DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Msc. Ing. F. Renato Campana Valderrama
1.-OBJETIVOS:
1.- Exposición de algunos conceptos de la Física
de los semiconductores.
2.- Comprensión cualitativa y cuantitativa de los
los principales dispositivos electrónicos:
- Diodo.
- Transistor Bipolar (BJT).
- Transistor Efecto de Campo:
• JFET
• MESFET
• MOSFET
3.- Comprensión de los dispositivos optoelectrónicos
e introducción a los ICs.
2.- BASES PRINCIPALES:
Electromagnetismo
Mecánica Estadística
Física de los
Mecánica Cuántica Semiconductores
Física del Estado Sólido
2.1.- BASES PRINCIPALES:
Física de los Semiconductores
Dispositivos Semiconductores
3.- TEMAS:
1.- Física de los Semiconductores.
2.- Conducción de corriente en los semiconductores.
3.- La Juntura PN.
4.- El Transistor Bipolar BJT.
5.- El Transistor de Efecto de Campo.
6.- Dispositivos Optoelectrónicos e Ics.
• Msc. Ing. F. Renato Campana Valderrama
Grado de Ingeniero otorgado por la URP (2006)
Pasante de la Universidad Católica del
Uruguay (2007).
Grado de Master, otorgado por la Universidade
Federal de Santa Catarina UFSC (2008-2010).
Certificado en Cadence, CT1-NSCAD-
Universidade Federal do Rio Grande do Sul,
UFRGS.
• Áreas de ínteres:
Modelamiento Compacto de Transistores CMOS.
Diseño de Circuitos Analógicos Integrados CMOS.
Baja y media frecuencia.
Ultra bajo consumo de Potencia.
1.- Clasificación de los Materiales:
1.- De acuerdo a su conductividad σ (Ω-cm)-1
MATERIAL CONDUCTIVIDAD
σ (Ω-cm)-1
Metales 105 - 1010
Semiconductores < 10-9 – 102 >
Aislantes < 10-9
2.- De acuerdo a la Banda Prohibida EG (más
adelante).
1.1.- Ubicación de los Semiconductores
en la Tabla Periodica:
III IV V
BORO (B) CARBONO (C) NITROGENO (N)
GALIO (Ga) SILICIO (Si) FOSFORO (P)
INDIO (In) GERMANIO (Ge) ARSENICO (As)
TALIO (Ti) ESTAñO (Sn) ANTIMONIO (Sb)
PLOMO (Pb) BISMUTO (Bi)
Principal material semiconductor: El Silicio (Si)
Otro material: El Germanio (Ge).
Material Compuesto: el Arsenuro de Galio (AsGa)
2.- Visualización de los semiconductores:
1. Modelo de bandas de energía.
2. Modelo de enlaces.
2.1.- Las Bandas de Energía:
Material a estudiar:
El Silicio Núcleo
Número atómico: 14 Electrones
Órbitas internas
Órbitas de
Valencia
Primera órbita
de excitación
Energía (E)
Nivel de ionización E0
Primer nivel de excitación
Niveles de valencia
Niveles internos
Núcleo
Dos átomos de Si
E
Distancia interatómica
Dos átomos de Si
E
Distancia interatómica
Más átomos de Si
E
Distancia interatómica
Nivel de Ionización E0
Banda de Conducción
EC
Banda Prohibida
EG =EC - EV
EV
Banda de Valencia
Otra forma de clasificar los materiales:
De acuerdo a la Banda Prohibida EG
MATERIAL CONDUCTIVIDAD BANDA PROHIBIDA
σ (Ω-cm)-1 EG (eV)
Metales 105 - 1010 No tiene
Semiconductores < 10-9 – 102 > 0<EG <4
Aislantes < 10-9 EG ≥ 4
MATERIAL EG (eV)
Silicio (Si) 1.12
Germanio (Ge) 0.66
Arsenuro de Galio (AsGa) 1.42
2.2.-Modelo de enlaces:
+ + +
Núcleo + Si + + Si + + Si +
atómico + + +
+ + +
+ Si + +
+ + Si + + Si + + Si +
+ + +
Electrones de + + +
valencia + Si + + Si + + Si +
+ + +
Atomo de Silicio
aislado Enlace de varios átomos de silicio
3.- Los portadores de carga:
- Transportan carga en el material.
- Metales: electrones (e)
- Semiconductores: electrones (e) y huecos (h).
Visualización a través de los modelos:
Sin excitación
(imaginar T=0 K y no hay campo eléctrico externo)
Banda de conducción
vacía de electrones
EC
EV
Banda de valencia
llena de electrones
Ahora, T≠ 0 K y aún sin campo eléctrico externo
Electrón
Electrón libre Electrón generado
Faltante
(HUECO)
EC
EV
Hueco generado
Par Electrón-Hueco (e-h)
generados térmicamente
Generación Térmica!
3.1.- Dos características básicas
de los portadores en los semiconductores:
CARGA:
Electrón (e-): (-q).
Hueco (e+): (+q).
q: 1.6x10-19 C.
MASA:
*
Electrón (e ): “masa efectiva” n
- m
Hueco (e ): “masa efectiva” p
*
+ m
3.2.- Diferencias entre la masa del electrón
en el vacío m0 y en un semiconductor :
En el vacío: m0=9.11x10-31 kg.
Dentro de un semiconductor los portadores:
1.- Sufren colisiones.
2.- Están sujetos a campo eléctricos internos.
Las masas varían de acuerdo al corte del cristal.
(lo veremos al último del curso)
Por lo tanto:
Tratamiento clásico m0
Tratamiento “casi clásico”: mn* m *p
Esto nos permite tratar a estas partículas
mediante el formalismo de la Mecánica clásica
Material Masa efectiva (e-) Masa efectiva (e+)
Si 1.18 0.81
Ge 0.55 0.36
GaAs 0.066 0.52
Masa efectivas a T=300 K
4.- Adulteración en los semiconductores:
Hasta ahora, hemos visto sólo a un semiconductor
intrínseco: la concentración de electrones es igual a la
concentración de huecos:
n=p=ni
n: Número de electrones/cm3
p: Número de huecos/cm3
PROBLEMA:
Pocos portadores para conducir corriente!
SOLUCION: ADULTERAR O DOPAR EL SC !
DOPAJE:
1.- Manera controlada de introducir y variar
la concentración de portadores en un SC.
2.- Se logra mediante la adición de átomos
“de impurezas o dopantes”en el SC.
Con ello se tendrá un semiconductor extrínseco !
Para aumentar la concentración de electrones:
se agregan átomos de la columna V o donadores.
Semiconductor tipo N:
Electrones: Son la “mayoría”: Concentración mayoritaria.
Huecos: Son la “minoría”: Concentración minoritaria.
Para aumentar la concentración de huecos:
se agregan átomos de la columna III o aceptores.
Semiconductor tipo P:
Huecos: Son la “mayoría”: Concentración mayoritaria.
Electrones: Son la “minoría”: Concentración minoritaria.
Dopantes comunes para el silicio:
DONADORES ACEPTORES
DE LA COLUMNA V DE LA COLUMNA III
Fósforo (P) Boro (B)
Arsénico (As) Galio (Ga)
Antimonio (Sb) Indio (In)
Visualización: Dopando con donadores
Electrón donado 0K
EC
+
+ + ED
+ +
+ Si + + P+ + + Si +
+ + +
Ión
EV
+ + +
+ Si + + Si + + Si + 0> K
+ + +
EC
ED
+ + +
+ Si + + Si + + Si +
+ + +
EV
Visualización: Dopando con aceptores
Enlace incompleto (hueco) 0K
Ión EC
-
+ +
+ Si + + B + + Si +
+ + + EA
EV
+ + +
+ Si + + Si + + Si +
+ + + 0> K
EC
+ + +
+ Si + + Si + + Si +
+ + + EA
EV
5.- Concentración de portadores:
Dos tareas importantes para analizar:
1.- Estudiar la distribución de portadores sobre los
estados de energía permitidos.
Se obedece al principio de exclusión de Pauli:
“a lo sumo dos electrones (de diferente Spin) pueden
ocupar cualquier nivel de energía”
2.- Investigar el comportamiento estadístico de un
grupo muy grande de portadores.
Usar la función de distribución de Fermi-Dirac.
Desarrollando estos dos conceptos, llegamos a :
1.- La Densidad de Estados:
Número de estados disponibles para ser ocupados
por los portadores, por unidad de área, por unidad
de energía.
3
1 2m*n 2
E gC(E)
g C (E) E - EC , E EC
2 2
2π Ec
3
1 2m p
* 2
g V (E) EV - E , E EV gV(E)
2 2
2π Ev
2.- La Función de Fermi-Dirac (F.D):
Describe la probabilidad que un estado a
Determinada energía y temperatura está
siendo ocupado por un electrón
Para electrones: Para huecos:
1 1
fe (E) (E EF )
fh (E) 1- fe (E) (EF E)
1 e kBT
1 e kBT
f(E) Para T=0 K
kB: Constante de Boltzman.
T: Temperatura (K)
1 Ta<Tb<Tc
2
E
EF
Para electrones Para huecos
fe(E) fh(E)
f(E)
1
2
E
EF
Donde:
EF: Energía de Fermi o Función de Fermi. Nivel de
energía cuya probabilidad de ocupación es 0.5 ó 50 %.
Si hacemos que Si hacemos que
1>>
en fe(E): en fh(E):
-(E EF ) -(EF E)
fe (E) e kBT
fh (E) e kBT
Aproximaciones de Maxwell-Boltzman
Mucho mayor (o menor) que la unidad es 20
veces, entonces, por ejemplo para fe(E) en F.D:
(EEF )
e kBT
20
E - EF k B TLn(20) 3k B T
5.- Distribución de portadores:
Diagrama de Función de Densidad de Distribución
bandas probabilidad estados de portadores
E E
Electrones
EC
gC(E) EC
EF
gV(E)
EV EV
huecos
f(E)
Agrandando la imagen:
gC(E)
fe(E) Electrones
EC
EF
EV
fh(E) huecos
gV(E)
5.1.- Semiconductor intrínseco:
Distribución
de portadores
Electrones
EC
EFi EFi: Nivel de Fermi intrínseco
EV
huecos
5.2.- Semiconductor tipo N:
Diagrama de Función de Densidad de Distribución
bandas probabilidad estados de portadores
E E
Electrones
EC gC(E) EC
EF
EFi
gV(E)
EV
EV
huecos
f(E)
5.3.- Semiconductor tipo P:
Diagrama de Función de Densidad de Distribución
bandas probabilidad estados de portadores
E E
Electrones
EC gC(E)
EC
EFi
EF
EV gV(E) EV
huecos
f(E)
Usando diagrama de bandas:
EC
EF
EFi
EF
EV
SC intrínseco SC tipo N SC tipo P
EC
EF
EFi
EF
EV
6.- Concentración de portadores en
condiciones de equilibrio:
Electrones Huecos
+∞ EC EFi EV -∞
-(EC -EF ) EV -(EF -E V )
n0 fe (E)gC (E)dE NC e kBT
p0 fh (E)gV (E)dE NV e kBT
EC
3 3
m k T
* 2
m k T
* 2
NC 2 n B
2
NV 2p B
2π
2
2π
Donde:
NC: Densidad efectiva de estados en la banda de conducción.
NV: Densidad efectiva de estados en la banda de valencia.
Constantes de las densidades efectivas y concentración
intrínseca a T=300 K.
Material Densidad Densidad Concentración
(300 K) efectiva efectiva intrínseca
NC NV ni=pi
Silicio 2.78x1019 cm-3 9.84x1018 cm-3 1.50x1010 cm-3
Germanio 1.04x1019 cm-3 6.00x1018 cm-3 2.33x1013 cm-3
Arsenuro de 4.45x1017 cm-3 7.72x1018 cm-3 1.84x106 cm-3
Galio
6.1.- Expresiones alternativas:
Electrones Huecos
EF EFi EF EFi
kBT
n 0 ni e kBT p 0 ni e
Concentración intrínseca:
(EG )
ni NCNV e 2k B T
Ley de acción de masas:
n 0p0 n i2
Relación de neutralidad de la carga:
q(n 0 N A ) q(p0 N D )
Donde:
q: carga electrónica.
p0: número de huecos en equilibrio.
n0: número de electrones en equilibrio.
ND: número de donadores ionizados
(positivamente cargados) donadores/cm3.
NA: número de aceptores ionizados
(negativamente cargados) aceptores/cm3.
Y para el cálculo de la concentración asumimos:
1.- Trabajar con semiconductores no degenerados.
2.- Ionización total de los átomos dopantes.
Semiconductor intrínseco (NA=0, ND=0):
Electrones𝑛0 =𝑛𝑖
Huecos 𝑝 0= 𝑛𝑖
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P
(ND>>NA y ND>>ni): (NA>>ND y NA>>ni
Concentración mayoritaria Concentración mayoritaria
n 0 n n0 N D p 0 p p0 N A
Concertación minoritaria Concertación minoritaria
n i2 n i2
p 0 p n0 n 0 n p0
ND NA
7.- Posición real del nivel de Fermi EFi:
Semiconductor intrínseco (NA=0, ND=0):
EC E V 3 m*p
E Fi k BT Ln *
2 4 m
n
Semiconductor tipo N (ND>>NA y ND>>ni):
ND
EF - EFi k B T Ln
ni
Semiconductor tipo P (NA>>ND y NA>>ni:
NA
EFi - EF k B T Ln
ni
