UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

Decana de América
FACULTAD DE INGENIERÍA DE
SISTEMAS E INFORMATICA

SISTEMAS DIGITALES
Mg. JUAN CARLOS GONZALES
SUAREZ
2013-I
 MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
• Flip-Flops => Almacen de un bit

• Registro => Almacen de n bits => Almacen de 01 dato

• Memoria => Almacen de X bits => Almacen de m datos

=> Almacena m registros de palabras o datos de n bits.

Tamaño de la memoria:
Dispositivo capaz de almacenar m palabras o datos de n bits,
en el formato m x n.

Ejemplos:
Memoria de 128x1 bits: Almacén de 128 datos de 1bit
Memoria de 512x8 bits: Almacén de 512 datos de 8bits o
Almacén de 512 datos de 1Byte.

Sistemas Digitales
Mg. Juan Carlos Gonzales Suárez
 TERMINALES DE
Acceso a la memoria
MEMORIAS
Requiere indicar sobre qué palabra se desea operar (direccionar),
el tipo de operación, y disponer de un canal para el flujo de datos.
Implica 3 buses distintos

Bus de direcciones:
Con “m” líneas de dirección se selecciona 2m datos.
Bus de datos
“n” líneas, una por cada bit de la palabra.

A0 D0
A1 Memoria D1

de

2n x m
An-1 bits Dm-1
An Dm
Sistemas Digitales
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 TERMINALES DE
MEMORIAS
A0 D0
A1 Memoria D1

de

2n x m
bits
An-1 Dm-1
An Dm

CS R/W

Bus de control
Líneas auxiliares para llevar a cabo:
CS : Señal de habilitación del chip.
R/W: Operación de lectura o escritura.
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 DISPOSITIVOS DE TRES ESTADOS
Sist.Dig.1

Sist.Dig.2

Sist.Dig.3

C1 C2 C3
0 0 1
1 0 0
0 Y=Z
X Y SI W=
1 Y=X
W
X Y 0 Y=Z
SI W=
1 Y=X In/Out Out/In
W
0 Y=X
X Y
SI W=
1 Y=Z
W
0 Y=X
X Y
SI W= 0/1
1 Y=Z
W Sistemas Digitales
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 CLASIFICACION DE LAS
MEMORIAS
NO VOLATILES (DE LECTURA SOLAMENTE)

ROM Read Only Memory

PROM Programmable ROM
EPROM Erase PROM
EAPROM Electrically Alterable
PROM
UVEPROM Ultra Violet PROM
FLASH ROM

VOLATILES (DE LECTURA ESCRITURA)

RAM Estáticas
RAM Dinámicas

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 MEMORIAS ROM
• Son de lectura solamente,
• Mantiene información sin
energía.
A1 Decoder
• El fabricante graba los
programas que A0 de
almacenan.
• Su costo se eleva al 2a4

fabricar en pequeñas
cantidades

__
CS

D2 D1 D0
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 MEMORIAS PROM
• De solo lectura
grabadas por el
usuario
Decoder
• Una vez grabadas A1

se convierten en A0 de

memorias ROM. 2a4

• Se graban con
equipos de
grabación, que
__
queman los fusibles CS
que disponen en
D2 D1 D0
cada bit.
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 MEMORIA UVEPROM
• El borrado se realiza exponiendo al rayos uV
chip a una fuente de luz ultravioleta. fuente
ventana
drenador
• El grabado se realiza
eléctricamente,
• El usuario las puede grabar y borrar P P

hasta 2000 veces

• La memoria está dentro de un N
integrado que usa la tecnología
MOSFET. Cada célula tiene una
puerta flotante. puerta flotante aislante

• Cuando la puerta está descargada

drenador
fuente (borrada) el canal no existe y no
hay conducción entre el drenador y
el surtidor.
P ------
------
P
• Cuando la puerta está cargada se
+++++++++++++++++ crea un canal de conducción entre
N
el drenador y el surtidor.
canal tipo P

puerta flotante aislante

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 MEMORIAS RAM ESTATICAS (SRAM)
• Realizadas a base de flip flop U
N
C
E
CELULA R
• Mantienen la información O
S
RAM O
S

mientras que el computador SELECCION

DATA
está encendido IN

• Tiempo de acceso del orden L/E

de los 10 a 20 nseg.
DATA
OUT

VDD – Poca densidad de integración,

T5 T6 los integrados contienen
Q Q
capacidades hasta de un MB
T2 T3
T1 T4 – Consumen más energía
selección
– Ocupan más espacio
data in
a b
– Las memorias CACHE se
E/L
c hacen a base de memorias
SRAM.
data out
CELULA DE MEMORIA SRAM
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 Estructura
D de
I
R
D
E
una
E C RAM
C O
C D Estática
I E
O R
N

E o

N D
Celda de Memoria
T A o

R T .
A O o

D S .
A .
o

L/E o o o o
o o o o

SALIDA DE DATOS
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MEMORIAS RAM ESTATICAS SINCRONAS
1. SRAM asíncrona:
• Su funcionamiento no está sincronizado con el reloj del
sistema.
2. SRAM síncrona de ráfaga:
• Está sincronizada con la señal de reloj del
• sistema para operar más rápidamente.
• Las señales (direcciones, datos, control) se capturan en
unos registros internos sincronizados con la señal de reloj.
• Existen dos subtipos:
 De flujo directo (sin registro en líneas de datos) y
 Con pipeline (Con registro en las líneas de datos).
• Modo ráfaga: permite leer hasta 4 posiciones de memoria
consecutivas.

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MEMORIAS RAM ESTATICA Asíncrona

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MEMORIAS RAM ESTATICA DualPort

(8K x 16-Bit)
Dual Port RAM

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MEMORIAS RAM ESTATICAS SINCRONAS

18M-BIT DDRII SRAM

2-WORD BURST OPERATION

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 MEMORIAS RAM DINAMICAS (DRAM)
• Basadas en capacidades inter-electródicas
• Tiempo de acceso de 40 a 200 nseg.
• Generan ciclos de espera en lectura o escritura
• Alta densidad
de integración. señal de
selección
• Consumen menos energía de lectura
control

• Necesitan refresco T4
VDD
periódico cada 2mSeg.
T2
C2

entrada salida de
de datos datos
T1

C1
T3

selección de
escritura Sistemas Digitales
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 Estructura de una DRAM

Tiempo de ciclo > tiempo de acceso.

Multiplexación de direcciones: RAS Y CAS Sistemas Digitales

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 MEMORIAS RAM DINAMICAS
Direcciones estructuradas
• En una matriz de 2f+c elementos organizados en 2f filas
y 2c columnas, la dirección de n = f + c bits queda

Cada dirección [lineal] se descompone en dos coordenadas:

• fila = dirección div 2c
• columna = dirección mod 2c

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 MEMORIAS RAM DINAMICAS
Direcciones estructuradas
• En una matriz de 2f+c elementos organizados en 2f filas
y 2c columnas, la dirección de n = f + c bits queda

De las coordenadas se deduce la dirección lineal

• dirección = fila · 2c + columna

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 MEMORIAS RAM DINAMICAS
Ejemplo de matriz
– DRAM 64x8 bits
– 4 filas de 16 palabras de 08bits
– Bloques de 4 palabras de 08 bits

Componentes:
• 16 x 8 amplificadores
• Registro de fila de 2 bits + decodificador de 2 a 4
• Registro de columna de 4 bits + decodificador de 4 a 16
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 TECNOLOGÌA PRINCIPAL DE CHIPS
• FAST PAGE MODE (FPM)
Rapidez de acceso a datos en la misma fila.
• EXTENDED DATA OUT (EDO)
FPM con rapidez en acceso a memoria consecutiva.
• SYNCHRONOUS DRAM (SDRAM)
Se sincroniza con CPU. Ej. SRAM
• DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DRAM (DDR SDRAM)
Operación en flanco de subida y bajadas del reloj.
• DOUBLE DATA RATE 2 SYNCHRONOUS DRAM (DDR2 SDRAM)
DDR2 son DDR que llega a 800 MHz., bajo consumo
y baja disipación de calor.
• DOUBLE DATA RATE 3 SYNCHRONOUS DRAM (DDR3 SDRAM)
DDR3, tercera generación DDR llega a velocidad de 1600 MHz.
• DIRECT RAMBUS
Usa el doble reloj (bajadas y subidas),
trabaja a velocidad doble de DDR de 100MHz., es decir 1.6 GBps

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 TECNOLOGIAS DE MEMORIA
PARA VIDEO O
PROCESAMIENTO GRAFICO

• MEMORY TECHNOLOGIES FOR VIDEO OR GRAPHICS PROCESSING

VIDEO RAM (VRAM)
VRAM es una versión de FPM.Tiene dos puertos de datos,Ej.VRAM…
• WINDOW RAM (WRAM)
WRAM es de doble puerto, pero el puerto de gráficos es mas pequeño
y soporta características EDO.
• SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM (SGRAM)
SGRAM con características especificas de gráficos (R/W),
recupera y modifica en bloques, reduciendo numero de accesos e
incremento de performance.Ej.SGRAM…
• BASE RAMBUS AND CONCURRENT RAMBUS
Se usan en aplicaciones de video y
en algunas workstation para video juegos como Nintendo 64.

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Mg. Juan Carlos Gonzales Suárez
 Gracias

Juan Carlos Gonzales Suarez

[email protected]
MEMORIAS RAM DINAMICA SINCRONA

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MEMORIA VRAM

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MEMORIAS SYNCHRONOUS
GRAPHICS DRAM

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