REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA

FACULTE DE TECHNOLOGIE DOMAINE : Sciences Et Technologie

DEPARTEMENT D’ELECTRONIQUE FILIERE : Electronique
N° : 2017/ME/13/97/482 OPTION : Micro éléctronique

Mémoire présenté pour l’obtention

Du diplôme de Master Académique

Par :
BELOUADAH Omar Farouk

Intitulé

Etude et simulation d'une cellule photovoltaïque à

base des semi-conducteurs III-V

Soutenu devant le jury composé de:

BOUANAKA Fawzi Université de M’sila Président

BENNACER Hamza Université de M’sila Encadreur
HADJAB Moufdi CRTI-UDCMA-Sétif Co-encadreur
BENDIB Toufik Université de M’sila Examinateur

Année universitaire : 2016 /2017

 Remerciements

Je remercie ALLAH le tout puissant de m’avoir donné le courage, la

volonté, la santé et la patience de mener à terme ce présent travail.

J’exprime toute ma profonde gratitude, ma profonde reconnaissance et

mes sincères remerciements à Mr. BENNACER Hamza, docteur à
l’université de M’sila, pour m’avoir encadré tout le long de mon travail, qui
par ses enseignements et ses conseils a été un guide précieux dans
l’élaboration de ce mémoire. Je veux remercie aussi le président et les
membres de jury pour leurs acceptation d’examiner mon travail. Et je
remercie Mr. ABDELLI Bouttaleb attachée de recherche au niveau du
centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour
l’énergétique – Alger (CRTSE) qui m’aidera dans mon travail. Et je
remercie le membre de jury BOUANAKA Fawzi et BENDIB Toufik.
Enfin, je remercie tous:

Mes collègues des études en micro-électronique pour leur soutient

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 Sommaire

Remerciement……………………………………………………………………………………….. I
Sommaire ……………….………………………………………………………………………….. II
Liste des figures ……………………………………………………………………………………. III
Liste des tableaux ………………………………………………………………………………….. VI
Introduction Générale……………………………………………………………………………….. 1
Chapitre I : Généralité sur les semi-conducteurs III-V
I.1.Introduction……………………………………………………………………………………… 3
I.2. Les semi-conducteurs III-V……………………………………………………………………. 3
I.3. Les composés binaires III-V……………………………………………………………………. 4
I.4. Structure cristalline……………………………………………………………………………… 5
I.5. Structure des bandes d'énergie des semi-conducteurs III-V……………………………………… 6
I.6. Propriétés optique……………………………………………………………………………….. 8
I.6.1. Indices de réfraction…………………………………………………………………………… 8
I.6.2. Le coefficient d’extinction……………………………………………………………………. 9
I.6.3. Le coefficient d’absorption……………………………………………………………………. 10
1.7. Nature de la bande de conduction du matériau Ga(1-y)AlyAs………………………………… 11
I.8. conclusion………………………………………………………………………………………… 12
Bibliographie Chapitre I……………………………………………………………………………… 12
Chapitre II : Généralités sur les cellules photovoltaïques
II.1.Introduction……………………………………………………………………………………… 14
II.2. Rayonnement solaire……………………………………………………………………………. 14
Fig. II.1.Analyse spectrale du rayonnement solaire…………………………………………………… 15
II.3. La conversion photovoltaïque…………………………………………………………………… 16
II.3.1. L’effet photovoltaïque………………………………………………………………………… 16
II.3.2 Le principe de conversion photovoltaïque……………………………………………………… 16
II.3.3. La cellule solaire……………………………………………………………………………… 17
II.4. Module photovoltaïque…………………………………………………………………………… 18
II.5. La caractéristique courant tension et puissance tension……………………………………… 19
II.6. Avantages et inconvénients de l'énergie photovoltaïque……………………………………… 22
II.6.1 Les avantages…………………………………………………………………………………… 22
II.6.2 les inconvénients………………………………………………………………………………… 23
II.7. Avenir du photovoltaïque……………………………………………………………………… 23
II.8. Conclusion……………………………………………………………………………………… 23

2017 Page II
 Sommaire

Bibliographique chapitre II…………………………………………………………………………… 25

Chapitre III : Résultats et discussion
III.1. Introduction……………………………………………………………………………………… 27
III.2. Le simulateur PC1D…………………………………………………………………………… 27
III.3. Optimisation des cellules……………………………………………………………………… 29
III.3.1. Présentation des cellules proposées…………………………………………………………… 29
III.4.Optimisation des paramètres des structures proposées sur le rendement photovoltaïque 32
III.4.1. Optimisation de la structure A………………………………………………………………… 32
III.4.1.1. Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le rendement…………………………………… 32
III.4.1.2. Influence de l’épaisseur de la base sur le rendement……………………………………… 33
III.4.1.3. Influence de dopage de l’émetteur sur le rendement………………………………………… 34
III.4.1.4. Influence du dopage de la base sur le rendement…………………………………………… 34
III.4.2. Optimisation de la structure B………………………………………………………………… 36
III.4.2.1. Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le rendement…………………………………… 36
III.4.2.2. Influence de l’épaisseur de la base sur le rendement……………………………………… 37
III.4.2.3. Influence du dopage de l’émetteur sur le rendement……………………………………… 38
III.4.2.4. Influence du dopage de la base sur le rendement…………………………………………… 38
III.4.2.5. Influence de l’épaisseur de la couche BSF sur le rendement……………………………… 39
III.4.2.6. Influence du dopage de la couche BSF sur le rendement…………………………………… 40
III.5. Effet de la texturation…………………………………………………………………………… 41
III.6. Conclusion……………………………………………………………………………………… 43
III.7. Références……………………………………………………………………………………… 43
Conclusion générale………………………………………………………………………………….. 44
Résumé ………………………………………………………………………………………………. 45

2017 Page II
 Liste des figures

Fig .I.1 . Maille cristallin de la structure Zinc-blende……………………………………………….. 5

Fig. I.2. Structure de bande de GaAs………………………………………………………………… 6
Fig. I.3. Bandes interdites des principaux composés III-V en fonction des paramètres cristallins… 7
Fig. I.4.Spectres n (E) et k (E) pour AlGaAs avec les neuf compositions, de gauche à droite lorsque x 9
augmente
10
Fig.I.5. coefficient d’absorption pour le GaAs……………………………………………………….
Fig. I.6. Spectre d’absorption optique du composé AlxGa1-xAs…………………………………… 11
Fig. II.1.Analyse spectrale du rayonnement solaire………………………………………………… 15
Fig.II.2. Description d’une photopile ou cellule photovoltaïque………………………………….. 17
Fig.II.3.Cellule en silicium monocristallin………………………………………………………….. 18
Fig. II.4.Cellule au silicium polycristallin…………………………………………………………… 18
Fig.II.5. Cellule en silicium amorphe (couche mince) …………………………………….............. 18
Fig .II.6. Evolution de constructions des systèmes de production PV……………………………… 19
Fig.II.7. Processus d’absorption de la lumière dans un matériau……………………………………. 19
Fig.II.8. Structure d'une cellule photovoltaïque, (‘‘Photo watt’’)…………………………………… 20
Fig.II.9. Schéma de la densité de courant en fonction de tension pour une diode en obscurité et sous 21
éclairement
Fig.II.10 Caractéristique I-V d'une cellule photovoltaïque……………………………………………. 21
Fig.III.1. fiche des paramètres d’entré pour chaque couches…………………………………………. 26
Fig.III.2. L’interface du logiciel PC1D………………………………………………………………… 27
Fig. III.3. Schéma de la structure ‘’A’’ proposée : une cellule photovoltaïque à base 27
d’AlGaAs/GaAs/GaAs
Fig. III.5. Schéma de la cellule solaire à base d’AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF……………………………. 29
Fig.III.11. Caractéristique (courant-puissance) en fonction de la tension pour la structure idéale 34
AlGaAs/GaAs/GaAs
Fig.III.12. Influence de l’épaisseur de l'émetteur sur le rendement de la structure 35
AlGaAs/GaAs/GaAs/BS
Fig III.13. Effet de l’Epaisseur de la base sur le rendement la structure AlGaAs/GaAs/GaAs……….. 36
Fig.III.15.Influence du dopage de la base sur le rendement AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF…………………... 38
Fig.III.16.Influence de l’épaisseur de la couche BSF sur le rendement AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF…… 39
Fig.III.19.Caractéristique courant-tension de la cellule solaire Avec texturation .et sans texturation…. 42
Fig.III.20.Caractéristique courant-tension de la cellule solaire Avec texturation .et sans texturation…. 43

2017 Page III

 Liste des tableaux

Tableau I.1. Extrait de la classification périodique des éléments chimiques……………….. 3

Tableau I.2 : Propriétés des principaux composés binaires III-V à 300 K………………….. 4
Tableau.I.3. Paramètres de la bande de conduction dans GaAs…………………………….. 7
Tableau. III.1. Epaisseur et dopage initiales des différentes couches formants la cellule PV 29
(AlGaAs/GaAs/GaAs)
Tableau.III.2. Epaisseur et dopage des différentes couches de la cellule à hétérojonction 31
(AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF).
Tableau.III.3. Les paramètres photovoltaïques obtenus de la structure…………………….. 31
Tableau.III.4. Le paramètre idéal de l’épaisseur et le dopage de la structure A…………….. 35
Tableau.III.5. le paramètre idéal de l’épaisseur et le dopage de la structure B……………… 40
Tab.III.6. Paramètres photovoltaïques de la structure A et B avec et sans texturation……… 43

2017 Page VI
Introduction
générale
 Introduction Générale

Introduction générale
Les cellules solaires sont des dispositifs à semi-conducteur qui transfèrent la lumière
en énergie électrique utilisable. Ces dispositifs ont été initialement étudiés dès 1839
par Antoine-César Becquerel qui a remarqué que si la lumière brillée sur des diodes
cela induit un courant électrique. Cependant, une cellule solaire relativement efficace
générant une quantité raisonnable de puissance n'a pas été créé jusqu'en 1954, lorsque
Chapin, Fuller et Pearson ont développé une cellule solaire à base de silicium pour
les laboratoires Bell (Bell Labs). Depuis la création de la première cellule solaire
rentable, la recherche sur la technologie et l'amélioration de l'efficacité des cellules
solaires a augmenté rapidement. L'accent mis récemment sur l'utilisation des énergies
renouvelables et le besoin de puissance dans les régions éloignées telles que l'espace a
mis cette recherche dans le premier rang [1].
Plusieurs matériaux semi-conducteurs dans un environnement électronique approprié
sont capables d'exposer des propriétés qui peuvent correctement être appelées «
photovoltaïques », c'est-à-dire la production d'un courant électrique et une différence
de potentielle sous l'illumination absorbé. Mais, peu de matériaux sont connus qui
sont capables de former des cellules photovoltaïques avec un rendement suffisant et
important pour les rendre d’un intérêt potentiel pour les applications pratiques [2]. Il
est encore à noter que seuls le silicium, l’arséniure de gallium, le phosphure d'indium,
le tellurure de cadmium et le diséléniure de cuivre et d'indium ont montrés une
efficacité de conversion photovoltaïque supérieure à dix pour cent [3]. Les cellules
solaires photovoltaïques à base de l'arséniure de gallium (GaAs) sont au centre des
efforts de développement considérable en raison de leur rendement de conversion
élevé et le potentiel d'amélioration dans la performance. Les cellules solaires à base de
(GaAs) ont la plus grande efficacité mesurée (~ 25.7 % au spectre AM1.5) de
n'importe quel dispositif photovoltaïque à seule jonction [4]. Les cellules solaires à
base de GaAs ont atteint des rendements élevés, en partie parce que le gap d'énergie
de GaAs est proche de la valeur idéale de 1.5 eV qui en résulte dans une efficacité
maximale de conversion photovoltaïque en utilisant une cellule solaire à seule
jonction. D'autres augmentations d'efficacité sont possibles en utilisant des jonctions
superposées (multijonctions et des concentrateurs [4].
Dans ce travail, nous allons étudier les caractéristiques électriques, le rendement et le
facteur de forme d’une cellule solaire monojonction (PN) à base de GaAs avec et

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 Introduction Générale

sans texturation. Dans un première pas, la structure (cellule) proposée est constituée
principalement d’une couche fenêtre AlGaAs dopée de type p, couche émettrice
dopée de type p, la base dopée de type n et le substrat de type n. Deuxièmement, on a
ajouté dans la même structure précédente une couche BSF (Back Surface Field) pour
examiner l’effet de cette couche sur le rendement de conversion. Les résultats de
l’étude sont générés par le logiciel de simulation PC1D (personnel computer one-
dimensionnel).
Le mémoire est structuré en trois chapitres plus une introduction et une conclusion
générale. Dans le premier chapitre, on va présenter une généralité sur les matériaux
semi-conducteurs III-V. Dans le deuxième chapitre, on va présenter une généralité sur
les cellules photovoltaïques. Enfin nous présentons au dernier chapitre les résultats
obtenus par le simulateur PC1D.

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 Chapitre I
Généralité sur les semi-
conducteurs III-V
Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

I.1. Introduction
Le succès industriel des dispositifs à semi-conducteurs est en grande partie dû aux
technologies de pointe qui ont été développées pour leur préparation. Les semi-conducteurs
ont pris une importance considérable dans notre vie. Ils sont à la base de tous les composants
électroniques et optoélectroniques utilisés dans les systèmes informatiques, la
télécommunication, la télévision, les voitures et les appareils électroménagers… [1].
Dans le monde des semi-conducteurs, les composés III-V sont d’une classe bien définie avec
des propriétés qui sont des sources d'intérêt en termes de connaissances et d'applications
fondamentale. A titre d’exemple, le GaAs a un gap direct proche de la valeur idéale de 1.5 eV
qui résulte une efficacité maximale de conversion photovoltaïque assurée par une cellule
photovoltaïque même en monojonction. Des rendements de conversion autour de 25.7 % ont
été atteints par de telle cellule au spectre AM1.5 [1].
I.2. Les semi-conducteurs III-V
Les matériaux semi-conducteurs III-V sont des composés formés à partir d'un élément
de la troisième (III) colonne et d'un élément de la cinquième (V) colonne de la classification
périodique de Mendeleïev. Le tableau (I.1) regroupe un extrait de cette classification (les
chiffres en haut et bas représentent respectivement le nombre atomique et la masse atomique).
[2].
Tableau I.1. Extrait de la classification périodique des éléments chimiques [2].
III IV V

I.3. Les composés binaires III-V

Parmi tous les composés binaires possibles, tous n'ont pas le même intérêt potentiel. L'étude
de leurs propriétés, et en particulier de la structure de bandes montre que les éléments les plus
légers donnent des composés dont laquelle la bande interdite est large et indirecte, et dans
laquelle la masse effective des électrons est élevée. Les composés contenant du bore, de
l'aluminium ou de l'azote entrent dans cette catégorie; ils ont en général peu d'intérêt pour
l'électronique rapide [1], qui demande des semi-conducteurs à forte mobilité de porteurs ou
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Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

pour l'optoélectronique ou une structure de bande directe est nécessaire pour que les
transitions optiques soient efficaces [2]. A l'autre extrémité, les éléments lourds comme le
thallium ou le bismuth donnent des composés à base de Galium (GaAs, GaSb) ou d'indium (
InP, InAs, InSb) dont les propriétés sont les plus intéressantes. Le tableau (I.2) résume
quelques paramètres pour différents matériaux de la famille III-V.
Tableau I.2. Propriétés des principaux composés binaires III-V à 300 K [2,3].
Composé III-V Eg (eV) m * / m μ (cm²/VS) a (Aº)
BN 7.5 - - 3.6150
AIP 2.45 - - 5.4510
AlAs 2.16 - - 5.6605
AlSb 1.58 0.12 200 6.1355
BP 2.0 - - 4.5380
GaN 3.36 0.19 380 a=3.189
b=5.185
GaP 2.26 0.82 110 5.4512
GaAs 1.42 0.067 8500 5.6533
GaSp 0.72 0.042 5000 6.0959
InP 1.35 0.077 4600 5.8686
InAs 0.36 0.023 33000 6.0584
InSp 0.17 0.0145 80000 6.4794

I.4. Structure cristalline

La plupart des composés III-V se cristallisent dans la structure Zincblende illustrée sous
la figure (I.1). Cette structure, qui s'apparente à celle du diamant, est constituée de deux sous-
réseaux cubiques à faces centrées, l'un étant constitué des atomes de la colonne III et l'autre
des atomes de la colonne V [3, 4,5].
Ces deux sous-réseaux sont décalés l'un par rapport à l'autre le long de la diagonale du cube,
d'une quantité (a /4, a /4, a /4), a étant le paramètre cristallin (paramètre du réseau), [6].
0 0 0

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Page 4
Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

Ga
As

Fig .I.1 . Maille cristallin de la structure Zinc-blende [6].

De ce fait, dans les matériaux III-V, les liaisons ne sont pas simplement covalentes comme
dans le Silicium. Elles reposent sur le transfert d'électrons des atomes du groupe V sur ceux
du groupe III [6].
I.5. Structure des bandes d'énergie des semi-conducteurs III-V
Les bandes d'énergie donnent les états d'énergie possibles pour les élections en
fonction de leurs vecteurs d'onde [4]. On les représente donc dans l'espace réciproque, et pour
simplifier, dans les directions de plus hautes symétries de la première zone de Brillouin [5].
Elles se décomposent en bandes de conduction la plus haute, la bande de valence la plus
basse, et la bande interdite qui les sépare, qui détermine principalement les propriétés de
transport du semi-conducteur [7].
L'arséniure de gallium étant un composé à gap direct, les transitions électriques les moins
énergétiques entre la bande de valence et la bande de conduction peuvent se faire avec
conversation du vecteur d'onde K. L'énergie correspondante à la largeur de la bande interdite
ΔEg au centre de la zone de Brillouin varie avec la température Eg = 1.43 eV à 300K et 1.51
eV à 77K [7].

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Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

Fig. I.2. Structure de bande de GaAs [3, 4].

La masse effective des électrons étant inversement proportionnelle à cette courbure, ceci
explique pourquoi dans les semi-conducteur III-V comme le : GaAs, InP ou bien GaInAs...
etc, la masse effective des électrons en point () est très faible, et par conséquent, la mobilité
électronique est élevée [5].
Tableau.I.3. Paramètres de la bande de conduction dans GaAs [3].
GaAS
Température 300K 77K
∆Eg(ev) 1.43 1.51
λ(µm) 0.87 0.82
∆EΓL(ev) 0.33 0.33
∆Eᴦx(ev) 0.48 0.46
meΓ*/m0 0.063 0.067
meL*/m0 0.22 0.22
meX*/m0 0.58 0.58

La figure (I.3) montre les bandes interdites Eg des principaux composés III-V en fonction des
paramètres cristallins (paramètre de réseau) a0 [8,9]. En continu bandes interdites directes et
en tirets bandes interdites indirectes; les discontinuités sont dues au changement de structures
[8].

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Page 6
Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

Fig. I.3. Bandes interdites des principaux composés III-V en fonction des paramètres
cristallins [8].

Ce diagramme montre qu'il est possible d'obtenir des matériaux dont la largeur de la
bande interdite, et donc les propriétés optiques, varient dans une large gamme. Il existe
cependant une contrainte importante pour la fabrication de ces matériaux, la croissance
épitaxie sur un substrat binaire, dont le paramètre cristallin doit être très proche de celui du
substrat [9].

I.6. Propriétés optique

I.6.1. Indices de réfraction
Dans un matériau l’indice de réfraction se trouve généralement dans sa forme réelle.
Toutefois, il peut être trouvé sous sa forme complexe (voir l’équation I.1)

ň = n+ jk (I.1)

ň : L’indice de réfraction complexe,

n : L’indice de réfraction réel,
k : Le coefficient d’extinction du matériau.
L’indice de réfraction caractérise la vitesse de propagation d’une radiation monochromatique
dans le matériau et est directement relié à la valeur du diélectrique du matériau [10]. Il est
définit par :

=√ (I.2)

Avec :
c : la vitesse de la lumière dans le vide.
v : Vitesse de l’onde lumineuse dans un milieu.
: Constante diélectrique.
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Page 7
Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

I.6.2. Le coefficient d’extinction

Le coefficient d'extinction d’un matériau, est une mesure qui caractérise la capacité du
matériau à absorber une onde électromagnétique à une longueur d’onde λ(µm) particulière
[11]. Le coefficient d'extinction, relie au coefficient d'absorption α par 1'expression :

(I.3)

Les spectres des indices de réfraction en fonction de l’énergie du photon E ; n(E) et des
coefficients d’extinction k(E) pour l’AlGaAs sont présentés respectivement dans les graphes
de la figure (I.4) pour différentes valeurs de la composition « x » [12].

Energie du photon E (eV) Energie du photon E (eV)

Fig. I.4.Spectres n (E) et k (E) pour AlGaAs avec les neuf compositions, de gauche à droite
lorsque x augmente [12].
I.6.3. Le coefficient d’absorption
L’énergie minimale nécessaire au photon incident pour provoquer la transition électronique
dépend de la largeur de bande interdite du matériau, c’est la raison pour laquelle on détermine
un coefficient d’absorption intrinsèque. Pour des photons d’énergie inférieure à Eg, le
coefficient d’absorption est négligeable et la radiation lumineuse traverse le matériau avec
une atténuation quasiment nulle [13].
A proximité du seuil d’absorption intrinsèque, le coefficient d’absorption est proportionnel à
la différence (hν - Eg) (voir l’équation I.4).

α = B (hν - Eg )a (I.4)
L’indice α prend des valeurs différentes, selon que le matériau est à transition interbande
directe (a=1/2), ou indirecte (a=2). Le facteur multiplicatif B dépend du matériau. Dans le cas

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Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

du composé ternaire AlxGa1-xAs, le coefficient d’absorption change avec la fraction molaire x

[10,11].

Fig.I.5. coefficient d’absorption pour le GaAs [12]

Le coefficient d’absorption en fonction de la composition x est représenté sur la figure (I.13).

L’influence des transitions interbandes indirectes sur le coefficient d’absorption est sensible à
partir d’une composition en aluminium supérieure à x=0.6 [13].

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Page 9
Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

Fig. I.6. Spectre d’absorption optique du composé AlxGa1-xAs [13].

I.7. Nature de la bande de conduction du matériau Ga(1-y)AlyAs

Pour que deux matériaux puissent former une bonne hétérojonction, il est d'abord
nécessaire que les paramètres de maille soient aussi voisins que possible. A cet effet, le
matériau Ga(1-y)AlyAs est très intéressant car, lorsque « y » varie de 0 à 1, c'est à dire lorsque
l'on passe de GaAs à AlAs, la structure de bande passe d'un gap direct de valeur 1.43 eV à un
gap indirect de valeur 2.16 eV, alors que la constante de maille passe de 5.653 Å à 5.661 Å,
soit une variation < 0.2%. Ainsi il est possible de faire croître toutes les compositions sur le
GaAs avec un accord de maille convenable [10].
Le paramètre de maille et les bandes d'énergies en fonction de la composition « y » de
l'aluminium sont données par :
Constante de maille (en Å) a = 5.6533 + 0.0078y (I.5)
Bande interdite (en eV) Eg = 1.424 +1.155y +0.37y2. (I.6)

I.8. conclusion

Dans ce chapitre, nous avons présenté des notions générales sur les matériaux semi-
conducteurs III-V ont été présentées dans ce chapitre, ainsi que les propriétés optique
de ces composés binaires (III-V) destinés dans la conception des cellules solaires à
hétérojonction AlGaAs/GaAs.
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Chapitre I Généralité sur les semi-conducteurs III-V

Références de chapitre I
[1] R. Castagné et all, Circuits Intégrés en arséniure de Gallium., Physique, technologie et
règles de conception. Masson et Cinet ENST Paris, (1989).
[2] Henry Mathieu, Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques,
Masson, 1987.
[3] Gerald Bastard, Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures,
les éditions de physique, paris, 1988.
[4] C. Kittel .Introduction a la physique de l'état solide, Dunode (1972)
[5] J.S.Blakemore, Semiconducting and other major properties of gallium
Arsenide, J. Appl. phys. 53(10), October (1982).
[6] Francis Levy, Traité des matériaux (18), Physique et technologie des
semiconducteures, Presses polytechniques et universitaires Romandes (1995)
[7] Youla Fatima-Zohra, Modélisation de structure guide d'onde en semi-conducteurs
III-V pour la commutation optique. Mémoire de magister Université de Canstantine (2003).
[8] John H. Davies, The physics of low-dimensional semiconductors, Cambridge University
Press, 1998.
[9] WOLNY. M. et SELLE. D , introduction aux composants à hétérostructures, l’onde
électrique, mai-juin, vol 70, 3, 1990, pp. 59-74.
[10] Roland Lévy, Jean-Michel Jonathan, " L'optique non linéaire et ses matériaux ", EDP
sciences ,2000
[11] Peter William Atkins, " Éléments de chimie physique »,1998.
[12] S. Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI
Semiconductors”, Book, © 2009 Jhon Wiley & Sons Ltd.
[13] S. Khlifi, Modélisation d’une Cellule Solaire Ga1-xAlxAs(n)-GaAs(i)-GaAs(p)”,
Mémoire magistère, Universitaire de Béchar. 2003.

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Page 11
 Chapitre II
Généralités sur les
cellules
photovoltaïques
 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

II.1.Introduction
Le soleil est une source énergétique quasiment illimitée, il pourrait couvrir
plusieurs milliers de fois notre consommation globale d'énergie. C'est pourquoi, l'homme
cherche depuis long temps à mettre à profit cette énergie importante et diffusée sur
l'ensemble de la planète, il est arrivé à réaliser ce but par le moyen dit cellule
photovoltaïque [1].
II.2. Rayonnement solaire
Le rayonnement solaire constitue la ressource énergétique la mieux partagée sur la terre
et la plus abondante. La quantité d‟énergie libérée par le soleil et captée par la planète terre
pendant une heure et pourrait suffire à couvrir les besoins énergétiques mondiaux pendant un
an. Le soleil décharge continuellement une énorme quantité d'énergie radiante dans le système
solaire, la terre intercepte une toute petite partie de l‟énergie solaire rayonnée dans l‟espace.
Une moyenne de 1367 Watts atteint chaque mètre carré du bord externe de l'atmosphère
terrestre pour une distance moyenne terre-soleil de 150 Millions de km, c‟est ce que l‟on
appelle la constante solaire qui est égale à 1367W/m². La partie d'énergie reçue sur la surface
de la terre dépend de l'épaisseur de l‟atmosphère à traverser. Celle-ci est caractérisée par le
nombre de masse d'air (AM) [2]. Le rayonnement qui atteint le niveau de la mer à midi dans un
ciel clair est de 1000 W/m2 et est décrit en tant que rayonnement de la masse d'air "1" (ou
AM1) [1]. Lorsque le soleil se déplace plus bas dans le ciel, la lumière traverse une plus grande
épaisseur d'air, et perdant plus d'énergie. Puisque le soleil n'est au zénith que durant peu de
temps, la masse d'air est donc plus grande en permanence et l'énergie disponible est donc
inférieure à 1000 W/m2 [1].
Le soleil émet un rayonnement électromagnétique compris dans une bande de longueur d‟onde
variant de 0,22 µm à 10 µm. La figure (I.1) représente la variation de la répartition spectrale
énergétique.
L‟énergie associée à ce rayonnement solaire se décompose approximativement a :
– 9% dans la bande des ultraviolets (<0,4 µm),
– 47% dans la bande visible (0,4 à 0,8 µm),
– 44% dans la bande des infrarouges (>0,8 µm) [2].

L‟atmosphère terrestre reçoit ce rayonnement à une puissance moyenne de 1,37 kilowatt au

mètre carré (kW/m2), a plus ou moins 3 %, selon que la terre s‟éloigne ou se rapproche du
soleil dans sa rotation autour de celui-ci. L‟atmosphère en absorbe toutefois une partie, de sorte
que la quantité d‟énergie atteignant la surface terrestre dépasse rarement 1200 W/m2. La
rotation et l‟inclinaison de la terre font également que l‟énergie disponible en un point donné

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

varie selon la latitude, l‟heure et la saison. Enfin, les nuages, le brouillard, les particules
atmosphériques et divers autres phénomènes météorologiques causent des variations horaires et
quotidiennes qui tantôt augmentent, tantôt diminuent le rayonnement solaire et le rendent diffus
[3].

Fig. II.1.Analyse spectrale du rayonnement solaire [3].

À noter que certains capteurs solaires concentrent le rayonnement solaire afin
d‟augmenter le rendement du capteur par rapport à une surface donnée. Ces capteurs à
concentration ne peuvent utiliser que le rayonnement direct provenant du soleil. Dans les
endroits avec une forte proportion d‟ensoleillement diffus, ces capteurs ne peuvent pas
fonctionner efficacement car l‟ensoleillement diffus ne peut être concentré en un point [4].
II.3. La conversion photovoltaïque
La possibilité de transformer directement l‟énergie lumineuse, et en particulier le
rayonnement solaire en énergie électrique est apparue en 1954 avec la découverte de l‟effet
photovoltaïque. Cet effet utilise les propriétés quantiques de la lumière permettant la
transformation de l‟énergie incidente en courant électrique dont la cellule solaire ou photopile,
est l‟élément de base de cette conversion photovoltaïque [4].
II.3.1. L’effet photovoltaïque
L‟effet photovoltaïque est un processus de transformation de l‟énergie émise par le
soleil, sous forme de photons, en énergie électrique à l‟aide d‟un composant semi-conducteur
appelé cellule solaire [4].

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

L‟effet photovoltaïque ne peut se produire que s‟il existe une barrière de potentiel dans le semi-
conducteur avant qu‟il ne soit éclairé .Une telle barrière existe, par exemple, à l‟interface entre
deux volumes dopés différemment c‟est à dire où l‟on a introduit deux types différents
d‟impuretés à concentration différente, par exemple de type P-N. Si ce matériau est éclairé, les
charges électriques, rendus mobiles par la lumière (l‟effet photoélectrique), seront séparées par
la barrière avec d‟un côté les charges positives et de l‟autre côté les charges négatives [1].
Parmi les matériaux semi-conducteurs les plus utilisés on trouve le silicium (Si), le germanium
(Ge) et l‟arséniure de Gallium (GaAs)…etc. [1].

II.3.2 Le principe de conversion photovoltaïque

L‟effet photovoltaïque utilisé dans les cellules solaires permet de convertir directement
l‟énergie lumineuse des rayons solaires en électricité par le biais de la production et du
transport dans un matériau semi-conducteur de charges électriques positives et négatives sous
l‟effet de la lumière. Ce matériau comporte deux parties, l‟une présentant un excès d‟électrons
et l‟autre un déficit en électrons, dites respectivement dopée de type n et dopée de type p.
Lorsque la première est mise en contact avec la seconde, les électrons en excès dans le matériau
dopé n diffusent dans le matériau dopé p [3].
La zone initialement dopée n devient chargée positivement, et la zone initialement dopée
p chargée négativement. Il se crée donc entre elles un champ électrique qui tend à repousser les
électrons dans la zone n et les trous vers la zone p. Une jonction (dite p-n) a été formée [4].En
ajoutant des contacts métalliques sur les zones n et p, une diode est obtenue (figure II.2).
Lorsque la jonction est éclairée, les photons d‟énergie égale ou supérieure à la largeur de la
bande interdite communiquent leur énergie aux atomes, chacun fait passer un électron de la
bande de valence dans la bande de conduction et laisse aussi un trou capable de se mouvoir,
engendrant ainsi un paire électron - trou. Si une charge est placée aux bornes de la cellule, les
électrons de la zone n rejoignent les trous de la zone p via la connexion extérieure, donnant
naissance à une différence de potentiel le courant électrique circule [4].

Fig.II.2. Description d‟une photopile ou cellule photovoltaïque [4].

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

II.3.3. La cellule solaire

On appelle cellule solaire un convertisseur qui permet la conversion de l‟énergie solaire
en énergie électrique. La photopile ou cellule solaire est l‟élément de base d‟un générateur
photovoltaïque. Généralement, le matériau le plus utiliser sur une large gamme pour les
applications terrestre, c‟est le silicium. Il existe trois types de silicium photovoltaïque : mono
cristallin, poly cristallin et amorphe [5].

Pour ce genre d‟applications technologiques, le silicium pur est obtenu à partir de la silice de
quartz ou de sable par transformation chimique métallurgique [5]. Le silicium cristallin a un
rendement électrique et une durée de vie de l‟ordre de deux fois celle du silicium amorphe,
mais il est nettement plus cher [6].

Fig.II.3.Cellule en silicium monocristallin [6].

Le silicium poly-cristallin est un matériau composé de cristaux juxtaposés obtenus par

moulage. Ce matériau est moins coûteux (que le monocristallin) mais, les rendements sont
faibles à ceux de monocristallins. Les cellules carrées ou rectangulaires sont souvent utilisés
[6].

Fig. II.4.Cellule au silicium polycristallin [6].

Le silicium amorphe absorbe le rayonnement solaire jusqu‟à 100 fois mieux qu‟en état
cristallin, ce type de cellules est ordinairement constituées par des couches très minces [6].

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

Fig.II.5. Cellule en silicium amorphe (couche mince) [6].

II.4. Module photovoltaïque
Afin d‟augmenter la tension d‟utilisation, les cellules PV sont connectées en série. La
tension nominale du module est habituellement adaptée à la charge, les modules ont
généralement 36 cellules. De plus, la fragilité des cellules au bris et à la corrosion exige une
protection envers leur environnement et celles-ci sont généralement encapsulées sous verre ou
sous composé plastique. Le tout est appelé un module photovoltaïque.
Les modules peuvent également être connectés en série et en parallèle afin d‟augmenter la
tension et l‟intensité d‟utilisation. Toutefois, il importe de prendre quelques précautions car
l‟existence de cellules moins efficaces ou l‟occlusion d‟une ou plusieurs cellules (dues à de
l‟ombrage, de la poussière, etc.) peuvent endommager les cellules de façon permanente [6].

Silicium purifié Lingot Wafer Cellule Modules Systèmes

Fig .II.6. Evolution de constructions des systèmes de production PV [6].

II.5. La caractéristique courant tension et puissance tension

L‟effet photovoltaïque repose principalement sur trois grands principes dont l‟action conjuguée
de manière quasi-simultanée engendre la conversion de l‟énergie solaire en énergie électrique:
o L‟absorption de photons (figure II.7).
o La conversion de l‟énergie absorbée en charges électriques libres.

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

o La collection de ces particules dans un circuit électrique extérieur.

Un dispositif photovoltaïque doit donc être constitue:
o D‟un matériau absorbant dans la gamme du spectre solaire et possédant au moins une
transition possible entre deux niveaux d‟énergie.
o D‟une structure de collecte de résistance électrique la plus faible possible [7].

Fig.II.7. Processus d‟absorption de la lumière dans un matériau [8, 9].

Le matériau constituant la cellule photovoltaïque doit donc posséder deux niveaux d'énergie et
être assez conducteur pour permettre l'écoulement du courant: d‟ou l'intérêt des semi-
conducteurs pour l'industrie photovoltaïque. Afin de collecter les particules générées, un champ
électrique permettant de dissocier les pairs électrons-trous créées est nécessaire. Pour cela on
utilise le plus souvent une jonction p-n [12]. Le fonctionnement des cellules photovoltaïques est
illustrâtes dans la figure (II.8).

Fig.II.8. Structure d'une cellule photovoltaïque, („„Photo watt‟‟) [7].

Les photons incidents créent des porteurs dans les zones n et p et dans la zone de charge
d'espace. Les photoporteurs auront un comportement différent suivant la région:

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

o Dans la zone n ou p, les porteurs minoritaires qui atteignent la zone de charge d'espace
sont chasses par le champ électrique dans la zone p (pour les trous) ou dans la zone n (pour les
électrons) ou ils sont majoritaires. On aura un photocourant de diffusion [10].
o Dans la zone de charge d'espace, les paires électrons-trous crées par les photons
incidents sont dissociées par le champ électrique: les électrons vont aller vers la région n, les
trous vers la région p. On aura un photocourant de génération [10].
Ces deux contributions s'ajoutent pour donner un photocourant résultant Iph. C'est un courant
de porteurs minoritaires. Il est proportionnel a l'intensité lumineuse [11].
Sous éclairement la caractéristique I(V) de la diode ne passe plus par l‟origine des coordonnées,
il existe une région dans laquelle le produit V*I est négatif (figure II.9), la diode fournit de
l‟énergie. Si on se limite a cette région active et si on compte positivement le courant inverse,
la figure (II.9) se ramène a la figure (II.10) [7].
Donc, le courant délivre sur une charge par une cellule photovoltaïque éclairée se transcrit:
I(V) = Iph – Iobs(V) (II.1)

Avec Iph : densité de courant photogénère (le photocourant ou bien le courant d'éclairement) et
Iobsc : densité de courant d'obscurité (le courant direct qui résulte de la polarisation de la diode
dans le sens passant par la tension V qui apparait aux bornes de la résistance de charge [7].
Pour une cellule photovoltaïque idéale, l'équation (II.2) peut être écrite sous la forme suivante:
I (V ) = Iph – Is(exp(qV÷ kt)-1) (II.2)
Avec Is: courant de saturation de la diode, q: charge élémentaire, k: constante de Boltzmann,
T : température.
La caractéristique d'une cellule en pleine obscurité est identique a celle d'une diode. Sous
éclairement, la caractéristique a l'allure présentée dans la figure (II.10).

Fig.II.9. Schéma de la densité de courant en fonction de tension pour une diode en obscurité et
sous éclairement [11].

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

Fig.II.10 Caractéristique I-V d'une cellule photovoltaïque [7].

A partir de la caractéristique I(V) (figure II.10) de la cellule photovoltaïque, on déduit les

paramètres électriques propres a la cellule et notamment:
Icc: courant de court-circuit (obtenu pour V=0).

Icc = Iph (II.3)

Vco: tension en circuit ouvert (obtenu pour I=0).

kt Iph
Vco  ln(  1) (II.4)
q Is

Im: courant a la puissance maximale de fonctionnement de la cellule photovoltaique.

Vm: tension a la puissance maximale de fonctionnement de la cellule photovoltaique.
η: rendement de conversion.
FF: facteur de forme.

Avec:
η= (Puissance électrique maximale fournie) / (puissance solaire incidente):

Pm ff  Voc I cc (II.5)
 
Pin Pin

Avec Pi: puissance d'éclairement reçue par unité de surface; S: surface de la cellule
photovoltaïque.
FF= (puissance maximale délivrée sur la charge) / (Vco * Icc) [11,7]

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

II.6. Avantages et inconvénients de l'énergie photovoltaïque

Malgré les avantages qu'elle présente, l'énergie photovoltaïque présente certains

inconvénients qui peuvent être résumés comme suit :
II.6.1. Les avantages
La technologie photovoltaïque présente un grand nombre d'avantages à savoir :
- une haute fiabilité ( elle ne comporte pas de pièces mobiles ) qui la rendent particulièrement
appropriée aux régions isolées. D‟où son utilisation sur les engins spatiaux.
- le caractère modulaire des panneaux photovoltaïque permet un montage simple et adaptable à
des besoins énergétiques divers. Les systèmes peuvent être dimensionnés pour des applications
de puissance allant du milliwatt au Mégawatt.
- le coût de fonctionnement est faible vu les entretiens réduits et ils ne nécessitent ni
combustible, ni personnel hautement spécialisé.
- Enfin, la technologie photovoltaïque présente des qualités sur le plan écologique car le produit
fini est non polluant, silencieux et n'entraîne aucune perturbation du milieu, si ce n'est par
l'occupation de l'espace pour les installations de grandes dimensions [13,14].
II.6.2. les inconvénients
- la fabrication du module photovoltaïque relève de la haute technologie et requiert des
investissements d'un coût élevé.
- le rendement réel de conversion d'un module est faible (la limite théorique pour une cellule au
silicium est de 28%).
- les générateurs photovoltaïques ne sont compétitifs par rapport aux générateurs diesel que
pour des faibles demandes d'énergie en région isolée.
Enfin, lorsque le stockage de l'énergie électrique sous forme chimique (batterie) est nécessaire,
le coût du générateur photovoltaïque est accru. La fiabilité et les performances du système
restent cependant équivalentes pour autant que la batterie et les composants de régulations
associés soient judicieusement choisis [13,14] .
II.7. Avenir de l’energie photovoltaïque
Source d'énergie 100% propre et faible pour des usages très variés, elle figurera à
l'avenir parmi les principales sources mondiales. Son handicap majeur reste un coût encore
élevé comparée aux sources conventionnelles et aux filières renouvelables. Ce coût diminue de
10% par an, et pour accélérer cette baisse, les autorités nationales et internationales doivent
engagés une politique de soutien à long terme de la filière photovoltaïque [15]. C'est
précisément l'objectif des programmes lancés depuis quelques années dans plusieurs pays
industrialisés. Dans notre pays, l'application du PV reste encore modeste. La première

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

utilisation été dans le domaine des télécommunications. Après, certain puits dans les hauts
plateaux ont été équipés par des systèmes de pompages PV. A nos jours, quelques dizaines de
village saharien de la région de Tamanrasset et Adrar jouissent des avantages de cette source
d'énergie [16].
II.8. Conclusion
L‟énergie solaire photovoltaïque est une énergie renouvelable qui provient de la
conversion de la lumière du soleil en électricité au sein des matériaux bien particuliers tels
que les semi-conducteurs (le silicium, le Germanium, l‟Arséniure des Galium,…). Afin de la
rendre réalisable physiquement, elle nécessite un équipement complémentaire dit Système
photovoltaïque.
Dans ce chapitre on a présenté des notions générales sur les cellules photovoltaïques, et les
avantages et inconvénients de l‟énergie photovoltaïque.
Dans le chapitre suivant, on va étudier à l‟aide du PC1D, une structure photovoltaïque à base
d‟un semi-conducteur III-V qu‟est le GaAs et leur ternaire AlGaAs, afin d‟optimiser leur
paramètres tels que le dopage et les épaisseurs des différents couches, la couche BSF et la
texturation, dont le but est d‟augmenter le rendement de cette cellule.

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

Références de chapitre II
[1] BALI AMINA . Présenté Pour l‟Obtention du diplôme de Magister en physique. Etude
comparative entre les cellules solaire de type p+-AlGaAs/ p-GaAs /n-GaAs et une autre de type
n+-AlGaAs/n-GaAs/p-GaAs. UNIVERSITE MOHAMED KHEIDER-BISKRA.
[2] G, Adam. R, Modeling heterogeneous carbon nanotube networks for photovoltaic
application using silvaco atlas software”, Thesis Naval postgraduate school Monterey
California. 2012.
[3] Richard H, Bube, Photovoltaics Materials”, Book, Stanford University, USA.
1998.
[4] Henry Mathieu.” Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques “,
Masson, (1987).
[5] Gerald Bastard, “ Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures“, Les éditions
de physique, paris, (1988). Mémoire magistère, Universitaire de Béchar. 2003.
[6] J. Lavery, “Quantum tunneling model of a P-N junction in silvaco”, Thesis Naval
postgraduate school Monterey California. 2008.
[7] Henry Mathieu “Physique des semi-conducteurs et des composants electroniques“, cours,
(livre), 5eme edition, Dunod, (2001).
[8] Bruno Thuillier “Caractérisation structurale des contacts ohmiques realises a partir
d’encres metalliques sur cellules photovoltaïques en silicium multicristallin “ These de
Doctorat, L'institut national des sciences appliquees de Lyon. (2001).
[9] Daniel Lincot, „‟Les filières photovoltaïques en couches minces et leurs perspectives
d‟application a l‟habitat„‟, EDP Sciences, (2011), ISBN : 978-2-7598-0642-3, p. 127.
[10] BENNACER HAMZA” Contribution au development des nouvelles cellules solaires a
base des semi-conducteurs composes” These doctorat en science , Université UDL – sidi
belabesse , (2015).
[11] S. R. Wenham and M. A. Green “ Silicon Solar Cells “, John Wiley& Sons, Ltd, 1062-
7995/96/010003, (1995).
[12] Nichiporuk Oleksiy “Simulation, fabrication et analyse des cellules photovoltaiques a
contacts arrieres interdigites“, These de Doctorat, L'institut national des sciences appliquees de
Lyon, (2005).
[13] Daniel Lincot, „‟La conversion photovoltaïque de l‟énergie solaire„‟, découverte n° 344 -
345 janvier - fevrier (2007).
[14] Loucas Tsakalakos, „‟Nanotechnology for photovoltaics„‟, (Livre), Taylor and Francis
Group, LLC, (2010).

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 Chapitre II Généralités sur les cellules photovoltaïques

[15] L.Mohamed. Etude de caractérisation d‟un MESFET-GaAs hyperfréquence et application

en circuit amplificateur linéaire à faible bruit (LNA) en bande étroite autour de 10 GHZ en
technologie MMIC pour les systèmes à communications rapides”, Mémoire magistère, Ecole
normale supérieure d‟enseignement technologique d‟Oran. (2009)
[16] M. AMARA, Propriétés Electroniques des Conducteurs et des Semi-Conducteurs”, rappels
théoriques Plate-forme Matière Condensée et Cristallographie ( MCC) C.E.S.I.R.E. Université
J.Fourier Grenoble.

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Chapitre III
Résultats et
discussion
Chapitre III Résultats et discussion

III.1. Introduction
Les performances d’une cellule solaire photovoltaïque proviennent de l’optimisation de
toutes les couches (layers) formant la cellule. Dans ce mémoire on va étudier deux
structure PV à base les semi-conducteurs GaAs et le AlGaAs. La recherche des paramètres
optimaux pour les deux cellules proposés dans les différentes régions offrant les meilleures
caractéristiques de sortie (courant-tension) des cellules fait l’objet de cette étude. Dans le
monde de la simulation et la caractérisation des dispositifs optoélectroniques en particulier
les cellules photovoltaïques, il existe plusieurs environnements et outils de simulation
comme le Synopsys, Silvaco, Scaps, AMPS-1D et le PC1D. On a choisi de travailler avec
le simulateur PC1D car il est très facile, rapide et utile pour les structures simples non
complexes. A partir des caractéristiques (courant-tension) fournies par le PC1D, on peut
déterminer les valeurs des facteurs caractérisant les cellules, tels que le courant Icc, la
tension Vco, le rendement η, et le facteur de forme FF [1].
III.2. Le simulateur PC1D
Le PC1D (personnel computer one-dimensionnel) est l’un des programmes qui a été
élaboré pour modéliser et exploiter les composants semi-conducteurs, notamment les
cellules photovoltaïques.
A l’aide du PC1D, la compréhension des cellules solaires et leurs phénomènes physiques
internes tels que le mouvement des porteurs minoritaires la recombinaison et la photo
génération, devient aisée [2].
Le programme PC1D a été élaboré par Paul A. Basaure durant ses travaux de recherche à
la faculté d’ingénierie électrique à l’université d’Iowa, et fut rendu public, pour la première
fois, après l’avoir annoncé à la 18ème conférence sur le photovoltaïque IEEE PVSC
(décembre 1985). La première version, fut le premier programme à résoudre avec succès
les équations complexes des composants à semi-conducteurs sur un PC, les versions
antérieures résolvaient seulement les équations des porteurs minoritaires pour des régions à
dopage uniforme, cependant, les versions récentes offrent les solutions de ces équations
pour différents profils de dopage (Uniforme, Exponentiel, Gaussien…) [2]. Lors du
premier accès au simulateur PC1D, une interface est affichée (figures III.1 et III.2), Elle
contient toutes les données nécessaires pour faire une simulation des cellules solaires.
Beaucoup d’améliorations ont été apportées sur cette interface, cette page nous permet de
bien simuler une cellule solaire. La structure technologique de la cellule à étudier est
présentée dans cette interface. Cette dernière peut comprendre jusqu’à 5 couches empilées

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Chapitre III Résultats et discussion

[3]. Chaque couche est prise en charge par le simulateur à travers la fiche suivante (voir la
figure III.1) :
Epaisseur de la couche
Type de matériau utilisé
Mobilité des porteurs
Constante diélectrique du matériau
Energie du gap
Concentration intrinsèque
Indice de réfraction
Coefficient d’absorption
Dopage de la couche
Diffusion avant (épaisseur et dopage)
Diffusion arrière (épaisseur et dopage)
Recombinaison en volume (durée de vie des porteurs)
Vitesse de recombinaison à l’avant de la couche
Vitesse de recombinaison à l’arrière de la couche

Fig.III.1. fiche des paramètres d’entré pour chaque couches.

Fig.III.2. L’interface du logiciel PC1D.

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Chapitre III Résultats et discussion

III.3. Optimisation des cellules

III.3.1. Présentation des cellules proposées
La structure A
La première structure proposée dans ce travail, est celle : AlGaAs (P+)-GaAs(P)/GaAs(N)

d’une surface de 1cm2 sans texturation de la surface, dont leur schéma de base est
représenté sous la figure (III.3).

AlGaAs P+

GaAs P

GaAs N

GaAs N+

Fig. III.3. Schéma de la structure ‘’A’’ proposée : une cellule photovoltaïque à base
d’AlGaAs/GaAs/GaAs.

On a résumé sous le tableau (III.1) les différentes épaisseurs et dopages initiaux (d’entré)
utilisés dans la simulation de la structure A de type (AlGaAs/GaAs/GaAs).

Tableau. III.1. Epaisseur et dopage initiales des différentes couches formants la cellule
PV (AlGaAs/GaAs/GaAs).

Fenêtre (AlxGa1-xAs) Émetteur (GaAs) Base(GaAs) Substrat(GaAs)

p+ P n n+
Epaisseur 0.03 0.3 2.5 300
(μm)
Dopage (cm-3) 2x1018 cm-3 2x1018 cm-3 2x1017 cm-3 2x1018 cm-3

La structure à étudier est une cellule de type monojonction (p-n) à base de GaAs dont le
schéma de base est représenté dans la figure (III.2). Elle est constituée principalement
d’une couche Fenêtre AlGaAs dopée de type p, couche émettrice dopée de type p, la base
dopée de type n et le substrat de type n.

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Chapitre III Résultats et discussion

AlGaAs/GaAs/GaAs
0,035

courant(A)&puissance(W) 0,030

0,025

0,020

0,015

0,010
courant
0,005 puissance

0,000
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2
Tension(V)

Fig.III.4. Caractéristique (courant-puissance) en fonction de la tension pour la structure

AlGaAs/GaAs/GaAs.

La figure (III.4) illustre la courbe caractéristique d’une cellule photovoltaïque qui

représente la variation du courant qu’elle produit et la puissance en fonction de la tension
aux bornes de cette cellule PV.

La structure B

La deuxième structure proposée pour notre cas est celle AlGaAs (P+)-GaAs(P)/GaAs(N)-

AlGaAs (N) d’une surface de 1cm2 sans texturation de la surface.

AlGaAs P+

GaAs P

GaAs N

AlGaAs BSF

GaAs N+

Fig. III.5. Schéma de la cellule solaire à base d’AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF.

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 Chapitre III Résultats et discussion

On a résumé sous le tableau (III.2) les différentes épaisseurs et dopages initiaux utilisés
dans la simulation de la structure B de type (AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF).
Tableau.III.2. Epaisseur et dopage des différentes couches de la cellule à hétérojonction
(AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF).

Fenêtre (AlxGa1-xAs) Émetteur (GaAs) Base(GaAs) BSF ( AlxGa1- Substrat(GaAs)

p+ P N xAs) n+
Epaisseur (μm) 0.03 0.3 2.5 1 300
Dopage (cm-3) 2x1018 cm-3 2x1018 cm-3 2x1017 cm-3 2x1018 cm-3 2x1018 cm-3

La structure à étudier est aussi une cellule monojonction (p-n) toujours à base de GaAs.
Elle est constituée principalement d’une couche fenêtre AlGaAs dopée de type p, couche
émettrice de type p, la base dopée de type n, plus une couche AlGaAs joue le rôle d’une
couche BSF, et le substrat de type n (voir la figure III.6).

courant
0,035 puissance

0,030
Courant (A) & Puissance (W)

0,025

0,020

0,015

0,010

0,005

0,000

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

Tension(V)

Fig.III.6. Caractéristique (courant-puissance) en fonction de la tension pour la structure

(AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF).

Tableau.III.3. Les paramètres photovoltaïques obtenus de la structure.

La structure Icc Vco Pmax η(%) FF(%)
AlGaAs/GaAs/GaAs 0.0316 A 1.063 V 0.0295 W 29.5 87.8
AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF 0.0315 A 1.085 V 0.0300 W 30 87.7

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Chapitre III Résultats et discussion

III.4.Optimisation des paramètres des structures proposées sur le rendement

photovoltaïque
III.4.1. Optimisation de la structure A
III.4.1.1. Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le rendement

Afin optimisé les paramètres de l’émetteur (GaAs(p)) offrant le rendement de conversion

photovoltaïque optimal, nous avons varié l’épaisseur de l’émetteur (GaAs(p)).

AlGaAs/GaAs/GaAs
30,0
29,9
29,8
29,7
29,6
29,5
29,4
29,3
Rendement (%)

29,2
29,1
29,0
28,9
28,8
28,7
28,6
28,5
28,4
28,3
28,2
28,1
28,0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
Epaisseur de l'emetteur (um)

Fig.III.7. Influence de l’épaisseur de l'émetteur sur le rendement de la structure

AlGaAs/GaAs/GaAs.

A chaque fois on évolue l’épaisseur de l’émetteur (GaAs(p)) on observe une diminution au

niveau du rendement où il revient à l’augmentation de l’épaisseur de l’émetteur (GaAs(p)).
Lorsque l’épaisseur de la couche (GaAs(p)) a diminué, le courant de court-circuit augmente
en raison de l’amélioration de l’efficacité de la collecte résultant de la distance décroissante
entre la surface et la zone de charge d’espace (ZCE). Le meilleur rendement est enregistré
pour un épaisseur de 0.1 µm (figure III.7).

2017 Page 32
Chapitre III Résultats et discussion

III.4.1.2. Influence de l’épaisseur de la base sur le rendement

Pour optimiser les paramètres de la base (GaAs(n)) offrant le rendement de conversion
photovoltaïque optimal, on a varié l’épaisseur de la couche GaAs(n) (base). Les résultats
obtenus sont illustrés sous la figure (III.8).

AlGaAs/GaAs/GaAs
30.0

29.9

29.8

29.7
Rendement (%)

29.6

29.5

29.4 Rendement
29.3

29.2

29.1

29.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Epaisseur de base (um)

Fig. III.8. Effet de l’épaisseur de la base sur le rendement la structure

AlGaAs/GaAs/GaAs.

Cette figure (III.8) montre que l’évolution de l’épaisseur de la base GaAs(n) influe
directement sur le rendement de conversion. Il est clair que le rendement ƞ(%) augmente
de 29.4% jusqu'à 29.6%, quand on augmente dans l’épaisseur entre la marge de 1.5µm à
3.0µm respectivement. Mais, a partir l’épaisseur de 3.0µm, on observe que le rendement
reste constante à 29.6%, par ce que après ce point l’influence de l’ensoleillement reste
constante malgré l’augmentation de l’épaisseur de la base.

2017 Page 33
Chapitre III Résultats et discussion

III.4.1.3. Influence de dopage de l’émetteur sur le rendement

Dans cette partie, nous avons variés le dopage de l’émetteur (GaAs(p)) dans une gamme de
5 E+17 à 4 E+18 cm-3. On a tracé la variation du rendement de conversion en fonction du
dopage sous la figure (III.9), ou la variation du rendement est remarquable.

AlGaAs/GaAs/GaAs

29,8

29,7 rendement

29,6
rendement (%)

29,5

29,4

29,3

29,2

0,00E+000 1,00E+018 2,00E+018 3,00E+018 4,00E+018

dopage de l'emetteur (cm-3)

Fig. III.9.Influence du dopage de l’émetteur (GaAs(p)) sur le rendement.

D’après la figure (III.9), il est clair que, à chaque augmentation du dopage de l’émetteur
(GaAs(p)) on remarque une diminution de la valeur du rendement ƞ(%). le rendement
maximal est obtenu au dopage NA=5 E+17 cm-3.

III.4.1.4. Influence du dopage de la base sur le rendement

Maintenant, nous fixons tous les paramètres de la cellule et nous ne faisons varier que le
dopage de la base pour différentes valeurs. Nous observons que la variation du rendement
est remarquable (voir la figure III.10). A chaque changement dans l’augmentation du
dopage de la base on remarque une diminution de la valeur du rendement

2017 Page 34
Chapitre III Résultats et discussion

AlGaAs/GaAs/GaAs
29,8
rendement
29,7

29,6
rendement (%)

29,5

29,4

29,3

29,2

29,1

29,0
0,00E+000 1,00E+017 2,00E+017 3,00E+017 4,00E+017

dopage de la base (cm-3)

Fig. III.01.Influence du dopage de la base sur le rendement.

Tableau.III.4. Les paramètres optimals de l’épaisseur et le dopage de la structure A

l’émetteur la base
l’épaisseur (µm) 0.2 3
-3)
Le dopage (cm 0.5 E+18 0.5 E+17

AlGaAs/GaAs/GaAs
Courant
0.035
Puissance

0.030
Courant (A) & Puissance (W)

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

0.000
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
Tension (V)

Fig.III.10. Caractéristique (courant-puissance) en fonction de la tension pour la structure

optimale AlGaAs/GaAs/GaAs.

2017 Page 35
Chapitre III Résultats et discussion

III.4.2. Optimisation de la structure B

III.4.2.1. Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le rendement

Afin d’optimiser les paramètres de l’émetteur offrant le rendement de conversion

photovoltaïque optimal, nous avons varié l’épaisseur de l’émetteur pour plusieurs valeurs.
Les résultats obtenus sont illustrés sous la figure (III.12). Suivant ces résultats, il est clair
que le rendement de conversion ɳ(%) diminue lorsqu’on augmente dans l’épaisseur de
l’émetteur (GaAs(p)). Le meilleur rendement est obtenu quand l’épaisseur est de l’ordre de
0.1 µm.

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
30,6
30,4 Rendement
30,2
30,0
29,8
Rendement (%)

29,6
29,4
29,2
29,0
28,8
28,6
28,4
28,2
28,0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
Epaisseur (µm)

Fig.III.12. Influence de l’épaisseur de l’émetteur sur le rendement de la structure

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF.

2017 Page 36
Chapitre III Résultats et discussion

III.4.2.2. Influence de l’épaisseur de la base sur le rendement

Afin optimisé les paramètres de la base offrant le rendement de conversion photovoltaïque

optimal, nous avons varié l’épaisseur de la couche (GaAs(n)). On obtient les résultats
résumés sous la figure (III.13). On constate que le rendement de conversion ɳ(%) devient
plus grand lorsque l’épaisseur de la base (GaAs(n)) augmente. Le rendement est rend plus
grand (30.30%) dans l’épaisseur de 4.0 µm.

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
30,4

30,2

30,0

29,8

29,6
Rendement (%)

29,4

29,2

29,0

28,8

28,6

28,4

28,2 Rendement

28,0
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5
Epaisseur (µm)

Fig. III.13. Effet de l’Epaisseur de la base sur le rendement la structure

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF

2017 Page 37
Chapitre III Résultats et discussion

III.4.2.3. Influence du dopage de l’émetteur sur le rendement

Maintenant, nous fixons tous les paramètres de la cellule et nous ne faisons varier que le
dopage de la base pour différentes valeurs de longueurs de diffusion .nous observons que la
variation du rendement est remarquable.

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
31,0
30,8 Rendement
30,6
30,4
30,2
30,0
Rendement (%)

29,8
29,6
29,4
29,2
29,0
28,8
28,6
28,4
28,2
28,0
0,00E+000 1,00E+018 2,00E+018 3,00E+018 4,00E+018
-3
Dopage (Cm )

Fig.III.14.Influence du dopage de l’émetteur sur le rendement AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF.

III.4.2.4. Influence du dopage de la base sur le rendement

Maintenant, nous fixons tous les paramètres de la cellule et nous ne faisons varier que le
dopage de la base (GaAs(n)) pour voir l’effet du dopage pour cette couche sur le rendement
de conversion. Nous observons que la variation du rendement est remarquable. Quand on
augmente dans le dopage, il est nette que le rendement rend moins grand. Le dopage
optimal dans ce cas est de l’ordre de 5,0 E+16 cm-3correspand à 30,19% de rendement.

2017 Page 38
Chapitre III Résultats et discussion

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
31,0
Rendement

30,5

30,0
Rendement (%)

29,5

29,0

28,5

28,0
0,00E+000 1,00E+017 2,00E+017 3,00E+017 4,00E+017
-3
Dopage (Cm )

Fig.III.15.Influence du dopage de la base sur le rendement AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF.

III.4.2.5. Influence de l’épaisseur de la couche BSF sur le rendement

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
31
rendement

30
Rendement (%)

29

28

27

26
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5
Epaisseur (µm)

Fig.III.16.Influence de l’épaisseur de la couche BSF sur le rendement

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF.

2017 Page 39
Chapitre III Résultats et discussion

La figure (III.16), montre que le rendement de conversion ne change pas avec la variation
de l’épaisseur de la couche BSF.

III.4.2.6. Influence du dopage de la couche BSF sur le rendement

La figure au-dessous, montre que le rendement de conversion ne change pas avec la

variation du dopage de la couche BSF.

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
31
Rendement

30
Rendement (%)

29

28

27

26
0,00E+000 1,00E+017 2,00E+017 3,00E+017 4,00E+017
-3
Dopage (cm )

Fig.III.17.Influence de dopage de la couche BSF sur le rendement

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
Les paramètres optimaux de l’épaisseur et du dopage de la structure B sont résumés dans le
tableau au-dessous (tableau III.5).

Tableau.III.5. les paramètres optimals de l’épaisseur et le dopage de la structure B

l'émetteur la base BSF

l’épaisseur (µm) 0.1 4 1
Le dopage (cm-3) 0.5 E+17 1. E+17 2.E+18

2017 Page 40
Chapitre III Résultats et discussion

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF

0,035

0,030
Courant (A) & Puissance (W)

0,025

0,020

0,015

0,010

0,005 Courant
Puissance
0,000
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

Tension (V)

Fig. III.18. Caractéristique (courant-puissance) en fonction de la tension pour la structure

optimal AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF.

III.5. Effet de la texturation

La texturation de la surface avant, permet le confinement des rayonnements solaire dans le

matériau, cette couche a un angle optimal pour bien piéger la lumière en vue d’optimiser
l’absorption et de décaler la photo-génération vers la surface avant. Nous traçons l’allure
suivante présentant les caractéristique courant-tension des deux structures A et B qui
suivent :

Structure A

Nous remarquons qu’il y a une différence de rendement 0.1% entre les deux structures ce
qui signifie l’importance de texturation des faces solaire dans le but d’améliorer les
performances de la structure.

2017 Page 41
Chapitre III Résultats et discussion

AlGaAs/GaAs/GaAs
sans texturation
0,035 avec texturation

0,030

0,025
Courant (A)

0,020

0,015

0,010

0,005

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

Tension (V)

Fig.III.19.Caractéristique courant-tension de la cellule solaire (avec et sans texturation).

Structure B

AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
sans texturation
0,035 avec texturation

0,030

0,025
Courant (A)

0,020

0,015

0,010

0,005

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

Tension (V)

Fig.III.21.Caractéristique courant-tension de la cellule solaire (avec et sans texturation).

2017 Page 42
Chapitre III Résultats et discussion

D’après la figure (III.02), on remarque que l’effet de la couche de texturation est bon par
rapport la première structure. En comparant la caractéristique I-V avec et sans texturation,
nous remarquons qu’il y a une très faible différence qui conduit à une différence de
rendement égale à 0.3%.

Tab.III.6. Paramètres photovoltaïques de la structure A et B avec et sans texturation.

La structure Icc Vco Pm η(%) FF(%)

Sans AlGaAs/GaAs/GaAs 0.318 A 1.070 V 0.0299 W 29.9% 87.8%
texturation AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF 0.319 A 1.104 V 0.0310 W 31% 88.02%
Avec AlGaAs/GaAs/GaAs 0.319 A 1.068 V 0.0299 W 29.9% 87.7%
texturation AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF 0.320 A 1.098 V 0.0310 W 31% 88.2%

III.6. Conclusion
Dans ce travail, on a montré que l’utilisation de l’environnement PC1D est efficace et
opérant pour la simulation des caractéristiques des cellules photovoltaïques. En comparant
les deux structure étudiées, il est claire que la structure de type AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF
présente des performances meilleurs que celles de type AlGaAs/GaAs/GaAs, grâce à la
couche BSF qui influe directement sur l’amélioration du rendement de conversion.

III.7. Références de chapitre III

[1] Benaïcha Mouna, Etude des matériaux semi-conducteurs III-V application à la
conversion photovoltaïque, MAGISTER EN PHYSIQUE, 2007.
[2] Z.Abada. Etude des cellules photovoltaïques à base de GaInP et GaAs à haut
rendement. Mémoire de magister en électronique. Université de Constantine (2000).
[3] Mohamed Bouaouina. Contribution à l’étude et à l’optimisation des performances des
cellules solaires à base de GaAs et de Si. Mémoire de magister en physique énergétique.
Université de Constantine (2001).

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Conclusion
générale
 Conclusion Générale

Conclusion générale
Dans ce mémoire, on a étudié les caractéristiques électriques de la cellule solaire
photovoltaïque à monojonction PN à base le GaAs et leur ternaire AlGaAs par le
simulateur PC1D. En raison des coûts élevés de l'expérimentation, les chercheurs se
penchent de plus en plus vers l’outil de simulation numérique comme un moyen
complémentaire essentiel dans la prédiction. L’analyse et l’interprétation des résultats.
Le logiciel PC1D compte parmi les outils de simulation les plus simples dans l’étude
des dispositifs électroniques et optoélectroniques.
On a présenté les résultats de l’étude pour deux structures. La première est formé par
une couche fenêtre AlGaAs, couche émettrice GaAs les deux dopée de type p, une
base GaAs dopée de type n et le substrat de type n. Deuxièmement, on a ajouté dans
la même structure précédente une couche BSF pour examiner l’effet de cette couche
sur le rendement de conversion. Les résultats de l’étude sont générés par le
simulateur PC1D. On à joué sur l’épaisseur et le dopage de l’émetteur (GaAs(p)) et la
base (GaAs(n)) pour extraire les paramètres optimales pour les deux propositions.
D’après les résultats, nous avons constaté une amélioration générale dans les
caractéristiques photovoltaïques de la cellule avec l’ajout d’une couche BSF
(AlGaAs), notamment dans le courant de court circuit (Icc), le facteur de forme FF, la
puissance maximale Pmax et le rendement de conversion photovoltaïque η. A titre
d’exemple, la densité de courant de court circuit Jsc s’améliore de 0.318 A à 0.319 A
et le rendement de conversion photovoltaïque η rend plus grand de 29.9% à 31%.
Concernant l’effet de texturation de 0.5 µm sur le rendement de conversion pour les
deux structures proposées, on remarque une faible variation dans le courant de court
circuit (Icc), la tension de circuit ouvert (Vco) et le facteur de forme (FF), résultant une
immobilisation dans le rendement et la puissance maximale.
Il est claire que la structure de type AlGaAs/GaAs/GaAs/BSF présente des
performances meilleurs que celles de type AlGaAs/GaAs/GaAs, grâce à la couche
BSF qui influe directement sur l’amélioration du rendement de conversion.

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 Résumé

Résumé :
Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles,
le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait
de plus en plus fort. A ce titre, le développement des cellules photovoltaïques à base
de GaAs qui enregistre, en effet, le meilleur rendement de conversion (> 30%) pour
une cellule monojonction ces dernières années.
Dans ce travail de simulation, nous utilisons le simulateur PC1D, pour étudier les
performances des cellules solaires à base de GaAs. Nous évaluons le rendement
électrique η pour deux structure monojonction PN avec et sans texturation. Par la
suite nous nous intéressons au dopage et à l’épaisseur des trois couches (AlGaAs,
GaAs et la couche BSF) pour étudier l’influence de celles-ci sur le rendement
électrique de la structure.
Mots Clés : Cellule solaire, photovoltaïque, PC1D, simulation, AlGaAs, GaAs.
Abstract:
In this work, we use the simulator PC1D, to study the performances of the solar cells
based on (GaAs). We evaluate the efficiency η for two monojonction structure PN
with and without texturation. Thereafter, we are interested by the doping and the
thickness of the layers (AlGaAs, GaAs and a BSF layer) to investigate the influence
of these -ones on the conversion efficiency of these structures.
Keys Words: Solar cells, photovoltaic, PC1D, simulation, AlGaAs, GaAs.
:‫ملخص‬
‫في السياق العام لالستخذام الوتنىع للوىاسد الطبيعيت أصبح الشجىع الى الطاقاث الوتجذدة ضشوسيا و بشكل‬
‫ولهزا السبب باث التطىيش لجيل جذيذ هن الخاليا الضىئيت القائوت على‬.)‫خاص (الطاقت الشوسيت الكهشوضىئيت‬
.‫ في السنىاث االخيشة‬%03 ‫حيث فاق اداء هزه الخاليا اكبش هن‬,‫ تبذو في الىاقع واعذة‬GaAs ‫اساس‬
‫حيث نقين الوشدود‬.GaAs ‫ لذساست اداء الخاليا الشوسيت القائوت على‬PC1D ‫في هزه الوحاكاة نستخذم بشناهج‬
‫ والطبقت‬AlGaAs, GaAs ,( ‫ ونهتن بعذ رلك بسوك وشىائب الطبقاث الثالثت‬,‫ للهيكلين النوىرجين‬η ‫الكهشبائي‬
.‫) لذساست تأثيش هزه االخيشة على الوشدود الكهشبائي للخليت الضىئيت‬BSF
AlGaAs, GaAs , ‫ الوحاكاة‬, PC1D , ‫ الكهشوضىئيت‬, ‫ الخاليا الشوسيت‬: ‫كلمات مفتاحيه‬

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