Universidad de Oviedo Área de Tecnología

Electrónica

Introducción a la Electrónica de Dispositivos

Objetivo: Introducir los conceptos básicos sobre el

funcionamiento de los dispositivos semiconductores
Asignaturas:
•Dispositivos Electrónicos (1º de Ing. Telecomunicación)
•Electrónica General (4º de Ing. Industrial)
Autor: Javier Sebastián Zúñiga

Departamento de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de

Computadores y de Sistemas
ATE-UO present.
Universidad de Área de Tecnología
Oviedo Electrónica

Introducción a la Electrónica de
Dispositivos

•Materiales semiconductores ([Link])

•La unión PN y los diodos semiconductores
([Link])
•Transistores ([Link])

Departamento de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de

Computadores y de Sistemas
ATE-UO Sem 00
 Materiales semiconductores (I)
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son
Son materiales
materiales de
de conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la
de
de los
los metales
metales yy la
la de
de los
los aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica
en
en gran
gran medida
medida por por lala temperatura,
temperatura, lala excitación
excitación
óptica
ópticayylas
lasimpurezas.
impurezas.

ATE-UO Sem 01
 Materiales semiconductores (II)

•Estructura atómica del Carbono (6 electrones)

1s2 2s2 2p2
•Estructura atómica del Silicio (14 electrones)
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

•Estructura atómica del Germanio (32 electrones)

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

44 electrones
electrones en
en la
la última
última capa
capa
ATE-UO Sem 02
 Materiales semiconductores (III)
Carbono gaseoso (6 electrones) 1s2, 2s2, 2p2
4 estados vacíos

- - 2p2
- - 2s2

- - 1s2
Distancia interatómica

Banda de estados Estados discretos

(átomos aislados)
ATE-UO Sem 03
 Materiales semiconductores (IV)
Reducción de la distancia interatómica del Carbono
Energía

- -
- -
- - - -
- - - -
- -
Distancia interatómica

Diamante: Grafito:
Grafito:
Diamante:
Cúbico, Hexagonal,
Hexagonal, negro,
negro,
Cúbico, transparente,
transparente,
duro blando
blandoyy conductor
conductor
duroyy aislante
aislante
ATE-UO Sem 04
 Diagramas de bandas (I)
Diagrama de bandas del Carbono: diamante

4 estados/átomo Banda de conducción

Energía

Banda prohibida
Eg=6eV

- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

- -

Si
Si un
un electrón
electrón dede lala banda
banda dede valencia
valencia alcanzara
alcanzara lala energía
energía
necesaria
necesariapara
parasaltar
saltaraalalabanda
bandade deconducción,
conducción,podría
podríamoverse
moversealal
estado
estado vacío
vacío de
de la
la banda
banda dede conducción
conducción dede otro
otro átomo
átomo vecino,
vecino,
generando
generandocorriente
corrienteeléctrica.
elé[Link]
temperaturaambiente
ambientecasi
casiningún
ningún
electrón
electróntiene
tieneesta
estaenergía.
energía.
Es
Esun
unaislante.
aislante.
ATE-UO Sem 05
 Diagramas de bandas (II)
Diagrama de bandas del Carbono: grafito

4 estados/átomo Banda de
Energía

conducción

- -
- - Banda de
4 electrones/átomo valencia

No
No hay
hay banda
banda prohibida.
prohibida. Los
Los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de
valencia
valenciatienen
tienenla
lamisma
mismaenergía
energíaquequelos
losestados
estadosvacíos
vacíos
de
dela
labanda
bandadedeconducción,
conducción,por porloloque
quepueden
puedenmoverse
moverse
generando
generando corriente
corriente eléctrica.
eléctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente
es
esun
unbuen
buenconductor.
conductor.

ATE-UO Sem 06
 Diagramas de bandas (III)
Diagrama de bandas del Ge

4 estados/átomo
Energía

Banda de conducción

Eg=0,67eV Banda prohibida

- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

- -

Si
Si un
un electrón
electrón dede la
la banda
banda dede valencia
valencia alcanza
alcanza la
la energía
energía necesaria
necesaria
para
para saltar
saltar aa la
la banda
banda de de conducción,
conducción, puede
puede moverse
moverse al al estado
estado
vacío
vacío de
de la
la banda
banda de de conducción
conducción de de otro
otro átomo
átomo vecino,
vecino, generando
generando
corriente
corriente eléctrica.
eléctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente algunos
algunos electrones
electrones
tienen
tienenesta
estaenergía.
energía. Es Esun
unsemiconductor.
semiconductor.
ATE-UO Sem 07
 Diagramas de bandas (IV)
Banda de Banda de Banda de
conducción conducción conducción
Eg Eg

Banda de Banda de Banda de

valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg

AA 0ºK,
0ºK, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como loslos semiconductores
semiconductores no no
conducen,
conducen, yaya que
que ningún
ningún electrón
electrón tiene
tiene energía
energía suficiente
suficiente para
para
pasar
pasar de
de la
la banda
banda de de valencia
valencia aa la
la de
de conducción.
conducción. AA 300ºK,
300ºK,
algunos
algunoselectrones
electronesde delos
lossemiconductores
semiconductoresalcanzan
alcanzaneste
estenivel.
[Link]
Al
aumentar
aumentar la la temperatura
temperatura aumenta
aumenta la la conducción
conducción en en los
los
semiconductores
semiconductores(al (alcontrario
contrarioque
queen
enlos
losmetales).
metales).
ATE-UO Sem 08
Representación plana del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
G G G G
- - -
e- e
- e
- e
-

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa
que
que los
los electrones
electrones de
de la
la banda
banda dede valencia
valencia no
no
pueden
puedensaltar
saltaraala
labanda
bandadedeconducción.
conducción.
ATE-UO Sem 09
 Situación del Ge a 0ºK
300º K (I)
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- - -
- -
+
- -
- - - - -
G G G G
- - -
e
- e
- e
- e
-
••Hay
Hay 1 enlace roto por cada 1,7·10 átomos.
1 enlace roto por cada 1,7·10 99
átomos.
••Un
Un electrón
electrón “libre”
“libre” yy una
una carga
carga “+”
“+” por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto.
ATE-UO Sem 10
 Situación del Ge a 300º K (II) -
Generación
- - -
+
-
- Muy - - - -
importante
G - G - G - Recombinación
G
e e e e
- - - - Generación - -
Generación
- -
+
- -
-
G
-
-
G -
Recombinación
-
G -
-
G
+ -
e
- e
- e
- e
-
Siempre
Siempre se se están
están rompiendo
rompiendo (generación)
(generación) yy
reconstruyendo
reconstruyendo (recombinación)
(recombinación) enlaces.
enlaces. La
La vida
vida media
media
de
de un
un electrón
electrón puede
puede ser
ser del
del orden
orden de
de milisegundos
milisegundos oo
microsegundos.
microsegundos.
ATE-UO Sem 11
- Aplicación de un campo externo (I)

+++++++
- - - -

- -
G -
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- - e
- - e
-- -
e
- -
-
- -
+
- -
-
-
- - - -
G G G G
- - -
e e e e

-
- - - -

- ••El
- +
El electrón
electrónlibre
librese
semueve
muevepor
poracción
accióndel
del campo.
campo.
••¿Y
¿Ylalacarga
carga”+”
”+”?.
?.
ATE-UO Sem 12
- Aplicación de un campo externo (II)

+++++++
- - - -

- -
G
Muy
importante
-
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- e
- - e
-- e
-
-
- -
+ +
- -
-
-
- - - -
G G G G
- - -
e e e e

-
- - - -

- -
••La
+
Lacarga
carga“+”
“+”se
semueve
muevetambién.
también. Es
Esun
unnuevo
nuevo
portador
portadorde
decarga, llamado “hueco”
carga, llamado “hueco”..
ATE-UO Sem 13
 Mecanismo de conducción. Interpretación
en diagrama de bandas
Átomo 1 Átomo 2 Átomo 3

- -

- +- -
+ - - -
- - - - - -

- Campo eléctrico +
ATE-UO Sem 14
Movimiento de cargas por un campo
eléctrico exterior (I)


-

+++++
-
- - - - -
+ + + + +
- - - - - -
- + + + + +

- 
jp

jn
Existe
Existecorriente
corrienteeléctrica
eléctricadebida
debidaaalos
losdos
dosportadores
portadoresde
decarga:
carga:
 
jjpp=q·
=q·pp·p·
·p· es
esla
ladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
dehuecos.
huecos.
 
jjnn=q·
=q·nn·n·
·n· es
esla
ladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
deelectrones.
electrones.
ATE-UO Sem 15
Movimiento de cargas por un campo eléctrico
exterior (II)
   
jp=q·p·p· jn=q·n·n·
q = carga del electrón
p = movilidad de los huecos
n = movilidad de los electrones
p = concentración de huecos
n = concentración de electrones
 = intensidad del campo eléctrico
Ge Si As Ga
(cm2/V·s) (cm2/V·s) (cm2/V·s)
Muy
n 3900 1350 8500
importante
p 1900 480 400
ATE-UO Sem 16
 Semiconductores Intrínsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

¿Pueden
¿Puedenmodificarse
modificarseestos
estosvalores?
valores?
¿Puede
¿Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
el número
númerodedeelectrones
electronesyyde
de
huecos?
huecos?
La
Larespuesta
respuestason los Semiconductores
sonlos Semiconductores Extrínsecos
Extrínsecos
ATE-UO Sem 17
 Semiconductores Extrínsecos (I)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
-
0ºK
-
- 1
- - 5 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Sb
- -
e
- - 4 e
- e
3 -
Tiene 5 electrones en la A
A 0ºK,
0ºK, habría
habría un
un electrón
electrón
última capa adicional
adicional ligado
ligado al
al átomo
átomo
de
de Sb
Sb
ATE-UO Sem 18
 Semiconductores Extrínsecos (II)
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5 -
300ºK
-
0ºK
-
- 1 5
- - - -
2
- -
- - -
G G G
-
Sb
- -
e- Sb+ - 4 e
- e
3 -
AA 300ºK,
300ºK, todos
todos electrones
electrones adicionales
adicionales de
de los
los átomos
átomos dede Sb
Sb están
están
desligados
desligados dede su
su átomo
átomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente
eléctrica).
eléctrica). El
El Sb
Sb es un donador
es un donador yy enen el
el Ge
Ge hay
hay más
más electrones
electrones
que
quehuecos.
[Link] Esun semiconductor tipo
unsemiconductor tipoN.
N.
ATE-UO Sem 19
 Semiconductores Extrínsecos (III)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo N

3
4 est./atm. 300ºK
0ºK
Energía

- 1
0 electr./atm.
-
+
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.

El
El Sb
Sb genera
genera unun estado
estado permitido
permitido enen la
la banda
banda
prohibida,
prohibida, muy
muy cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de conducción.
conducción. LaLa
energía
energía necesaria
necesaria para
para alcanzar
alcanzar lala banda
banda de de
conducción
conducciónse seconsigue
consigueaala latemperatura
temperaturaambiente.
ambiente.
ATE-UO Sem 20
 Semiconductores Extrínsecos (IV)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
0ºK
-
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Al
-
e
- - e
- e
3 -
Tiene 3 electrones en la A
A 0ºK,
0ºK, habría
habría una
una “falta
“falta de
de
última capa electrón”
electrón” adicional
adicional ligado
ligado
al
al átomo
átomo dede Al
Al
ATE-UO Sem 21
 Semiconductores Extrínsecos (V)
- - - -
- - - - -
Ge - Ge -
+ Ge - Ge
-
300ºK
-
0ºK
- -
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Al
-
-
-
e- Al - 4 (extra) e e
3
- -
AA 300ºK,
300ºK, todas
todas las
las “faltas”
“faltas” de
de electrón
electrón de
de los
los átomos
átomos de de
Al
Al están
están cubiertas
cubiertas concon unun electrón
electrón procedente
procedente de de un
un
átomo
átomo de
de Ge,
Ge, en
en elel que
que se
se genera
genera un
un hueco.
hueco. ElEl Al
Al es
es un
un
aceptador
aceptador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay más
más huecos
huecos que
que electrones.
electrones. Es
Es
un
unsemiconductor
semiconductor tipotipoP.P.
ATE-UO Sem 22
 Semiconductores Extrínsecos (VI)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo P

4 est./atom. 300ºK
0ºK
Energía

EAl=0,067eV Eg=0,67eV
-
+- - 43 electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.

El
El Al
Al genera
genera unun estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida,
muy
muy cerca
cerca de
de la la banda
banda dede valencia.
valencia. La
La energía
energía necesaria
necesaria
para
para que
que un
un electrón
electrón alcance
alcance este
este estado
estado permitido
permitido se
se
consigue
consigue aa la
la temperatura
temperatura ambiente,
ambiente, generando
generando unun hueco
hueco
en
enla
labanda
bandadedevalencia.
valencia.
ATE-UO Sem 23
 Resumen
Muy
Semiconductores intrínsecos: importante
•Igual número de huecos y de electrones
Semiconductores extrínsecos:
Tipo P:
•Más huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
•Impurezas del grupo III (aceptador)
•Todos los átomos de aceptador ionizados “-”.
Tipo N:
•Más electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
•Impurezas del grupo V (donador)
•Todos los átomos de donador ionizados “+”.
ATE-UO Sem 24
 Diagramas de bandas del cristal
Cristal de Ge con m átomos

4·m estados 0ºK

300ºK
Banda de
Energía

conducción
- -

- - +- - - - - - - +- - - Banda de
- - - - - - - - - - - - valencia
- - - - - - - - - - - -
- - - - - - - - - - - -
4·m electrones ¿Cómo es la distribución de
¿Cómo es la distribución de
electrones
electrones ,, huecos
huecos yy estados
estados
en
enlalarealidad?
realidad?
ATE-UO Sem 25
 Densidad de estados en las bandas
de conducción y valencia
gc(E)= densidad de estados en
E gc(E) los que puede haber electrones
en la banda de conducción
Ec
Banda prohibida Eg=0,67eV (Ge)
Ev

E1 dE gv(E)= densidad de estados en

gv(E) los que puede haber electrones
en la banda de valencia

Significado: gv(E1)·dE = nº de estados con energía E1 en

los que puede haber electrones en la banda de valencia,
por unidad de volumen. Lo mismo para la otra banda
ATE-UO Sem 26
 Función de Fermi f(E)
f(E) es la probabilidad de que un estado de
energía E esté ocupado por un electrón, en
equilibrio
1
f(E) = (E-EF)/kT
f(E)
1
1+e
T=0ºK
EF=nivel de Fermi
0,5 k=constante de Boltzmann
T=temperatura absoluta
T=300ºK T=500ºK
0
0 EF E
ATE-UO Sem 27
 Calculamos la concentración de electrones en
la banda de conducción, “n”.
Estados vacíos
Estados posibles
completamente En general:

E
gc(E)
E
n = gc(E)·f(E)·dE
c
Ec
A 0ºK:
EF
f(E)b. cond.=0,
Ev luego n = 0
gv(E)

f(E)
0 0,5 1
Estados completamente
Estados posibles
llenos de electrones ATE-UO Sem 28
Semiconductor intrínseco a alta temperatura
(para que se puedan ver los electrones)

n electrones/vol.
Estados posibles


gc(E)
E n=
Egc(E)·f(E)·dE 
c
Ec

EF
Ev
huecos
gv(E)
f(E)
Estados posibles 0
Electrones 0,5 1
ATE-UO Sem 29
 Calculamos la concentración de huecos en la
banda de valencia, “p”.
Ev
Electrones

Estados posibles
p= gv(E)·(1-f(E))·dE = n
E -
gc(E) 1-f(E)
Ec El
Elnivel
nivelde
deFermi
Fermitiene
tiene
que
que ser
ser tal
tal que
que laslas
EF áreas
áreasque
querepresentan
representan
huecos
huecos yy electrones
electrones
Ev sean
sean idénticas
idénticas (sem.
(sem.
intrínseco)
intrínseco)
gv(E) f(E)

Huecos posibles 0
Estados 0,5 1 ATE-UO Sem 30
 Concentración de electrones y huecos en sem.
intrínsecos, extrínsecos tipo N y extrínsecos tipo P

nn 1-f(E)
n 1-f(E)
1-f(E)
Sube el nivel
Baja el nivel
de Fermi
de Fermi

pp p
f(E)
f(E)
f(E)

Semiconductor
Semiconductor
Semiconductor extrínseco
intrínseco
extrínseco tipotipo
P N
ATE-UO Sem 31
 Relaciones entre “n”, “p” y “ni”


E
(EF-Ec)/kT
n= gc(E)·f(E)·dE  Nc· e Nc es una constante
que depende de T3/2
c

Ev

-
(Ev-EF)/kT Nv es otra constante
p= gv(E)·(1-f(E))·dE  Nv· e que depende de T3/2

Particularizamos para (Ev-EFi)/kT (EFi-Ec)/kT

el caso intrínseco: ni = pi = Nv·e = Nc·e
(EF-EFi)/kT (EFi-EF)/kT
Eliminamos Nc y Nv: n = ni·e p = ni·e
Muy
Finalmente obtenemos: p·n =n 22
p·n =nii importante
ATE-UO Sem 32
Ecuaciones en los semiconductores extrínsecos
ND= concentr. donador NA= concentr. aceptador

Neutralidad eléctrica (el semiconductor intrínseco era

neutro y la sustancia dopante también, por lo que
también lo será el semiconductor extrínseco):
Dopado
Dopadotipo
tipoN:
N: nn== pp++NND
D
Dopado
Dopadotipo
tipoP:
P: nn++NNA == pp
A
Ambos
Ambosdopados:
dopados: nn++NNAA == pp++NNDD Muy
importante
Producto n·p p·n
p·n =n
=ni2i2
Simplificaciones si ND >> ni Simplificaciones si NA >> ni
n=ND ND·p = ni2 p=NA NA·n = ni2
ATE-UO Sem 33
Diagrama de bandas con un campo eléctrico
interno y en equilibrio
- Si
Siexiste
existeun
uncampo
campoyy
- estamos
estamosen enequilibrio,
Ge + - equilibrio,
++++
- - cambian
cambianlaslas
1 + + - 2 concentraciones
concentracionesde delos
los

- portadores.
+ - [Link] la
 inversa
inversapasa
pasalolomismo.
mismo.
V1 V2

EFi = EFi2-EFi1 =
(V1-V2)·q
= (V2 - V1)·(-q) = Ecc
n > ni p > ni EFi2
= (V1 - V2)·q EFi EF EFi1
El Ev
E
Elnivel
niveldedeFermi
Fermies eselel v
mismo
mismoen entodo
todoelel
cristal
cristal(equilibrio).
(equilibrio).
1 2 ATE-UO Sem 34
 Difusión de electrones (I)

- - - - - -

- - - - jn - -
- - - - - -

1 - - - - - - 2

n1  n2 < n 1
jn
Los
Los electrones
electrones se
se han
han movido por difusión
movido por difusión (el
(el
mismo
mismo fenómeno
fenómeno que
que la
la difusión
difusión de
de gases
gases oo de
de
líquidos).
líquidos).
ATE-UO Sem 35
 Difusión de electrones (II)
- - - - Mantenemos la
concentración distinta
- - - - - -
- - - -

1 - - - - 2

n1   n2 < n 1

jn n
La
La densidad
densidad de
de corriente
corriente aa la
la que
que dan
dan origen
origen es
es proporcional
proporcional al
al
gradiente
gradientede
dela
laconcentración
concentraciónde deelectrones:
electrones:
 
jjnn=q·D
=q·Dnn·· nn
ATE-UO Sem 36
 Difusión de huecos (I)

+ + ++ + + +
+ + + + + + +

+ + + + + +

1 + + + + + + 2

p1  p2 < p 1
jp
Los
Los huecos
huecos se
se han
han movido por difusión
movido por difusión (el
(el mismo
mismo
fenómeno
fenómenoque
quelaladifusión
difusiónde
deelectrones).
electrones).

ATE-UO Sem 37
 Difusión de huecos (II)

+ + + + Mantenemos la
concentración distinta
+ + + + + +

+ + + +
1 2
+ + + +

p1  p2 < p 1
 
p jp
La
La densidad
densidad de
de corriente
corriente es
es proporcional
proporcional al
al gradiente
gradiente de
de la
la
concentración
concentraciónde
dehuecos,
huecos,aunque
aunquesususentido
sentidoes
esopuesto:
 
 opuesto:
jjpp=-q·D
=-q·Dpp·· pp
ATE-UO Sem 38
 Resumen de la difusión de portadores 
     
jn=q·Dn· n jp=-q·Dp· p
Dn = Constante de difusión de electrones
Dp = Constante de difusión de huecos
Ge Si As Ga
2 2
(cm /·s) (cm /·s) (cm2/·s)

Dn 100 35 220
Muy
Dp 50 12,5 10
importante

Nótese
Nótese que
que las
las corrientes
corrientes de
de difusión
difusión no
no dependen
dependen
de
de las
las concentraciones,
concentraciones, sino
sino dede lala variación
variación
espacial
espacial (gradiente)
(gradiente)dedelas
lasconcentraciones.
concentraciones.
ATE-UO Sem 39
 Equilibrio difusión-campo para electrones (I)

1 - - - - 2 -
+++++

- - - - - -
- -
-
-
- - -
- - - -
 -
n1  n2 < n 1

jn difusión=q·Dn·dn/dx jn difusión

jn campo=q·n·n· jn campo

Equilibrio:
Equilibrio: jjnndifusión+
difusión+ jjn =0
n campo=0
campo
ATE-UO Sem 40
 Equilibrio difusión-campo para electrones (II)

1 - - - - 2 -
+++++

- - - - - -
V1
- -
- V2
-
- - -
- - - -
 -

n1 n2< n1
Sustituimos e integramos:

jn difusión=q·Dn·dn/dx jn campo=q·n·n· =-dV/dx

VV2121=V
=V22-V
-V11=-(D
=-(Dnn/
/nn)·ln(n
)·ln(n11/n
/n22))
ATE-UO Sem 41
 Equilibrio difusión-campo para huecos (I)

- + + + +

+++++
- + + + + +
-
+ + + + +
-

- + + + +

p1 p2 < p 1

jp difusión=-q·Dp·dp/dx jp difusión

jp campo=q·p·p· jp campo

Equilibrio:
Equilibrio: jjppdifusión+
difusión+ jjp =0
p campo=0
campo
ATE-UO Sem 42
 Equilibrio difusión-campo para huecos (II)

- 1 + 2

+++++
+ + +
- + + + + +
V1 - V2
+ + + + +
-
- + + + + 

p1 p2< p1
Sustituimos e integramos:

jp difusión=-q·Dp·dp/dx jp campo=q·p·p· =-dV/dx

VV2121=V
=V22-V
-V11=(D
=(Dpp/
/pp)·ln(p
)·ln(p11/p
/p22))
ATE-UO Sem 43
 Equilibrio difusión-campo para electrones y
huecos (I)
1 2
- - - - -

+++++
+ + + +
- +
-
+ +
-
+
- -
V1 - V2
- +
- -
+ + + +
-
-
- - - -
+
- +
+

p1, n1  p2, n2

Partimos de: V21 = V2-V1 = (Dp/p)·ln(p1/p2)

V21 = V2-V1 = -(Dn/n)·ln(n1/n2)
p1.n1 = ni2 p2.n2 = ni2 ATE-UO Sem 44
 Equilibrio difusión-campo para electrones y
huecos (II)
se obtiene: p1/p2 = n2/n1 Dp/p = Dn/n
(EF-EFi1)/kT (EF-EFi2)/kT
Partimos de: n1 = ni·e n2 = ni·e
EFi2-EFi1 =q·(V1-V2)
q·(V2-V1)/kT
se obtiene: n2/n1 = e y, por tanto:

V2-V1 = (Dn/n)·ln(n2/n1) = (Dn/n)· q·(V2-V1)/kT

D
Dnn/
/nn== kT/q
kT/q == VVTT (Relación
(Relaciónde
deEinstein)
Einstein)

también: D
también: Dnn/
/nn== D
Dpp/
/pp == kT/q
kT/q == VVTT
((V
VTT ==26mV
26mVaa300ºK)
300ºK)
ATE-UO Sem 45
 Equilibrio difusión-campo para electrones y
huecos (III)
1 2
- -

+++
- - -
+ + + +
-
V1 +
-
V2
- -
+ + +
-
 + p2<p1
- - -
+ + + +
p1,-n1 
n2>n1
Resumen:
(V2-V1)/ VT
V2-V1 = VT·ln(p1/p2) p1/p2 = e
ó (V2-V1)/ VT
V2-V1 = VT·ln(n2/n1) n2/n1 = e
Muy
(VT = 26mV a 300ºK) importante
ATE-UO Sem 46
 Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (I)
Partimos de un semiconductor tipo N. Dibujamos los pocos huecos

En t<0, p(t) = p p
+ + + + +
N

+ + + +
p0
+ + + + +
+ + + +
N
En t=0, incide luz (por ejemplo), por lo que:
p=n p(0)=p0>>pn(0)=n0 n
(Hipótesis de baja inyección)
ATE-UO Sem 47
 Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (II)
Definimos el “exceso de minoritarios”:
p’(t)=p(t)- p p’0= p0-p

+ + + + p0
+ + + + +
+ + + +
N
Cesa
Cesa la
la luz.
luz. Hay
Hay un
un exceso
exceso dede concentración
concentración dede
huecos
huecos con
con relación
relación aa la
la de
de equilibrio
equilibrio térmico.
térmico. Se
Se
incrementan
incrementanlaslasrecombinaciones.
recombinaciones.
ATE-UO Sem 48
 Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (III)
t=0 , p0 + + + + p0
+ + + + +
+ + + +
N
t=t1 , p1<p0 + + + + p01
+ + + + +
+ + + +
N
t= , p<p1 +
p1
+
+ + + + +
+ +
N
ATE-UO Sem 49
 Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (IV)
¿Cómo es esta
p(t)
p0 curva?
p1 p2
p  p
t1 t2 t
Representamos el exceso de concentración

p’(t)
p’0
p’1 p’
2

t1 t2 t
ATE-UO Sem 50
 Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (V)
La tasa de recombinación de huecos debe ser
proporcional al exceso en su concentración:
-dp/dt = K1·p’ (nótese que dp/dt = dp’/dt)
Integrando:
p(t) = p+p-p)·e-tp
donde p= 1/K1 (vida media de los huecos)
p0 Muy
p(t) importante
p p
t
ATE-UO Sem 51
 Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (VI)
Interpretaciones de la vida media de los huecos p
Tangente en el origen
p0 Mismo área

p p(t) p
t
p
p0 Idea aproximada
p p(t) p
t
p Lo mismo con los electrones
ATE-UO Sem 52
 Ecuación de continuidad (I)
Objetivo: relacionar la variación temporal y
espacial de la concentración de los portadores.
El cálculo se realizará con los huecos

¿Por
¿Por qué
qué razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el tiempo
tiempo la
la
concentración
concentraciónde
dehuecos
huecosen
eneste
esterecinto?
recinto?

1º Acumulación de huecos al entrar y

salir distinta densidad de corriente
jp1 jp2

1 2
ATE-UO Sem 53
 Ecuación de continuidad (II)
¿Por
¿Por qué
qué razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en elel
tiempo
tiempo la
la concentración
concentración de
de huecos
huecos en
en este
este
recinto?
recinto?

+ -
+ -

1 2

2º Recombinación de los huecos o

electrones que pueda haber en exceso

ATE-UO Sem 54
 Ecuación de continuidad (III)
¿Por
¿Por qué
qué razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el tiempo
tiempo
la
laconcentración
concentracióndedehuecos
huecosen
eneste
esterecinto?
recinto?

Luz

-
-
+ +
1 2
3º Generación de un exceso de concentración
de huecos y electrones por luz

ATE-UO Sem 55
 Ecuación de continuidad (IV)
1º Acumulación de huecos al entrar y salir distinta densidad de corriente
A
A
jp(x)

jp(x+dx)
dx
Carga eléctrica que entra por unidad de tiempo: jp(x)·A

Carga eléctrica que sale por unidad de tiempo: jp(x+dx)·A

Variación de la concentración de huecos en el volumen

A·dx por unidad de tiempo:
jp(x)·A-jp(x+dx)·A
q·A·dx
ATE-UO Sem 56
 Ecuación de continuidad (V)
1º Acumulación de huecos al entrar y salir distinta densidad de
corriente (continuación)
Si la corriente varía en 3 dimensiones, la variación
de la concentración de huecos por unidad de
tiempo en el volumen A·dx, será :   -
· jp/q
2º Recombinación de los huecos que pueda haber en exceso
La variación de la concentración de huecos por unidad
de tiempo en el volumen A·dx, será : -[p(t)- p]/p
3º Generación de un exceso de concentración de huecos por luz

La variación de la concentración de huecos por unidad

de tiempo en el volumen A·dx debida a luz: GL
ATE-UO Sem 57
 Ecuación de continuidad (VI)

Ecuación de continuidad para los

huecos:

p/t = GL- [p(t)-p]/p
-
·jp/q
Muy
importante
Igualmente para los electrones:

n/t = GL- [n(t)-n]/n
+
·jn/q

ATE-UO Sem 58
Caso de especial interés en la aplicación
de la ecuación de continuidad
Admitiendo:
• 1 dimensión (solo x)
• estudio de minoritarios (huecos en zona N y
electrones en zona P)
• campo eléctrico despreciable (=0)
• bajo nivel de inyección (siempre menos
minoritarios que mayoritarios)
Queda: d(jp zonaN )/dx = -q·Dp·2p/x2

d(jn zonaP )/dx = q·Dn·2n/x2

p ’/t = G -p ’/ +D · p
22
’/x
pNN’/t = GLL-pNN’/pp+Dpp· pNN’/x 22

n ’/t = G -n ’/ +D · 22
n ’/x
nPP’/t = GLL-nPP’/nn+Dnn· nPP’/x22
ATE-UO Sem 59
 Inyección continua de minoritarios por una
sección (régimen permanente) (I)
+ +
+
+
+ + N
+
+ + + + + +
+ + + +
+ + +
+
x xN
Hay que resolver la ecuación de continuidad en este caso:
0 = -pN’/p+Dp·2pN’/x2
La solución es:
pN’(x) = C1·e-x/Lp + C2·ex/Lp
donde Lp=(Dp· p)1/2 (Longitud de Difusión de huecos)
ATE-UO Sem 60
Inyección continua de minoritarios por una
sección (régimen permanente) (II)
Si XN>>Lp ,entonces:
C2=0 C1=pN(0)-pN()=pN0-pNp’N0
Por tanto: ppNN(x) = p
(x) = pN
N
+p
+pN0
N0
-p
-pN
N
)·e
)·e-xL
-xLpp

A esta conclusión también se llega integrando:

-dpN’(X)/dx = K2·pN’(x)
y teniendo en cuenta que:
Lp= 1/K2 , pN()= pN sin inyección
(proceso paralelo al seguido para calcular la
evolución en el tiempo en vez de en el espacio)
ATE-UO Sem 61
 Interpretación de la longitud de difusión
de los huecos Lp Muy
Tangente en el origen importante
pN0 Mismo área

pN pN(x) pN

x
Lp
pN0 Idea aproximada
pN(x)
pN pN
x
Lp
Con
Conlos
loselectrones
electronesminoritarios
minoritariosde
deuna
unazona
zonaPPsucede
sucedelo
lomismo
mismo
ATE-UO Sem 62