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IGBT1

Ce document présente le transistor IGBT, qui combine les caractéristiques d'un MOSFET et d'un transistor bipolaire. Il décrit ses propriétés statiques et dynamiques, ses avantages et inconvénients, et ses domaines d'application courants.

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BTS Transistor I.G.B.T. O.

Dehaupas

Insulated Gate Bipolar Transistor

1. Présentation
2. Caractéristiques statiques
3. Caractéristiques dynamiques
4. Avantages, inconvénients, application :
BTS Transistor I.G.B.T. [Link]

Présentation:

C’est un montage Darlington entre un MOS et un Bipolaire


monté sur la même puce de silicium.
Symbole schéma équivalent simplifié
C
Collecteur

Grille ou

G
Emetteur

Exemples d’IGBT :

VCES (V) IC (A) VCESAT (V) tdOFF (ns) f max (kHz) prix (€)
IRGPF40F 700 17 3,2 250 18 12
SKM500GA12 1200 500 3,1 900 15 307
BUK854-800 800 12 3,1 800 15 7
BTS Transistor I.G.B.T. [Link]

Caractéristiques statiques:

Commande en tension
comme un MOS

Vg Vce

Vce 3 V ( pertes importantes)


BTS Transistor I.G.B.T. [Link]

Pertes par conduction :

Pc= Vce SAT × Ic avec Ic = Courant moyen dans le transistor

Tension de saturation ( courbe constructeur)

Aire de sécurité :

sa forme rectangulaire lui permet de se


passer de circuit d’aide à la
commutation dans certaines
applications.

Il est préconisé de faire circuler le point


de fonctionnement de l’IGBT le plus
prés possible des axes,
pour réduire les pertes de
commutations.
BTS Transistor I.G.B.T. [Link]

3. Caractéristiques dynamiques :
Pour un hacheur fonctionnant à 25 kHz sous 8A et 240V

Mise en conduction:

Pointe de courant dû
au recouvrement
inverse de la diode
de roue libre
BTS Transistor I.G.B.T. [Link]

Blocage:

phénomène de traînage qui imposera une Queue de courant


augmentation des temps morts dans les
montages en demi-pont
BTS Transistor I.G.B.T. [Link]

Pertes par commutation : se référer aux documents constructeurs

240 V
Faire le rapport
8A

Eon = Won= Energie dissipée à


la mise en conduction

Eoff = Woff= Energie dissipée au


blocage

à défaut on peut utilisé la relation très très approché :

Ps = VCE × Îc × ( tr + tf ) × F/4
BTS Transistor I.G.B.T. [Link]

4. Avantages, inconvénients, application :

Avantages : Commande en tension (MOS)


Grande densité de courant ( supérieur au bipolaire)

Inconvénients : Pertes importante ( Vce sat ≈ 3 V, traînage en courant)


Augmentation des pertes avec la température
Commutation plus lente que le transistor MOS

Application :

Onduleur et hacheur pour la commande de moteur

discret Gamme actuelle des IGBT :

1000V 500 A
3500V 60 A
module
f max ≈ 40 kHz
BTS Transistor I.G.B.T. [Link]

Densité de courant

THYRISTOR

GTO
IGBT

BIPOLAIRE

MOSFET

Rapidité

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