COMPONENTES ELECTRONICOS
(El Transistor FET )
( activo)
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET
(Field Effect Transistor) (Transistor de Efecto de Campo ) y entre ellos
podemos distinguir dos grandes tipos:
o Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect
Transistor)
o Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
COMPONENTES ELECTRONICOS
(El Transistor FET )
( activo)
Vamos a comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las
principales analogías y diferencias existentes entre los transistores FET y los
BJT.
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los
transistores FET son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la
corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro del circuito de
entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión
aplicada.
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del
camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo
entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
De forma análoga a como en los transistores: bipolares existen dos tipos npn y
pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores: FETs de
canal N y de canal P.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que
mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente
intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores
FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente
de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los
huecos en los de canal p.
Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia
de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de
megaóhmios, muy
superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan
impedancias de entrada del orden de unos pocos kiloóhmios. Esto proporciona a
los FET una posición de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos
amplificadores.
En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente,
más pequeños en construcción que los BJT, lo que les hace particularmente
útiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
TRANSISTORES DE UNIÓN DE EFECTO DE CAMPO. (JFET)
el estudio de los transistores de efecto de campo con los JFET (Junction
Field Effect Transistor).
COMPONENTES ELECTRONICOS
(El Transistor FET )
( activo)
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
• JFET de canal n
• JFET de canal p
Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n
ligeramente dopado formando un canal con contactos óhmicos en ambos extremos
(terminales de Drenado y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre dos regiones
de compuerta tipo p+ (material tipo p fuertemente dopado) con sendos contactos
óhmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los dos terminales
de puerta están accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo más habitual es que
ambos terminales estén corto circuito teniendo un único terminal de puerta
(dispositivo de tres terminales).
En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen están sin
polarizar. El resultado es una región de vaciamiento o zona de depleción (región
carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio en su día al analizar
en el diodo la unión p-n en ausencia de polarización.
Estructura básica del JFET de canal n.
D = Drenado: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el decanal p)
S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la
corriente de portadores a través del canal.
Como ya se ha comentado con anterioridad se trata, en cualquier caso, de
dispositivos con tres terminales cuyos símbolos aparecen representados en la
Figura.
Símbolos del JFET
Como podemos observar, la diferencia en el símbolo entre ambos tipos reside en el
sentido de la flecha del terminal de puerta (G). En el JFET de canal n el terminal de
puerta se representa con una flecha entrante al dispositivo, mientras que en el de
canal p es saliente. Recordar que el sentido de la flecha indica el sentido de circulación
de la corriente si la unión pn correspondiente estuviera polarizada en directa. Para el
funcionamiento más habitual, los transistores de canal n se polarizan aplicando una
tensión positiva entre drenado y fuente (VDS) y una tensión negativa entre puerta y
fuente (VGS). De esta forma, la corriente circulará en el sentido de drenado a fuente.
En el caso del JFET de canal p la tensión VDS a aplicar debe ser negativa y la tensión
VGS positiva, de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el
drenado.
Polarización del JFET.
Vamos a centrarnos en el estudio del JFET de canal n, para el caso del JFET de
canal p el estudio sería completamente análogo sin más que hacer los cambios que
aparecen representados en la Figura.
Para explicar el funcionamiento, de forma cualitativa, del transistor JFET vamos a
aplicarle las tensiones VGS y VDS tal y como se han indicado anteriormente y
recordando que nos estamos centrando en los JFET
Influencia de VDS
En primer lugar vamos a estudiar el efecto
que sobre el dispositivo tiene la variación
de la tensión VDS aplicada entre los
extremos del canal. Para ello vamos a
suponer que inicialmente la tensión VGS =
0 y vamos a ir aumentando el valor de VDS
desde 0.
Efecto de la tensión VDS. El canal se estrecha de la zona
del drenador.
Al establecer una tensión VGS = 0 los terminales de fuente y puerta están al mismo
potencial, por tanto la zona de deplexión del lado de la fuente será semejante a la que
teníamos en condiciones de no polarización. En el instante en que apliquemos una
tensión VDS, los electrones se verán atraídos hacia el lado del drenador,
estableciéndose una corriente ID en el sentido mostrado en la Figura 7.4. Bajo estas
condiciones las corrientes ID e IS serán iguales y se verán únicamente limitadas por la
resistencia eléctrica que presenta el canal entre el drenador y la fuente. Es importante
notar que ambas uniones p-n se encuentran polarizadas en inversa, con lo cual la
corriente a su través será prácticamente nula.
Para valores pequeños de la tensión VDS aplicada, el estrechamiento del canal no será
importante, por lo que el dispositivo se comporta, en esencia, como una resistencia de
forma que la relación entre la tensión aplicada y la corriente que circula por el
dispositivo será lineal tal y como establece la Ley de Ohm. Sin embargo, a medida que
aumentamos la tensión aplicada, el estrechamiento del canal se va haciendo más
importante, lo que lleva consigo un aumento de la resistencia y por tanto un menor
incremento en la corriente ante un mismo incremento de la tensión aplicada.
Característica ID – VDS con VGS =
0.
Influencia de VGS.
Una vez establecida la variación de la corriente ID por el dispositivo en función de la
tensión VDS cuando VGS = 0, para completar el análisis, tenemos que estudiar el
comportamiento del JFET para tensiones VGS aplicadas menores que cero (por ser
JFET de canal n). El funcionamiento del JFET para valores de VGS < 0 es muy similar
al que tiene con VGS = 0, con alguna pequeña modificación.
La tensión VGS modula la anchura del canal.
Cuando VGS = VGSoff el canal se cierra por completo.
En las curvas características podemos distinguir 4 zonas bien
diferenciadas:
• Zona de corte o de no conducción.
• Zona óhmica o de no saturación.
• Zona de saturación o de corriente constante.
• Zona de ruptura.
Características ideales de un JFET de canal N
Zona de corte o de no conducción.
Se corresponde con el eje horizontal de la gráfica. En esta zona la corriente ID =0
con independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS VGSoff, donde
el canal está completamente cerrado.
Zona óhmica o de no saturación.
Se da para valores de VDS inferiores al de saturación, es decir, cuando VDS VGS –
VGSoff. Para estos valores de tensión el canal se va estrechando de la parte del
drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia
variable controlada por la tensión de puerta, sobre todo para valores pequeños de
VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de
VGS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se
aproxima al cierre.
Zona de saturación o de corriente constante.
Esta zona se da para valores VDS > VDSsat . Ahora la corriente ID permanece
invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la hipótesis de canal largo) y sólo
depende de la tensión VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una
fuente de corriente controlada por la tensión de puerta VGS.
La relación entre la tensión VGS aplicada y la corriente ID que circula por el canal en
esta zona viene da
Zona de ruptura.
En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa, tanto más
cuanto menor sea el valor de VGS. Tal y como vimos al abordar el estudio de la unión
p-n en el tema 2 cuando una unión p-n la polarizamos en inversa, la zona de carga de
espacio aumenta. Sin embargo, esta tensión inversa no se puede aumentar
indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensión de ruptura,
característico de cada unión y que suele ser proporcionado por el fabricante en sus
hojas de características) la unión se perfora, produciéndose la ruptura del
dispositivo.
VDSruptura = Vr + VGS
Zona de ruptura. Las líneas correspondientes a los distintos valores de VGS
se cruzan.
Funcionamiento básico
El transistor de efecto campo (Field-Effect
Transistor o FET, en inglés) es en realidad una
familia de transistores que se basan en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial. Esquema interno del JFET
Tienen tres terminales, denominadas puerta
(gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del
BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por
tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.
Polarización de un transistor JFET
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conducción o no conducción, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa
en las zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas
inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de
deplexión se hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente
a drenaje tenga más dificultades para atravesar el canal que se crea entre las
zonas de deplexión, cuanto mayor es la tension inversa en el diodo compuerta-
fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi
todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de
deplexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la
corriente de fuente.
COMPONENTES ELECTRONICOS
(El Transistor JFET Y MOSFET )
( activo)
Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET(en
inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistorutilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S,
Source), drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin
embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal
de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de
tres terminales.
Símbolos de transistores MOSFET
Existen distintos símbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET.
El diseño básico consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que
salen del canal en ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela
al canal, para indicar la fuente y el drenaje. En algunos casos, se utiliza una línea
segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una
línea sólida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es
dibujada en forma paralela al canal para destacar la puerta.
MOSFET de MOSFET de Empobrecimientoo
Enriquecimiento(sin sustrato) Deplexión (MOSFET-D)
Canal P
Canal N
MOSFET de
FET de uniónJFET
Enriquecimiento(MOSFET-E)
La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del
canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta
en la dirección P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en un sustrato P) tiene la flecha
apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato está conectado
internamente a la fuente (como generalmente ocurre en dispositivos discretos) se conecta
con una línea en el dibujo entre el sustrato y la fuente. Si el sustrato no se muestra en el
dibujo (como generalmente ocurre en el caso de los diseños de circuitos integrados,
debido a que se utiliza un sustrato común) se utiliza un símbolo de inversión para
identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha en la
fuente de forma similar a como se usa en los transistores bipolares (la flecha hacia afuera
para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).
¿Qué significa Mosfet?
La palabra MOS significa "Metal Oxido Semiconductor", y hace referencia a un tipo de
estructura muy usada en electrónica, donde se usa un óxido como dieléctrico o aislante.
"Field Effect Transistor" significa Transistor de efecto de campo, es decir transistores
que conducen por un campo eléctrico, parecido a un condensador.
Conclusión: un MOSFET es un transistor de efecto de campo por medio de un semiconductor
óxido que se usa como dieléctrico. De otra forma, es un transistor (conduce o no conduce la
corriente) en el que se utiliza un campo eléctrico para controlar su conducción y que su
dieléctrico es un metal de óxido.
Ventajas del Transistor Mosfet
La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a cabo
su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida es muy pequeña, lo que
hace que sea un componente importante en los modernos ordenadores y dispositivos
electrónicos como los teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños juguetes de robot y
calculadoras.
Estructura de un Mosfet
Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato.
Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es
un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato. En la primera
imagen de abajo puedes ver el sustrato de tipo P y el drenador y la fuente de tipo N.
Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido metálico aislante que hace de
dieléctrico o aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este óxido se coloca una
placa de metal conductor. El óxido con el metal forman la tercera patilla o borne de
conexión llamada puerta o gate (en inglés).
Tenemos 4 partes pero solo 3 patillas, ya que el sustrato está unido siempre a la puerta
(gate), formando una única patilla del transistor.
S y D = semiconductor/es. A un lado está la patilla llamada sumidero o fuente (S). Al otro
lado la patilla llamada Drenaje (D), drenador o salida. Entre estos dos terminales pasa la
corriente cuando activamos G por medio de tensión. La corriente cuando se activa el
transistor entra por S y sale por D, siempre que G tenga una tensión mínima, llamada
tensión Umbral o threshold = Vth.
G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el óxido.
P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D. En la
imagen de la izquierda es de tipo N y entonces el sustrato debe ser P. Podría ser al revés,
como puedes ver en la imagen de la derecha.
El canal que queda entre S y D es del material del sustrato y se llama canal. Es la zona que
hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos tensión entre S y D.
Fíjate que el sustrato, la fuente y el drenador forman dos uniones NP o PN.
Uno se llama mosfet de canal N y el otro mosfet de canal P. Aqui puedes ver los
símbolos para los circuitos:
¿Cómo funciona un Transistor Mosfet?
El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente
sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la
aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal
llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión
conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos eléctricos en
el interior del dispositivo.
Veamos mediante un vídeo su funcionamiento interno:
Fíjate que la diferencia entre estos y los NPN es que en estos la
conducción se produce por tensión y en los NPN por corriente. ¡¡¡Esa es
la diferencia fundamental!! y por su puesto su composición y forma de
trabajo.
