Capitulo 3
Jose Emiliano Martinez Gonzalez
Introduccion
Entre 1904 y 1947, el tubo de vacío, o bulbo, se destacó
como el dispositivo electrónico más relevante y en
desarrollo. En 1904, J. A. Fleming presentó el diodo de
tubo de vacío. Al año siguiente, en 1906, Lee de Forest
añadió un tercer elemento, la rejilla de control, al diodo,
dando lugar al primer amplificador: el tríodo. La evolución
de la radio y la televisión impulsó significativamente la
industria de los bulbos, con la producción que pasó de
aproximadamente un millón de bulbos en 1922 a cerca de
100 millones en 1937. En la década de 1930, el tetrodo
de cuatro elementos y el pentodo de cinco elementos
adquirieron un papel destacado en esta industria. Con el
tiempo, la industria de los bulbos se convirtió en un
sector crucial, avanzando rápidamente en diseño,
técnicas de fabricación, aplicaciones de alta potencia y
frecuencia, así como en miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria
electrónica experimentó un cambio radical. Ese día,
Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la
capacidad amplificadora del primer transistor en los
laboratorios Bell. El transistor original, un transistor de
punto de contacto, se ilustró en la figura 3.1. Las ventajas
de este dispositivo de estado sólido con tres terminales
sobre el bulbo fueron inmediatas: era más pequeño y
liviano, no requería calentamiento, tenía una construcción
CONSTRUCCIÓN DE UN
TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material
tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El
primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2
con la polarización de cd apropiada. En el capítulo 4 veremos que la polarización de cd es
necesaria para establecer la región de operación apropiada para la amplificación de ca. La capa
del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo un poco dopado. Los grosores
de las capas externas son mucho mayores que las del material tipo p o n emparedado. Para los
transistores mostrados en la figura 3.2 la relación entre el grosor total y el de la capa central es
de 0.150/0.001 150:1. El dopado de la capa emparedada también es considerablemente menor
que el de las capas externas (por lo común de 10:1 o menor). Este menor nivel de dopado reduce
la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el número de portadores
“libres”. Con la polarización mostrada en la figura 3.2, las terminales se identificaron por medio
de las letras mayúsculas E para emisor, C para colector y B para base. La conveniencia de esta
notación se pondrá de manifiesto cuando analicemos la operación básica del transistor. La
abreviatura BJT (de bipolar junction transistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres
terminales. El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el proceso
de inyección hacia el material opuestamente polarizado. Si se emplea sólo un portador (electrón o
hueco), se considera que es un dispositivo unipolar. El diodo Schottky del capítulo 16 pertenece a
esa clase.
OPERACIÓN DEL
TRANSISTOR
La operación de un transistor varía según su tipo, siendo los más comunes el transistor bipolar
(BJT) y el transistor de efecto de campo (FET).
La operación de un transistor implica el control de la corriente en función de una señal de
entrada, ya sea a través de la polarización en el caso de los BJT o mediante el voltaje en la puerta
para los FET. Esta capacidad de amplificación y conmutación hace que los transistores sean
componentes esenciales en circuitos electrónicos.
CONFIGURACIÓN EN BASE
COMÚN
● La configuración en base común es una de las tres configuraciones principales en las que
puede operar un transistor bipolar (BJT). Se utiliza principalmente para aplicaciones de alta
frecuencia y como amplificador. A continuación se detallan sus características,
funcionamiento y aplicaciones.
Características de la Configuración en Base Común
• Conexiones:
• Emisor (E): Se conecta a la entrada de la señal.
• Base (B): Común para entrada y salida; se conecta a tierra o a un voltaje fijo.
• Colector (C): Se conecta a la carga o a la salida.
La configuración en base común es valiosa en aplicaciones donde se necesita una alta
frecuencia y una señal amplificada, aunque con un menor nivel de ganancia de corriente.
Su disposición y características hacen que sea adecuada para ciertos tipos de circuitos
electrónicos, especialmente en comunicaciones y amplificación de señales.
ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL
TRANSISTOR
La acción amplificadora de un transistor es fundamental para su uso en
aplicaciones electrónicas. Tanto los transistores bipolares (BJT) como los
transistores de efecto de campo (FET) pueden amplificar señales, aunque
lo hacen de manera diferente. A continuación se describe cómo funciona
esta amplificación en ambos tipos de transistores.
La acción amplificadora del transistor permite que una pequeña señal de
entrada controle una señal de salida mucho mayor. Esta capacidad de
amplificación es clave en la electrónica moderna, permitiendo el
desarrollo de una amplia gama de aplicaciones en audio, comunicación y
control.
CONFIGURACIÓN EN EMISOR
COMÚN
La configuración en emisor común es una de las configuraciones más
utilizadas para transistores bipolares (BJT). Es ampliamente empleada en
amplificadores de señal debido a su buena ganancia y características de
rendimiento
La configuración en emisor común es una de las más versátiles y
utilizadas en electrónica. Su capacidad para amplificar señales de
entrada con buena ganancia y características de respuesta la hace ideal
para una variedad de aplicaciones en amplificación de audio,
conmutación y oscilación.
CONFIGURACIÓN EN
COLECTOR COMÚN
● La configuración en colector común, también conocida como seguidor de emisor o
seguidor de voltaje, es una de las tres configuraciones fundamentales para el transistor
bipolar (BJT). Es ampliamente utilizada en aplicaciones donde se requiere un seguimiento
de voltaje, debido a su baja impedancia de salida y alta impedancia de entrada.
● 1. Características de la Configuración en Colector Común
• Conexiones:
• Colector (C): Se conecta a un voltaje fijo o a la fuente de alimentación.
• Base (B): Se aplica la señal de entrada.
• Emisor (E): Aquí se toma la salida, que es la señal amplificada.
La configuración en colector común es valiosa en aplicaciones donde se necesita un seguidor de voltaje,
permitiendo una baja impedancia de salida y alta impedancia de entrada. Su capacidad para acoplar etapas
de circuito y mantener la amplitud de la señal la convierte en una herramienta esencial en la electrónica.
LÍMITES DE OPERACIÓN
Los límites de operación de un transistor son críticos para garantizar su
funcionamiento adecuado y prolongar su vida útil. Estos límites definen las
condiciones bajo las cuales un transistor puede operar sin fallar o degradarse.
Los límites de operación de un transistor son esenciales para su rendimiento y
longevidad. Es crucial respetar estos límites de voltaje, corriente y temperatura
para evitar fallos y asegurar un funcionamiento óptimo en diversas aplicaciones
electrónicas.
PRUEBA DE UN TRANSISTOR
La prueba de un transistor es esencial para verificar su
funcionamiento adecuado y asegurar que no esté dañado.
La prueba de un transistor puede realizarse fácilmente con un multímetro
mediante pruebas de diodo y pruebas funcionales en circuitos. Estas
pruebas permiten verificar la integridad del dispositivo y asegurar su
correcto funcionamiento en aplicaciones electrónicas.
ENCAPSULADO E IDENTIFICACIÓN DE
LAS TERMINALES DE UN TRANSISTOR
Los transistores están disponibles en diversos tipos de
encapsulados, cada uno con su propio diseño y disposición de
terminales.
Los transistores vienen en varios tipos de encapsulados, y la
identificación de sus terminales es crucial para su correcta
conexión en un circuito. Al conocer el tipo de encapsulado y el
número de parte, se puede determinar fácilmente la disposición de
las terminales para un uso adecuado en aplicaciones electrónicas.
ENCAPSULADO E IDENTIFICACIÓN DE
LAS TERMINALES DE UN TRANSISTOR
Los transistores están disponibles en diversos tipos de
encapsulados, cada uno con su propio diseño y disposición de
terminales.
Los transistores vienen en varios tipos de encapsulados, y la
identificación de sus terminales es crucial para su correcta
conexión en un circuito. Al conocer el tipo de encapsulado y el
número de parte, se puede determinar fácilmente la disposición de
las terminales para un uso adecuado en aplicaciones electrónicas.
