Integrantes:
Cu Arroyo Jamin.
IGBT Diego González José Juan.
Razo Romero Jesús.
Sánchez Corona Brenda.
1. INTRODUCCIÓN
Durante mucho tiempo se buscó la forma de obtener un dispositivo que tuviera una
alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas
velocidades, esto dio lugar a la creación de los transistores bipolar de puerta aislada
(IGBT).
IGBT
Dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de
electrónica de potencia.
ANTECEDENTES
El primer transistor IGBT fue creado en los años 80
´s, propenso a entrar abruptamente en
conducción, la segunda y la tercera generación
fueron mejorando, obteniendo mayor velocidad y
excelente robustez, así como mayor tolerancia a la
carga.
DEFINICIÓN
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de Isolated Gate Bipolar Transistor, es
decir, transistor bipolar de puerta aislada.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los
atributos del BJT y del MOSFET.
CARACTERÍSTICAS COMPARTIDAS CON EL
MOSFET Y EL BJT
•Alta impedancia de entrada (MOSFET)
•Alta capacidad de manejar corriente (BJT)
•Fácil manejo controlable por voltaje (MOSFET)
•Sin problemas de segunda ruptura (BJT)
•Bajas perdidas de conducción en estado activo (BJT)
ESTRUCTURA
El IGBT es un dispositivo semiconductor de
cuatro capas que se alternan (PNPN).
También el IGBT es un dispositivo
unidireccional que es de colector a emisor a
diferencia de MOSFET que tienen capacidades
de conmutación de corriente bidireccional.
La estructura del IGBT es similar a la del
MOSFET, pero con la inclusión de una capa
P+ que forma el colector del IGBT.
Se activa cuando se le aplica una tensión positiva en su
compuerta y ante una polarización positiva entre Colector y
Emisor.
Dispositivo para la conmutación en sistemas de alta
tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V.
Ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia
aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la
puerta.
Pueden conducir alrededor de los 1200 V y los 400 A.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
4 capas PNPN
3 Terminales
Dispositivo controlado por voltaje
Menores pérdidas de conmutación y de conducción
Facilidad de excitación en compuerta
Velocidad de conmutación es inferior a la de MOSFET
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
4 capas PNPN
3 Terminales
Dispositivo controlado por voltaje
Menores pérdidas de conmutación y de conducción
Facilidad de excitación en compuerta
Velocidad de conmutación es inferior a la de MOSFET
FUNCIONAMIENTO
Encendido
Este proceso sucede cuando se le es aplicado un
voltaje positivo en el Gate y el dispositivo se
encuentra polarizado directamente, el IGBT
enciende inmediatamente y la corriente es
conducida entre Colector y Emisor.
Apagado
El IGBT se apaga simplemente removiendo el Voltaje del
Gate. La transición del estado de conducción al estado de
bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que
la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de
los 50 kHz.
FRECUENCIA Y POTENCIA DE CONMUTACIÓN
Hablando de frecuencia de conmutación el IGBT está en una media entre el MOSFET Y
el BJT ya que el IGBT alcanza frecuencias de 100 kHz, siendo superado por el MOSFET
que puede alcanzar hasta 300 KHz
En cuanto a potencia de conmutación el IGBT proporciona mas que el resto
APLICACIONES
Generalmente se aplica a circuitos de potencia
como dispositivo para la conmutación en
sistemas de alta tensión.
Control de motores
Se usan en los variadores de frecuencia
Máquinas eléctricas
Sistemas de soldadura
Convertidores de potencia (Automóvil, Tren,
Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor,
Electrodoméstico, Televisión, Domótica,
Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, etc.).
IGBT
VENTAJAS DESVENTAJAS
Posee una puerta (Gate) como los FET para la entrada No son dispositivos ideales, tienen relativa baja
de control de bajo voltaje velocidad de respuesta (20KHz)
Tiene las características de conducción del BJT, No siempre tienen un diodo de protección entre el
conduciendo por encima de los 300 Volts y los 100 colector y el emisor.
Amperes
Puede trabajar con varios miles de Voltios y corrientes Coeficiente de temperatura negativo, podría conducir al
elevadas que permiten hablar de cientos de Kilowatts dispositivo a una deriva térmica muy difícil de
de potencia controlada controlar. Tienen comportamiento dependiente de la
temperatura
LATCH UP
Es un error que puede existir dentro del dispositivo.
A lo que se refiere es que un componente de la corriente viaja en forma recta entre drenaje-fuente. La
mayoría de esta es atraída por la capa de inyección.
Si la tensión que se le aplica es lo bastante grande, se crea un tiristor parasito, provocando la activación
de el dispositivo sin necesidad del Gate.
Maneras de evitar el Latch up
El usuario tiene la responsabilidad de diseñar circuitos que reduzcan corrientes en exceso
El fabricante puede incrementar la corriente crítica necesaria para iniciar el Latch up disminuyendo la
resistencia de extensión del cuerpo (p), esto se hace de dos formas:
1. La región del cuerpo (p) se hacen particiones en 2 zonas con densidades de dopaje distintos: la zona del
canal donde se forma la inyección está dopada moderadamente y la otra zona del cuerpo (p) debajo de la
fuente (n+) se dopa mucho más.
Esto hace que la resistencia lateral sea más pequeña.
2. Eliminando una de las zonas de fuente de la celda básica del IGBT. Esto permite que la corriente circule por el lado de la
celda donde se retiró la fuente.
El fabricante del dispositivo especifica la corriente del drenaje pico permisible que fluye sin que se presente el Latch-up.
Con estas acciones, el problema del latch-up en los IGBT se reduce considerablemente. Los transistores IGBT modernos son en
esencia resistentes a este problema.
2. CIRCUITO PRINCIPAL DE APOYO
Al polarizar el IGBT de manera directa entre colector y emisor (cerrando el switch S1) el foco permanecerá apagado
mientras no se aplique tensión al gate. Al cerrar el switch S2, el IGBT conmuta a su estado de baja impedancia y
empieza a conducir entre colector y emisor, encendiendo el foco.
3.DESARROLLO ANALÍTICO
4. EJEMPLO NUMÉRICO
Tomando en cuenta el circuito principal de apoyo , suponga que se tiene una
fuente de alimentación C.D de 20 V, un foco de 14 V_1.6 W y una fuente de
alimentación de carga de 14 V. Calcular la corriente en el colector, y la
pérdida de potencia en conducción que tendrá el transistor IGBT, en estado
activo.
Corriente máxima de colector:
Corriente promedio de colector:
Pérdida de potencia promedio en conducción:
5. DISEÑO DE UNA PRÁCTICA
Material
IGBT matrícula IRG4BC10UD
1 resistencia 1 k-ohm
1 protoboard
1 foco de 12V-60W
Equipo
Puntas osciloscopio
Fuente AC
Fuente DC
Osciloscopio
En la señal del osciloscopio se puede apreciar que al presentarse la señal de entrada
positiva en la puerta del dispositivo empieza a aumentar el voltaje entre el foco, lo
cual nos indica que empieza a haber un flujo de corriente cuando la puerta se
energiza positivamente.
6.MAPA
CONCEPTUAL
7.Preguntas.
1.- ¿Qué es el IGBT?
2.- ¿Cuál es el significado de las siglas IGBT?
3.- ¿Cuáles son las tres terminales de un transistor IGBT?
CUESTION
4.- ¿Cuál es la estructura del IGBT?
ARIO.
5.- ¿Cómo se enciende y se apaga el IGBT?
6.- ¿Cuándo entra en estado de bloqueo el IGBT?
7.- ¿Por qué el IGBT es una combinación del BJT y MOSFET?
8.- ¿Qué características de los MOSFET y los BJT presenta un IGBT?
9.- ¿Qué es el Latch-up en un IGBT?
10.- ¿Qué voltajes y corrientes soportan los IGBT?
PREGUNT
1.- ¿Qué es el IGBT?
AS Y
Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en
circuitos de electrónica de potencia.
2.-RESPUES
¿Cuál es el significado de las siglas IGBT?
de puerta aislada).TAS.
Las siglas IGBT corresponden a las iniciales Insolated-Gate Bipolar Transistor (transistor bipolar
3.- ¿Cuáles son las tres terminales de un transistor IGBT?
Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).
4.-¿Cuál es la estructura del IGBT?
Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que
son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS) y cuenta con un
total de tres terminales.
5.-¿Cómo se enciende y se apaga el IGBT?
Para el encendido el dispositivo se polariza de manera directa y se aplica un
voltaje positivo necesario en la compuerta (Gate), dejando así conducir la
corriente entre colector y emisor. Para el apagado, simplemente se remueve el
voltaje del Gate.
6.-¿Cuándo entra en estado de bloqueo el IGBT?
Cuando se remueve el voltaje del Gate, apagando el dispositivo y pasando de un
estado de conducción a un estado de bloqueo.
7.-¿Por qué el IGBT es una combinación del BJT y MOSFET?
Esto se debe a que posee una compuerta (Gate) como un MOSFET, pero con
las características de conducción de un BJT.
8.-¿Qué características de los MOSFET y los BJT presenta un IGBT?
MOSFET: Alta impedancia de entrada. Es controlado por voltaje. Facilidad
de excitación de compuerta.
BJT: Bajas pérdidas de conducción en estado activo.
9.-¿Qué es el Latch-up en un IGBT?
Es un error que puede existir dentro del dispositivo; sé crea por una conducción de
corriente directa entre fuente y drenaje si la tensión que se le aplica es lo bastante
grande y se crea un tiristor parásito, activando el dispositivo sin necesidad del Gate.
10.-¿Qué voltajes y corrientes soportan los IGBT?
Pueden conducir alrededor de los 1200 V y los 400 A, habiendo dispositivos que
alcanzan valores mayores, siendo estos de (2100-3300 V) y corrientes de hasta 600
A.
8.REFERENCIAS
Muhammad H. Rashid. Electrónica de Potencia (Circuitos, dispositivos y aplicaciones). 3°
Edición, 18 Capítulos, 904 páginas. Capítulo 4:147-149. Impreso en México.
Muhammad H. Rashid, Hasan M. Rashid. (2006). SPICE for Power Electronics and Electric
Power. CRC Press. 2° edición. 15 capítulos. 552 páginas. Nueva York.
S. Rama Reddy. Fundamentals of POWER ELECTRONICS. 1° Edición. 12 Capítulos. 190
páginas. Capítulo 1:20. Impreso en India
Mohan, Ned, Undeland, Tore M. y Robbins, William P. (2009) Electrónica de Potencia.
Convertidores aplicaciones y diseño. Tercera edición. McGraw Hill: México. Capítulos 30.
Páginas 701
Neoteo.com,
http://www.neoteo.com/igbt-mosfet-electronica-de-potencia (septiembre 2, 2019)
