c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

Régime sinusoidal forcé d’un circuit RLC

Table des matières

1 Diagramme de Fresnel 2
1.1 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Application : Etude d’un circuit RLC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.1 Dipôles fondamentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.2 Groupement R,L,C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2 Méthode des grandeurs complexes-Impédance complexe 5

2.1 Notation complexe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.1 Préliminaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.2 propriétés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.3 Application à une grandeur alternative sinusoidale . . . . . . . . 6
2.1.4 Dérivée et primitive en notation complexe . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Lois de Kirchhoff en notation complexe . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.3 Impédance complexe-Admittance complexe . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.3.1 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.3.2 Dipôles fondamentales R,L,C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.4 Groupement série de dipôles passifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.4.1 Impédance équivalente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.4.2 Cas du RLC série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.5 Groupement parallèle de dipôles passifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

3 Théorèmes généraux 9

4 Résonance d’un circuit RLC 10

4.1 résonance en intensité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4.1.1 Intensité éfficace du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4.1.2 Résonance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4.1.3 Bande passante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
4.1.4 Aspect graphique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
4.2 Résonance en tension aux bornes du condensateur . . . . . . . . . . . . 12
4.2.1 Tension éfficace aux bornes du condensateur . . . . . . . . . . . 12
4.2.2 Résonance en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
4.2.3 Aspect graphique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

1 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

On s’interesse à un circuit RLC,soumis à une tension sinusoidale . Le régime sinusoidal

forcé s’établit rapidement après extinction du régime transitoire .

1 Diagramme de Fresnel
1.1 Définitions
• Diagramme de Fresnel : Il s’agit d’une représentation vectorielle des grandeurs sinu-
soidales .
• Vecteur de Fresnel : Il s’agit d’un vecteur représentant une grandeur sinusoidale .
−→
Considérons un vecteur OP de module Vm tournant autour du poit O dans le sens
trigonométrique avec une vitesse angulaire ω constante .
−−→ −→
On choisit l’axe OX de référence tq :(OX, OP ) = ϕ à t = 0

ωt + ϕ

X
O H

H la projection de P sur OX

OH = OP cos(ωt + ϕ) = Vm cos(ωt + ϕ)

• Résultat : à toute grandeur sinusoidale on peut faire correspondre un vecteur de

Fresnel .
−→
v(t) = Vm cos(ωt + ϕ) ⇔ OP tq :
−→
||OP || = Vm l’amplitude de v(t)
−−→ −→
(OX, OP ) = ωt + ϕ la phase instantannée
I Somme de deux grandeurs sinusoidales
Soient : v1 (t) = V1m cos(ωt + ϕ1 ) et v2 (t) = V2m cos(ωt + ϕ2 ) des grandeurs
−−→ −−→
sinusoidales associées aux vecteurs OP1 et OP2
−→ −−→ −−→
OP = OP1 + OP2 donc
v = v1 + v2 = Vm cos(ωt + ϕ)

2 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

P2

ϕ2 P1
ϕ

ϕ1
X
O

I Dérivée et primitive d’une grandeur sinusoidale

−→
v(t) = Vm cos(ωt + ϕ) ⇔ OP
dv(t) π −−→
= −ωVm sin(ωt + ϕ) = ωVm cos(ωt + ϕ + ) ⇔ OP1
dt 2
dv
• Résultat : la grandeur est en quadrature avance par rapport à v(t)
dt
−−→
Z
Vm Vm π
vdt = sin(ωt + ϕ) = cos(ωt + ϕ − ) ⇔ OP2
ω Z ω 2
• Résultat : la grandeur vdt est en quadrature retard par rapport à v(t)

P1

π
P
2
ϕ
O X
π
−
2

P2

1.2 Application : Etude d’un circuit RLC

1.2.1 Dipôles fondamentaux
Par analogie avec la loi d’Ohm :

Um = ZIm et Im = Y Um

Um : Amplitude de la tension
Im : Amplitude du courant
Z : Impédance modulaire (Ω)
Y : Admittance modulaire (Ω−1 ou siemens s)

3 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

Um
I Résistance pure : u(t) = Um cos(ωt) = Ri(t) ⇒ i(t) = cos(ωt)
R
En prenant comme axe de référence la tension,nous obtenons un diagramme trés
simple .
ϕ=0
Im

Z=R Um
Z
di(t) Um
I Bobine pure : u(t) = L = Um cos(ωt) ⇒ i(t) = cos(ωt)dt =
dt L
Um
sin(ωt)
Lω
Um π Um π
i(t) = cos(ωt − ) ⇒ Im = ; ϕ = − ; Z = Lω
Lω 2 Lω 2

Um
+
π
−
2
Im
Z = Lω
π
ϕ=−
2

• Resultat : Le courant est en quadrature retard par rapport à la tension .

q(t)
I Condensateur : u(t) = = Um cos(ωt)
C
dq π
i(t) = = −CωUm sin(ωt) = CωUm cos(ωt + )
dt 2
π
On déduit : Im = CωUm et ϕ = +
2

Im π
2
Um
+
1
Z=
Cω
π
ϕ=
2

• Resultat : Le courant est en quadrature avance par rapport à la tension .

1.2.2 Groupement R,L,C

En serie la grandeur commune est l’intensité on la choisit comme axe de référence .
i(t) = Im cos(ωt)

4 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

R L C
i

u1 u2 u3

u
u1 (t) = RIm cos(ωt) = U1m cos(ωt)
π π
u2 (t) = Lω cos(ωt + ) = U2m cos(ωt + )
2 2
Im π π
u3 (t) = cos(ωt − ) = U3m cos(ωt − )
Cω 2 2
U2m

Im
axe de référence
U1m
ϕ
U3m − U2m
Um

U3m
2 2 1
Um = U1m + (U3m − U2m )2 = [R2 + ( − Lω)2 ]i2m
Cω
r
1
Z = R2 + ( − Lω)2
Cω
1
Cω
− Lω
tan ϕ =
R
R
cos ϕ =
Z

2 Méthode des grandeurs complexes-Impédance com-

plexe
2.1 Notation complexe
2.1.1 Préliminaire
En physique pour ne pas confondre le nombre d’Hamilton i tq i2 = −1 avec l’intensité
du courant on note j 2 = −1 .
Un nombre complexe peut se mettre sous la forme

5 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

z = a + jb = r(cos θ + j sin θ) = r exp jθ

a : partie réelle
b : partie imaginaire
r : module
θ : argument
−−→
On peut lui associer un vecteur OM dans le plan complexe (−
u→ −
→
X , uY )

b M

− θ
u→
Y
O − X
a
u→
X

√
r= a2 + b 2

b
tan θ =
a

2.1.2 propriétés
I z1 = z2 ⇒ a1 = a2 ; b1 = b2 ⇔ r1 = r2 ; θ1 = θ2
I z = z1 z2 ⇔ r = r1 r2 ; θ = θ1 + θ2
z1 r1
I z= ⇔ r = ; θ = θ1 − θ2
z2 r2
I z = a + jb ⇔ z ∗ = a − jb; z ∗ = (r, −θ)
√
I L’expression du module de z est r = z.z ∗
I La condition z réel se traduit par z = z ∗
I La condition z imaginaire se traduit par z = −z ∗

2.1.3 Application à une grandeur alternative sinusoidale

Considérons les grandeurs sinusoidales : u(t) = Um cos(ωt) et i(t) = Im cos(ωt + ϕ)
On peut leur faire correspondre les grandeurs complexes :
u(t) = Um exp jωt et i(t) = Im exp(jωt + ϕ)
seules les parties réelles ont un sens physique .
Usuellement on pose I m = Im exp jϕ l’intensité maximale complexe de i(t)

i(t) = I m exp jωt avec

|I m | = Im : intensité maximale de i
argI m = ϕ : phase à l’origine de i(t)/u(t)

6 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

2.1.4 Dérivée et primitive en notation complexe

di
i(t) = I m exp jωt ⇒ = jωI m exp jωt
dt
di
= jωi(t)
dt
Z
1
i(t)dt = I exp jωt
jω m
Z
1
i(t)dt = i(t)
jω

2.2 Lois de Kirchhoff en notation complexe

Dans le cadre de l’ARQP,en régime sinusoidal les lois de Kirchhoff se généralisent en
notation complexe :

I Loi des Noeuds

X
εk i k = 0
k

I Loi des mailles

X
εk uk = 0
k

2.3 Impédance complexe-Admittance complexe

2.3.1 Définitions
i
D

Par analogie avec la loi d’Ohm :

u = Z.i ⇔ i = Y .u
Z : Impédance complexe
1
Y = admittance complexe
Z
u(t) = Um exp jωt et i(t) = Im exp(jωt + ϕ) = I m exp jωt
la relation précedente se simplifie en
Um = Z.I m
ϕ est le déphasage de i/u

I En modules Um = Z.Im
I Le déphasage
0 = arg Z + ϕ

7 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

2.3.2 Dipôles fondamentales R,L,C

I Résistance pure : u(t) = R.i(t) ⇔ u(t) = R.i(t) donc
1
ZR = R ; Y R =
R
I Bobine pure
di(t) di
u(t) = L ⇔ u = L = jLωi
dt dt
1
Z L = jLω; Y L =
jLω
π
|Z L | = Lω et ϕi/u = − arg Z = arg Y = − (quadrature retard)
Z Z2
1 1 1
I Condensateur u(t) = i(t)dt ⇔ u = idt = i
c c jcω
1
Zc = ; Y = jcω
jcω c
π
ϕi/u = (quadrature avance)
2

2.4 Groupement série de dipôles passifs

2.4.1 Impédance équivalente
Z1 Z2 ZN Z eq

u1 u2 uN u

u
X
u= Z k i = Z eq i
k
X
Z eq = Zk
k

2.4.2 Cas du RLC série

L c
R
i

i(t) = Im cos(ωt + ϕ) et u(t) = Um cos(ωt + ϕ)

en utilisant les impédances complexes :
Z = ZL + ZR + Zc

8 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

1
Z = R + j(Lω − )
cω
Um Um
Im = =r
|Z| 1
R2 + (Lω − )2
cω
1
Lω −
tan ϕ = − cω
R
avec cos ϕ > 0

2.5 Groupement parallèle de dipôles passifs

D1

DN

u
X X
i= ik = Y ku
k k

X 1
Y eq = Y k ; Z eq =
k
Y eq

3 Théorèmes généraux
Les lois de kirchhoff et les théorèmes généraux qui découlent de la linéarité du système
se généralisent au régime sinusoidal dans le cadre de la représentation complexe . Tout
les théorèmes vu précedement restent valables à condition de remplacer chaque dipôle
par son impédance complexe ou son admittance complexe .

9 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

4 Résonance d’un circuit RLC

4.1 résonance en intensité
4.1.1 Intensité éfficace du circuit

c L
i

u(t) R

√
u(t) = U√ 2 cos ωt
i(t) = I 2 cos(ωt + ϕ)
En notation
√ complexe
u = U√ 2 exp jωt √
i = I 2 exp(jωt + ϕ) = I 2 exp jωt
1
u = Z.i avec Z = R + j(Lω − )
cω
1
U Lω −
I exp jϕ = et ϕ(ω) = − arctan cω
1 R
R + j(Lω − )
cω
On définit :

1
I Pulsation propre du circuit : ω0 = √
Lc
Lω0 1
I Facteur de qualité du circuit : Q = =
R RCω0
ω
I Pulsation réduite du circuit : X =
ω0
U
I(X) = r R
1
1 + Q2 (X − )
X

1
ϕ(X) = − arctan (Q(X − ))
X

4.1.2 Résonance
Il se produit le phénomène de résonance en courant lorsque l’intensité éfficace I est
1
maximale ⇒ Xr − = 0 ⇒ Xr = 1 ⇒ ωr = ω0 et ϕ(Xr ) = 0
Xr
• Résultat : La pulsation de résonance en intensité est égale à la pulsation propre du
circuit, et le courant est en phase avec la tension à la résonance quelque soit le facteur
de qualité Q du circuit RLC série .
ωr = ω0 et ϕ(ωr ) = 0

10 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

4.1.3 Bande passante

U
À la résonance l’intensité éfficace est maximale Imax = .
R
On appelle bande passante en pulsation réduite l’intervalle ∆X = X2 − X1 pour lequel

Imax
√ 6 I(X) 6 Imax
2

Imax 1 1 1 X
I(X) = √ ⇒ 1 + Q2 (X − )2 = 2 ⇒ X − = ± ⇒ X2 ± − 1 = 0 on prend
2 X X Q Q
les solutions positives
r
1 1 1
X1 = − + +4
2Q 2 Q2

r
1 1 1
X2 = + +4
2Q 2 Q2

La bande passante en pulsation réduite

1
∆X = X2 − X1 =
Q

La bande passante en pulsation

ω0 R
∆ω = =
Q L

La bande passante est d’autant plus étroite que le facteur de qualité est plus élevé .

4.1.4 Aspect graphique

I(x) → 0 lorsque X → 0 ou X → ∞ c’est le comportement limite du condensateur et
du bobine .
• Y c = jcω → 0 lorsque ω → 0 un condensateur se comporte comme une coupe -
circuit aux trés basses fréquences .
1
• YL = → 0 lorsque ω → ∞ la bobine se comporte comme une coupe circuit aux
jcω
fréquences élevés .

11 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

Imax

Imax
√
2

X
X1 1 X2
ϕ
π
2 π
4

π
−
4
π
−
2

4.2 Résonance en tension aux bornes du condensateur

4.2.1 Tension éfficace aux bornes du condensateur
L
i R

u C uc

√
uc (t) = √
Uc 2 cos(ωt + φ)
i(t) = I √2 cos(ωt + ϕ)
u(t) = U 2 cos ωt
Z u
uc = c u =
Z 1
jcω[R + j(Lω − )]
cω

12 / 13

c Boukaddid Cours d’électrocinetique sup TSI

U U
Uc exp jφ = 2
⇒ Uc = p
1 − Lcω + jRcω (1 − Lcω 2 )2 + R2 c2 ω 2

U
Uc = s
X2
(1 − X 2 )2 +
Q2

4.2.2 Résonance en tension

Il existe une résonance en tension aux bornes du condensateur , lorsque la tension
éfficace Uc aux bornes du condensateur passe par un maximum pour une certaine
ωr
valeur Xr = (ωr pulsation de résonance ) .
ω0
X2
À la résonance la fonction f (X) = (1 − X 2 )2 + 2 doit être minimale
Q
df 1 1
2
( )X=Xr = 0 ⇒ 2Xr [−2(1 − Xr ) + 2 ] = 0 ⇒ Xr2 = 1 − > 0 ce qui exige
dx r Q 2Q2
1 1
Q > √ donc ωr = ω0 1 − 6= ω0
2 2Q2
1
Pour Q < √ pas de résonance .
2
1
• Résultat : La résonance en tension exige Q > √
2
r
1
La pulsation de résonance en tension ωr = ω0 1 −
2Q2
1 π
• Déphasage : U cm = I cm ⇒ φ = ϕ −
jcω 2
La courbe représentant φ en fonction de ω se déduit directement à partir de la courbe
π
ϕ = f (ω) par un simple décalage vers le bas de − .
2

4.2.3 Aspect graphique

Uc
φ

1
Q = 1, 5 X

Q=1 π
−
2
Q = 0, 5
−π

13 / 13