Área de

Universidad
Tecnología
de Oviedo
Electrónica

Introducción a la Electrónica
de Dispositivos

•Materiales semiconductores
•La unión PN y los diodos
semiconductores
•Transistores

Departamento de Ingeniería Eléctrica,

Electrónica, de Computadores y de Sistemas

ATE-UO Trans 00
 Tipos de transistores

BJT { NPN
PNP

{
Canal P

{
JFET Canal N
FET
MOSFET
{
{
Canal P
Acumulación

{
Canal N

{
Canal P
Deplexión Canal N

BJT:Transistores bipolares de unión

FET: Transistores de efecto de campo
JFET: Transistores de efecto de
campo de unión
MOSFET: Transistores de efecto de
campo de metal-oxido-semiconductor
ATE-UO Trans 01
 Características comunes a
todos los transistores (I)
•Son dispositivos (típicamente) de 3
terminales.
•Dos de los tres terminales actúan
como terminales de entrada (control).
•Dos de los tres terminales actúan
como terminales de salida. Un terminal
es común a entrada y salida.
•La tensión entre los terminales de
entrada determina el comportamiento
eléctrico de la salida.
•La potencia consumida en la entrada
es menor que la controlada en la salida.
•La salida se comporta como:

•Fuente de corriente controlada

(zona lineal o activa).
•Corto circuito (saturación).
•Circuito abierto (corte).

ATE-UO Trans 02
 Características comunes a
todos los transistores (II)
ie is

+ +
Ve Vs
- -
Entrada Salida
is
+
+ is
-
Vs = -
Vs
Zona
Activa
is is
+
-
Vs = Vs=0 Zona de
Saturación
is is=0
+ +
Zona de
-
Vs = Vs Corte
-
ATE-UO Trans 03
Transistores bipolares de unión (I)

Transistor PNP: zona P, zona N

y zona P
Transistor NPN: zona N, zona
P y zona N
Colector (P) Colector (N)

Base Base
(N) (P)

Emisor (P) Emisor (N)

Transistor PNP Transistor NPN

Importantísimo:
Importantísimo:
••El
El emisor
emisor debe
debe estar
estar mucho
mucho más
más
dopado
dopado que
que lala base.
base.
••La
La base
base debe
debe serser mucho
mucho más
más
pequeña
pequeña que
que lala longitud
longitud de
de
difusión
difusión de
de los
los mayoritarios
mayoritarios del
del
emisor.
emisor.
ATE-UO Trans 04
 Transistores bipolares de unión (II)

Transistor PNP de Silicio

Emisor y Colector
NAE=1015 átm/cm2 Base
NAC=1014 átm/cm2 NDB=1013 átm/cm2
p=100 ns n=100 ns
Lp=0.01 mm Ln=0.02 mm

E B C
P+ N- P
1016

pE =10 15 nB =1013
Portad./cm3

10 12 pC =1014

108 pB =107
nC=106
nE =105
104
1m escala
logarítmica

ATE-UO Trans 05
 Polarización en Zona Activa (I)
Polarizamos las uniones:
Unión Emisor-Base, directamente
Unión Base-Colector, inversamente
Emisor (P) Colector (P)

B (N)

VEB VBC
iE
VEB B VBC
P
E P + N- C
¿Cómo
¿Cómoes esla lacorriente
corrienteque
queatraviesa
atraviesa
la
launión
uniónEmisor-Base?
Emisor-Base?
Por
Porestar
estar mucho
muchomásmásdopado
dopadoel el
emisor,
emisor, lalacorriente
corrienteesescasi
casi sólo
sólodede
huecos,
huecos, yycoincide
coincidecon
conlalatotal
total del
del
Emisor
Emisor iiEE..
ATE-UO Trans 06
 Recuérdese:
3·10 -3 Unión P+N-
corriente [A/cm2]

Zona P Zona N
Densidad de

2·10-3
jp
10 -3

0 jn
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Longitud [mm]
3·10-3

jTotal Zona N
corriente [A/cm2]

Zona P
2·10 -3
Densidad de

jp
10-3 Unión

0 jn
-1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5
Longitud [m]

La
Lacorriente
corrienteque
queatraviesa
atraviesala
launión
uniónse sedebe
debe
fundamentalmente
fundamentalmenteal almayoritario
mayoritariodedelalazona
zona
muy
muydopada
dopadayycasi
casicoincide
coincidecon
conlalatotal.
total.

ATE-UO Trans 07
 Polarización en Zona Activa (II)
¿Cómo
¿Cómo es es lala corriente
corriente que
que
atraviesa
atraviesa la
la zona
zona de
de la
la Base?
Base?
Para
Para contestar
contestar aa esta
esta pregunta
pregunta
hace
hace falta
falta conocer
conocer la
la
distribución
distribución de de portadores
portadores
minoritarios
minoritarios (huecos)
(huecos) en en lala
base.
base. Conocemos:
Conocemos:
••Aumento
Aumento en
en lala concentración
concentración de
de
huecos
huecos en
en lala zona
zona de
de la
la base
base
adyacente
adyacenteaala
launión
uniónEmisor-Base:
Emisor-Base:
P (0)=(e
PBB(0)=(e EB/VTT-1)·n 2/N
VVEB /V 2
-1)·nii /NDB
DB
VEB VBC

E B C
P+ N- P
LB Escala
pB(0) lineal
pB s.p.= ni2/NDB
0 x
ATE-UO Trans 08
 Polarización en Zona Activa (III)

••Disminución
Disminución en
en la
la concentración
concentración de
de
huecos
huecos enen lala zona
zona dede lala base
base
adyacente
adyacenteaala
launión
uniónBase-Colector:
Base-Colector:
P (L )=(e
PBB(LBB)=(e -V BC/VTT-1)·n 2/N
-VBC /V 2
-1)·nii /NDB
DB
00
(la
(la tensión
tensión Base-Colector
Base-Colector casi
casi no
no
afecta
afectaaala
laordenada
ordenadade
deeste
estepunto)
punto)

VEB VBC

E B C
P+ N- P
LB
pB s.p.= ni2/NDB pB(LB) 0

0 x
Entre estos dos puntos, la
concentración se calcula por la
ecuación de continuidad aplicada a
la inyección estática de minoritarios.
ATE-UO Trans 09
 Recuérdese:

Ecuación de continuidad en este caso

es:
0 = -pB’/p+Dp·2pB’/x2
La solución es:
pB’(x) = C1·e-x/Lp + C2·ex/Lp
donde Lp=(Dp· p)1/2
La solución general se puede simplificar
despreciando el término de
recombinaciones (la Base es tan
estrecha que no se producen
recombinaciones, al ser LB<<LP).
En este caso la concentración de huecos
en la Base sería:

pB(x)=pB(0)-x·[pB(0)- pB(LB)]/LB
(es una recta)

ATE-UO Trans 10
 Polarización en Zona Activa (IV)
VEB=0.3 VBC

E B C
P+ N- P

LB
VEBO=0.477 V
Portad./cm3
1012
Escala
pB lineal
5·1011

nE nC
0
1m

Para
Para cualquier
cualquier VVBC
BC
>0,
>0, la
la
posición
posición vertical
vertical de
de este
este
punto
punto no
no varía
varía casi.
casi.
ATE-UO Trans 11
 Polarización en Zona Activa (V)
Pendiente constante
Portad./cm 3

1012
Escala
pB lineal
5·1011

nE nC
0
LB

Importantísimo:
Importantísimo:
La
La corriente
corriente en
en la
la Base
Base casi
casi no
no
varía,
varía, ya
ya que
que lala pendiente
pendiente dede
sus
sus minoritarios
minoritarios (principales
(principales
responsables
responsables de de la
la conducción
conducción
al
al estar
estar mucho
mucho másmás dopado
dopado elel
Emisor
Emisor queque la
la Base)
Base) eses casi
casi
constante,
constante, porpor ser
ser lala Base
Base
estrecha.
estrecha.
ATE-UO Trans 12
 Polarización en Zona Activa (VI)
VEB=0.3 VBC

E B C
P+ N- P

LB
VEBO=0.477 V
Portad./cm3
1012
Escala
pB lineal
5·1011

nE nC
0
1m

Para
Para cualquier
cualquier VVBC
BC
>0,
>0, la
la
posición
posición vertical
vertical de
de este
este
punto
punto no
no varía
varía casi.
casi.
ATE-UO Trans 13
 Polarización en Zona Activa (VII)
VEB VBC
E B C
P+ N- P
Portad./cm3 LB
1012
pB Escala
lineal
5·1011 VEB
nE nC
0

La
Lacorriente
corrienteque
quecircula
circulapor
porlalazona
zonade
de
Base
Basese
secontrola
controlacon
conVVEB.. Nótese
Nóteseque
que
EB
por
porel
el terminal
terminal de
deBase
Basecasi
casi no
nosale
sale
corriente.
corriente. Nos
Nosfalta
faltasaber
saberque
quepasa
pasaen en
la
launión
uniónBase-Colector.
Base-Colector. Como
Comola la
pendiente
pendientede delos
losminoritarios
minoritariosde delala
Base
Base(huecos)
(huecos)del del lado
ladodedela
laBase
Basees eslala
misma
mismaque queenenel
el resto
restodedela
laBase,
Base, lala
corriente
corrientees estambién
tambiénla lamisma.
misma.
ATE-UO Trans 14
Polarización en Zona Activa (VIII)
iE iC
E C

B
iB
VEB VBC

Conclusión:
Conclusión: con
conlalapolarización
polarización
indicada,
indicada, la
lacorriente
corrientede
deEmisor
Emisor iiE yyla
la
E

corriente
corrientede
deColector
Colector iiCC casi
casi coinciden
coinciden
(por
(porejemplo,
ejemplo, iiC ==0.99·
0.99·iiE).).
C E

La
Lacorriente
corrientede
deBase
Base iiBB es
esbastante
bastante
más
máspequeña
pequeña(i(iB ==0.01·
0.01·iiE).).
B E

Esta
Estaconclusión
conclusiónes
esmuy
muydistinta
distintaaala
la
que
queobtendríamos
obtendríamossisi la
laBase
Basefuera
fuera
ancha.
ancha. ATE-UO Trans 15
 Base ancha (I)

iEiB VEB=0.3 VBC iC0

E iB B C
P+ N- P

Portad./cm3 LB>>LP
1012

pB
5·10
11

nE nC
0

Densidad de corriente [mA/cm2]

3
jTotal EB
1.5
jpE jnB
jnC
jpB jTotal BC jpC
jnE
0

ATE-UO Trans 16
 Base ancha (II)
E C
iE iC
B iB
VEB VBC

Conclusión:
Conclusión: LaLacorriente
corrientede
deEmisor
Emisor iiEE
yyla
lacorriente
corrientedede Base
BaseiiB prácticamente
prácticamente
B
coinciden.
coinciden. La
Lacorriente
corrientede
de Colector
Colector iiCC
es
esmuy
muypequeña.
pequeña.
Esta
Estaconclusión
conclusiónes
esmuy
muydistinta
distintaaala
la
que
queseseha
haobtenido
obtenidoenenlas
lascondiciones
condiciones
normales
normales(Base
(Baseestrecha).
estrecha).

E C
iE B
iB iC
VEB VBC
Circuito equivalente con Base ancha.
ATE-UO Trans 17
Cálculo de la corriente de Emisor

VEB VBC

E B C
P+ N- P

Escala
pB(0) lineal

0 x
LB
Partimos de:
jE Total  jEB p difusión = -q·Dp·dpB/dx
dpB/dx -PB(0)/LB
pB(0) = (eVEB/VT-1)·ni2/NDB
Obtenemos:
Obtenemos:
iiEETotal I · (e
EB0·(e
Total IEB0
BE/VTT-1)
VVBE /V
-1)
IIEB0
EB0
== q·D
q·D p·A·
p·A· n
n i
22
i
/(N
/(NDB
DB
·L
·LB )
B)

Es
Es del
del tipo
tipo de
de una
una unión PN
uniónATE-UO
PN Trans 18
Efecto de la tensión Base-Colector
Zona de transición
Portad./cm3
1012
Escala
E pB lineal
5·1011
C
B
nE nC
0

L’B
LB
Al
Al aumentar
aumentar la la tensión
tensión Base-
Base-
Colector
Colector VVBC , el ancho de la zona de
BC, el ancho de la zona de
transición
transición también
también aumenta,
aumenta, por por lo
lo
que
que el
el ancho
ancho efectivo
efectivo de de la
la Base
Base L’
L’BB
disminuye.
disminuye. Al Al disminuir
disminuir el el ancho
ancho
efectivo
efectivo de
de la
la Base,
Base, disminuyen
disminuyen laslas
recombinaciones
recombinaciones de de minoritarios
minoritarios en
en
ella
ella (disminuye
(disminuye la la corriente
corriente dede
Base)
Base) yy aumenta
aumenta la la corriente
corriente de
de
Emisor
Emisor(ver
(verecuación
ecuaciónanterior).
anterior).
ATE-UO Trans 19
 Estado de corte
VBC iCiCB0

E B C
P+ N- P

Portad./cm3 LB
1012

E B C
5·1011 Escala
lineal
nE pB nC
0

La
Lacorriente
corrientede
decolector
colectoren
encorte
corteserá:
será:
iiC=-I
C =-I
CB0 ·(e
CB0 ·(e
-V
-VBC /VT
BC/VT --11))
IICB0 ==q·A·
q·A· nni22·[D /(N ·L )+D /(N ·L )]
CB0 i ·[Dpp/(NDB
DB·LBB)+Dnn/(NAC
AC·Lnn)]

(Es
(Esdel
del tipo
tipode
deuna
unaunión
uniónPN PNpolarizada
polarizada
inversamente)
inversamente)
Como
ComoVVBC>0 >0 si
si VVBC>>V
>>VT ,, entonces:
entonces:
BC BC T

iiCCI
ICB0
CB0
que
que es
es despreciable
despreciable
ATE-UO Trans 20
Ganancia de corriente “”

Corte iCB0
E C

VBC
Zona Activa
E C
iE iC
B iB
VEB VBC

 == (i(iCC-i-iCB0
CB0
)/i
)/iEE
 iiC /i
C/iEE

Valores
Valorestípicos:
típicos:0.99-0.999
0.99-0.999

ATE-UO Trans 21
 Estado de saturación (I)

Zona Activa
iC= ·iEiE
iE E C
B iB
VEB VBC
iB =(1-)·iE = iC · (1-)/
Saturación

iE E C iC
B iB
VEB VBC
iC = -·iE + ICB0·(eVBC/VT-1)
iB = (1-·iE + ICB0·(eVBC/VT-1)

ATE-UO Trans 22
 Estado de saturación (II)
VEB VBC
E B C
P+ N- P
Escala
lineal
pB(0)
pB(LB)
0 x
LB

pB(0) = (eVEB/VT-1)·ni2/NDB
pB(LB) = (eVBC/VT-1)·ni2/NDB
••La
La corriente
corriente de
de Emisor
Emisor depende
depende de
de
ambas
ambastensiones
tensionesde
depolarización.
polarización.
••La
La corrientes
corrientes de de Emisor
Emisor podría
podría
invertirse si p
invertirse si B (LB))>> p
pB(L B pB(0).
(0).
B

••Si
Si invertimos
invertimos la la polarización
polarización
Emisor-Base,
Emisor-Base, el
el transistor
transistor funciona
funciona
como
como“Transistor
“TransistorInverso”.
Inverso”.
ATE-UO Trans 23
 Transistor Inverso

VEB VBC
E B C
P+ N- P

Escala
lineal
pB(LB)
0 x
LB
••El
El Colector
Colectorfunciona
funcionacomo
comoEmisor
Emisoryy
el
el Emisor
Emisorcomo
comoColector.
Colector.
••Como
Comoel el Colector
Colectornonotiene
tienepor
porqué
qué
estar
estarmucho
muchomás másdopado
dopadoquequelala
Base,
Base, la
lacorriente
corrientededeColector
Colectornonoeses
“muy”
“muy”de demayoritarios
mayoritariosdel
del Colector
Colector
(huecos).
(huecos).
••No
Notiene
tieneinterés
interéspráctico
prácticoeste
estetipo
tipo
de
deoperación.
operación.

ATE-UO Trans 24
 Curvas características en
“Base Común” (I)
El estudio realizado hasta ahora
corresponde a considerar la Base
común al circuito de entrada (Emisor-
Base) y al circuito de salida (Colector-
Base). Esta situación se llama “Base
Común”.
Referencias normalizadas

iE E C iC
B
VEB VCB
+ - - +
iE VCB=-5V

Curvas de VCB=
entrada -10V VCB=0

VEB
0

ATE-UO Trans 25
 Curvas características
en “Base Común” (II)

iE E C iC
B
VEB VCB
+ - - +
Curvas de salida

iC [mA]
iE=40mA
-40

-20 iE=20mA

iE=0mA VCB [V]

0 -4 -6
-2
iCB0

ATE-UO Trans 26
 Curvas características
en “Base Común” (III)

iE E C iC
B
VEB VBC
+ - - +
Zonas de uso
Saturación
iC [mA] Zona Activa

VCB [V]

Corte

ATE-UO Trans 27
 Configuración “Emisor Común”

iC
iB C Zona Activa

B
VBE VCE> VBE
E
iE Salida
Entrada
Partiendo de:
iE· = iC-iCB0 , iE= iC+ iB
obtenemos:
iC = iB · /(1-) + iCB0· 1/(1-)
y llamando:  = /(1-)
queda:
iiCC== iiBB ··  ++ iiCB0 · (1+)
CB0 (1+)
·
ATE-UO Trans 28
 Consideraciones generales
sobre la configuración
“Emisor Común”
•La potencia en la entrada es
claramente menor que en la salida.
•En Zona Activa VCE> VBE , ya que
entonces la unión Base-Colector
queda polarizada inversamente.
•Aunquees muy poco variable, 
(definida como  = /(1-)) es
bastante sensible a las pequeñas
variaciones de .
max

tip
min
iC

ATE-UO Trans 29
Zona de Corte en configuración
Emisor Común (I)

iC ICB0
C

VBE B
E VCE
iE
¿Qué pasa si dejamos
la Base al aire?
iCE0 >ICB0
C
B
E VCE
iC
ATE-UO Trans 30
 Zona de Corte en configuración
Emisor Común (II)
VCE
E B C

P+ N- P

Escala
lineal

0 x
LB
Pequeño valor
de pB(0)
••Existe
Existe unun poco
poco dede gradiente
gradiente dede
minoritarios
minoritarios en
en la
la Base
Base debido
debido aa la
la
distribución
distribución dede la
la tensión
tensión Colector-
Colector-
Emisor
Emisorentre
entrelas
lasdos
dosuniones.
uniones.
••Para que iiCC I
Para que ICB0 hay que conectar la
CB0 hay que conectar la
Base
Base al
al Emisor
Emisor porpor una
una resistencia
resistencia oo un
un
corto
corto(Si)
(Si)oopolarizar
polarizarinversamente
inversamente(Ge).
(Ge).
ATE-UO Trans 31
 Transición de Zona Activa a
Saturación en Emisor Común (I)

iC
R
iB C
-
VCE V1> VBE
B
VBE +
E

Mientras
Mientras VVCE>V BE ,, estamos
CE>VBE estamos en en
Zona
Zona Activa
Activa yy por
por tanto
tanto iiCC=i
=iBB·.
·.
Pero
Pero alal aumentar
aumentar VVBE aumenta i y
BE aumenta iBB y

por
por tanto
tanto iiCC,, disminuyendo
disminuyendo VVCE=V
CE=V 1-
1-

R·i
R·iCC.. Llega
Llega un
un momento
momento que
que
VVCE =V BE yy después
CE=VBE después VVCE<V BE. .El
CE<VBE El
transistor
transistor se
se satura.
satura. ATE-UO Trans 32
 Transición de Zona Activa a
Saturación en Emisor Común (II)

E B C
pB
pB(0) Zona Activa
0 x
LB
E B C
pB(0) pB
Frontera
0 x
LB
B C
pB(0)
E pB Saturación

0 x
LB Exceso de
minoritarios
debidos a la
saturación

ATE-UO Trans 33
 Transición de Zona Activa a
Saturación en Emisor Común (III)

iC Saturación

a
ivt
Ac
Z.

iB
Esta representación justifica
en término “saturación”.
Determinación
Determinación deldel estado
estado Zona
Zona
Activa
Activa -- Saturación
Saturación en
en circuitos
circuitos
Despreciando
Despreciando iiCE0:
CE0:

Zona
Zona Activa:
Activa: iiCC== iiBB·.
·.
Saturación:
Saturación: iiCC<< iiBB·.
·. ATE-UO Trans 34
 Curvas características en
“Emisor Común” (I)
iC

iB C
+
B VCE
VBE + E -
Referencias
- normalizadas

Curvas de entrada
iB[A] VCE=-5V
-100 VCE=0

VCE=-10V

VBE[V]
0 -0,6

ATE-UO Trans 35
 Curvas características en
“Emisor Común” (II)

iC
iB C +
B VCE
VBE + E -
-
Curvas de salida

iC [mA]
iB=-400A
-40
iB=-200A
-20

iB=0A VCE [V]

0 -4 -6
-2
iCE0
ATE-UO Trans 36
 Curvas características en
“Emisor Común” (III)

iC
iB C +
B VCE
VBE + E -
-

Saturación Zonas de uso

iC [mA] Zona Activa

VCE [V]

Corte
ATE-UO Trans 37
 Transistor ideal

Curvas de entrada
Unión PN ideal
Curvas de salida
iC = Cte.
iC4 iB4
iC3 iB3
iC2 iB2
iC1 iB1
iB0
VCE
Circuito equivalente
iE iC
E C
B
iB iB·.
ATE-UO Trans 38
 Transistores NPN

Todo lo dicho para transistores PNP

es aplicable a los NPN sin más que:
•Cambiar los signos de todas las
fuentes de tensión y de todas las
tensiones en general.
•Cambiar los sentidos de todas las
fuentes de corriente y de todas las
corrientes en general.
•Mantener todos los tipos de
polarización (directa o inversa)

iC
Ejemplo:
iB C Z. Activa

VBE B
E VCE> VBE
iE Salida
Entrada
ATE-UO Trans 39