FP de Larache 2018-2019 SMP-S4
Faculté Polydisciplinaire de Larache
Université Abdelmalek Essaadi
Travaux Pratiques De
« Electronique de base »
Réaliser par :
MOUAAD ELBOUHSSINI SMP0045/15
MOHAMMED EL GHAZOUANI SMP0125/17
MOHAMMED SIHAD SMP0029/17
Année Universitaire : 2018-2019
FP de Larache 2018-2019 SMP-S4
Le Transistor Bipolaire
BUT
Le but de cette manipulation est le tracé des réseaux de caractéristiques d’un
transistor bipolaire et leur exploitation dans la détermination de ces différents
paramètres.
1. Généralités
Un transistor est constitué de trois zones de semi-conducteur de connectivités
différentes et alternativement opposées formant deux jonctions. Deux structures
sont possibles : PNP et NPN. Leur fonctionnement est identique, seuls les sens de
courants et des tensions sont inverses.
1.1. Le transistor NPN
Il est représenté par le symbole suivant :
Nous avons : IB + IC = IE
VE + VCB + VEC = 0
1.2. Réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN
Le schéma ci-dessous représente les réseaux de caractéristiques d’un transistor
NPN
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1. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte
2. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte
3. Réseau de transfert en courant IC = f(IB) à VCE = Cte
4. Réseau de transfert en tension : VBE = f(VCE) à IB = Cte
Pour tracer les caractéristiques d’un réseau, on prend une grandeur en fonction
d’une autre tout en gardant une troisième fixe.
a. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte
Il représente l’évolution du courant de base IB en fonction de la tension entre la
base et l’émetteur VBE. C’est la caractéristique d’une diode à jonction.
b. Réseau de transfert en courant : IC = f(IB) à VCE = Cte
Le courant qui parcourt le collecteur IC est proportionnel au courant de base IB.
C’est l’effet amplificateur du transistor.
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c. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte
Pour un courant IB donne, le courant collecté IC reste constant même si VCE varie.
Le réseau de sortie est donc un réseau de courbes sensiblement parallèle
paramétré par IB.
1.3. Paramètres hybrides
Le transistor peut être considéré comme un quadripôle pour les faibles signaux.
Vbe = h11 Ib + h12 Vce
Ic = h21 Ib + h22 Vce
Tel que :
h11 = Re = (Δvbe /Δib)vce=cte Résistance d’entrée
h12 = (Δvbe /Δvce)ib=cte Coefficient de réaction interne
h21 = = (Δic /Δib)vce=cte Coefficient d’amplification de courant
h22 = 1/Rce = (Δic /Δvce)ib=cte Conductance de sortie
2. Manipulation
2.1 Caractéristiques d’entrrée VBE = f(IB) VCE = Cte
Montage
En variant la tension VBB, mesurer la tension VBE pour différentes valeurs de IB ;
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IB (µA) 0 50 100 150 200 250
VBE(mV)
Tracer la courbe VBE = f(IB).
Déterminer la valeur de IB à partir de laquelle VBE peut être considérée comme égale
à 0,6 V.
Déterminer la résistance d’entrée Re = (Δvbe /Δib)vce=cte
Conclusion
2.2 Caractéristique de sortie Ic = f(VCE) IB = Cte
Montage
Fixer IB
En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de VCE.
IB = 100 IC(mA)
µA VCE(V) 2 4 6 8 10 12
IB = 200 IC(mA)
µA VCE(V) 2 4 6 8 10 12
Tracer la courbe IC = f(VCE)
Déterminer Rs = (Δvce /Δib)ib=cte
Conclusion
2.3 Caractéristique de transfert en courant Ic = f(IB) VCE = Cte
Montage
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Fixer VCE
En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de IB.
VCE = 5 IC(mA)
V IB(µA) 2 4 6 8 10 12
VCE = 10 IC(mA)
V IB(µA) 2 4 6 8 10 12
Tracer la courbe IC = f(IB)
Déterminer le coefficient d’amplification en courant β = (Δic/Δib)vce=cte
Conclusion
