COURS DE SOUTIEN AUX TPs PHYTEM COMPOSANTS ELECTRONIQUES A BASE DE SEMICONDUCTEURS E.
DELEPORTE (7 cours de 2 heures)
PLAN DU COURS
CHAPITRE I : Etats quantiques de llectron dans un solide cristallin : structure de bandes
1) Discussion qualitative partir du systme 2 niveaux 2) Modle de la chane linaire de N atomes : introduction de la relation de dispersion et des fonctions de Bloch 3) Mtaux, isolants, semiconducteurs (remplissage des bandes, nergie de gap) 4) Introduction la masse effective
CHAPITRE II : Semiconducteurs intrinsques et extrinsques
1) Semiconducteurs intrinsques. Densit de porteurs lquilibre thermodynamique 2) Semiconducteurs extrinsques : donneurs/accepteurs, densit de porteurs lquilibre thermodynamique (dfinition des rgimes extrinsque, de saturation, intrinsque)
CHAPITRE III : Proprits de transport dans les semiconducteurs
1) En labsence de champ magntique. Mobilit, conduction lectrique (modle de Drude) dans un semiconducteur intrinsque et dans un semiconducteur extrinsque 2) En prsence de champ magntique : magntorsistance et effet Hall, dans un semiconducteur intrinsque et dans un semiconducteur extrinsque a) Un seul type de porteurs b) Deux types de porteurs
CHAPITRE IV : Jonction p-n
1) A lquilibre thermodynamique : zone de charge despace 2) Hors dquilibre, sous polarisation directe et sous polarisation inverse : caractristique de la diode (loi de Schockley) 3) Diverses proprits: - capacit de la jonction - effet de claquage (Zener, avalance) - temps de recouvrement 4) Photodiode : principe de fonctionnement
CHAPITRE V : Opto-lectronique
1) Ordres de grandeurs concernant les principaux composants optolectroniques et leurs applications (capteurs, metteurs de lumire, disques optiques, fibres optiques) ; dfinition des besoins (laboration du cahier des charges dans chaque type dapplication envisage) 2) Interaction electron/photon dans un semiconducteur (absorption fondamentale, mssion spontane, mission stimule) 3) Photodiode : - rappels sur le principe de fonctionnement - rendement - frquence de coupure - optimisation du composant (photodiodes rapides pin) 4) Cellules solaires : - Principe de fonctionnement - rendement - optimisation du composant 5) Diode lectroluminescente - Principe de fonctionnement - rendement - frquence de coupure - brillance - optimisation du composant - couplage une fibre optique (introduction de louverture numrique dune fibre) 6) Diode laser - Principe de focntionnement - gain - distribution spectrale du rayonnement (mode, cart entre les modes) - distribution spatiale du rayonnement - courant de seuil - frquence de coupure - optimisation du composant - comparaison avec les lasers conventionnels
CHAPITRE VI : Camra CCD
1) Principe de la capacit MOS, stockage des charges 2) Principe du transfert de charges
BIBLIOGRAPHIE
Henry Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques 2me cycle, coles dingnieurs, chez Dunod Henry Mathieu, Thierry Bretagnon, Pierre Lefebvre : Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, problmes rsolus 2me et 3me cycles, coles dingnieurs chez Dunod Sextant : Optique exprimentale chez Hermann C. Hermann, B. Sapoval : Physique des semiconducteurs Cours de lEcole Polytechnique Chez Ellipses C . Cohen-Tanoudji, F . Lalo, B. Diu : Mcanique Quantique Didier Dangoisse, Daniel Hennequin, Vronique Zehnl-Dhaoui : Les lasers, cours et exercices corrigs 2me cycle, coles dingnieurs chez Dunod
TRANSPARENTS
CHAPITRE I
ETATS QUANTIQUES DE LELECTRON DANS UN SOLIDE CRISTALLIN : STRUCTURE DE BANDES
Tableau priodique des lments
I-1) Discussion qualitative
Systme 2 niveaux
Variation spatiale du potentiel auquel est soumis llectron.
La leve de dgnrescence du niveau fondamental se traduit par lapparition de deux niveaux dnergie distincts
I-2) Chane linaire de N atomes
Variation spatiale du potentiel auquel est soumis llectron.
La leve de dgnrescence se traduit par lapparition de bandes dnergie
I-3) Mtaux, isolants, semiconducteurs A temprature nulle
Mtal
Isolant
I-3) Mtaux, isolants, semiconducteurs Fonction de Fermi-Dirac
m: potentiel chimique
I-3) Mtaux, isolants, semiconducteurs Remplissage des bandes T=0
E
Trait vert: densit dtats
Trait bleu: distribution de Fermi-Dirac
Zone hachure: tats occups
Mtal
Isolant
I-3) Mtaux, isolants, semiconducteurs Remplissage des bandes T0
E
Trait vert: densit dtats
Trait bleu: distribution de Fermi-Dirac
Zone hachure: tats occups
Mtal
Semiconducteur
Isolant
CHAPITRE II
SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES ET EXTRINSEQUES
II-2) Semiconducteurs extrinsques Donneurs
Atome de Phosphore dans un rseau de Si (chaque point noir reprsente un lectron). Dans la structure de bandes, le niveau donneur est situ en-dessous de la bande de conduction
Accepteurs
Atome de Bore dans un rseau de Si (chaque point noir reprsente un lectron). Dans la structure de bandes, le niveau acepteur est situ au-dessus de la bande de valence
II-2) Semiconducteurs extrinsques Variation du nombre de porteurs dans un semiconducteur de type n en fonction de la temprature
CHAPITRE III
PROPRIETES DE TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS
III- 1) En labsence de champ magntique
Rsistivit
III-2) En prsence de champ magntique
Effet Hall
CHAPITRE IV
JONCTION P-N
IV-1) A lquilibre thermodynamique Niveaux dnergie dans 2 cristaux de type n et p loigns
Les zones hachures indiquent les tats lectroniques remplis, les ronds noirs reprsentent les lectrons et les ronds blancs les trous.
IV-1) A lquilibre thermodynamique Charge despace
IV-1) A lquilibre thermodynamique RECAPITULATIF
Profil de dopage
Charge despace
Charge despace pour une jonction abrupte
Potentiel
Bandes dnergie
Champ lectrique
IV-2) Hors dquilibre Profils de bandes pour une jonction p-n polarise
IV-2) Hors dquilibre Caractristique courant/tension
IV-2) Hors dquilibre Loi de Schockley
IV-3) Diverses proprits Effet de claquage
IV-3) Diverses proprits Rponse dune jonction p-n aux transitoires
IV-4) Photodiode Principe de fonctionnement
CHAPITRE V
OPTO-ELECTRONIQUE
V-1) Ordres de grandeur
V-1) Ordres de grandeur Spectre de transparence des fibres optiques
V-3) Photodiode Principe de fonctionnement
V-3) Photodiode Optimisation du composant Diodes rapides: photodiode p-i-n
V-4) Cellule solaire Principe de fonctionnement
V-4) Cellule solaire Optimisation: cellules solaires multicolores
V-5) Diode lectroluminescente
Diagramme nergtique dune jonction p-n Principe de fonctionnement
V-5) Diode lectroluminescente
Schma du composant diode lectroluminescente Principe de fonctionnement
V-5) Diode lectroluminescente Spectre dmission de diffrents alliages
V-5) Diode lectroluminescente
Brillance (distribution spatiale de lmission)
Loi de Lambert : B= B0cosa
V-5) Diode lectroluminescente Optimisation du composant: encapsulage
V-5) Diode lectroluminescente Optimisation du composant
V-6) Diode laser Principe de linversion de population
Laser 4 niveaux
Dans les semiconducteurs, bandes dnergie
V-6) Diode laser
Principe de fonctionnement
V-6) Diode laser Phnomne de rabsorption
V-6) Diode laser
Spectre de lmission spontane/spectre de lmission stimule
I (arb. Units)
Emission spontane
Emission stimule
E-Eg
V-6) Diode laser Distribution spectrale du gain et des pertes
V-6) Diode laser
Distribution spectrale du rayonnement, modes
V-6) Diode laser Distribution spatiale de lmission
V-6) Diode laser Courant de seuil
V-6) Diode laser Optimisation de la structure: laser htrojonction
CHAPITRE VI
CAMERA CCD
PRI NCIPE DE LA CAPACITE MIS (Mtal-Isolant-Semiconducteur)
MECANISME DU TRANSFERT DE CHARGE
REPRESENTATION SCHEMATIQUE DUN CAPTEUR CCD
