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La mise au point et l'utilisation des semi-conducteurs est lie

la dcouverte du premier transistor :
Le mot vient de "transfer resistor", le transistor a t invent aux
Bell Laboratories en 1948 par Walter Brattain -John Bardeen et
William Shockley.
(tout les trois prix Nobel de physique en 1956, pour cette
dcouverte)

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Plan de la prsentation :
-Fabrication d'un composant
-Silicium
-Sciage
-Rectification
-Polissage
-pitaxie
-Oxydation
-Diffusion
-Implantation ionique
-Photogravure
-CVD
-Mtallisation
-EWS
-volution future

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FABRICATION D'UN SEMI - CONDUCTEUR

MAT
ERI
AUX

Silicium
FABRICATION

F
R
O
N
T
E
N
D

B
A
C
K
E
N
D

&
TESTS

ASSEMBLAGE
TRI & FINITION

TIRAGE
SCIAGE
RECTIFICATION
POLISSAGE

Oxydation
Photolithographie
Attaque chimique
Four diffusion ou
Implantation dions
Mtallisation
Test sous pointes

OBTENTION
PLAQUETTES

DETERMINATION
DES
CARACTERISTIQUES
DES PUCES

Dcoupe
Assemblage
Mise en botiers
Tri test
Marquage
Ctrl qualit final
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OBTENTION
DES PUCES
HABILLAGE
DES PUCES
CONTROLE
PRODUIT

Diffrentes tapes pour l'laboration d'un composant

Single crystal silicon

1.

Wafer Preparation
includes crystal
growing, rounding,
slicing and polishing.

2.

Wafer Fabrication
includes cleaning,
layering, patterning,
etching and doping.

3.

Test/Sort includes
probing, testing and
sorting of each die on
the wafer.

4.

Assembly and Packaging:

The wafer is cut
along scribe lines
to separate each die.

Wafers sliced from ingot

Metal connections
are made and the
chip is encapsulated.

Defective die

5.

Scribe line
A single die
Assembly

Packaging

Final Test ensures IC

passes electrical and
environmental
testing.

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PROCEDE DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR A T OURS

TIRAGE

SCIAGE

OXYDATION

PRINCIPALES OPERATIONS

RESINAGE

Des morceaux de silicium POLYCRISTALLIN

ultra-purs sont transforms en lingot monocristallin.
Cette activit reprsente 20 % du silicium utilis
Tours.
Le lingot est dcoup l'aide d'une scie diamante.
Les plaquettes obtenues peuvent tre rectifies ou
polies.
Il faut ensuite rendre la plaquette ractive. Comme
il est impossible d'oxyder qu'une seule partie de la
plaquette, elle est alors oxyde sur toute la surface.
Puis on retire les zones non dsires par un
procd de photogravure. Cette ouverture de zones
dans l'oxyde permettra la diffusion (dopage) future
des plaquettes.
La plaquette est ensuite recouverte de rsine
photosensible

INSOLATION

Un masque est pos sur la plaquette, afin d'en

cacher certaines parties. Seules les parties non
recouvertes par le masque vont ragir aux rayons
UV.

DEVELOPPEMENT

L'utilisation de rsine ngative fait en sorte que

seules les parties exposes aux UV (c'est--dire
non masques) rsistent au dveloppement

GRAVURE OU
ATTAQUE CHIMIQUE

Une gravure est effectue dans l'oxyde pour obtenir

son ouverture, ce qui permettra la diffusion
uniquement dans les zones choisies

RETRAIT RESINE

A prsent, la rsine restante tant devenue inutile,

elle est totalement retire.

DIFFUSION

La diffusion sert modifier les caractristiques

lectriques du silicium. On procde en premier lieu
unpr-dpt des impurets (oudopants) dans un
implanteur ionique ou dans un four diffusion.
Ensuite les impurets pntrent dans le silicium
une temprature de 1 180C (four de diffusion)
pendant une dure variant de 2 240 heures.
Ces tapes sont rptes jusqu' 20 fois avant la
mtallisation.

METALLISATION

Les diffrentes zones de la plaquette sont

recouvertes d'une couche de mtal afin de
permettre le contact lectrique entre le silicium de la
future puce et les connexions lors de la mise en
botier.

TRI SOUS POINTES

PROBING appel
aussi "EWS"

Toutes les puces de chaque plaquette sont testes

lectriquement afin de dtecter celles qui ne
rpondent pas aux caractristiques souhaites.

Oxydation

(vue de profil)

rsine
photosensible

Rayons U.V

Oprations
Effectues
4 25 fois

Puce obtenue aprs

dcoupage de la
plaquette

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SILICIUM
+ Grinding +
polissage

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Introduction Physique :

SILICIUM

masse atomique : 28g

: 2,33
proprits: densit
Z (nbre d'lectrons) :14

- Corps dur et cassant compos d'atomes arrangs en

cristaux lmentaires ( en forme de cubes )
- Lorsque tous ces cristaux lmentaires (cubes) sont
bien rangs dans toutes les directions ,on a ce que l'on
appelle un monocristal ( vs polycristal)

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Atome d'Uranium
92 lectrons-92 protons

Atome d'Hydrogne
1 lectron -1proton

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10

dimensions : diamtre lectron: 4 10-13 cm

proton : 3 10-13 cm
atome : 1 10-8cm (soit 1 A ou 0.1nm )
similitude : 1 bille de 2 cm de diamtre place en haut de
la tour Eiffel (reprsentant l'lectron) verrait le
proton reprsent par une bille de 2cm de
diamtre place l'aplomb et au pied.

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11

Taille des atomes:

B Bore
0.88A
Ga Gallium 1.26A
P Phosphore 1.10A
As Arsenic 1.18A

Sb Antimoine 1.36A

O Oxygne 0.66A
Al Aluminium 1.26A

Si Silicium
1.17A

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12

Cristal de Silicium.
Le silicium a une structure"diamant" ou cubique
faces centres.

5,43 A

atome de Silicium

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13

Cristal.
- arrangement priodique d'atomes lis entre eux par
partage ou change d'lectrons.
- un groupe d'atomes dont l'amnagement se reproduit
est la cellule lmentaire ou cristal

dfinition - a=constante du rseau (5.43A pour le Si)

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14

Plans cristallins:les 3 principaux plans dans cristal cubique

Historiquement c'est le Si (111) qui a t choisi le premier.

Mais pour des problmes de charges fixes d'interface entre Si et SiO2
(lies la densit d'atomes de Silicium par cm2: 30%plus leve
en (111) qu'en (100)), les composants de type MOS ont ncessit
le choix de Si (100) .
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15

laboration du Silicium :

- Le silicium utilis pour fabriquer les composants est par

ncessit de ultra haute puret: taux d'impurets
< quelques parties par milliard d'atomes de Si (qq. ppba )
- Les plaquettes sont ralises avec une orientation
particulire (plusieurs faons d'orienter les cubes)
- Les plaquettes comportent 1 mplat principal qui est une
rfrence d'orientation et il peut y avoir des mplats
secondaires pour le reprage du type de Silicium
( dop N ou P )

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16

Transformation globale

Transformation d'un
TAS DESORGANISE
de Silicium Ultra pur
( ORIGINE SABLE )

ENSEMBLE ORGANISE avec

RESISTIVITE DONNEE par divers
dopants:
PHOSPHORE qq. ppb
BORE

100 ppm
ARSENIC
FUSION Si : ~1420C

NECESSITE

MAITRISE DES GAZ

(TRES PURS)

ppm: partie par million

ppb: partie par milliard (billion)

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17

Squence complte de ralisation de plaquettes de Silicium

Procd lectrochimique (distillation et rduction)

E.G.S
Tirage monocristal
Sciage-polissage-rectif.

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18

Matriau de dpart
- Si polycristallin ultra-pur ( EGS)
impurets: qq. ppba soit < 1 1013 at./cm3
c'est le matriau le plus pur utilis couramment
sur terre
la mthode d'laboration est un procd
lectrochimique partir du sable
remarque : Cet EGS sert aussi la fabrication des tubes
et nacelles de four.

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19

Tirage Monocristal
but: avoir du silicium monocristallin avec 1 type
d'orientation bien dfini et de trs haute puret.
Ralisation partir du Si polycristallin ultra-pur
appel " EGS ": (Electronic Grade Polysilicon)
Mthodes de tirage:

2 techniques:
C.Z
- Czochralski
- Floating Zone F.Z
suivant orientation (111) ou (100)
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20

Czochralski"C.Z"

Tirage selon la mthode "Czochralski"

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FLOAT ZONE " FZ "

Tirage selon la mthode "Floating zone"

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23

Proprits des lingots

-FZ: tirage de lingots de haute puret,mais difficile
-CZ: tirage de lingots de silicium de puret moyenne,mais facile
- Dans CZ :prsence de beaucoup d'impurets non contrls:
surtout O2 et carbone ceci est du la nature mme du matriel
de tirage (four)
- la concentration en O2 est comprise entre 5 1017 et 1 1018cm-3
rem: la prsence d'O2 peut tre nfaste ou faste:
-en quantit faible, il y a un effet getter bnfique
-en quantit leve, il y a un effet de dislocation du
rseau cristallin qui peut crer des dysfonctionnement
des dispositifs fabriqus .
Mais il est trs difficile de la contrler facilement
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en gnral on dope le Si pendant le tirage

- Bore
pour type P
- Phosphore
- Arsenic
pour type N

partir de gaz : hydrures (B2H6 PH3 AsH3)

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SCIAGE
( + tombe de bord )

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But : ELABORATION plaquettes unitaires

- MISE A EPAISSEUR (souhaite)
Contrainte : perte de matire ( 50 % )

- MAITRISE du profil du bord des

plaquettes

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RECTIFICATION
(ou GRINDING)

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28

Rectification ou mise paisseur

BUT : - RETRAIT DES CONTRAINTES par Utilisation de
Meules diamantes

- UNIFORMATISATION ETAT SURFACE

et paisseur

- CONTROLE RUGOSITE
Amlioration
contraintes
et dfauts

- ATTAQUE CHIMIQUE ( Relchement

des contraintes )
Utilisation de HF/HNO3/H3PO4
- RECUIT thermique
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29

Traitement de la face arrire

- Utilisation du "Spin etcher" pour attaquer
chimiquement la face arrire des plaquettes
de Silicium ,avec:
des mlanges d'acide nitrique (HNO3)
d'acide fluorhydrique (HF) et d'acide
actique (CH3COOH),qui rendent la
surface plus ou moins polie.
- cette attaque permet en plus un relchement
des contraintes prsentes dans le Silicium

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POLISSAGE

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31

BUT

: SUPPRIMER LA RUGOSITE
avec la matrise des paramtres mcaniques

MOYEN : MECANO - CHIMIQUE

(Feutre + poudre d'Alumine + Potasse)
ou gel de silice

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32

Principe du polissage

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33

Dformation des plaquettes

dfinitions:
- paisseur

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34

- Bow: concavit due au sciage ou traitements

thermiques en m - mesure sur wafer "libre"

Bow

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35

- Warp: si 2 concavits (concave convexe) mesure

en m sur wafer "libre"

Le Warp varie comme

1/(paisseur des plaquettes)3

c.a.d plus l'paisseur des plaquettes est fine ,plus le warp peut tre important

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36

- brchures

brchure

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37

Rugosit de la surface des plaquettes:

- elle est caractrise par Ra ou Rz
Ra: rugosit moyenne sur une distance donne
Rz : tendue max.

Rz

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38

Tombe de bord

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39

Moyens de mesure:
-paisseur

comparateur mcanique
ou quipement capacitif MX203

-BOW
-Warp
-Ra (ou Rz)
-Dfauts visuels

MX203

profilomtre spcifique MAR

"pi lampe"

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40

En rsum : tapes pour l'obtention de plaquettes

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EPITAXIE (pour diminuer la rsistance srie

en fonctionnement des composants )
CROISSANCE DE SILICIUM PAR VOIE CHIMIQUE.
( SILANE (ou similaire)+ HYDROGENE + DOPANT )

EPAISSEUR ( 3 m
100 m ) et RSISTIVIT
CONTROLEES ET IMPOSEES PAR LE DISPOSITIF.

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41

42

C'est un process haute temprature o une couche

cristalline de Si est dpose sur un substrat orient
(111) ou (100)
La couche dpose est oriente comme le substrat
qui sert de germe.
SiH2Cl2 + H2

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43

Sources pour faire l'pitaxie

- SiCl4 silicon tetrachloride
- SiHCl3 trichlorosilane
- SiH2Cl2 dichlorosilane
- SiH4
silane

Raction typique:
SiCl4+2H2

Si+ 4 HCl

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44

Dopage des couches

- Les dopants utiliss sont les
hydrures: - B2H6
diborane
- PH3

phosphine

- AsH3

arsine

- Ils sont dilus entre 10 1000 ppm dans l'H2

- Le pourcentage dans la couche vs le pourcentage
dans le gaz porteur dpend de:
- temprature du substrat
- vitesse de dpt
- gomtrie du racteur
Nanmoins avec
- un bon contrle on arrive faire
des couches dont le dopage varie de
1.1014 1.1020 cm-3
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45

- Tous les dfauts proviennent: - contamination racteur

- prparation du substrat
- dfauts du substrat
d'ou beaucoup de prcautions dans la prparation
des substrats avec en gnral attaque HCl(1
5% dans H2) temp. > 1100C

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46

Rsum: Rsultats obtenus et dfauts inhrents l'pitaxie

Rem: la couronne d'pitaxie est d'autant plus importante si l'paisseur de couche pi est grande

Contrle de la rsistivit
et de l'paisseur
Substrat N+

Idal

Protubrances=pics d'pitaxie
ou cristallites facettes

Excroissance=couronne d'pitaxie

Rsistivit,paisseur

N+

Rel
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47

En rsum,proprits des plaquettes de Silicium

- paisseur
- TTV
- Rugosit
- Bow
- Warp
- Rsistivit
- Tombe de bord
- brchures
- Contraintes
- Dfauts cristallins
- Pics d'pitaxie
- Couronne d'pitaxie
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Retour

OXYDATION

THERMIQUE

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49

Oxydation
L'OXYDE de SILICIUM : QU'EST ce que C'EST ?
SiO2 = VERRE (structure amorphe)
c.a.d non cristalline

PROPRIETES :

- Transparent et color en couches

minces
- la couleur est fonction de
l'paisseur idem aux bulles de savon
( Avec la lumire = phnomnes
optiques).
- Isolant lectrique
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50

POURQUOI
-

Raliser une "carapace " de la plaquette

- Vis vis de l'intrieur
- Vis vis de l'extrieur
en vue aprs photogravure,de :
Protection des jonctions.

cran vis vis des diffusions ou implants

Il ne faut pas de trous; pas de rayures

sinon plus de masquage localement.

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51

COMMENT LE FAIT-ON ?
On diffuse de l'oxygne dans le Silicium
Remarque : Consommation de Silicium (environ 0.5 fois
l'paisseur finale de l'oxyde).
GAZ
utiliss

- H2 + O2 (vapeur d'eau )
- O2
- Mlanges base de O2 (ex : N2/O2 )

TEMPERATURE
950C

1280C

Attention : point de fusion du Silicium ~1420C

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52

- Quand du Si est expos l'air ambiant il y a raction avec

l'oxygne et formation d'une fine couche de SiO2
(couche native). On a environ:
aprs 5 mn
- 5A

- 20 A aprs 15 H
- 40 50 A aprs 1 an
- Par traitement haute temprature en prsence de O2
ou H2O on acclre le processus.C'est l' oxydation thermique
- utilise pour: - protger les jonctions (oxyde initial)
- enlever certains dfauts de surface
- masquer implant et diffusion "screen oxide"
Rem: les paramtres influents de l'oxydation sont:
temprature-temps-gaz

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53

La consommation de Si lors de l'oxydation est

eSi ~ 0.46 eox

eox = paisseur SiO2

Consommation de Si pendant oxydation

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54

Matriel
Entre des gaz
Rsistance chauffante

flux gazeux

support en carbure de Si

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55

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56

Four diffusion ou oxydation

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57

COMMENT LE MESURE T- ON ?
EPAISSEUR

- Couleur
Approximatif
- Nanospec : principe:Micro spectrophotomtrie
optique
- Ellipsomtre
Diffrence de chemin optique
de la lumire rflchie

- MEB (mesure de marches)

- Microscope optique(mesure de marches)
Contrles

Suivi SPC

=> Raction / Anomalie

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Nanospec

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59

CONTROLES (contamination particulaire)

Le contrle de plaques " sans motifs" plaques tmoins se
fait l'aide du " Surfscan "

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60

Particules

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Rappels des proprits des oxydes

objectif

61

contrles

1 pas de particules(fragilisation-photo-..)

- prventives quipements
- nettoyage matriel avec [Link]

2 pas de pollution alcaline (Na-K)

(instabilits,..)

caractrisation par Capa mos-SCA

3 pas de pollution mtallique

( caractristiques dgrads)

mesure de dure de vie

- Pour mieux matriser ces pollutions ,utilisation de chlore dans le gaz porteur (DCE)
(Dichloroethylene)

approximation:diffusion dans SiO2 ~ 1m/h 1000C pour Fe et Cu

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62

Proprits des oxydes (suite)

-lorsque l'on oxyde sur des zones dopes les coefficients de diffusion doublent tous les 40C
ce qui implique de respecter les tempratures d'oxydation pour viter entre autre
la remonte du substrat dans l'pitaxie (surtout pour des pitaxies fines ) et de trop modifier les
profils de diffusion raliss prcdemment,donc:

- Donc matrise des temps et temprature

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63

- Masquage mauvais pour les alcalins surtout Sodium(Na),et

Hydrogne
- Na cre des charges mobiles dans l'oxyde
instabilits de claquage des jonctions entre autre

Ordre de grandeur des coeff. de diffusion dans SiO2

Sodium Na

: ~ 1 10- 4 cm/s

Bore

: ~ 1 10-18 cm/s

Phosphore P : ~ 5 10-14 cm/s

Gallium Ga: ~ 1 10-12 cm/s

(~ 0.01m/h)
1100C
(~ 0.1m/h)

Hydrogne H : ~ 1 10- 5 cm/s

Rappel : ~2m/h 1100C pour Fe et Cu
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64

Principe de mesure de la dure de vie :

( Tours on utilise le PCD SEMILAB WT85)

- bas sur la dcroissance de la conductivit du Si

aprs illumination par un faisceau laser
- la dtection de cette dcroissance se fait par mesure
de rflectivit (R)d'onde dans la gamme des micro-ondes

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65

il y a donc 2 tapes importantes:

- clairage du Si par un pulse laser de = 905nm.
les photons mis ont une nergie:
W = h = hc/ = 1.37eV > gap du Si ( 1.1eV)
d'ou gnration de porteurs dans la zone de pntration
du laser (~ 25m),d'ou augmentation de la conductivit
du matriau en surface qui se rpartit rapidement en
volume
- si on mesure la rflectivit R d'une"micro-onde" on
montre que l'on a une variation de R en exp.(-t/)
tant la dure de vie des lectrons

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66

de la tangente l'origine on en dtermine (dure de vie)

Remarque : Plus

est lev ,meilleure est la dure de vie

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Mesureur de dure de vie WT85

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Retour

DIFFUSION

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69

POURQUOI ?
- Modifier la structure du Silicium
en crant des jonctions localises.

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70

JONCTION

: JUXTAPOSITION D'UNE ZONE P & N

DOPANT TYPE: P (accepteur d'lectrons)

Bore, Aluminium, Gallium
N (donneur d'lectrons)
Phosphore, Arsenic, Sb (Antimoine)

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71

COMMENT :
- Pr-dpt + recuit thermique ( temp. > 900C )
- IMPLANTATION IONIQUE ( A froid) : plus prcis
(permet comptage des atomes introduits )
+ recuit thermique

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72

Prdposition ou Implantation
dopant P:bore,Al,Ga ...ou implant

oxyde de Si

P
Si

zone dope P
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73

Redistribution (diffusion) ou Recuit

O2 ou H2O

oxyde de Si

P
N

Si

oxyde cr dans la fentre

zone dope P
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Four de diffusion ou oxydation

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74

75

PRINCIPE
On procde un pr-dpt des impurets (dopants)
- Dans un four de diffusion (GA2O3, BN, POCl3,
B2O3,AsGa)
- Dans un implanteur ionique (Bore, Phosphore, arsenic,
antimoine) partir d'atomes chargs lectriquement
et acclrs ( plusieurs KV )
Puis une diffusion ou recuit des impurets
prdposes
- A haute Temprature ( > 1000C )
- Gaz (N2, Ar,N2/O2,O2,H2O )
En gnral on oxyde simultanment ( en vue
d'une photo ultrieure )
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76

CS

CB

erfc(x) = 1 erf(x)
Prdposition de Bore : C(x,t) = Cs erfc ( x/ 2

Dt )

D : coefficient de diffusion
t : temps

erf (x) = 2/

-u

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du

77

CS

CB

Drive-in : C(x,t ) =CS exp. ( x/4Dt )

Cs variable

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78

Aprs Implant de bore: redistribution sous atmosphre neutre

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79

Aprs Implant de bore: redistribution sous atmosphre oxydante

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80

Aprs Implant de phosphore: redistribution sous atmosphre oxydante

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81

Prcisions sur les rfrences de dopants:

Pour les dopages de type P,on utilise
Bore(B) ou Gallium(Ga),ou Aluminium (Al)
remarque: l'azote N2 n'est pas utilis a cause de sa trs grande ractivit
chimique avec le Silicium (formation de nitrure ou SixNy )
Pour les dopages de type N,on utilise
Phosphore(P) ou Arsenic(As) ou encore Antimoine(Sb)
Prcision sur les vitesses de diffusion:
du plus lent au plus rapide:
As Bore Phosphore Gallium - (Sb non utilis a Tours) -Aluminium
rapide

lent

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82

Ordre de grandeur des vitesses de diffusion :

Coefficient D dans SiO2
cm/s

Coefficient D dans Si
cm/s

Bore B

1 10-18

2 10-13

Phosphore P

5 10-14

1 10-12

Arsenic As

--------

1.8 10-14

Gallium Ga

1 10-12

1 10-13

Aluminium Al

------

2 10-12

Remarque: plus le coefficient de diffusion est petit,plus la vitesse de diffusion est faible

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83

CONTROLE DIFFUSION
- V/I ; R/CARRE
- SPREADING RESISTANCE
qui mesure:
- Profondeur jonction
- Concentration ( Atomes / cm3 )
de dopant dans le volume du Silicium
- Warp
- Suivi SPC
- Taux de dfauts visuels
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Prometrics (pour mesure R

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84

85

Remarques sur le Warp

- principalement le warp intervient dans les process
thermiques
- effet cumulatif
ncessit wafers paisses..?
- tombe de bord et polissage rduction du warp
- thermiquement:entre sortie lente,ramping montedescente lent.
- concentration O2 faible,sinon trop de prcipits
et warpage.

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Retour

IMPLANTATION IONIQUE

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86

87

Implantation ionique
But: introduire un dopant spcifi dans du Si de
faon avoir:
- un bon contrle des impurets introduites en
quantit et profondeur
- une implantation dans des zones dfinies
- il doit tre possible d'activer lectriquement
les dopants introduits.( par traitement thermique )
- le rseau cristallin du Si doit tre conserv.

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88

Principe: C'est un process basse temprature dans

lequel les dopants(B,P,As...)sont ioniss et acclrs
des nergies suffisamment leves pour qu'aprs
impact sur la surface du Si,ils pntrent une certaine
profondeur.

L'implant est maintenant prfr/diffusion cause:

du meilleur contrle,et reproductibilit des
quantits de dopants et la profondeur obtenue.

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89

Rsum

application

Appellation des diverses machines:

- mdium current implanters: courant ~ 2 mA

Faible dose

- high current implanters: courant jusqu' ~ 30mA

Forte dose

et nergie de 10 160 KeV

- predeposition implanters: fort courant et nergie

Pr dpt

faible ~ 10 30 KeV

- high energy implanters: jusqu'a ~ qq. MeV

Grande profondeur
> 1 pour CI

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Implanteur ionique

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90

Retour

PHOTO-GRAVURE
PHOTO-GRAVURE

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91

92

BUT : - FAIRE DES OUVERTURES LOCALISEES.

DANS L'OXYDE DE SILICIUM.(jusqu'au Si).

Avec le plus souvent ,alignement d'un masque

par rapport des motifs dj existants.
Dfinitions: - dimensions critiques:
c'est sur un dispositif,le ou les niveaux, o les dimensions
reproduites doivent tre le plus proche possible des
dimensions sur le masque, rptitives et reproductibles
- slectivit:
c'est le rapport entre la vitesse d'attaque de la couche
graver versus la vitesse d'attaque de la couche
immdiatement en [Link] ex.: Si/SiO2
Or/Ni
Ni/Alu
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93

Photomask (Masque Photo)

- Plaque transparente de verre ou quartz couverte avec un film
opaque Chrome(en gnral), reprsentant le ou les motifs
reproduire.
- Ce masque est ralis partir de "pattern generator"
pour la cration des motifs,fonctionnant soit par
mthode optique,ebeam ou laser.
- Le dessin est numris par C.A.D
(computer aided design) et transfr en langage
machine du pattern generator.
-la plaque de verre recouverte de Chrome est elle mme
recouverte d'une couche de rsine photosensible.
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94

COMMENT LE FAIT-ON ?
- RSINAGE
- INSOLATION
- DEVELOPPEMENT
- GRAVURE
- RETRAIT RESINE

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95

RESINAGE
LA PLAQUETTE EST RECOUVERTE DE
RESINE PHOTOSENSIBLE ( par centrifugation )

CONTROLE :
MESURE EPAISSEUR:

- Nanospec
- DEKTAK
- TENCOR

mesure de
marches

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96

:
PHOTOGRAVURE
1- mise en rsine
rsine photosensible

support:SiO2-mta...

Si

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97

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98

INSOLATION

- ON PROCEDE A L'ALIGNEMENT ( Manuel ou Automatique)

D'UN MASQUE SUR LA PLAQUETTE, AFIN DE CACHER
CERTAINES PARTIES A CELLES-CI.

- SEULES LES PARTIES TRANSPARENTES DU MASQUE

VONT FAIRE REAGIR LA RESINE AUX U.V.
CONTROLE : - MESURE de l'nergie lumineuse
d'insolation(Cellules photosensibles aux UV)

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99

2- Insolation ( rsine ngative )

lumire UV

Chrome

motif a reproduire

masque photo
(verre + motifs en chrome)

rsine insole
(ngative)

support:SiO2-mta...

rsine n'ayant pas ragi avec la lumire

Si

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100

Machine d'alignement Canon PLA501

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101

DEVELOPPEMENT
LORSQU'ON UTILISE DE LA RESINE NEGATIVE, SEULES
LES PARTIES EXPOSEES AUX U.V (c'est dire : non
masques ) RESISTERONT AU DEVELOPPEMENT.
CONTROLES :
- MESURE DE DEFINITION
- SUR PLAQUETTE TEST AVEC MIRE ( microscope + mesure)
(Dimensions minimales d'ouverture que le process a pu raliser)

- VERIFICATION DES DEFAUTS

- BON DEVELOPPEMENT
( Microscope )
- ALIGNEMENT CENTRAGE ( Microscope )

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102

3- dveloppement
ouverture ralise
(dans la rsine)
rsine photo restante

SiO2
ou mta
Si

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103

Piste de
dveloppement SVG

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104

GRAVURE ou ATTAQUE CHIMIQUE

ON FAIT UNE GRAVURE ( Attaque chimique de la
couche d'oxyde ) POUR OBTENIR L'OUVERTURE DANS
L'OXYDE SiO2 (jusqu'au Si) QUI PERMETTRA LA
DIFFUSION ou L IMPLANT UNIQUEMENT DANS
LES ZONES CHOISIES.

CONTROLE :
MESURE COUCHE RESIDUELLE OXYDE DANS LES
" FENETRES "
NANOSPEC.
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105

4- gravure

Si nu

ouverture ralise

rsine photo restante

SiO2
ou mta
Si

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106

Bac de gravure "humide"

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107

Hotte de
Gravure
"humide"

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108

Semitool
(Rinage +
schage)

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109

RETRAIT RESINE
A PRESENT LA RESINE RESTANTE ETANT DEVENUE "
NUISIBLE " pour les tapes suivantes,
ON LA RETIRE donc totalement.

COMMENT ?
CARRO's, PLASMA O2 (sur SiO2) et 712D (sur mta)

CONTROLE :
VISUEL ( Epilampe ,microscope)

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110

Si nu

ouverture ralise

5- Stripping
(Retrait rsine)

SiO2
ou mta
Si

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Gravures

111

C'est une attaque slective localise d'un matriau

ou m/mn
- terminologie: - vitesse d'attaque en A/s
- slectivit isotropique-anisotropique
( c.a.d Matrise dimensionnelle)

- slectivit /couche sous-jacente et couche protectrice

y est appel "l'undercutting" qui varie avec la surattaque

x est appel "etch bias"
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112

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113

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Retour

114

C.V.D (Chemical Vapor Deposition )

- le CVD est dfini comme le dpt d'un film solide non volatil sur un
substrat par raction chimique en phase vapeur (forme des constituants du
film )
- une trs grande varit de films servant dans les
semi-conducteurs est utilise:
SiO2 Si3N4 SiPoly PSG etc.

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115

Explication sur les oxydes dops Bore ou Phosphore :

PSG: Phosphosilicateglass,verre dop phosphore utilis comme verre de passivation

sur les [Link] dopage phosphore a 2 applications:
- pigeage de l'humidit par le phosphore
- coefficient de dilatation plus proche du celui du silicium que le SiO2 pur,
pour viter les flures du verre lors des variations de [Link]
pourcentage de phosphore est choisi environ 8% en poids.

BPSG : borophosphosilicateglass,verre dop Bore + phosphore qui est utilis

comme verre de fluage:c.a.d ramollissement du verre temprature de
l'ordre de 900C pour planariser la surface des puces et attnuer le relief
existant aprs toutes les gravures SiO2 ou mtas.

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116

MOYENS de DPOT

- atmosphrique APCVD
- basse pression LPCVD

- basse pression + nergie lectrique ajoute

PECVD

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117

APCVD:

remarque: utilis pour dpt SiO2,PSG,BPSG

~350-450C

PSG :Phosphosilicateglass (verre dop phosphore)

BPSG:Borophosphosilicateglass (verre dop phosphore et bore) pour le fluage du verre
planarisation du produit
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118

LPCVD:

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119

Remarques:
- pression de travail 0.25 2 Torr
tempratures 550 600C

- utilis pour dposer SiPoly,Si3N4,SiO2,PSG,BPSG et W

- pompage : pompe primaire + pompe Roots
Inconvnients: faible vitesse de dpt et relativement
hautes tempratures.

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120

PECVD (Plasma enhanced CVD)

- LPCVD + cration d'un plasma ractif
on peut travailler temp plus basse que APCVD
ou LPCVD.

- principale application:
dpt SiO2 ou Si3N4 sur mtaux

Principe du "Novellus"
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121

Caractristiques et applications des racteurs CVD

APCVD
( Basse temprature )

LPCVD

AVANTAGES

INCONVENIENTS

APPICATIONS

-Racteur simple
-Vitesse de dpt
rapide
-Basse temprature

-Mauvaise couverture
des marches
-Contamination
particulaire

-Oxydes basse temprature

-Excellente puret,
uniformit, bon passage
des marches

dops ou non dops

-Oxydes haute temprature

(dops ou non dops)
-Faible vitesse de dpt -nitrure de Si SiPoly
-Haute temprature

-Grande capacit

PECVD

-Faible temprature
-Dpts rapides
-Bonne couverture
des marches

-Contamination
particulaire

-Basse temprature
-Dpts d'isolants sur
mtal
-Passivation mtallisation

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122

Rsum des gaz utiliss en CVD:

Commentaires
peut tre dop "in situ"
(Si poly dop Bore)

Mauvaise couverture marches

Bonne couverture marches
Source liquide suit le relief
Suit bien le relief

PSG
PSG
BPSG fluage basse temp.
BPSG fluage basse temp.
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123

Contrles associs aux couches dposes par CVD:

-paisseur et uniformit

Nanospec

- % de Phosphore
dans la couche de SiO2 (PSG)

Biorad

-particules incluses ou
dposes

Surfscan

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124

Passage des marches:

Schmas:
dpt CVD

dpt CVD

Si ou SiO2
Si ou SiO2
oxyde ou mta

Coupure de la couche CVD

Mauvais passage de marche

oxyde ou mta

Passage de marche correct

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125

Proprits et caractristiques des couches de passivation

Les couches organiques peuvent tre utilises pour la passivation finale sur
les mtallisations (le plus souvent) ou pour les isolations entre diverses couches
de mtallisation superposes
-Ces couches peuvent tre photosensibles (durimide,bcb),c.a.d. que l'on
peut faire directement une insolation travers un masque et dvelopper
comme une rsine photosensible
-ou, non photosensibles (polyimide) c.a.d. que l'on doit faire le process
complet de photogravure (rsinage,insolation,dveloppement,gravure,stripping)
-il faut citer aussi la "glassivation" utilise sur les produits "mesa" qui comprend
les tapes de "spin","frittage" et grattage du verre en excs.
# ce verre dpos par spinning est une autre forme de passivation des jonctions.

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Retour

METALLISATION

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126

127

BUT :
-IL S'AGIT DE RECOUVRIR CERTAINES ZONES

DE LA PLAQUETTE D'UNE COUCHE DE METAL.

-AFIN DE REALISER L'AMENE DE COURANT ELECTRIQUE ENTRE

LES CONTACTS SUR LE SILICIUM DE LA PUCE ET LES

CONNEXIONS DU BOITIER .
ou
-REALISER LA BARRIERE METALLIQUE POUR LES DIODES SHOTTKY
ou
-REALISER LA COUCHE METALLIQUE POUR DOPAGE DES DIODES
REDRESSEURS (Diodes rapides): Or ou Platine

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128

1 - METALLISATION: aprs dpt

Mtal

SiO2

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129

2 - METALLISATION: aprs photo

Mtal

SiO2

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130

COMMENT :
- EVAPORATION SOUS VIDE
- PULVERISATION CATHODIQUE

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131

EVAPORATION
- ENCEINTE SOUS VIDE (pour avoir la condensation de
mtal sur les plaquettes ) vide de 5 10-7 1 10-6 Torr

- CREUSET DU METAL A DEPOSER amen en

fusion par:
- Effet joule

- Canon lectron

- PLANTAIRES
- Coupoles recouvertes de plaquettes
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132

Canon lectrons et Effet joule

chauffage effet joule

principe:

Canon lectron

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Canon lectrons multi creusets

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133

134

PULVERISATION CATHODIQUE
- ENCEINTE SOUS VIDE ( vide de ~ 1 10-7 Torr )
- CREATION D'UN "plasma"

{dcharge lectrique dans un gaz (Argon )

sous vide partiel de 1 10-3 5 10-2 Torr}

- BOMBARDEMENT D'UNE PLAQUE DE

METAL A DEPOSER PAR DES IONS
(ARGON PUR).
- Principe similaire au billard

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135

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136

Sputterer clipse

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137

METAUX utiliss:
- Aluminium; Nickel; Or; Titane; Argent;Platine;Chrome;Cu
(Tungstne - Titane 10%).etc..

CHOIX DES METALLISATIONS

- ADHERENCE SUR Si OU SiO2 ( indispensable )
- IMPERATIF DE DIMINUER LA RESISTANCE DE CONTACT
lectrique ( Dissipation de puissance perdue en chaleur)
Aluminium ou Titane
- IMPERATIFS / ASSEMBLAGE ( B.E )
- Contact bras impose NICKEL( recouvert d'Or pour protger
contre l'oxydation)
- Contact par fil : Alu ou argent (ball Bonding ou Ultra-Sons)
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138

Choix des mtaux :

- Pour les barrires Schottky on utilise: PtNi - Ni - Ti en fonction du b choisi.
avec des recuits adapts pour former la barrire
- Pour la rduction de la dure de vie des porteurs minoritaires on utilise :Or ou Pt
avec les contraintes propres l'or et Pt (contaminations de la Fab)
- Pour les mtas traditionnelles on utilise :Ti-Ni-Au ,Al-Ni-Au ,Al 6 ou 10,
Cr-Ni-Au,ou encore Or pour eutectique FAR
avec des recuits adapts pour amliorer les contacts lectriques
sur le Silicium ( Contacts ohmiques )

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139

Rappel :Passage des marches de la mta:

Schmas:
mta

mta

Si
Si
oxyde

Coupure de la mta

Mauvais passage de marche

oxyde

Passage de marche correct

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140

Recuit mtallisation
Aprs les oprations de mtallisation,il peut y avoir une squence
de recuit suivant des conditions variables
1 recuit 350 450C
but: amliorer le contact lectrique entre le mtal et Si
par ex.:Alu et Si ou Or et Si
2 recuit 350 650C
but: former un alliage entre la couche barrire et le Si
par ex.:Ni PtNi Ti etc.
pour la fabrication de la barrire des diodes Schottky
3 recuit 350 950C
but : crer une source dopante mtallique et effectuer
la diffusion du mtal
par ex : Or ou Pt
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141

CONTROLES
MESUREUR DE MARCHE ( DEKTAK; TENCOR)

V / I (mesure des 4 pointes):Prometrics

FISCHERSCOPE ou similaire (QUANX)
(mesures par rflexion de rayons X)
Particulaire (Surfscan)

Rflectivit

( Nanospec)

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Quanx

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142

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EWS (Probing ou Tri sous pointes)

- Lorsque toutes les oprations de fab sont finies,avant d'envoyer
les plaquettes l'assemblage ( Back-end ),on effectue un test
lectrique de chaque puce .
- Pendant ce test on effectue un encrage des puces non conformes aux
paramtres lectriques souhaites ,ce qui permet de n'assembler que
les puces "bonnes" (lectriquement parlant)

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143

144

- Les oprations sont effectues l'aide de machines automatiques

comportant des sries de pointes venant prendre contact sur chaque
puce. Des gnrateurs de courant ou tension permettent de raliser
les diverses mesures en un temps trs court ([Link]).

- A l'EWS il est aussi possible de raliser des tests paramtriques

qui aident "l'engineering device" corrler les mesures et rendements
obtenus avec les paramtres physiques et lectriques obtenus en fab
et ainsi qualifier ou amliorer les process.
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volutions futures de la technologie

L'volution des technologies ont ncessit l'utilisation de fonctions des
composants lectroniques de plus en plus complexes .Les principaux
axes ont t ,le calcul et la mmoire , afin :
d'augmenter la capacit de stockage des infos (mmoires)
et la capacit de calcul ( microprocesseurs ) et d'automatisation
( microcontrleurs ).
.
pour ce faire,la technologie de fabrication a t amene
miniaturiser au maximum la surface des puces et les dimensions
pour en augmenter leur complexit:
ce qui a entran tout d'abord des progrs en photolithographie
et gravure.(motifs < 90 nm ou 0.09 m aujourd'hui )
et pour augmenter la productivit ,il a t ncessaire d'augmenter
le volume de production: utilisation de plaquettes de + grand diamtre
on arrive actuellement 300 mm (12").
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145

146

PHOTOLITOGRAPHIE :

Le but est de rduire les dimensions gomtriques sur les masques

utiliss en photolithographie.
Mais comme la reproduction des masques utilise les proprits photochimiques
des rsines et la lumire d'insolation,il apparat des anomalies optiques:
diffraction de la lumire

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147

Les 3 types de machines utilises pour la photo sont les suivantes:

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148

Phnomnes d'optique
- diffraction

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149

Rsultats thoriques:

- en contact

la rsolution limite est donne par

x~1.5( .e res /2)1/2

et 1m de resist
ainsi pour ~4000A
x~0.8m

e res =paisseur resist

- en proximit

la rsolution limite est donne par

x~1.5( .[s+e res/2])

1/2

s =espacement de 10 20m

ainsi on a x~4m

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150

Si maintenant on utilise des moyens optiques de projection d'image

( lentilles ou miroirs ); on arrive aux rsultats suivants:

- en projection on a x=0.61 /NA x sur la plaquette

ainsi x~0.30m pour =2800 et NA~0.5

on voit ainsi qu'en jouant sur la ou NA on peut atteindre des

dimensions trs petites
Mais faut-il encore que les rsines photo soient adaptes

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Il existe 2 types de rsines:positives et ngatives:

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151

152

Les rsines < 0 sont prfres pour leur qualit, de cot, d'adhrence
sur Si ou SiO2,mais leur problmes est leur faible rsolution.
On a donc t amen utiliser des rsines >0 qui beaucoup plus
onreuses mais ont une excellente rsolution.
Dans les machines performantes projection ,stepper ou scanner
seules sont utilises les
rsines positives
NB: la ralisation des masques a du aussi voluer:
utilisation sur ces machines de "master" rticuls
Il faudra aborder aussi le problme des gravures diverses
( oxyde et mtallisation )

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153

Schma de principe d'un stepper rduction d'image

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154

Stepper photo

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155

Gravures sches

avec gravure humide il y a ncessairement "undercut"

Pour les nouvelles gomtries ~ et << 1m on veut des
gravures anisotropes.(qui respectent la cote)
la faon de raliser ces gravures est d'utiliser des
machines "plasma" avec des gaz ractifs

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Phnomnes apparaissant avec les gravures

chimique

sche

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Gravure sche ractive

RF

Entre de gaz
ractif

Gnrateur RF

plasma

Gaz ractif (par ex. SF6)

X+

pompage

Plaquettes de Si
graver
Ion acclr par le champ lectrique qui vient roder et ragir avec
la surface graver en formant des corps volatils
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Diffrents gaz utiliss pour les gravures sches

Attention la slectivit couche graver/ couche sous jacente
la slectivit / masque de rsine photosensible
- SF6
- CHF3+ SF6+He
- BCl3+ Cl2
- HCl +Cl2
- O2

gravure Si3N4
gravure SiO2
gravure Al
gravure SiPoly
retrait rsine

Dtection de fin d'attaque:

-systmes optiques qui stoppent la fin de gravure
-attention la tenue du masque (rsine) lors de la gravure
traitements thermiques plus importants/gravure chimique

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volution du matriel
- machines contact
- machines proximit 10 20m de sparation
- machines projection 1:1
- projection 10:1 ou 5:1 avec step and repeat (steppers )
- projection 5:1 avec step and scan
volution future du matriel
- ebeam exposition ass~10
- Xrays exposition ass~8 20

pour dimensions
<0.01m
non utilis en production

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