EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
(BJT)
FUNCIONAMIENTO EN ZONA ACTIVA
FUNCIONAMIENTO COMO
INTERRUPTOR
De acuerdo con la Ley de Kirchoff:
• Donde β=hfe es el factor de amplificación (20 – 200)
• Para analizar la característica i – v de un transistor se debe tomar los
siguientes pares, los cuales originan una familia de curvas.
Puede distinguirse cuatro zonas del transistor:
• REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están conectadas en contra. La corriente
de base es muy pequeña, y no fluye, para todos los efectos, corriente al emisor.
• REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un amplificador lineal. La unión
BE está conectada en directo y la unión CB está en reversa.
• REGION DE SATURACION: Ambas uniones están conectadas en directo. Cuando un
transistor trabaja en esta región este funciona como interruptor.
• REGION DE RUPTURA: Que determina el límite físico de operación del transistor.
SE PUEDE OBSERVAR LA SIGUIENTE
RECTA
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
BJT
• La selección del punto de trabajo de un transistor se realiza a través de diferentes
circuitos de polarización que fijen sus tensiones y corrientes.
• La polarización con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable por
carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva térmica que
autodestruye el transistor.
• La polarización con una fuente es mucho más estable aunque el que más se utiliza con
componentes discretos es el circuito de auto polarización.
• La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturación al
mantener su tensión colector-base positiva.
• A continuación se muestran esquemas de polarización y algunas
formulas para poder implementar estos circuitos.
La polarización con dos fuentes (con
resistencia de emisor)
La polarización con divisor de tensión (con
resistencia de emisor)
Explicación de la práctica
• Vamos a comprobar el funcionamiento de los transistores con los diferentes métodos de
polarizarlo. Primero daremos un voltaje de ingreso a cada circuito que realicemos y con una
corriente de salida. El circuito de fuente doble con un voltaje extra.
• Con estos datos dados podemos calcular las resistencias necesarias para la base, colector y
cuando sea necesario para el emisor de cada circuito. Comprobaremos el voltaje Colector-
Emisor que debe alcanzar la mitad del voltaje de alimentación o un valor aproximado.
• Luego con un potenciómetro regularemos el voltaje de salida para obtener 1/4 Vcc o 3/4 Vcc
según sea el caso.
• Mediciones:
• Para Obtener la Curva Característica del transistor, con el circuito de polarización fija con dos
fuentes obtener las siguientes mediciones para 10 valores diferentes de VCC y para Vi constante
y obtener la curva característica del transistor.
• Para cumplir con los puntos del objetivo 2 para cada circuito medir VCE, VBE, IC, IB y obtener las
respectivas gráficas de la recta de carga del transistor.
Lista de módulos y materiales
Los materiales que utilizamos para esta práctica son:
• Resistencias
• Transistores NPN y PNP
• Protoboard.
• Cables de conexión para montaje.
• Pelacables.
• Multímetro.
• 2 Fuente de alimentacion
• Potenciómetro
Cálculos, mediciones, simulaciones
• POLARIZACION CON DOS FUENTES
CALCULOS
• HFE=192
• VCC=20
• VBB=13
• IC=13.5 mA
• VCE=15.9 V
DISEÑAR EL CIRCUITO Y CALCULAR EL VALOR Y LA POTENCIA DE LA RC Y
LA RB
• HFE=192
• VCC=20v
• VBB=5v
• IC=10 mA
• VCE=10v
DISEÑAR EL CIRCUITO Y CALCULAR EL VALOR Y LA POTENCIA DE LA RC Y
LA RB
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE
TRBAJO (Q)
POLARIZACION CON UNA FUENTE
• HFE=192
• VCC=20
• IC=13.5 mA
DISEÑAR EL CIRCUITO Y CALCULAR EL VALOR Y LA POTENCIA DE LA RC Y
LA RB
GRAFICAR LA RECTA DE CARGA Y EL PUNTO DE TRABAJO
POLARIZACION CON DIVISOR DE
TENSION
