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L3ieea Reor2012

Le document décrit les propriétés de conduction d'un semi-conducteur intrinsèque et dopé de type N, le phosphure d'indium (InP). Il présente ensuite une diode PN en InP, donnant ses caractéristiques et demandant de calculer l'efficacité d'injection sous une densité de courant imposée.

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F.S.

I- Departement EEA Session 1, 2011-2012

L3 EEA, parcours R.E.L

Epreuve de Physique des Composants


Durée : 1h30 (Documents autorisés)

L’unité de longueur est le cm dans les 2 exercices.

Exercice 1 : Propriété de conduction des semi-conducteurs


On s’intéresse au Phosphure d’Indium (InP)

I- Le matériau est supposé intrinsèque

On donne à l’ambiante (T =300K = 27°C) :


Densités d’état : N c = N v = 10 18 cm –3
Hauteur de la bande interdite : E g = Ec – Ev = 1,35 eV
Mobilité des électrons de la bande de conduction : µn = 8000cm2/V.s
Mobilité des trous de la bande de valence : µp = 400cm2/V.s
KT = 26.10 –3 eV
Rappel des expressions des concentrations en porteurs libres :
nN C exp  Ec EF et p N V exp EF EV
kT kT
1) Etablir l’expression de la concentration intrinsèque n i sachant que le produit pn
vaut : pn=ni2 et calculer sa valeur à 300K.

2) Calculer la conductivité intrinsèque i et la résistivité ρi.

II- Le matériau est maintenant dopé et de type N (semi-conducteur


extrinsèque).
La concentration en atomes dopants vaut : N D = 5.10 15 cm-3, la mobilité des
électrons est alors de 4000 cm2/V.s.

1) Calculer la conductivité  et la résistivité ρ.


2) La température est portée à T1 = 400K.
Dans ces conditions, la concentration intrinsèque vaut : ni1 = 5.10 9 cm3, calculer
la concentration en trous p1. Que peut-on dire du caractère N du Semi-conducteur ?

II- Diode à Jonction PN

On considère une Jonction PN aux régions courtes, réalisée avec du InP


(Phosphure d’Indium).
Ses caractéristiques à 300K sont :
Aire de la jonction : A = 1 cm 2
Bande Interdite : E g = 1,35 eV
Concentration intrinsèque su semiconducteur: n i = 5.10 6 cm-3
Unité thermodynamique : UT = kT/q = 26 mV
Charge élémentaire : q =1,6.10 –19 C

Région P Région N
Dopage (cm-3) N A= 5.10 17 N D =10 17
Epaisseur (cm) W P=10-4 W N=10-4 (1µm)
(1µm)
Cte de diffusion des Dn=100 Dp=10
minoritaires (cm2/s)

Sous polarisation directe, on impose une densité de courant égale à : J = 1000


A/cm 2.

1) Rappeler l’expression de l’efficacité d’injection  = Jp / Jn et calculer sa valeur ;


en déduire les valeurs de Jn et Jp à partir de la densité de courant J imposée.

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