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Memorias ROM: Subtítulo

El documento detalla la arquitectura y tipos de memorias ROM, incluyendo PROM, EPROM, EEPROM y FLASH, así como sus características y aplicaciones. Se describe la estructura de la ROM como un circuito combinatorio y se explican los procesos de programación y borrado de cada tipo de memoria. Además, se menciona la realización de prácticas en laboratorio de electrónica relacionadas con estas memorias.

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Memorias ROM: Subtítulo

El documento detalla la arquitectura y tipos de memorias ROM, incluyendo PROM, EPROM, EEPROM y FLASH, así como sus características y aplicaciones. Se describe la estructura de la ROM como un circuito combinatorio y se explican los procesos de programación y borrado de cada tipo de memoria. Además, se menciona la realización de prácticas en laboratorio de electrónica relacionadas con estas memorias.

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Memorias ROM

Subtítulo
Memorias ROM
Sesión 1
2.1 Arquitectura de la ROM
2.2 Diagrama de tiempo de lectura de una ROM
2.3 Memoria PROM

Sesión 2
2.4 Memoria EPROM
2.5 Memoria EEPROM
2.6 Memoria FLASH
2.7 Aplicaciones de la ROM

Sesión 3
Practica en laboratorio de electrónica.
2.1 Arquitectura de la
ROM
Arquitectura de la ROM
Es un circuito combinatorio, que tiene m
entradas y n salidas.

Se utilizan diodos y transistores. Se utilizan


las conexiones para indicar un 1, y no
conexiones para indicar un 0. La presencia
o no de un elemento acoplador (diodo) es
realizada por el fabricante al cual hay que
suministrarle la información requerida.
Arquitectura de la ROM
Arquitectura de la ROM
Arquitectura de la ROM

M = 14 y n = 8

Entrada A0 a Am-1, CS OE

Salidas D0 a Dn-1
Arquitectura de la ROM
2.2 Diagrama de
tiempo de lectura de
una ROM
Diagrama de tiempo de lectura de una
ROM
Diagrama de tiempo de lectura de una
ROM
Diagrama de tiempo de lectura de una
ROM
Memoria PROM
Memoria PROM
PROM. Es no volátil y sólo se
puede escribir en ella una
sola vez.

El proceso de escritura se lleva


a cabo eléctricamente y puede
realizarlo el suministrador o el
cliente con posterioridad.
Memoria PROM
Los elementos de conexión son diodos o
transistores con un fusible en serie. Inicialmente
la memoria presenta todas las conexiones
establecidas.

La programación consiste en destruir el fusible en


aquellos lugares donde quiere almacenarse un 0.

Esto se consigue direccionando la palabra


deseado e inyectando una corriente adecuada en
las salidas, así la conexión queda abierta y es
como si no existiera el elemento acoplador.

Se deduce que una vez programada la memoria


ya no es posible volver a hacerlo.
Memoria EPROM
Memoria EPROM
EPROM: Memoria de sólo lectura
programable borrable

Antes de escribir una operación, todas las


celdas de almacenamiento deben ser
borradas al estado inicial exponiendo el
chip a radiación ultravioleta. Mas cara que
la PROM, pero tiene la ventaja de que
puede ser alterada múltiples veces.
Memoria EEPROM
Memoria EEPROM
EEPROM: Memoria de sólo lectura
programable y borrable eléctricamente.
– Puede ser escrita sin borrar contenido anterior. Sólo
el o los bytes direccionados son actualizados.

– La operación de escritura toma mucho más tiempo


que la de lectura.

– Combina la ventaja de no-volatibilidad con la


flexibilidad de ser actualizable usando controles de
bus ordinarios, direcciones y línea de datos.

– Es más cara que la EPROM y puede almacenar menos


bits por chip.
Memoria FLASH
Memoria FLASH
• Flash

– Nombrada así por la velocidad a la cual puede ser


reprogramada.

– Es intermedia entre la EPROM y la EEPROM en costo y


funcionalidad.

– Mucho más rápida que la EPROM.

– Puede borrar bloques específicos de memoria.

– No provee borrado a nivel de bytes.

– Tiene la densidad alta de las EPROM.


Aplicaciones de la
ROM
Práctica en el
laboratorio de
electrónica.

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