Chapitre V: Les contacts
I) Contact mtal-mtal
II) Contact Mtal-Semi-conducteur
contact redresseur :Diode Schottky
Contact ohmique
III) Contact Mtal-Isolant-Semi-conducteur
structure MIS ou MOS
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Rappels : Bandes dnergie dans les matriaux
Energie
Mtal
Niveau du videEv=0
EF
Reprsentation des bandes d'nergie
16/12/2015 08:43 2
I) Contact Mtal-Mtal
La structure Mtal-Mtal
I.1. Introduction.
La structure Mtal-Semi-conducteur (M-SC) est le dispositif unipolaire le
plus simple. Il est la base d'un grand nombre de structures plus
complexes.
Dispositif unipolaire : un seul type de porteurs (lectrons ou trous)
participe de faon importante la conduction du courant et dtermine les
conditions de fonctionnement du dispositif.
Souvent l'application d'une tension sur une structure MS produit une
caractristique I(V) non symtrique, la structure se comporte comme un
redresseur : c'est une diode SCHOTTKY.
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Certaines structures M-SC peuvent prsenter des caractristiques
I(V) trs symtriques, ce sont alors des contacts ohmiques.
La matrise des contacts ohmiques est capitale pour raliser les
connexions entres les diffrentes structures d'un circuit intgr.
Les structures M-SC sont particulirement bien adaptes la
technologie silicium.
Elles sont souvent ralises en ouvrant une fentre dans une
couche d'oxyde et en dposant sous vide un film mtallique qui
entre en contact intime avec le semiconducteur.
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I.2 Effets de surface.
I. 2.1 Travail de sortie.
Dans le mtal, l'lectron de conduction est soumis un ensemble de
forces d'interaction dont la rsultante est nulle, il peut se dplacer
librement.
Quand l'lectron arrive la surface du mtal, la compensation des
forces d'interaction entre-elles n'est plus totale, l'lectron est retenu
l'intrieur du mtal.
Pour extraire un lectron du mtal, il faudra donc lui fournir de
l'nergie.
On appelle Niveau du Vide (Vacuum level), not NV, l'nergie d'un
lectron extrait du corps et sans vitesse initiale. C'est l'nergie
potentielle de l'lectron dans le vide au voisinage du corps tudi.
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Energie
Mtal
Niveau du vide Evide0
Le travail de sortie d'un
mtal est : qFm
q Fm = Ev - EF
EF
Travail de sortie d'un mtal
On appelle travail de sortie (work function) l'nergie qu'il faut fournir
un lectron situ au niveau de FERMI pour l'arracher du mtal
et l'amener au niveau du vide NV. 6
C'est une constante physique du mtal considr.
Mtaux faible travail de sortie
Li Na K Rb Cs Fr
Fm(eV) 2.3 2.3 2.2 2.2 1.8 1.8
Mtaux fort travail de sortie
Cr Fe Ni Al Cu Ag Au Pt
Fm (eV) 4.6 4.4 4.4 4.3 4.4 4.3 4.8 5.3
Dans les semi-conducteurs et les isolants, le travail de sortie qFs est dfini de la mme manire.
Cependant pour les semi-conducteurs, la position du niveau de FERMI dpend du dopage
et qFs nest pas une constante physique du matriau.
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I. 2.2. Structure Mtal-Mtal.
Avant contact
Energie Energie
Mtal 1 Mtal 2
Niveau du vide Evide0 Niveau du vide Evide=0
qFm1 qFm2
EF
EF2
Mtal 1 Mtal 2
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Aprs contact
Energie Energie
Mtal 1 Mtal 2
Niveau du vide Evide=0 Niveau du vide Evide=0
qFm1 qFm2
e-
EF1
EF
EF2
Mtal 1 Mtal 2
++ --
++ --
++ --
++ --
E : Champ de contact
Potentiel de contact 9
Les lectrons du mtal 1 vont diffuser vers le mtal 2 o ils
trouvent des niveaux dnergie plus bas, quils peuvent
occuper.
La diffusion continue jusqu ce que les niveaux de Fermi
sgalisent mme niveau travers toute la structure
Du cot du mtal 1 il y a appauvrissement en lectrons.
Du cot du mtal 2 il y a enrichissement en lectrons.
Il apparat donc un champ interne au niveau du contact et
donc un potentiel de contact.
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II) Contact Mtal-Semi-conducteur
- Contact redresseur : Diode Schottky
- Contact ohmique
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II.1 Affinit lectronique
Le travail de sortie dans les semi-conducteurs et les isolants, qFs , est dfini
de la mme manire que dans les conducteurs.
Or dans les semi-conducteurs, la position du niveau de FERMI dpend du dopage
et donc qFs nest pas une constante physique du matriau.
On choisira alors laffinit lectronique (electron affinity) comme l'nergie qu'il faut fournir
un lectron situ dans la bas de la bande de condcution BC pour l'amener
au niveau du vide.
Cest une constante physique du semi-conducteur.
qcs = Evide Ec
Energie
Semi-conducteur
Niveau du vide Evide=0
qFs q cs
Ec
EF
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Affinit lectronique
des semi-conducteurs les plus utiliss
Si Ge GaP GaAs GaSb SiO2
cs (eV) 4.01 4.13 4.3 4.07 4.06 1.1
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II. 2 Le contact Mtal-Semiconducteur.
Comme tout contact entre deux matriaux diffrents, le contact dun mtal
avec un semi-conducteur, est conditionn par la diffrence relative
entre le travail de sortie du mtal qFm et celui du semi-conducteur qFs
(de type N ou P).
Dans l'tude suivante, on considrera le contact entre un mtal
et un semi-conducteur de type "N"
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II.2.1. Cas o qFm = qFs
Avant contact Aprs contact
Energie Energie Energie
Mtal Semi-conducteur
Niveau du vide NV : Evide=0 NV Evide=0
qFm qFs q cs qFm qFs q cs
Ec Ec
EFm EFs (N) EFm EFs (N)
Mtal
Mtal Sc (N) Mtal
Mtal Sc (N)
Avant contact, nous avons deux systmes: un mtal et un semi-conducteur.
Les niveaux de FERMI des deux systmes (mtal EFm et du semi-conducteur EFs (N))
sont gaux.
La mise en contact de ces deux matriaux donne lieu un seul systme:
Mtal-Semicondcuteur. 15
Cas o qFm = qFs
Energie
Aprs contact
NV Evide=0
qFm qFs q cs
Ec
qFb EFs (N)
EFm
Mtal
Mtal Sc (N)
Les niveaux de Fermi du mtal EFm et du semi-conducteur EFs (N) sont gaux
mme avant contact. Aprs contact, lquilibre de la structure est atteint
lorsque les niveaux de Fermi sgalisent aprs change de charges.
Or ces niveaux sont dj gaux avant contact.
Conclusion: Rien ne se passe (aucun change de particules)
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Comme il ny a pas dchange dlectrons, la densit des lectrons dans la
bande de conduction du semi-conducteur reste constante de mme
pourcelle des trous dans la bande de valence.
Ces bandes ne subissent aucune courbure, elles restent plates.
C'est ce que l'on appelle le rgime de bandes plates ( flat-band).
Pour les lectrons qui veulent transiter du mtal vers le semi-conducteur
Il doivent franchir la barrire qFb qui est donne par :
qFb = qFm - qcs
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II.2.2. Cas o q Fm > q Fs
Energie Energie
Energie
Semi-conducteur NV Evide=0
Mtal
qFs q cs qFs q cs
qFm Ec
qFm Ec
EFs (N)
EFs (N)
EFm EFm
Mtal
Mtal Sc (N)
Mtal
Mtal Sc (N)
Lors de la mise en contact du mtal avec le semi-conducteur, les lectrons
du semi-conducteur occupent des niveaux dnergie suprieurs des niveaux
non occups dans le mtal. De ce fait les lectrons du semi-conducteur
situs proximit de linterface de la jonction transfrent vers le mtal
en laissant derrire eux les atomes donneurs positifs fixes.
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Ce phnomne s'arrte lorsque l'alignement des niveaux de FERMI est ralis.
Une zone dserte (ZCE) apparat donc dans le semi-conducteur.
On supposera que cette zone est entirement dpourvue de porteurs
majoritaires sur une paisseur W (Hypothse de SHOCKLEY) .
Au del, la densit des porteurs majoritaires mobiles est gale au dopage N
du semi-conducteur.
Energie
NV Evide=0 Le surplus d'lectrons du ct
qVb mtal se concentre sur une zone
trs mince (quelques Angstrms)
qFm qFs q cs car la densit d'tats d'nergie
qFb Ec disponibles dans le mtal Nm est
EFs (N) de l'ordre de 1022 cm-3, trs grande
EFm par rapport ND dans le semi-
conducteur
+++
Mtal
Mtal +++
+++
Sc (N)
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A lquilibre, la hauteur de la barrire qui s'oppose au passage des lectrons du
mtal---> semi-conducteur est :
La hauteur de la barrire qui s'oppose au passage des lectrons du semi-
conducteur---> mtal est :
Vb est le potentiel de barrire de la ZCE apparue dans le semi-conducteur
(d la densit de charge rN=eND).
Un contact entre un mtal (travail de sortie qFm) et un semi-conducteur
(travail de sortie qFs) tels que qFm> qFs , prsente l'interface
un phnomne de ZCE. Il s agit d'une barrire mtal-semi-conducteur
appele aussi diode SCHOTTKY (SCHOTTKY barrier).
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II.2.3. Cas o q Fm < q Fs
Energie Energie Energie
Mtal Semi-conducteur NV Evide=0
qFs q cs qFs q cs
qFm qFm
EFm Ec
EFm Ec
EFs (N)
EFs (N)
Mtal
Mtal Sc (N) Mtal
Mtal Sc (N)
Lors de la mise en contact du mtal et du semi-conducteur, les
lectrons du mtal situs prs de l'interface possdent une plus
grande nergie que ceux du semi-conducteur. Ils vont donc
transfrer vers celui-ci.
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Energie
NV Evide=0
qVb
qFs q cs
qFm
Ec
EFm EFs (N)
+ _
_
Mtal
Mtal
+
+ _
_
Sc (N)
+
+ _
Il apparat une accumulation des lectrons majoritaires dans le
semi-conducteur, et une zone de dficit en lectrons dans le mtal
(phnomne insignifiant).
Il ny a pas de zone dpourvue de porteurs majoritaires (ZCE) dans
la structure.
Cette jonction conduira l'lectricit ds qu'une tension sera applique.
Le contact est ohmique (passage du courant dans les deux sens).
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Conclusion:
Un contact mtal-semi-conducteur 'N' est :
Redresseur : formation dune barrire si qFm > qFs (N)
Ohmique : si qFm < qFs (N)
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Dans le cas d'un contact mtal-semi-conducteur de type "P",
le raisonnement se fait sur les trous majoritaires.
et les rsultats sont inverss:
qFm > qFs (P): le contact est ohmique,
qFm < qFs (P): le contact est redresseur.
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III. La diode SCHOTTKY.
La diode SCHOTTKY exploite l'effet redresseur que peut prsenter une structure M-SC.
Les premires diodes l'tat solide (diodes des postes galne) taient de
ce type et furent dcouvertes par F. BRAUN en 1874.
III.1. La diode SCHOTTKY non polarise.
La barrire Mtal-Semiconducteur
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Considrons une structure M-SC 'N' avec qFm > qFs .Nous avons vu que :
dans le sens Mtal --->SC il existe une barrire dnergie de hauteur :
dans le sens SC--->Mtal il existe une barrire dnergie :
Pour mener cette tude, nous considrons les hypothses suivantes :
Nous supposons que :
Le dopage ND du semi-conducteur est constant.
La densit des lectrons mobiles dans le mtal est Nm>>ND.
La surface S de la structure est plane.
La ZCE d'paisseur W est totalement dpourvue de porteurs majoritaires.
La densit d'tats de surface est ngligeable.
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Comme dans le cas de jonction PN, pour calculer l'paisseur W
on part de la loi de POISSON:
Du cot du semi-conducteur:
Et du cot du mtal : (effet sur une paisseur xm<< quelques
On intgre en tenant compte de la condition que le champ lectrique
est nul en x=W et partout en de hors de la ZCE :
E(W) = 0.
On trouve:
en intgrant le champ lectrique sur toute la longueur W de ZCE on trouve
La largeur W de la ZCE:
comme Nm>>ND lexpression de W devient :
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la prsence de la zone de la ZCE gnre une capacit statique :
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Passage des lectrons l'interface mtal-vide: effet thermolectronique:
On dmontre que le courant d'mission I0 d'une cathode mtallique
(travail de sortie qFm ), situ dans le vide, de surface S, porte la
temprature T est donn par la relation de RICHARDSON et DUSHMANN :
avec :
R est la constante de RICHARDSON .
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Courant dmission du mtal vers un
Matriau semi-conducteur
Dans le cas d'une barrire M-SC, par analogie au contact mtal-vide,
on peut exprimer le courant d'mission du mtal vers le semi-
conducteur par la relation :
avec R* = R(mn/m0).
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Pour cela on tient compte que l'lectron pour quitter le mtal doit franchir
une barrire qFb (au lieu de qFm ) et il se retrouve dans le semi-conducteur
masse effective mn au lieu de m0 : masse dans le vide).
La structure n'tant pas polarise, elle n'est traverse par aucun courant,
donc le courant d'mission du mtal ---> SC est compens par
un courant de diffusion du SC ---> mtal engendr par les lectrons
de la BC qui ont russi franchir la barrire de potentiel (qVb) cre par la ZCE.
La barrire mtal-semi-conducteur 'N' o qFm > qFs prsente l'interface
du ct SC une ZCE. A l'quilibre thermodynamique (sans polarisation)
il existe un courant d l'mission d'lectrons du mtal vers le SC
exactement compens par un courant d la diffusion d'lectrons du
SC vers le mtal. Dans cette structure, un seul type de porteurs intervient : l
es majoritaires, c'est un composant unipolaire.
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III.2. La diode SCHOTTKY polarise en direct
Appliquons sur le mtal une tension Vj > 0 par rapport au semi-conducteur.
Le Niveau de FERMI du mtal va "descendre" de qVj par rapport au niveau
de FERMI du semi-conducteur (potentiel Vj > 0 appliqu sur une charge -q)
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Dans ces conditions :
- la hauteur de barrire Mtal vers le semi-conducteur reste la
mme : qFb
- l'nergie de la barrire de potentiel semi-conducteur vers le
mtal devient :
qV'b = qVb - qVj
Le courant thermo-lectronique mtal vers le semiconducteur :
I0 n'est plus gal au courant de diffusion du SC---> mtal:
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I0 exp(qVj/kBT) >> I0 car Vj >0.
Il en rsulte un courant direct travers la barrire :
Quand on applique une diffrence de potentiel positive sur le mtal
par rapport au semi-conducteur, la barrire est traverse par un courant
qui crot exponentiellement en fonction de la tension applique.
Comme dans le cas de la jonction PN c'est une polarisation directe.
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Une analyse plus dtaille met en vidence l'existence d'un courant d
la diffusion des trous du semi-conducteur vers le mtal :
L'ordre de grandeur entre la quantit de trous (porteurs minoritaires)
et la quantit d'lectrons (porteurs majoritaires) entrane que ce courant
est ngligeable.
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L'ordre de grandeur entre la quantit de trous (porteurs minoritaires)
et la quantit d'lectrons (porteurs majoritaires) entrane que
ce courant est ngligeable.
La prsence d'tats de surface entrane qu'en pratique l'nergie
de la barrire Mtal--> SC (qF'b ) se situe entre : qFb = EG - qE0 et.
Exprimentalement le courant direct prend la forme suivante :
avec n : facteur d'idalit 1< n <2 (la diode est idale quand n = 1).
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III.3. La diode SCHOTTKY polarise en inverse.
On porte le mtal un potentiel infrieur celui du semi-conducteur (Vj < 0) :
Le Niveau de FERMI du mtal va "monter" de qVj par rapport au
niveau de FERMI du semiconducteur (potentiel Vj < 0 appliqu sur une charge -q)
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Dans ces conditions :
la hauteur de barrire Mtal--> SC reste la mme : qFb
l'nergie de la barrire de potentiel SC---> mtal devient :
qV"b = qVb - qVj
L'paisseur de la zone dserte est devenue : W" = W(1 - Vj/Vb)1/2
Plus Vj devient ngative, plus l'paisseur de la ZCE augmente
et l'volution de la capacit statique d'une barrire de surface S s'crit :
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Le courant d'mission d'lectrons du mtal vers le semi-conducteur est
toujours prsent, par contre la barrire de potentiel qV"b tant nettement
plus importante, le courant de diffusion des lectrons du semi-conducteur
vers le mtal compltement disparu.
Il en rsulte un courant inverse traversant la barrire gal I0.
Exprimentalement, il apparat une lgre augmentation du courant inverse
en fonction de la tension applique. Ce phnomne trouve son origine dans
la diminution de la hauteur de la barrire Mtal-->SC
sous l'effet du champ extrieur :
avec :
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Pour des tensions inverses trs grandes (Vj trs ngative), le
champ lectrique l'interface mtal-SC devient suffisant
pour provoquer un phnomne d'avalanche. La
caractristique I(V) prsente une brusque augmentation du
courant inverse exactement comme dans la jonction PN.
Quand on applique une diffrence de potentiel ngative sur le mtal
par rapport au semi-conducteur, la diode SCHOTTKY est traverse par
un courant trs faible (elle est bloquante). Son schma lectrique
se rduit alors une rsistance srie tenant compte de l'paisseur
de semi-conducteur et une capacit dont la valeur est fonction de
la tension applique. Comme dans la jonction PN, on est dans
le cas d'une polarisation inverse.
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III.4. Comparaison diode SCHOTTKY et diode PN.
La diffrence fondamentale entre les deux composants est que le
fonctionnement fait appel aux porteurs majoritaires dans la
diode SCHOTTKY alors que ce sont les porteurs minoritaires
qui interviennent dans la diode PN.
Comparaison caractristique I(V) diode SCHOTTKY et diode PN
41
Si les caractristiques I(V) des diodes SCHOTTKY et des diodes PN
sont assez semblables on peut noter les diffrences suivantes :
le courant inverse de la diode PN est plus faible.
le courant direct "dcolle " plus tard pour la diode
PN (0.3 V pour Al-nSi au lieu de 0.6 V; pour la diode PN).
la variation de la tension directe en fonction de la temprature
est plus faible pour la barrire M-SC que pour la diode PN).
le courant inverse est plus sensible la tension inverse dans la barrire M-SC.
Le fonctionnement en frquence de la diode SCHOTTKY peut tre estim
partir de la frquence de coupure (cutoff frequency)
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(pratiquement Rs la rsistance srie << r).
En ralisant des composants de petites tailles dans des matriaux
de haute mobilit (GaAs), des frquences de fonctionnement de
l'ordre de 100 GHz sont possibles.
Pour une diode PN, la frquence de coupure est donne par :
o cd est la capacit dynamique de la jonction qui fait intervenir
la dure de vie des porteurs minoritaires.
L'absence de capacit de diffusion rend la commutation de la diode SCHOTTKY
beaucoup plus rapide que celle de la diode PN.
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III.5. Applications des diodes SCHOTTKY.
En plus des usages classiques de la jonction PN, on retrouve pour la barrire
SCHOTTKY des utilisations en :
Dtecteurs mlangeurs.
Utilisation de la partie non linaire de la caractristique I(V). A partir de :
on peut calculer la courbure de la caractristique :
Cette grandeur crot avec le courant statique jusqu' ce que les effets de
rsistance srie interviennent.
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IV. Le contact ohmique.
IV.1. Rsistance de contact.
Tout chantillon ou structure semi-conductrice est invitablement relie
des lignes mtalliques de transport du courant. Il est indispensable que l
es contacts entre les lignes de transport et le semi-conducteur laissent
passer le courant dans les deux sens et prsentent des rsistances les plus
faibles possible.
La rsistance d'un contact est dfinie par :
R = Rc/S
Rc = rsistance spcifique du contact (W. cm2 )
(contact resistance) ; S = surface du contact.
On peut diminuer cette rsistance en augmentant la surface du contact,
mais cela se fait au dtriment de la taille des composants
donc la densit d'intgration.
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IV.2. Contact ohmique.
Contact ohmique sur semi-conducteur N Contact ohmique sur semi-conducteur P
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Un contact ohmique sur un SC'N' est thoriquement ralisable avec un mtal
de travail de sortie infrieur celui du semi-conducteur. Malheureusement
cette situation idale est rarement ralise.
En pratique, on diminue la rsistance du contact en surdopant
superficiellement la rgion o l'on veut raliser le contact :
on ralise une couche tampon dgnre (de 1019 1020 cm-3).
La ZCE de la barrire ainsi forme entre la couche tampon et
le mtal du contact est tellement fine que les porteurs peuvent
la traverser par effet tunnel.
Le contact n'est plus redresseur et la caractristique I(V) est symtrique.
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Caractristique I(V) d'un contact ohmique.
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V. Conclusions
nous avons vu apparatre dans la structure Mtal-Semiconducteur
les notions suivantes :
le rle du travail de sortie du mtal et de l'affinit electronique
du semiconducteur.
la prsence d'une barrire de potentiel du cot semiconducteur.
l'existence d'un courant d'mission du mtal vers le semiconducteur
et d'un courant de diffusion du semiconducteur vers le mtal.
la possibilit grce une polarisation extrieure de faire varier
l'nergie de la barrire de potentiel donc de faire varier le courant
de diffusion. Il en rsulte un sens passant et un sens bloqu.
La possibilit d'avoir une structure non bloquante si les valeurs
du travail de sortie du mtal et de l'affinit lectronique sont biens choisies.
l'amlioration des performances en frquences (frquence de coupure)
de la structure unipolaire par rapport la structure bipolaire (diode PN).
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Transistor SCHOTTKY
Transistor SCHOTTKY
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