Scribd
Cargar
162 vistas8 páginas

Transistores IGBT: Características y Usos

El documento describe el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), el cual combina las características de un transistor bipolar y un MOSFET. El IGBT puede controlar altas potencias y tiene una puerta aislada como un MOSFET y la capacidad de alta corriente de un transistor bipolar. Se usa comúnmente cuando se requieren bajas frecuencias, altas tensiones o alta potencia.

Cargado por

Jordi Alor
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PPT, PDF, TXT o lee en línea desde Scribd
162 vistas8 páginas

Transistores IGBT: Características y Usos

El documento describe el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), el cual combina las características de un transistor bipolar y un MOSFET. El IGBT puede controlar altas potencias y tiene una puerta aislada como un MOSFET y la capacidad de alta corriente de un transistor bipolar. Se usa comúnmente cuando se requieren bajas frecuencias, altas tensiones o alta potencia.

Cargado por

Jordi Alor
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PPT, PDF, TXT o lee en línea desde Scribd

6.

TRANSISTORES IGBT

Rosa María Rocha Barrios


José Luis Hernández Hernández
Jordy Alor Castillo
Jonathan Montoya Sánchez
Es un componente electrónico diseñado para controlar
principalmente altas potencias, en su diseño esta compuesto por un
transistor bipolar de unión BJT y transistor de campo de metal oxido
semiconductor MOSFET.

Es un dispositivo de cuatro capas que se alternan PNPN que son


controlados por un metal-oxido –semiconductor MOS, estructura de
la puerta sin una acción regenerativa.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo.
El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que
las características de conducción son como las del BJT. En la figura II se
observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines
Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).
El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los años 80


Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente

MOSFET Bipolar
EL IGBT DE POTENCIA

G
E

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)


Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar)


No tiene diodo parásito
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

• Bajo ciclo de trabajo


• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones típicas del IGBT


EL IGBT DE POTENCIA

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz)
y alta potencia
Gran capacidad de manejo de corriente
Comparación IGBT-MOSFET con el mismo área de semiconductor

El IGBT tiene menor caída de tensión

Menores pérdidas en conducción

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
EL IGBT DE POTENCIA

A mayor temperatura, menor


caída de tensión

Conduce más corriente

Se calienta más
Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Tensión colector-emisor
en saturación
EL IGBT DE POTENCIA

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

Media tensión Alta tensión

250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
Características básicas
EL IGBT DE POTENCIA

En ocasiones, el encapsulado incorpora


internamente un diodo
G
E

También podría gustarte