Memoria Principal - RAM

La controladora de Memoria,
Ubicada en el chipset
o en la CPU. Marcará el tipo
Random Access Memory de memoria a utilizar. Actualmente en
(Memoria de acceso aleatorio) el Microprocesador.
Array de 2 dimensiones al
que se accede por (fila, columna)
¿Quién la
gestiona?
¿Qué es?
RAM Características
¿Su
función?

Almacenar ¿Formato?
información
- Acceso aleatorio
(Instrucciones +
- Volátil
Datos)
- Rápida

Operaciones Módulos: PCBs donde se

integran los chips de
memoria

Lectura -> recuperar.

Escritura -> 2
almacenar.
 CARACTERÍSTI
CAS
Velocidad: MHz a los que trabaja.

Ancho de Banda: máxima cantidad

de información que puede transferir
cada segundo.
Módulo
RAM
Latencias: miden los tiempos (en Nº de
ciclos de reloj) de acceso a distintos
componentes

Nº de canales: Canales
independientes y simultáneos por Controlador
a
los que se puede acceder a los
distintos módulos.

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 - Refresco continuo de la información.
- - 1 condensador = 1 bit.
No hace falta refrescarlas
- Rapidísimas (Usadas para cachés)
- 6 condensadores = 1 bit.

Tipos de Memoria

SRAM (Static RAM) DRAM (Dinamic RAM)

CONSUMO DE ENERGIA

MAYOR CAPACIDAD

COMPLEJIDAD (HAY QUE REFRESCARLAS)

Nº DE TRANSISTORES PARA ALMACENAR UN BIT (6/1)

VELOCIDAD (ACCESO, TRANSFERENCIA, ETC)

MAYOR PRECIO

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 CAS (Column Address Select)
(tCL) +
Nº de ciclos que transcurren desde R

LATENCIAS que la controladora de M. envía una E

P
petición para leer una posición de
(timings) memoria y el momento en que los
E
R
datos son enviados a los pines del C
U
módulo. S
Módulo RAS to CAS Delay, (tRCD ) I
Nº de ciclos que transcurren entre el Ó
RAM CAS y las señales de RAS en las
N

operaciones de lectura, escritura o R

refresco. Activar las filas. E
N
D
RAS precharge, (tRP) I
Nº de ciclos desde que termina el M
acceso a una fila y comienza el acceso I
E
a otra. N
T
tRAS: Tiempo Mínimo de O
Activación RAS.
tRAS = tCL + tRCD + tRP (+/- 1)
-
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 Tecnologías de memoria
SIMM

Single Inline memory modul

- De 30 contactos (8 bit/módulo)
- Van por bancos dependiendo del bus del sistema.
Bancos necesarios= (Bus del sistema / Bus de la memoria):
80286 = 8 bits o 16 Bits = bancos de 1 modulo o bancos de 2 módulos =
16bit/8bits
80386 = 32 bits = bancos de 4 módulos = 32bit/8bits

Modelos
- De 72 contactos (32 bit/módulo)
- Van por bancos dependiendo del bus del sistema.
80486 = 32 Bits = bancos de 1 modulo = 32bit
Pentium = 64 bits = bancos de 2 módulos = 64bit

Memoria Principal- Elementos HW del PC 6

 Synchronous SDRAM

Tecnologías de memoria
SDR SDRAM
Características

Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se

Modelos presentan en módulos DIMM de 168 contactos.
Bus de datos de 64 bits.
Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III , así como en los AMD
K6, AMD Athlon K7 y Duron

PC100 (100 PC133 (133

MHz) MHz)

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 Double Data Rate Synchronous
Tecnologías de memoria SDRAM
DDR SDRAM

Características

Modelos

Memoria síncrona que envía los datos dos veces por

cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de
PC-2700 (DDR-333) velocidad del bus del sistema, sin necesidad de
2700 MB/s y 333MHz aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en
módulos DIMM de 184 contactos en el caso de
PC-3200 (DDR-400) ordenador de escritorio y en módulos SO-DIMM de
200 contactos para los ordenadores portátiles
PC-4200 (DDR-533)

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 Tecnologías de memoria DDR de segunda generación
DDR 2 SDRAM

Características
1, 2, 4 y 8
Modelos
GB/módulo

Memoria síncrona que envía los datos 4 veces por cada ciclo de
PC2-4200 o DDR2-533 reloj. Son una mejora de DDR. Se presenta en módulos DIMM
PC2-5300 o DDR2-667 de 240 contactos en el caso de ordenador de escritorio y en
PC2-6400 o DDR2-800 módulos SO-DIMM de 200 contactos para los ordenadores
PC2-8600 o DDR2-1066 portátiles. Menor voltaje y por tanto menor consumo y menor
PC2-9000 o DDR2-1200 disipación de calor.

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 DDR de tercera generación

Tecnologías de memoria Características

DDR 3 SDRAM 1, 2, 4, 8, 16
GB/módulo

Modelos Es una mejora del tipo DDR2. Aumentan su velocidad hasta

2600 MHz a costa de aumentar los timings. Se presenta en
módulos DIMM de 240 contactos en el caso de ordenador de
escritorio y en módulos SO-DIMM de 204 contactos para los
ordenadores portátiles. Se vuelve a bajar voltaje y por tanto a
PC3-8500 o DDR3-1066
mejorar el consumo y la disipación de calor.
PC3-9600 o DDR3-1200
PC3-10600 o DDR3-1333
PC3-12800 o DDR3-1600
PC3-14900 o DDR3-1866
PC3-16000 o DDR3-2000

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 Diferencias físicas

¿El tamaño?

Los módulos DIMM

de tecnologías DDR,
DDR2 y DDR3, tienen
el mismo tamaño de
conector, pero cambia
de posición la muesca
para no equivocarnos
al conectarla.

Un conector de memoria solo puede albergar

En consecuencia un tipo de módulo.

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 Memoria DDR4
Tecnología de almacenamiento electrónico aleatorio
utilizada comercialmente desde 2013, la cuál se
conforma por una tarjeta plástica rectangular con
medidas típicas de 133.35 mm x 31.75 mm x 1 mm, 288
terminales distribuidas en ambos lados del módulo y
chips que permiten leer, escribir y sobrescribir bits
mediante cargas eléctricas, en celdas de memoria volátil
sincrónica dinámica, por lo tanto al dejar de recibir
suministro eléctrico la información almacenada se
pierde.
La memoria DDR4 logra mayores ciclos de reloj con
respecto a la memoria DDR3, por lo tanto también
mayor transferencia de datos

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 MEMORIA DDR4 - MODELOS

Estándar (bandwidth, MB/s) Clock speed / bus speed

1066 MHz / 2133 MTps (Millones de

PC4-2133
transferencias por segundo)

1200 MHz / 2400 MTps

PC4-2400

PC4-2666 1333 MHz / 2666 MTps

PC4-3000 1500 MHz / 3000 MTps

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 Evolución de las
memorias
Tecnología Velocidad (MHz) Ciclo de reloj (ns) Latencia CAS (CL)
SDR 100 8,00 3
SDR 133 7,50 3
DDR 335 6,00 2,5
DDR 400 5,00 3
DDR2 667 3,00 5
DDR2 800 2,50 6
DDR3 1333 1,50 9
DDR3 1600 1,25 11
DDR4 1866 1,07 13
DDR4 2133 0,94 15
DDR4 2400 0,83 17
DDR4 2666 0,75 18

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 Sobre los tipos de
memorias

Es muy importante consultar el manual de la placa

base para saber el tipo de memoria (DDR, DDR2,
DDR3, DDR4), la capacidad y la colocación que
soporta.
A veces es necesario instalar los módulos por parejas
y en ranuras concretas, por ejemplo, para aprovechar
la capacidad de doble canal de memoria (dual
channel).

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 Sobre los tipos de memorias –
Buffered y unbuffered

Los módulos buffered o registered tienen registros

incorporados(circuitos que aseguran la estabilidad a costa de perder
rendimiento) que actúan como almacenamiento intermedio entre la CPU
y la memoria. Este tipo de memoria aumenta la fiabilidad del sistema,
pero también retarda los tiempos de transferencia de datos entre esta y el
sistema.
Se suelen usar sobre todo en servidores, donde es mucho más importante
la integridad de los datos que la velocidad. Los módulos registered se
distinguen de los unregistered por tener varios chips de pequeño tamaño.
Incluyen detección y corrección de errores (ECC).

Los módulos unbuffered o unregistered se comunican directamente con

el northbridgede la placa base. Esto hace que la memoria sea más rápida,
aunque menos segura que
la registered.

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 Memoria DDR5 – resumen
características (futuro y presente)

• Cada cuádruple del chip puede tener hasta 64 gigabits; como cada memoria
DDR5 podrá tener ocho cuádruples, la memoria máxima podrá ser de hasta
2 TB por módulo de RAM. Para la DRAM estándar los módulos podrán
doblar la capacidad de la DDR4, llegando hasta los 128 GB.
• La velocidad de transferencia de datos también se doblará, aunque esto
tiene su letra pequeña. La velocidad máxima será de 6,4 Gbps, mientras
que la actual es de 3,2 Gbps. Sin embargo, desde JEDEC anticipan que
los primeros módulos que lleguen al mercado tendrán una velocidad
máxima de 4,8 Gigabits por segundo.
• El propio módulo tendrá un regulador del voltaje, algo de lo que ahora se
ocupa la placa base. Así, la RAM gestionará la energía necesaria según la
actividad que se esté llevando a cabo. Desde JEDEC apuntan que esto
mejorará la resistencia del componente y reducirá el consumo energético.

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