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Analyse de Transistors en Électronique Analogique

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Daha Ahmed
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1

Universit Mohammed V
Facult des Sciences, Rabat, Agdal

Electronique Analogique
IEA
SMP5

Exercice 1 :
50

0,98

Les rsistances sont en k et les courants dans les quations sont en mA


a)

3,3I E VBE 6 0
6 VBE
1, 6 mA
3,3
I C I E I C 0,98 I E 1,568 mA
IE

Maille de sortie :

3,3I E VCE 4, 7 I C 20 0
VCE 3,3I E 4, 7 I C 20
(3,3 4, 7 ) I E 20
7, 6V
VBC VBE VCE 0, 7 7, 6 6,9V 0
VBC 0 , le transistor est effectivement en mode actif direct.
b) On suppose que le transistor est en mode actif normal, on a :

6 VBE 3,3I E 0
6 VBE
1, 6 mA
3,3
I C I E I C 0,98 I E 1,568 mA
IE

Calcul de VCE

10V 4, 7 I C VCE 3,3I E 0


VCE 10V (4, 7 3,3 ) I C
2, 44V

2011/2012

VB 6V
VC 10 4, 7 I C
10 4, 7 1,568
2, 63V
VCB 0 , le transistor est donc en saturation, la tension VEC VECsat 0, 2V
VC VE 0, 2
6
0,7 0, 2 5,5V

VE

IC

5,5 (10)
0,957 mA
4, 7

I B I E I C 1, 6 0,957 0, 643 mA
c) On suppose que le transistor est en mode normal :

VEB VE 0, 7

VB 0

0, 7
0, 21 mA
3,3
IC I E 0 I B 0

VE 3,3I E I E

VCB VC 10 4, 7 I C 0
d)
10V

10V

100 k

I1

( I1 I B )
10 k

3.3k

Ic

IB
V BE

( I1 I c )
3.3k

Loi des mailles :

3,3( I1 I C ) VBE 100 I1 10 0

IC

VBE 10( I1 ) 0

103,3 I1 3,3I C 10 VBE

10
10 I1 I C VBE

100 0,1(100 33 )VBE


0,385 mA
33 1033
100 113,3VBE
IC
0, 077 mA
33 1033
I1

Calcul de VCE

3,3( I1 I C ) VCE 3,3I C 10 0


VCE 3,3I1 6, 6 I C 10 7,198V

Exercice 2 :
1) A la sortie, on peut crire :

RE I E VCE RC I C VCC 0
VCE VCC ( RE RC ) I C
IC I E
Lquation ci-dessus est lquation de la droite de charge

iC

VCC
RE RC
I CQ

Q
B
VCEQ

VCC

vCE

Le milieu de la droite de charge correspond au milieu du segment AB, le point de fonctionnement


tant au milieu, on en dduit :

VCEQ

VCC
VCC
et I CQ
2
2( RE RC )

VCEQ 2,5V
I CQ

5
2, 08 mA
2(1 0, 2)

Le courant est donc I C gal : I C 2, 08 mA


Le circuit de la figure 1 est quivalent celui reprsent ci-dessous :

VCC
RC
I B RT
VBE

VT

VT

RE

R1
VCC
R1 R2

RE I E VBE
VT

RT

RT

I C VT 0

I C VBE RE I C

R1
RR I
VCC 1 2 C VBE RE I C
R1 R2
R1 R2
Posons : a R1 R2 11, 25k

I
R1 VCC R2 C a (VBE RE I C )

I
a R2 VCC R2 C a(VBE RE I C )

2
0, 02 R2 5, 234 R2 43, 695 0
R2 8, 64k R1 11, 25 8, 64 2, 6k
2)

R1 2, 6k
R2 8, 6k
Lorsque le courant de saturation de la jonction BC est non nul, on peut crire :

I C I E I CB 0
I C I B I CE 0
I CE 0 ( 1) I CB 0
ICB 0 est le courant de saturation de la jonction base collecteur, lmetteur en circuit ouvert.

5
Maille dentre

RE I E VBE RT I B VT 0
I E I C I CB 0

( 1)

Soit :

RE ( I C I CB 0 ) VBE RT (
Dautre part :

I CE 0

I C I CE 0

) VT 0

I CB 0

Donc :

RE ( I C I CB 0 ) VBE RT (
IC

IC

I CB 0 ) VT 0

VT ( RE RT ) I CB 0 VBE
R
RE T

A la temprature T1 :

VBE 1 0, 7V , I CB 01 5 A
A la temprature T2 T1 T , T 20c

VBE 2mV .T 0, 04V


VBE 2 VBE1 VBE 0, 7 0, 04 0, 66V
Le courant ICB 0 double de valeur pour chaque augmentation de 10c, on peut donc crire :

I CB 02 4 I CB 01 20 A
I CB 0 20 A 5 A 15 A
En termes de facteurs de stabilisation, la variation du courant scrit :

I C

I C
I
I CB 0 C VBE
I CB 0
VBE

SI

est considr constant.

SV

RE RT
0, 2 2, 6 || 8, 6

9,98
R
2, 6 || 8, 6
RE T 0, 2
100

1
SV
4,54mS
RT
RE
SI

I C 4,54 10 3 (0, 04) 9,98 15 0,33mA

Exercice 3 :
1 0V

I E1
9 .1 k
5 .1 k

I B1

V EB 1

IC 2
Q1

100k

IB2
VB E 2
9 .1 k

Q2

VC E 2

IE2
4 .3 k

I B 2 IC1
1 0V

100 I B1 VEB1 9,1I E1 10 0


I C1

10 VEB1 10 0, 7

0,92mA
100
9,1

1
9,1

4,3I E 2 VBE 2 9,1( I C1 I B 2 ) 0


I E 2 IC 2
IC 2

9,1I C1 VBE 2
1, 748 1, 75mA
9,1
4,3

VC1 10 4,3I E 2 VBE 2 10 4,3I C 2 VBE 2 1, 78V


VE1 10 9,1I E1 10 9,1 0,92 1, 628V
VEC1 1, 628 1, 78 3, 4V

7
Calcul de VCE 2

10 4,3I E 2 VCE 2 5,1I E 2 10 0


VCE 2 20 (4,3 5,1) I C 2 3,56V

Calcul de VB1
Loi dohm : VB1 100 I B1

100

I C1 0,92V

Exercice 4 :
On considre le circuit amplificateur diffrentiel de la figure ci-dessous :

VCC,15V
R2
300

R1
300
Q1

Q2
V2

V1
I0

R4

Q3
I

+
VR 3

R3

2k
R5

1k

Source de
courant

V
,
1
5
V
C
C
Donnes : et
varient entre 5 et +5 . Q1, Q2 et Q3 sont des transistors bipolaires
identiques caractriss par = 100,
= 0.5 ,
= 0.2 .

1) Dtermination
Lamplification du thorme de Thvenin nous permet davoir :

I0 50mA
R4

Q3
I
VR 3

I0 50mA

R3

R4

Q3

2k

R5

R3

VR 3

1k

V
,
1
5
V
C
C

R4 // R5 RT

VR 3

I0

2k

R3

VCC R4
R4 R5

VCC, 15V
I0

Loi des mailles :

2k
R5

1k
VCC, 15V

VCC, 15V

I0 50mA
Q3

50
2
15
100

0.5

3
= 3
= 83.3
50

2)

On suppose que

Les transistors sont identiques et la configuration de lampli-diffrentiel est symtrique, on dduit


que
=

= 25

Le courant collecteur tant quasi gal au courant metteur (( 1), on en dduit que :
=

Loi des mailles :


=

= 25

= 50

= 15 0.3 25 = 7.5

Les potentiels des bases des transistors Q1 et Q2 sont nuls :


=

Les transistors Q1 et Q2 oprent dans la zone active (


Le potentiel de lmetteur du transistor
=

=0

= 0.5

>

est donn par :

= 15 + 83.3 50 10

La loi des mailles lentre du transistor Q3 permet dcrire :


=

=0

> 0,

< 0).

= 10.83

2
2 50
1
= 15
= 10 = 10.33
3
3 100
3

La tension collecteur-base du transistor Q3 vaut


0. Le transistor Q3 est dans la zone active.

= 10.33 + 0.5 = 9.83 <

Rsum :

Transistor
Q1
Q2
Q3

0
0
10.33

0.5
0.5
10.83

7.5
7.5
0.5

25
25
50

Mode
dopration
normal
normal
normal

10

On suppose que

Si les deux transistors Q1 et Q2 oprent en mode normal ou satur, la loi des mailles conduira au
rsultat suivant :

=0 ,

Lun /ou les deux transistors est bloqu.

=0 (

Supposons que Q1 est bloqu et Q2 est en mode actif direct

Le courant collecteur

>0 .

=
=

= 0.5

= 15 300 50 10

La tension collecteur-Emetteur du transistor Q2 est donc :

= 0 + 0.5 = 0.5 >

=0

Loi des mailles :


=

, soit

<0

=0

= 5 + 0.5 = 4.5 < 0

La supposition concernant ltat des diodes est donc juste.


Le potentiel de lmetteur du transistor
=

est donn par :


= 15 + 83.3 50 10
=

= 0.5

= 10.83

La loi des mailles lentre du transistor Q3 permet dcrire :


=

2
2 50
1
= 15
= 10 = 10.33
3
3 100
3

La tension collecteur-base du transistor Q3 vaut


0. Le transistor Q3 est dans la zone active.

= 10.33 + 0.5 = 9.83 <

11

Rsum :
Mode
dopration
bloqu
normal
normal

Transistor
Q1
Q2
Q3

5
0
10.33

0.5
0.5
10.83

15
0
0.5

0
50
50

Un raisonnement similaire peut tre utilis pour le troisime cas.

Exercice 5 :
A- Interrupteur K la position 1
Schma en dynamique :
Le montage est un collecteur commun

Rg i
g

vg

h11e ib

R1 || R2

ib

ve
Re

Re1

Gain AV :

vs ( RE || RL )( 1)ib
ve h11eib ( RE || RL )( 1)ib
AV

( RE || RL )( 1)
h11e ( RE || RL )( 1)

RE || RL 0,1k AV 0,89
Gain Ai :
Diviseur de courant en sortie :

( 1)ib

is
RE

( 1)ib RE RL

is
RL

RE

vs
Rs 1

Rs

12

Diviseur de tension lentre :

Ai

ib
R1 || R2

ig R1 || R2 h11e ( RE || RL )( 1)

is
R1 || R2
RE

( 1)
19, 6
ig R1 || R2 h11e ( RE || RL )( 1)
RE RL

Rsistance dentre :
Loi des mailles :

( RE || RL )( 1)ib h11eib ve 0
Re1

ve
h11e ( RE || RL )( 1) 7,5k
ib

Re Re1 || R1 || R2 7,5 ||19 4,38k


Rsistance de sortie :

La rsistance de sortie Rs est Rs Rs1 || RE


Calculons Rs1 :
On limine RE et RL , on teint la source indpendante (ici vg ) et on alimente la sortie par un
gnrateur e f dbitant un courant i f
La rsistance Rs1 est donc par dfinition : Rs1

ef
if

if

ib
h11e

Rg

ib

R1 || R2

ef

Rs1

if

ib

h11e
Rg || ( R1 || R2 )

ib

ef

13

i f ( 1)ib
e f h11e Rg || ( R1 || R2 ) ib
e f h11e Rg || ( R1 || R2 )
Rs1

if
( 1)
Rs1

0, 6 (0, 6 ||19)
23,17
51

Rs Rs1 || RE 20, 7
B- Interrupteur k la position 2 et la capacit C3 dconnecte :

VCC

Le circuit devient :

80k

RC
2k

R2
600

C1

C2

ig

is

Rg
vg

ve

RL
200

R1
25k R
E

200

R2

Rs

Re
Schma en dynamique :

Rg

ib

ig

i ( 1)ib

ib

h11e

vg

R1

RC
ve

Re
Rsistance dentre :

Re

ve
v
( e ) || R1
ig
i

RL

vs

RE
Rs

14
Loi des nuds au point B :

i ib

ve vs
R2

(1)

Loi des mailles (maille a) :

ve h11e ( 1) RE ib

(2)

Loi dohm et loi des nuds la sortie :

vs ( RL || RC ) (i ( 1)ib )

(3)

Le report des quations (2) et (3) dans lquation (1) conduit la relation suivante :

ve
v ( R || R )
( 1)ve
e L C i

h11e RE ( 1) R2
R2
h11e RE ( 1)

( R || R )
( 1)( RL || RC ) 1
1
i 1 L C ve
1

R2
R2

R2
h11e RE ( 1)
ve
h11e RE ( 1)
R2 ( RL || RC ).
i
R2 h11e ( 1)( RE ( RL || RC ))
La rsistance dentre est donc :

h11e RE ( 1)
Re ( R2 ( RC || RL ))
|| R1
h11e ( 1)( RE ( RL || RC ))

0, 6 51 0, 2
Re (80 2 || 0, 2)
|| 25
0, 6 51 (0, 2 2 || 0, 2)
43,14k || 25k
15,83k
A partir de lquation (3), on obtient le gain en tension AV en exprimant i et ib en fonction de ve :

( 1)ve
vs ( RL || RC ) e

Re h11e RE ( 1)
1

( 1)
AV ( RL || RC )

Re h11e RE ( 1)
51
1

(2 || 0, 2)

15,83 0, 6 51 0, 2
0,847

15

Gain en courant :

Ai

is vs / RL Re

Av
ig ve / Re RL
15,83
( 0,847) 67
0, 2

Rsistance de sortie :
On teint la source vg et on connecte la place de la charge RL un gnrateur de tension idal e f
qui dbite un courant i f . La rsistance de sortie vaut (voir figure ci-dessous) :

Rs

ef
if
R2

if

ib

ib

h11e

Rg

R1

ef

RC
RE

Rs1
La rsistance de sortie est donne par :

Rs Rs1 || RC
O Rs1 est dfinie par la relation suivante (cf. figure ci-dessous) :

Rs1

eh
ih

Rs

16

i ( 1)ib
R2

ih

ib

ib

h11e

Rg

eh

R1
RE
Rs1

Maille a :

( h11e ( 1) RE )ib Rg || R1 i 0

(4)

Loi des nuds au point C :

ih ( 1)ib i

(5)

eh R2 (i ib ) Rg || R1 i 0

(6)

Maille b :

Manipulations algbrique des quations (4-6) :

ib

ih

Rg || R1
h11e ( 1) RE

( 1) R1 || Rg
h11e ( 1) RE

i i

h11e ( 1)( RE R1 || Rg )
h11e ( 1) RE

i
Soit :

h11e RE ( 1)
ih
h11e ( 1)( RE ( R1 || Rg ))

h11e RE ( 1)

ih
h11e RE ( 1) h11e ( 1)( RE ( R1 || Rg ))
( R1 || Rg )
ib
ih
h11e ( 1)( RE ( R1 || Rg ))
ib

( R1 || Rg )

17
La relation (6) donne :

eh ( R2 ( Rg || R1 ))i R2ib

( R2 ( Rg || R1 ))(h11e ( 1) RE ) R2 ( R1 || Rg )

Rs1

h11e ( 1)( RE ( R1 || Rg ))

ih

eh ( R2 ( Rg || R1 ))( h11e ( 1) RE ) R2 ( R1 || Rg )

ih
h11e ( 1)( RE ( R1 || Rg ))

Et : Rs Rs1 || RC

Rs1

(80 0, 6 || 25)(0, 6 51 0, 2) 80(0, 6 || 25)


22,54k
0, 6 51(0, 2 0, 6 || 25)

Rs Rs1 || RC 22,54k || 2k 1,837k

VCC 18V

Exercice 6 :

6.8k RB1

On considre le montage amplificateur cascode de


La figure ci-contre.

I1

1) Calcul du point de fonctionnement de chaque transistor

5.6k

Loi des mailles :


+

Loi des nuds :


=
=

(2)
=

4.7k

I3

La combinaison des relations 2, 3 et 4 conduit au rsultat suivant :

IB2

Q2

IB1

Q1

+
=

1+

=
1

1+

I E1

RB3

(3)
(4)

+
+

IC2

(1)

RC

RB2
I2

1.8k

1.1k

RE

18

A.N.

6.8 5.6
18 0.7(1 + 4.7 + 4.7)

2
1.1
1
1.1
6.8 200 + 4.7 + 5.6 200 + 4.7 + 1.1

15.45
15.45
=
= 3.77
1.66 + 1.34 + 1.1
4.1

On peut procder dune faon plus pratique pour estimer le courant


bases ngligeables.

Diviseur de tension en entre :

A.N. :

+
+

4.7 = 4.9
18 (4.7 + 5.6)
=
= 10.8
6.8 + 4.7 + 5.6

4.395 0.7
= 3.8
1.1

Notons que lerreur nest pas trs grande.

La tension entre les bases vaut :

La tension

= 5.9

est obtenue partir de la relation :

+
+

en supposant les courants des

19
= 0.7 10.8 + 18 1.8 3.8 = 1.06

Paramtres petits signaux :

Schmas quivalents en dynamique du transistor :

ib

dynamique

ib

r
E
E
C
B

ib

ib

re r /
E

2)
Schma en dynamique :

Etage base
commune

Etage metteur
B1

ib1

C1

ib2 +

vi

Rp

ib1

r1

r2

Rp RB3 // RB2

dsigne la rsistance dentre et

la rsistance de sortie.

C2
+

vo1

Rc

vo
-

E1

Ri

ib2

E2

B1

Ro

20

Gain en tension de ltage EC :

1 entrane

26

26

Gain en tension de ltage base commune:

Gain de lamplificateur Cascode :

.
.

Rsistance dentre

26
= 6.8
3.8
= 1.36

10 265

A.N.

= (2.55||1.36) = 887

Le symbole || dsigne la mise en parallle.


Rsistance de sortie :
Schma pour le calcul de

ib2

i b1

is

ib2

vi

Rp

r1

Rp RB3 // RB2

ib1

r2

vo1

Rc

vo

vs

21
La rsistance de sortie est dfinie par :
Il est clair que
dessous :

= 0, ce qui entrane

= 0. Le circuit ci-dessus se rduit celui reprsent ci-

is
vo

Rc

vs

= 1.8

4)
Lamplificateur de la figure 5 peut donc tre reprsent par le circuit quivalent suivant :

Ro
vi

Ri

Avv i

dsigne le gain vide de lamplificateur (pas de charge).


En connectant la charge
= 10 , on obtient le schma :

ii
vi

Ro

Ri

RL

Avv i
=

Gain en courant :

A.N. :

io

= 265

/(
/

/(

0.887
20
1.8 + 10

22

Exercice 7 :
1 ) Etude en statique
Le schma statique de lamplificateur est reprsent ci-dessous :

18V

VCC

75

RC

IE1
IB1

IC2

Q1

Q2

RB
2M

IC1 IB2

Le transistor
est du type PNP et le transistor
pour chaque type du transistor.

IE2

du type NPN. Remarquez les sens des courants

Loi des mailles :

Compte tenu du fait que


suivante :

2, on peut rcrire la relation ci-dessus sous la forme

Soit :

)=

=
+

=
=

23

Remarquons que

. Le courant traversant la rsistance

A. N. :

18 0.7
= 4.45
2 + 140 180 75
=
=
= 140 4.45 = 0.623
=
= 180 0.623
= 112

vaut :

Loi des mailles :

A.N.

= 18 75 0.112 = 9.6

2)

Paramtres petits signaux des transistors :

Le paramtre hybride

du transistor

3) Schma en dynamique :
18V

VCC

75

RC

RB
2M

26

tant gal

v
o

Q1

vi

26

Q2

r1 i
b1
1ib1

vi R
B
Ri

r2
ib 2

RC v
o

2ib2 i
c
Ro

24

En liminant les sources de courant, on peut remplacer le schma ci-dessus par le schma
quivalent :

r1 i
b1
+

vi R
B

v
o

RC (
1 2 1 1)

Ri

r1

v
o

vi R
B

R C 1 2

Ri

Gain en tension et rsistance dentre :


Diviseur de tension :

Rsistance de sortie :

||(

Schma adopter pour le calcul :

r1

ib 1

is
1ib1

r2

RB

ib 2

r1

2ib2

vs

RC

ib 1

is
1ib1

r2
ib 2

2ib2

RC

vs

25

+ 1)

+ 1)

= 1/

La rsistance de sortie vaut donc :

Remarque :

||(

Le gain en courant de lamplificateur en court-circuit est de lordre de


(fort gain en courant) (
dmontrer).
Le gain en tension est proche de lunit (semblable celui du montage collecteur commun).
Notons que lamplificateur admet une trs faible rsistance de sortie.

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