EL TRANSISTOR BIPOLAR
DE COMPUERTA AISLADA
INTEGRANTES:
• Leonardo García Almaguer
• Bárbaro J. Migoya Escoda
• William Ajate Lasa
• Leonardo Olivera Alonso
• Álvaro González Díaz
• Carlos Alvarez Fonseca
• Reinier Ramírez Guevara
INTRODUCCIÓN
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT: es un dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia
• Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto
campo, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar
como interruptor en un solo dispositivo.
• El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características
de conducción son como las del BJT.
TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA
AISLADA (IGBT)
• desarrollado a partir de la estructura de los PowerMOSFETs de IIª generación
• combina las ventajas de los BJTs en el manejo de potencia con las de los PowerMOSFETs
en las características de control
• estructura de cuatro capas: N+, P, N-, P+
• se incluye una capa adicional N+ como "buffer“, estructura de cinco capas: N+, P, N-, N+,
P+.
• IGBT del tipo “punch-through” (PT) y “non-punch-through” (NPT).
VISTA EN PERSPECTIVA DE LA ESTRUCTURA
DEL IGBT DE TIPO PT
CORTE TRANSVERSAL DEL IGBT
DEL TIPO PT
TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA
AISLADA (IGBT)
• Dada la inclusión de una capa P adicional en el IGBT no existe el diodo anti- paralelo
implícito en la estructura del PowerMOSFET.
• el IGBT básico tiene capacidad de bloqueo inversa
• Por sus aplicaciones principales, la presencia de un diodo en anti-paralelo es imprescindible
EFECTO DE LA ZONA N+
(“BUFFER LAYER”) EN LOS IGBT.
• Aumenta la velocidad de apagado del IGBT.
• Reduce significativamente la capacidad de bloqueo inverso del IGBT
• SCR en paralelo con el dispositivo principal
CELDA BÁSICA DEL IGBT (TIPO NPT)
MODELO CIRCUITAL EQUIVALENTE
DEL IGBT
OPERACIÓN DEL IGBT.
1. Bloqueo inverso.
2. Bloqueo directo.
CURVAS VS CARACTERÍSTICAS DEL IGBT.
MODELO CIRCUITAL EQUIVALENTE SIMPLIFICADO
DEL IGBT EN OPERACIÓN NORMAL.
OPERACIÓN DEL IGBT.
1. Bloqueo inverso.
2. Bloqueo directo.
3. Conducción
RELACIÓNVS UN IGBT TÍPICO.
OPERACIÓN DEL IGBT.
1. Bloqueo inverso.
2. Bloqueo directo.
3. Conducción
4. Apagado
SÍMBOLOS CIRCUITALES DEL IGBT TIPO N.
OPERACIÓN DEL IGBT.
1. Bloqueo inverso.
2. Bloqueo directo.
3. Conducción
4. Apagado
5. Falla de Apagado
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL IGBT
MOSTRADO EL SCR PARÁSITO
OPERACIÓN DEL IGBT.
1. Bloqueo inverso.
2. Bloqueo directo.
3. Conducción
4. Apagado
5. Falla de Apagado
6. Auto-protección contra cortocircuito en la carga.
ESPECIFICACIONES BÁSICAS DEL IGBT.
• I.- Tensión de ruptura directa.
• II.- Tensión de ruptura inversa.
• III.- Corriente máxima.
• IV.- Especificaciones de compuerta.
• V.- Capacitancias equivalentes.
• VI.- Tiempos de conmutación.
TENSIÓN DE RUPTURA DIRECTA
• Indica la tensión colector emisor máxima, , que puede ser aceptado por un IGBT sin entrar
en conducción por ruptura directa.
TENSIÓN DE RUPTURA INVERSA
• Indica la tensión colector emisor inversa máxima, , que puede ser aceptado por un IGBT sin
entrar en conducción por ruptura inversa.
CORRIENTE MÁXIMA
• . Es la corriente máxima continua que puede ser manejada, a la temperatura de juntura
especificada por el fabricante.
• . Es la máxima corriente pulsante que puede ser manejada, a la temperatura de juntura
especificada por el fabricante y durante el tiempo especificado por el fabricante.
ESPECIFICACIONES DE COMPUERTA
• Tensión compuerta-emisor máxima, .
Es la máxima tensión aplicable entre los terminales de compuerta y emisor
• Voltaje de umbral de conducción,.
Es la tensión mínima que se debe aplicar para que el IGBT entre en conducción
CAPACITANCIAS EQUIVALENTES
• 1.- Capacitancia Compuerta-Emisor, .
• 2.- Capacitancia Compuerta-Colector,
• 3.- Capacitancia Colector-Emisor, .
CAPACITANCIAS ENTRE LOS TERMINALES DEL IGBT
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN
Encendido.
• Tiempo de retardo de encendido,
• Tiempo de alza, tr.
a.-Tiempo de subida de la corriente C-E,
b.-Primer tiempo de bajada del voltaje C-E
c.-Segundo tiempo de bajada del voltaje (tiempo de cola)
• Final del proceso
ENCENDIDO.
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN
Apagado
1. Tiempo de retardo de apagado, .
2. Tiempo de caída,
• a.-Primer tiempo de subida de voltaje,
• b.-Segundo tiempo de subida de voltaje,
3. Tiempo de caída de corriente,
COMPARACIÓN DE IGBTS CON BJTS Y
POWERMOSFETS
Sobre los BJTs
• los IGBTs tienen la ventaja evidente de ser controlados por voltaje y no por corriente
Sobre los PowerMOSFETs
• los IGBTs tienen la ventaja de que la conducción de la corriente principal produce caídas en
conducción menores a las posibles con una estructura PowerMOSFET
COMPARACIÓN DE IGBTS CON
BJTS Y POWERMOSFETS
Desventajas frente a BJTs :
• Dada la estructura funcional interna de los IGBTs, la caída en conducción es necesariamente
mayor en los IGBTs que en los BJTs operando en saturación.
• La velocidad de conmutación de los IGBTs es menor que la de de los BJTs tipo NPN.
Desventajas frente a los PowerMOSFETs:
• La velocidad de conmutación de los IGBTs es mucho menor
• El diodo inverso incluido en la estructura de los PowerMOSFETs es una ventaja
CONCLUSIONES
• Eequilibrio entre ventajas y desventajas es tal que los IGBTs de Si han desplazado
totalmente a los BJTs de Si en el mercado, y son los componentes de uso preferente frente a
los PowerMOSFETs de Si en aplicaciones de baja y media frecuencia, hasta las decenas de
kiloHertzs.
