ELECTRÓNICA BÁSICA
SEMICONDUCTORES
CONDUCTORES
Un conductor es un material que, en
mayor o menor medida, conduce el calor y
la electricidad. Son buenos conductores
los metales y malos, el vidrio, la madera,
la lana y el aire.
• El conductor más
utilizado y el que ahora
analizaremos es el Cobre
(valencia 1), que es un
buen conductor. Su
estructura atómica la
vemos en la siguiente
figura.
• Su número atómico es
29. Esto significa que en
el núcleo hay 29 protones
(cargas positivas) y
girando alrededor de él
hay 29 electrones girando
en diferentes órbitas.
• En cada órbita caben 2n2 siendo n un
número entero n = 1, 2, 3,... Así en la
primera órbita (n = 1) caben 2·12 = 2
electrones. En la segunda órbita 2·22 = 8
electrones. En la tercera órbita 2·32 = 18
electrones. Y la cuarta órbita solo tiene 1
electrón aunque en ella caben 2·42 = 32
electrones.
• Lo que interesa en electrónica es la órbita
exterior, que es la que determina las
propiedades del átomo. Como hay + 29 y -
28, queda con + 1.
• Por ello vamos a agrupar el
núcleo y las órbitas internas, y
le llamaremos parte interna.
En el átomo de cobre la parte
interna es el núcleo (+ 29) y
las tres primeras órbitas (- 28),
con lo que nos queda la parte
interna con una carga neta de
+1.
• Como el electrón de valencia
es atraído muy débilmente por
la parte interna, una fuerza
externa puede liberarlo
fácilmente, por eso es un buen
Conductor. Nos referiremos a
ese electrón de valencia, como
electrón libre.
Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrón en la órbita de
valencia (valencia 1).
Así, tenemos que:
A 0 ºK (-273 ºC) un metal no conduce.
A Temperatura ambiente 300 ºK ya hay electrones libres debidos a la energía térmica.
• Si no tenemos un campo eléctrico
aplicado los electrones libres se
mueven en todas direcciones. Como el
movimiento es al azar, es posible que
muchos electrones pasen por unidad
de área en una determinada dirección
y a la vez en la dirección opuesta. Por
lo tanto la corriente media es cero.
• Veamos ahora como cambia la
situación, si se aplica al metal un
campo eléctrico.
• Los electrones libres se mueven ahora
en una dirección concreta. Y por lo
tanto ya hay carga (en culombios) que
cruza la sección del metal en un
segundo, o sea ya existe una corriente.
• El electrón se mueve
dentro de la red
cristalina del metal
con una velocidad
media.
• La resistencia que
opone la barra de
metal al paso de la
corriente la podemos
calcular de la
siguiente forma:
SEMICONDUCTORES
• Son elementos, como el germanio y el silicio,
que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a
medida que se eleva la temperatura o bien por
la adicción de determinadas impurezas resulta
posible su conducción. Su importancia en
electrónica es inmensa en la fabricación de
transistores, circuitos integrados, etc...
• Los semiconductores tienen valencia 4, esto es
4 electrones en órbita exterior ó de valencia. Los
conductores tienen 1 electrón de valencia, los
semiconductores 4 y los aislantes 8 electrones
de valencia.
Los 2 semiconductores que veremos serán el Silicio y el Germanio:
CRISTALES DE SILICIO
• Al combinarse los átomos de
Silicio para formar un sólido, lo
hacen formando una
estructura ordenada llamada
cristal.
• Cada átomo de silicio
comparte sus 4 electrones de
valencia con los átomos
vecinos, de tal manera que
tiene 8 electrones en la órbita
de valencia.
• Los 8 electrones de valencia
se llaman electrones ligados
por estar fuertemente unidos
en los átomos.
El aumento de la temperatura hace que los átomos en un cristal de
silicio vibren dentro de él, a mayor temperatura mayor será la
vibración. Con lo que un electrón se puede liberar de su órbita, lo que
deja un hueco, que a su vez atraerá otro electrón, etc.
• A ºK, todos los electrones son ligados. A 300ºK
o más aparecen electrones libres.
• La unión de un electrón libre y un hueco se
llama “recombinación” y el tiempo entre la
creación y desaparición libre de denomina
“tiempo de vida”.
Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco,
esto es una generación de pares electrón libre-hueco.
Según un convenio ampliamente aceptado tomaremos la dirección de
la corriente como contraria a la dirección de los electrones libres.
En los semiconductores la conducción de electricidad es debida tanto a los
electrones como a los huecos que se mueven en sentido contrario.
• En un semiconductor intrínseco, existe un
número igual de huecos y electrones libres que
pueden moverse con facilidad por el cristal. Así,
podemos decir que en un material puro:
n = p = ni
• Donde n es la concentración de electrones libre
p se refiere a la concentración de huecos
(agujeros) y ni es la concentración intrínseca de
electrones o huecos que es constante para cada
material a una determinada temperatura:
• Ej. ni = 1,45.1010 cm3 a 300º K para el Silicio.
Resumiendo: Dentro de un cristal en todo momento ocurre
esto:
• Por la energía térmica se están creando
electrones libres y huecos.
• Se recombinan otros electrones libres y
huecos.
• Quedan algunos electrones libres y
huecos en un estado intermedio, en el que
han sido creados y todavía no se han
recombinado.
Dopado de un semiconductor
• Para aumentar la conductividad (que sea
más conductor) de un SC
(Semiconductor), se le suele dopar o
añadir átomos de impurezas a un SC
intrínseco, un SC dopado es un SC
extrínseco.
SEMICONDUCTOR TIPO N
• Para formar un semiconductor tipo
n se añaden impurezas
donadoras, ND, con lo cual, se
aumenta el número de electrones:
los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios. Las
impurezas donadoras son átomos
pertenecientes a la columna 5 de
la tabla periódica de los elementos
(átomos pentavalentes), como
pueden ser el arsénico, antimonio
y fósforo.
• El número de electrones libres se
llama n (electrones libres/m3).
SEMICONDUCTOR TIPO P
• Para formar un semiconductor tipo
p se añaden impurezas
aceptadoras, NA, con lo cual, se
aumenta el número de huecos: los
huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones son
los portadores minoritarios. Las
impurezas aceptadoras son
átomos pertenecientes a la
columna 3 de la tabla periódica de
los elementos (átomos
trivalentes), como pueden ser el
boro, indio o galio.
• El número de huecos se llama p
(huecos/m3).
LEY DE ACCIÓN DE MASAS
• Al añadir impurezas donadoras a un semiconductor
provoca una disminución de agujeros.
• Por otro lado, al añadir impurezas aceptadoras a un
semiconductor provoca una disminución de electrones
por debajo del nivel del intrínseco.
• Se puede demostrar que en un semiconductor
extrínseco o dopado, el producto de la concentración de
agujeros y electrones es una constante independiente
de la cantidad de impurezas aceptadoras o donadoras
que se añaden:
n·p = ni2
• Como ya se ha mencionado, ni es la concentración de
electrones o huecos en el semiconductor intrínseco.
La unión PN
• La unión PN consta de un único cristal de material
semiconductor, que está dopado para producir material
de tipo n en un lado y de tipo p en el otro. Se pueden
añadir impurezas al cristal a medida que va creciendo, o
añadirlas más tarde, ya sea por difusión de átomos de
impurezas en el cristal, ya sea por implantación de
iones. En la retícula cristalina, es importante que en la
unión de la parte N con la parte P no haya ninguna
interrupción. Esto solo será posible si la unión se
constituye como un solo cristal. Sin embargo, resulta
instructivo imaginar la formación de una unión PN
juntando un cristal de tipo p y un cristal de tipo n.
• Antes de unir las dos mitades de la unión, el lado N tiene una alta
concentración de electrones libres y una baja concentración de
huecos. En la mitad de tipo p tenemos la condición inversa.
• Debido al alto gradiente de concentración de portadores de un
mismo tipo a cada lado de la unión (en un lado son mayoritarios y
en el otro minoritarios), tienden a pasar por difusión desde el lado
donde son mayoría al lado donde son minoría.
• Al ocurrir esto, dejan en las proximidades de la unión una zona de
cargas fijas (negativas en la zona P y positivas en la N)
produciéndose a ambos lados de la unión un dipolo eléctrico que
crea un campo eléctrico dirigido de la zona “N” a la zonas “P” que
tiende a compensar esta difusión de portadores, llegándose así a
una situación de equilibrio.
• Así cuando tenemos un semiconductor tipo p en contacto con un
semiconductor tipo n, como se muestra en la siguiente figura:
Podemos resumir lo que se ha expuesto anteriormente con los
pasos que se describen a seguir:
1. Se produce una difusión de huecos de la región P a la región N y
una difusión de electrones de la región N a la región P.
2. Al haber difusión algunos huecos que pasan de la región P a la
región N y algunos electrones que pasan de la zona N a la zona P,
se recombinan hasta alcanzar el equilibrio.
3. Tal como se muestra en la siguiente figura, después del proceso de
difusión y recombinación, se produce en la unión una zona de
deplexión (también llamada zona de carga espacial ó zona de
vaciamiento) formada por las cargas estáticas (iones) de la
estructura cristalina.
4. En esa zona de deplexión que se ha formado se crea un campo eléctrico E (de la región N a la región
P o de los iones + a los iones -) con lo cual se produce una caída de potencial sobre dicha región
(de signo contrario) denominado potencial de contacto o potencial de unión (Vo). Su magnitud es del
orden de 0,3 a 0,7 voltios, dependiendo del tipo de semiconductor, germanio o silicio,
respectivamente. En la siguiente figura se puede ver la distribución de potencial a lo largo del eje
perpendicular de la unión.
5. El campo eléctrico impide que más portadores atraviesen la unión.
6. Existen dos tipos de corriente:
• Corriente de difusión (ID) ⇒ debida a los portadores mayoritarios. Electrones de la región N a la región
P y huecos de la región P a la región N. Cuanto mayor es el potencial de unión, menor es la
corriente de difusión ID.
• Corriente de arrastre, deriva o saturación inversa (I S) ⇒ debida a los portadores minoritarios. Algunos
huecos (generados térmicamente) en la región N se mueven por difusión hacia la unión. Allí
experimentan el campo eléctrico que los arrastra hacia la región P. Por otro lado, algunos electrones
(generados térmicamente) en la región P se mueven por difusión hacia la unión. Allí experimentan el
campo eléctrico (E) que los arrastra hacia la región N. Ambos procesos (los huecos de la región N a
la región P y los electrones de la región P a la región N) forman la corriente de saturación inversa I S,
la cual depende básicamente de la temperatura y del potencial de la unión.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE LA CELDA SOLAR
• Las células solares están constituidas por
materiales semiconductores, principalmente
silicio, y son elementos que transforman
directamente parte de la energía solar que
reciben en energía eléctrica. Los electrones de
valencia del material semiconductor de la célula,
que están ligados débilmente al núcleo de sus
átomos, son arrancados por la energía de los
fotones de la radiación solar que inciden sobre
ella. Este fenómeno se denomina efecto
fotovoltaico.
PRINCIPIO FÍSICO DE FUNCIONAMIENTO DE LA CÉLULA SOLAR
• Como ya se ha comentado anteriormente. la rotura de enlaces y,
por tanto, la aparición de un par electrón-hueco puede producirse
por la absorción de un fotón de energía suficiente (efecto
fotovoltaico) o por agitación térmica.
• El proceso contrario, es decir, la recombinación o desaparición de
un par electrón-hueco puede producirse al encontrarse un electrón
libre y un hueco (esto es difícil, ya que se necesita condiciones muy
específicas) o por la existencia de un defecto de la estructura del
material semiconductor.
• Tanto la energía necesaria para que ocurra el proceso de
generación como la cedida en el de recombinación, tienen un valor
determinado, Eg, denominado ancho de banda prohibida. Así, estos
dos fenómenos pueden escribirse con la ecuación reversible
siguiente:
e − + h + ↔ Eg
• Los electrones libres y los huecos creados por la ruptura del par
electrón-hueco tienden a difundirse desde las zonas iluminadas,
donde se crean, a las zonas oscuras. Para evitar la recombinación
es necesario crear en el interior del semiconductor un campo
eléctrico, mediante una unión “P-N”, que separe físicamente éstos
dos tipos de portadores o cargas libres móviles, apareciendo así
una intensidad de corriente neta que atraviesa la célula solar en
sentido de ese campo.
• De los 2 posibles motivos de recombinación (antes mencionados),
el más importante es la existencia de defectos en el cristal que se
denominan trampas.
• Supóngase un semiconductor tipo “n”, en el que los huecos son
minoritarios, y supóngase un defecto en el cristal en estado neutro:
como los electrones son muy numerosos, la “trampa” rápidamente
“captura” uno, quedando ionizada negativamente (que es, por ello,
el estado de equilibrio de la “trampa” en un semiconductor de este
tipo) a la espera de poder capturar un hueco, que es más difícil por
ser éstos últimos minoritarios. Cuando lo consigue, de nuevo su
estado es neutro y se ha producido una recombinación.
Rápidamente captura un electrón y queda cargada negativamente
otra vez, a la espera de otro hueco para completar otra
recombinación.
• Para garantizar que el número de recombinaciones sea
el menor posible, es decir, para que se pueda
aprovechar la mayoría de las cargas libres producidas
por la ruptura de los pares electrón-hueco gracias a los
fotones de la radiación solar incidente, el número de
“trampas” o defectos del cristal ha de ser la menor
posible. Esto se consigue utilizando cristales de silicio
puro o silicio monocristalino.
• Con éstos conceptos ya se puede comprender el
principio físico del funcionamiento de una célula solar.
• Cuando la radiación solar incide sobre la célula, los
fotones con energía suficiente rompen el par electrón-
hueco dejando éstos portadores libres (efecto
fotovoltaico). El campo eléctrico de la unión “P-N”
separa éstos portadores para evitar que se recombinen,
llevando los electrones a la zona “N” y los huecos a la
zona “P”, apareciendo de ese modo una intensidad de
corriente neta que atraviesa la célula solar en el sentido
de ese campo, de la zona “N” a la zona “P”.
El proceso del principio físico de la celda solar se puede resumir en los
siguientes pasos:
• Los fotones incidentes son absorbidos y se
generan pares electrón-hueco, tanto en la
región P de la unión como en la región N.
Supondremos que se genera una pareja por
fotón.
• Los electrones y huecos generados a una
distancia inferior a Lp o Ln (longitud de difusión
del hueco y electrón) de la zona de vaciamiento,
llegan a ella por difusión. En la zona de
vaciamiento también se generan pares electrón-
hueco debido a la radiación que incide.
• En la zona de vaciamiento, cada miembro de la
pareja es separado por el campo eléctrico
presente: los huecos se dirigen a la región P y
los electrones a la región N. Éste proceso se
puede observar en la siguiente figura:
• Si la celda está en circuito abierto, la acumulación de
cargas de signos diferentes en los 2 costados de la
unión genera una tensión de circuito abierto Voc, tal
como se muestra en la figura siguiente:
• Si la celda está cortocircuitada se genera una
corriente de corto circuito Isc. Observar que el
sentido de la corriente es el mismo que el de la
corriente inversa de saturación de la unión PN
(diodo). La figura siguiente ilustra ésta situación:
• Por tanto, si mediante una carga exterior (R) se cierra el circuito, la
corriente fotovoltaica generada (I) sale de la célula hacia el circuito
exterior por la región “P”, atraviesa la carga y entra de nuevo a la
célula por la región “N”. Esto que se acaba de mencionar se puede
observar en la figura siguiente:
Podemos concluir que la diferencia entre una celda solar
y un diodo está en la circulación de la corriente. En un
diodo, debido a que funciona con una fuente de tensión
que se le aplica en el circuito que esté conectado, cuando
está polarizado directamente (se le aplica un potencial
más positivo a la región P y un potencial más negativo a
la zona N), entonces la corriente que participa en el
proceso es la corriente de difusión, con lo cual
internamente la corriente circula de la región P a la región
N.
Por otro lado, en la celda solar, debido a la radiación
térmica, actúa como un generador, siendo la corriente de
saturación inversa (Is) la corriente que interviene en el
proceso y, por tanto, circula de la región N a la región P.
