Semiconductores

M.I Guillermo Hernando Garca Rocha

EL ATMO
El tomo la parte mas pequea de un elemento, la cual sigue conservando las caractersticas principales del mismo.

Se encuentra formado por protones, neutrones as como electrones, estos ltimos sern los que determinen si un material es conductor, aislante o bien un semiconductor.
Los electrones se encuentran girando alrededor del ncleo, con mismo valor de carga cada uno de ellos, el nmero mximo de electrones estar dado por la formula 2(n)2 , donde (n) es el numero de orbita.

CONDUCTORES
Los materiales conductores son aquellos cuya caracterstica principal, es la de poseer de 1 a 3 electrones de valencia. Estos materiales se caracterizan por tener baja resistencia al paso de la electricidad. Su coeficiente de temperatura es positivo. El material conductor mas empleado en la industria es el cobre.

AISLANTES
Un material aislante es aquel que posee 5 o mas electrones de valencia. No conducen la corriente elctrica, los tomos no ceden ni captan electrones.

Algunos materiales aislantes son el plstico, la goma, la cermica entre otros.

SEMICONDUCTORES
Son aquellos materiales los cuales su caracterstica principal, es la de ser conductores o aislantes, todo depender de la temperatura a la cual se encuentren. Posen un coeficiente de temperatura negativo, es decir al aumentar la temperatura, aumenta la capacidad de conduccin. En su capa de valencia, contienen 4 electrones, por lo tanto en un material de este tipo se realizan enlaces covalentes, es decir los electrones de valencia se comparten. En el enlace covalente tendremos 8 electrones de valencia, por lo cual diremos que tenemos un elemento qumicamente estable. Los materiales semiconductores mas empleados, para la elaboracin de dispositivos electrnicos, son el silicio y el germanio, el primero con numero atmico 14 y el segundo numero atmico 32.

ESTRUCTURA DE SEMICONDUCTORES
Para poder elegir un elemento como semiconductor, se tienen que tener en cuenta ciertos factores: 1. La cristalinidad: Es un factor esencial, dependiendo de la cristalinidad se podr ejecutar un mtodo u otro para extraer y utilizar el elemento. La cristalinidad se refiere a la disposicin que tienen los tomos en la estructura cristalina. El silicio se puede encontrar en tres estados cristalinos: monocristalino, policristalino y amorfo. 2. Absorcin: Nos referimos al coeficiente de absorcin que tienen los elementos sobre la luz, o mejor dicho, sobre unas longitudes de onda. Si un material dispone de un coeficiente pequeo significar que tiene poca absorcin. Por esto, las clulas de silicio cristalino tienen un espesor considerable, porque su coeficiente no es elevado. 3. El costo: Por supuesto, tenemos que tener en cuenta este factor. Siempre estar estrechamente relacionado con la extraccin del material, su manipulacin, los mtodos para purificarlo, etc.

TIPOS DE SEMICONDUCTORES

Existen dos tipos de semiconductores, los intrnsecos as como los extrnsecos, los primeros son aquellos materiales totalmente libres de impurezas, es decir solo la estructura cristalina pura, en este caso al momento de incrementar la temperatura al material, solamente tendremos un reacomodo de electrones y huecos.

Mientras que en un material extrnseco, adems de tener la estructura pura del cristal se le agregan ciertas impurezas, para as de esta manera controlar el flujo de electrones o huecos, este tipo de materiales se subdividen en tipo N y tipo P.

N. Es aquel material extrnseco es cual estar dopado con tomos que cuenten con 5 electrones de valencia, para que entonces al haber enlaces covalentes con la estructura del cristal, ya sea de silicio o germanio, tengamos un electrn que se encuentre fuera del contexto, esperando alguna excitacin para fluir., (antimonio, arsnico o fosforo). P. Es aquel material extrnseco dopado con tomos que cuenten con 3 electrones de valencia, al realizarse el reacomodo, tendremos huecos que son la ausencia de un electrn , (boro, galio e indio).

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
Diodo: este dispositivo electrnico, tiene la finalidad de conmutacin, es decir estar o normalmente abierto o cerrado, este se encuentra formado de 2 materiales uno de tipo N y otro de tipo P, as pues sus partes son conocidas como nodo y ctodo. Tambin consta de una zona denominada de deplexion, la cual habr que romper, para que la conduccin se pueda realizarse.

DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE

Nota: un diodo no polarizado tiene una zona de deplexion en la unin P-N, los iones de esta zona producen una barrera de potencial, a temperatura ambiente esta barrera de potencial es de aproximadamente 0.7V para un diodo de silicio y de 0.3V para un diodo de germanio.

USOS DEL DIODO

Un uso importante del diodo, es la de rectificar seales de corriente alterna en seales de corriente directa, la cual esta en funcin de su conduccin en polarizacin directa y la de no conduccin en inversa.

RECTIFICADOR MEDIA ONDA

RECTIFICADOR ONDA COMPLETA

RECTIFICADOR ONDA COMPLETA

USO DIGITAL DEL DIODO

En el rea de la electrnica digital el diodo tiene un papel fundamental, esto es en la construccin de puertas lgicas as como dispositivos llamados flip-flop (bascula). Las puertas lgicas son las clulas elementales de memoria ,existen diversas, pero su finalidad es la misma, la de almacenar informacin binaria en dos estados a travs del tiempo, 1 y 0.

PUERTA LOGICA OR

COMPUERTA OR

PUERTA LOGICA AND

PUERTAS LOGICAS

FLIP-FLOP
Operador lgico biestable, es decir que tiene dos estados estables de funcionamiento, para pasar de un estado a otro es necesario aplicarle al circuito una o varias seales de mando.

EL TRANSISTOR BJT
Es un dispositivo electrnico, es cual su funcin principal es la de conmutar al igual que el diodo, y la de amplificar seales. El transistor consta de tres partes, la base, el emisor y el colector, pueden ser de dos tipos PNP y NPN.

TRANSISTOR

DIODO

REGISTRO DE ALMACENAMIENTO
Los flip-flops son memorias de almacenamiento de un bit, a partir de ellos resulta evidente que n flip-flops se puede almacenar una informacin de n bits. La combinacin de varios circuitos flip-flops ya sean de tipo S-R, D, o JK, capaz de almacenar una informacin digital de n bits recibe el nombre de registro de almacenamiento.

FIBRA PTICA
Toda fibra ptica en telecomunicaciones consta de tres capas concntricas: el ncleo, el recubrimiento y el revestimiento. Las dos primeras tienen distintos niveles de refraccin, donde el mayor es el del ncleo, lo que garantiza que acte como un conductor de las ondas de luz. El ndice de refraccin se calcula al dividir la velocidad de la luz en el vaco (cerca de 300 mil Km/s) entre la velocidad de la luz en el medio. El principio de operacin de la fibra ptica consiste en hacer incidir un haz de luz en el ncleo en cierto ngulo, para que la luz rebote entre el revestimiento y el ncleo, efecto conocido como Reflexin Interna Total. Dado que el recubrimiento no absorbe la luz existente en el ncleo, el haz puede transportarse a grandes distancias. La cantidad de luz que se puede inducir en el ncleo, es directamente proporcional a la eficiencia de la fibra ptica, es decir: a mayor cantidad de luz, menor ndice de prdida de informacin, ya que llega ms luz al destinatario. La atenuacin, o prdida de la seal, deriva de dos causas: el ndice de absorcin de luz que tenga el material que compone la fibra ptica y su pureza. La absorcin reduce la energa en la seal, por lo que puede no llegar completa al destino; mientras que un material impuro desviar la luz de su camino entre el ncleo y el recubrimiento. Sin embargo, otro factor que impacta el rendimiento de la fibra es la longitud de onda del haz de luz, que se mide en nanmetros (nm), o mil millonsima de metro, siendo las longitudes de onda ms comunes 780, 850, 1300, 1550 y 1625 nm.

TIPOS DE FIBRA PTICA

Fibra ptica de vidrio. Tiene el menor nivel de atenuacin y tanto el ncleo como el recubrimiento implican una alta pureza ptica, por estar fabricados de dixido de silicio o de cuarzo fundido. Para incrementar los ndices de refraccin, se mezcla con algunas impurezas de germanio, titanio o fsforo; tiene el costo ms elevado. fibra ptica de plstico. Tiene la atenuacin ms alta de todos los tipos de fibra, por lo que se recomienda para redes de corta distancia. El ncleo est hecho de plometilmetacrilato (PMMA) recubierto de un fluoropolmero, adems de que su proceso de fabricacin es ms barato. Fibra ptica de plstico silicio (PCS). Su atenuacin se ubica entre la fibra ptica de vidrio y la de plstico. El ncleo es de vidrio y el recubrimiento de un polmero plstico con menor refraccin. Por su estructura, es ms difcil la instalacin de conectores en este tipo de fibra, lo que la hace la menos popular de las tres.

Gracias por su atencin.

M.I. Guillermo Hernando Garca Rocha.