repliement consiste à adresser le courant du transistor d'entrée vers une source de courant et un
Grille commune de type opposé : ce montage permet d'augmenter la dynamique du signal en sortie,
mais au prix d'une consommation deux fois plus élevée.
Cascode replié Cascode replié différentiel :

VDD
VDD
2.I0
I0 I0
s-
e+ e- s+
S.C
G.C
ve

s
I0 I0 V0

(vu en TD)

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