Transistor UJT
04/07/2011
Contenido.
Historia Estructura Modelo Equivalente. Funcionamiento. Aplicaciones.
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Transistor uniunin
UJT
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Transistor UJT
Historia de UJT
Unijunction transistor circuits were popular in hobbyist electronics circuits in the 70s and early 80s because they allowed simple oscillators to be built using just one active device. Later, as integrated circuits became more popular, oscillators such as the 555 timer IC became more commonly used.
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El Transistor UJT
(transistor de unijuntura) Tambien llamado transistor monounin, ununin. Este es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura. Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Es un dispositivo de disparo
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Transistor UJT
Estructura
El transistor de uni-unin ( unijuntion transistor) o UJT est constituido por dos regiones contaminadas, con tres terminales externas: 2 bases 1 emisor
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Transistor UJT
Estructura El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).
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Transistor UJT
Esquemticos
Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente, 04/07/2011 d) smbolo
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Modelo equivalente El modelo equivalente est constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+ R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como:
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Transistor UJT
Modelo equivalente en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca.
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Modelo equivalente El modelo de este dispositivo utilizando transistores tiene una estructura muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja.
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Funcionamiento
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. La grfica describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE).
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Funcionamiento
Se definen dos puntos crticos: Punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valleypoint (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos punto a su vez definen tres regiones de operacin: Regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:
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Funcionamiento
Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin: donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V . El UJT en esta regin se comporta como un 04/07/2011 elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
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Transistor UJT
Funcionamiento
Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin: donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V . El UJT en esta regin se comporta como un 04/07/2011 elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
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Transistor UJT
Funcionamiento
Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
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Funcionamiento
Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrar de forma natural a la regin de corte.
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Aplicaciones
Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores, generadores de onda, y ms importante an, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs.
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Transistor UJT
Aplicaciones
Oscilador de relajacin con UJT Una de las aplicaciones ms tpicas del UJT es la construccin de osciladores de relajacin que se utilizan en muchos casos como circuito de control de SCRs y TRIACs.
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Transistor UJT
Aplicaciones
Rectificador de media onda controlado por UJT
Control de una onda completa en la carga
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