DIODOS DE POTENCIA
Yurley Acevedo Pérez
Félix Daniel Valderrama Pineda
El diodo semiconductor encapsulado
Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
i semiconductor
+
V
P Oblea de
semiconductor
- N
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
Concepto de diodo ideal
En polarización directa, la caída de tensión es nula,
sea cual sea el valor de la corriente directa
conducida
i i
+
Ánodo V
-
Cátodo
curva característica
En polarización inversa, la corriente conducida es
nula, sea cual sea el valor de la tensión inversa
aplicada
Características de la recuperación inversa
Tiempo de recuperación inversa 𝑡𝑟𝑟 : tiempo que
requieren los portadores minoritarios para
recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse.
𝑡𝑎 : generado por el almacenamiento de carga en la
región de agotamiento de la unión.
𝑡𝑏 : debido al almacenamiento de carga en el
material del cuerpo del semiconductor.
Tiempo de recuperación inversa 𝑡𝑟𝑟 depende de: Carga de recuperación inversa 𝑄𝑟𝑟
Temperatura de la unión.
Velocidad de abatimiento de la corriente de carga.
Corriente directa antes de la conmutación.
𝐼𝑅𝑅 : Corriente inversa pico.
Tipos de diodos
Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una caída de tensión directa muy pequeña (0,3 V
típicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida
Diodos de recuperación rápida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinación con
interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperación pequeños. Para unos niveles de
potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo de
recuperación inversas (trr) de pocos nanosegundos.
Diodos rectificadores o de frecuencia de línea: La tensión en el estado de conducción (ON) de estos
diodos es la más pequeña posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el cual es únicamente
aceptable en aplicaciones de la frecuencia de línea.
Efectos del tiempo de recuperación directa e
inversa
Diodos conectados en serie
Encapsulados de diodos
• Axiales
DO DO DO DO
35 41 15 201
Encapsulados de diodos
• Para usar
radiadores
Encapsulados de diodos
DO 5
• Para grandes
potencias
B 44
Características fundamentales de cualquier diodo
1ª -Máxima tensión inversa soportada
2ª -Máxima corriente directa conducida
3ª -Caída de tensión en conducción
4ª -Corriente de inversa en bloqueo
5ª -Velocidad de conmutación
1ª Máxima tensión inversa soportada
Corresponde a la tensión de ruptura de la unión inversamente polarizada
Baja tensión Media tensión Alta tensión
15 V 100 V 500 V
30 V
150 V 600 V
Ejemplo de 45 V
clasificación 200 V 800 V
55 V
60 V 400 V 1000 V
80 V 1200 V
1ª Máxima tensión inversa soportada
• El fabricante suministra (a veces) dos valores:
- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM
- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM
La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser determinante del
deterioro irreversible del componente
2ª Máxima corriente directa conducida
El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:
- Corriente eficaz máxima IF(RMS)
- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa máxima de pico no repetitivo IFSM
Depende de la cápsula
3ª Caída de tensión en conducción
• La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la corriente directa conducida. A
corrientes altas crece linealmente
ideal
rd
V
ID
5A
V
V
3ª Caída de tensión en conducción
• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión
soportable por el diodo
3ª Caída de tensión en conducción
• Los Schottky tienen mejor comportamiento
en conducción para VRRM < 200 (en silicio)
0,5V @ 10A
4ª Corriente de inversa en bloqueo
• Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión
inversa (poco) y de la temperatura (mucho) Crece con I
F(AV)
• Algunos ejemplos de diodos PN Crece con
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V Tj
IF(AV) = 4A, VRRM = 200V
IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V
5ª Velocidad de conmutación
• Información suministrada por los
fabricantes
• Corresponde a conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
5ª Velocidad de conmutación
• La velocidad de conmutación (valorada con la trr)
ayuda a clasificar los diodos
VRRM IF trr
• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s
• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V
1 A – 150 < 2 ns
• Schottky 15 V - 150 V A
Las características de todos los semiconductores (por supuesto, también de los diodos)
se pueden encontrar en Internet (pdf)
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