Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-

Semiconductor

• El nombre hace mención a la estructura interna: Metal Oxide

Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

• Es un dispositivo unipolar: la conducción sólo es debida a un tipo

de portador
• Los usados en Electrónica de potencia son de tipo “acumulación”

D D
EL MOSFET DE POTENCIA

G G
S S
Canal N Canal P
Conducción debida Conducción
a electrones debida a huecos

• Los más usados son los MOSFET de canal N

• La conducción es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad  menores resistencias de canal en conducción
Existen dos tipos de MOSFET
 curvas de trabajo del mosfet de
enriquecimiento.

Vgsth tensión de umbral o

threshold (en ingles).
Despues de que el
transistor alcanza esa
tensión el empieza a
conducir
La curva del MOSFET de
empobrecimiento
Ejercicio
 Continuamos el trazado

Vgs 4 8 12 16 20 24
Id 0 0,4 1,6 3,6 6,4 10
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación

• Curvas características del MOSFET

- Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+ VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
EL MOSFET DE POTENCIA

VGS = 4V
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referencias normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V

- Curvas de entrada:
No tienen interés (puerta aislada del canal)
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación

• Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5K 4
VGS = 4V
D
+
2 VGS = 3,5V
G VDS
S - 10V VGS = 3V
+
EL MOSFET DE POTENCIA

VGS VGS = 2,5V

- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

(sin interés en electrónica de potencia)

Comportamiento como circuito abierto

 Ideas generales sobre los MOSFETs

• Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de
los dedos. A veces se integran diodos zener de protección
- Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
EL MOSFET DE POTENCIA

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+

Substrato
Ejercicios. MOSFET de deplexión igual a
JFET….junction field effect transistor
ejercicio

Vgsoff==Vpinch off
idss
Ejercicios. Mosfet Empobrecimiento

Vg
Solucion
 Segundo se hace la malla de entrada del
MOSFET empobrecimiento

Vg

Vg= Vgs+Id*Rs
Ejercicio de Mosfet de
enriquecimiento
 Solución:

Vgs 3 4 5 6
Id 0 0,44 1,76 4 mA
Clave la polarización del
MOSFET
Solución
Continuamos la solución
 seguimos

Id 0 0,166 0,666 1,5 2,66 6 10,66 16,66

Vgs -3 -2,5 -2 -1,5 -1 0 1 2

Dibujamos la grafica
Otra polarización
Aplicaciones
 Encapsulados de MOSFETs de Potencia

• En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los

encapsulados axiales)
• Existe gran variedad
• Ejemplos: MOSFET de 60V
EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=9,4m, ID=12A
RDS(on)=12m, ID=57A

RDS(on)=5,5m, ID=86A RDS(on)=9m, ID=93A

RDS(on)=1.5m, ID=240A
 Encapsulados de MOSFETs de Potencia

• Otros ejemplos de MOSFET de 60V

EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=3.4m, ID=90A
Aplicaciones: Trimmer
Aplicaciones
 Características fundamentales de los MOSFETs de potencia

1ª -Máxima tensión drenador-fuente

2ª -Máxima corriente de drenador
3ª -Resistencia en conducción
4ª -Tensiones umbral y máximas de puerta
5ª -Velocidad de conmutación

1ª Máxima tensión drenador-fuente

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a
EL MOSFET DE POTENCIA

la fuente) y el drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
 1ª Máxima tensión drenador-fuente

• La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS

o como V(BR)DSS

• Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
EL MOSFET DE POTENCIA

30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificación 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
 2ª Máxima corriente de drenador

• El fabricante suministra dos valores (al menos):

- Corriente continua máxima ID

- Corriente máxima pulsada IDM

EL MOSFET DE POTENCIA

• La corriente continua máxima ID depende de la

temperatura de la cápsula (mounting base aquí)

A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
 3ª Resistencia en conducción

• Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,

RDS(on) crece con el valor de VDSS
EL MOSFET DE POTENCIA
 Otras aplicaciones PWM: Pulse
Width Modulation

oscilador comparador Acople

de potencia Carga-motor

Inclusión de set point