CAPITULO III.
DEFECTOS CRISTALINOS
F
U
N
D 1. Defectos puntuales: vacancias y átomos
A intersticiales, origen y movimiento.
M
2. Defectos lineales: dislocación de borde y de
D tornillo. Generación y movimiento. Energía de las
M dislocaciones y su interacción. Fuente de Frank
E Read.
T
3. Defectos interfaciales
Y 4. Defectos volumétricos
M 5. Relación defectos cristalinos-propiedades
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Nivel de magnitud de los defectos
F
U
N
D
A
M
D
rinovirus
M
E estafilococus Pelo humano
T
Célula de la sangre
Y
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Defectos
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
DEFECTOS E IMPERFECCIONES EN
SOLIDOS CRISTALINOS
F
U Defecto cristalino: imperfección presente en la red
N
D
cristalina que interrumpe el arreglo y la
A repetitividad en el mismo.
M
Siempre están presentes en la estructura de los
D materiales
M 1. Defectos puntuales
E
T
2. Defectos lineales: dislocaciones
3. Defectos superficiales
Y 4. Defectos volumétricos
M
A
Tienen relación con las propiedades mecánicas.
T
Cap. III. Defectos cristalinos
5.1 Defectos puntuales: vacancias, átomos
intersticiales y sustitucionales. Origen y
movimiento.
F
U Vacancia: posición atómica vacía, o ausencia de átomo
N
D
A Impureza: átomo extraño que reemplaza o se ubica en un
M
hueco de la estructura cristalina
D
Átomo intersticial: átomo extra en la estructura cristalina,
M
E de tamaño pequeño.
T
Y
Átomo sustitucional: átomo extra en la estructura
M cristalina, de tamaño similar al de la estructura base.
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Defectos puntuales
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Defectos en cerámicos y cristales iónicos
Defecto Frenkel: combinación de vacancia- atomo
intersticial.
F Defecto Schotky: imperfección puntual, consiste en
U
N
un par vacantes de iones de carga opuesta.
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Otros defectos
Catión intersticial
F
U Vacancia catiónica
N
D Vacancia aniónica
A
M
M
E Defecto Schotky
T
Y Defecto Frenkel
M
A
T
Efecto de los defectos puntuales
F
U
N
D
A
M
M
E
T
(i) Crean distorsiones (tensión o compresión) en la red o
Y látice cristalino
M (ii) Se forman vacancias por movimiento de impurezas
A sustitucionales a través de la red cristalina.
T
Cap. III. Defectos cristalinos
F
U
N
D Las vacancias siempre están presentes en las redes
A cristalinas, generan la distorsión de planos
M
M
E
T
M Átomos intersticiales semejantes: también generan
A distorsión de planos
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Defectos puntuales en Aleaciones
Adición del elemento B (soluto o aleante) a la matriz A (solvente),
forma una solución sólida de B en A (distribución al azar de B)
F
U
N
D
A
M
M
E Aleación intersticial
T Aleación sustitucional
Los átomos se introducen
Los átomos sustituyen a los
Y en los huecos entre los
átomos originales en las
átomos originales.
M posiciones de la red.
A Ejm. C en Fe
Ejm. Cu en Ni
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Ciertas cantidades de B (soluto) pueden
agruparse y formar una nueva fase.
F
U
N
D
A
M
M
E
T La segunda fase tiene:
Y - diferente composición
M - diferente microestructura
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
F
U Importancia de los defectos puntuales
N
D
A
Controla la difusión en el estado sólido
M
D
Afecta las propiedades mecánicas:
plasticidad y fluencia (creep)
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Concentración al equilibrio de
defectos puntuales
La concentración es afectada por la temperatura, esta
dada por:
F
U
N
D
A
M
D
k=
M
E
T
Cada punto cristalino es un sitio
Y
potencial de defecto (vacancia)
M
A
T Entonces: N = NA (/A) donde: NA = # de Avogadro,
A= masa atómica (g/mol) y = densidad (g/cm3)
Estimación de la concentración
de vacancias
F Encontrar el No. de vacancias en 1 m3 de Cu a 1000 C (1273 K).
U Considere los siguientes datos:
N
D
A
M
D
Para 1 m3:
M N = NA (Cu/ACu) x 1 m3 = 8 X 1028 sitios
E
T
Nv = N exp (-Qv/kT) = 8 X 1028 exp (-0.9/8.62X10-5 X 1273)
Y
M
A
T Nv = 2.19 X 1025 sitios
Estimar el número de vacancias a temperatura
ambiente y comparar con el resultado anterior.
Explicar la diferencia
F
U
N
D
A
Calcúlenlo
M
M
E
T
Y
RESULTADO
M
A
Nv = 7.4 X 1013 vacancias
T
¿Por qué la diferencia?
¿Cuál es el efecto de la temperatura?
F
U
A 1000 C
N Nv = 2.19 X 1025 sitios
D
A
M
A temp. ambiente
D
Nv = 7.4 X 1013 sitios
M
E
T
Y Es un Proceso
M
A
térmicamente activado
T
Capitulo
Cap. V. III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Defectos cristalinos
Ejem. de procesos térmicamente activados
Hot Rolling ó laminado en caliente
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Forja en caliente
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Problemas
Que es un proceso térmicamente activado, cual es la energía y el
mecanismo que lo activa?
Calcule la concentración de vacancias por m3 para Al puro a 500
C. Considera la energía de activación de las vacancias de 0.76 eV.
Que sucede con la fracción de vacancias a 660 C.
Calcule la concentración de vacancia por m3 para la plata pura a
500 C. Considere la energía de activación de 1.10 eV. Explique la
diferencia en concentración de vacancias entre el Al y la Ag.
Obtenga una grafica del incremento de vacancias con la
temperatura para el platino, considere que la energía de
formación de vacancias es de 1.40 eV. Explique que utilidad
tendría la grafica que construyo.
F
U
N 5.2 Defectos lineales
D
A
M Dislocación de borde y de tornillo.
D
Generación y movimiento.
Energía de las dislocaciones y su
M
E
interacción.
T Fuente de Frank Read.
Y
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Dislocaciones
Son defectos lineales
El deslizamiento entre planos se asocia al movimiento
F de dislocaciones
U Se producen deformaciones plásticas o permanentes
N
D
A Después de la
M Antes de la deformación
deformación
D
Sistemas de
M deslizamiento
E
T
M
A
T
Caso del Zn (hcp)
Imperfecciones lineales
Dislocaciones: línea o plano de átomos incompleto localizada
en la red cristalina que la des-alínea. Las hay de dos tipos:
borde y de tornillo o álabe.
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Dislocación de borde: plano Dislocación de tornillo (álabe):
Y incompleto entre una línea o formación de una rampa espiral
plano de átomos. El vector de alrededor de la línea de
M Burger b es perpendicular a la dislocación al modificar un plano
A línea de dislocaciones ( ) de átomos. El vector de Burger b
T
es paralelo a la línea de
dislocaciones (ll)
El deslizamiento de las dislocaciones se caracterizan
por el Vector de Burger (b)
El Vector de Burger (b) es: la dirección y la distancia
que se desplaza una dislocación en cada paso.
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y
Observar que el vector de cierre es de la posición 1 a la 19
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Línea y plano de dislocaciones
F compresión
U
N
D
A
M
M
E
T
Y tensión
M
A
T
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y Regiones de compresión (gris) y tensión
(rosa) alrededor de una dislocación
M
A
T
Las dislocaciones de borde (edge)
pueden ser: positivas o negativas
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y
Se denominan con: positivas
M
negativas
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Movimiento de dislocaciones
(importancia)
El movimiento de estas en la red cristalina produce
F
U deformaciones permanentes en el material
N (comportamiento plástico)
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
El movimiento provoca fenómenos de deslizamiento
entre planos (deformación del material)
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Deslizamiento (movimiento de oruga)
VIDEOS
Su movimiento produce tensiones o compresiones en la
red cristalina, resultando un movimiento atómico masivo
F
U
N
D
A
M
Dislocación
D de borde
M
E
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Movimiento de la dislocación de borde
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
El vector de Burger “b” es normal en las
dislocaciones de borde
F
U
N
D
A
M
M
E
T (a) Cristal perfecto
(b) Cristal con un plano adicional incompleto (dislocación)
Y
(c) Se requiere de un vector de Burger para cerrar el circuito de
M átomos alrededor de la dislocación de borde
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Trepado positivo ó ascenso de
dislocaciones
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y
Plano de deslizamiento:
M - El plano contiene a “b” y L (línea de dislocaciones)
A
T
- Las dislocaciones se mueven por rompimiento de
enlaces locales
Trepado negativo o descenso
de dislocaciones
Dislocación de tornillo
P. Superior
F
Plano superior
U
N
D Línea de dislocación
A
M
D Plano inferior
M
E
P. Inferior
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Movimiento de una dislocación de tornillo
F
U
N
D
A
M
M
E Se forman dislocaciones por deslizamiento paralelo a la línea de
T dislocación.
- La dislocación de tornillo: b es paralelo a L
Y - El circuito de desplazamiento alrededor de la dislocación es
“b” a lo largo del de L, como si fuera un tornillo.
M
A
Los planos que contienen “b” son un planos de deslizamiento
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Dislocación mixta
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y La dislocación de tornillo esta en la cara frontal y cambia
M gradualmente a dislocación de borde en la cara lateral del
A cristal
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Dislocaciones de borde, tornillo y mixtas
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Dislocación mixta
Las dislocaciones en cristales reales son curvadas o en forma de loops
- “b” es el mismo en cualquier lugar ya que el deslizamiento es el
mismo en cualquier lugar.
- En la dislocación de borde “b” es perpendicular al plano L y en la
dislocación de tornillo es paralela al L (línea de dislocaciones)
- En dislocaciones mezcladas b es angular a L (línea de
disllocaciones)
El cristal desliza por “b” en el plano donde las dislocaciones se mueven
perpendiculares a L
Imágenes de dislocaciones obtenidas por TEM
Imágenes de dislocaciones obtenidas por TEM
(Microscopía Electrónica por Transmisión)
Generación de
F
U dislocaciones
N
D
A
M
Frank y Red propuso que las dislocaciones pueden
D generase a partir de una vacancia existente, generando
loops de dislocaciones
M
E
T
M
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
La protuberancia de
dislocaciones AB crece hacia
afuera (A y B son ancladas por las
impurezas), que produce un
deslizamiento cuando una tensión
de corte () es aplicada.
La máxima para el semicírculo
generado por la protuberancia de
dislocaciones esta dado por:
Más allá de este punto, el loop de
dislocaciones continua
expandiéndose hasta que las parte
m y n se juntan y aniquilan, para
formar un loop grande y una nueva
dislocación.
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M Secuencia de generación de dislocaciones
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
Dislocatiebron (Frank-Read)
Tension formada por las
dislocaciones presentes
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
FR-bron op het (111)-vlak van
A een fcc-kristal
T
Bron: Ecole Nationale Supérieure de Physique de Grenoble
Apilamiento de dislocaciones en los bordes de grano
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Bron: Ecole Nationale Supérieure de Physique de Grenoble
Energía de dislocaciones
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y
Campo de tensiones y compresión alrededor de una
M dislocación de borde
A
T
Capitulo III Imperfecciones en sólidos: dislocaciones
La energía de una dislocación, es equivalente a romper
un enlace por átomo de espaciamiento a lo largo del
corazón de la línea de dislocaciones. Lo anterior esta
dado aproximadamente por:
F
U (energía de formación de una vacancia)/ (No. de coordinación)
N
D Típicamente: (1-3 eV)/ (4 a 12 átomos por 0.2-0.3 nm)
A Lo cual esta en un rango de 0.5 a 5 eV/nm (0.1-1 J/nm)
M
D Este magnitud de energía conduce a un “estado de relajación”
al sistema (dislocación)
M
E
T Energía elástica total
Y
M
A
T Valores típicos de G de 60 a 120 GPa, “b” de 0.2 a 0.3 nm
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Modelo de burbujas
Densidad de dislocaciones
La densidad de dislocaciones es una medida de cuantas
F
U dislocaciones están presentes en el material. Ya que las son
N defectos lineales, esta se define como la longitud total de
D dislocaciones por unidad de volumen, las unidades son m/m3
A ó m-2.
M
D
También se considera como: el número de líneas de
M dislocación que intersectan la unidad de área.
E
T
Y La densidad de dislocaciones es del orden de:
1010 m-2 (105 cm-2) en metales solidificados y
M
A hasta 1015 m-2 (1010 cm-2) después del trabajado
T en frío (deformados).
Imagen congelada de la
simulación de deformación
plástica en un cristal de Cu
F (fcc) con una arista de 15 m,
U las líneas representan las
N dislocaciones
D
A
M Modelo para calcular el:
incremento de las dislocaciones
D en base a la temperatura, la
presión y la velocidad de
M
E deformación.
T
Y
Donde:
M
A
T Simulación de multiplicación de
dislocaciones
3. Defectos interfaciales
Son interfases entre dos áreas de una fase que tienen
diferentes orientaciones cristalográficas (límite de grano)
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A Interfase en una microestructura
T
Defectos interfaciales
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y
Observar la orientación del hexágono y la interfase
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Frontera entre fases
Puede ser coherente o incoherente
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T Interfase coherente
Frontera entre dos fases
F
U
N
D
A
M
D
Aleación Cu-Zn
M
E Aleación Al-Cu
T
M
A
T
Fronteras de grano
Fronteras entre dos cristales
Producidos por la solidificación
F
U Tienen diferentes orientaciones cristalográficas
N
D Impiden el movimiento de dislocaciones
A
M
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Identificación de los granos y las fronteras de
grano en un material metálico
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Las fronteras de grano: son
las imperfecciones más
suceptibles de atacar.
Se revelan como líneas
obscuras
F Las diferentes orientaciones
U cristalográficas de cada grano
N producen diferentes
D
A
intensidades luz reflejada
M
El tamaño de grano ASTM esta
D
dada por el número:
M
E N = 2n-1
T
Y Donde “n” es el número de
tamaño ASTM, N son los
M granos/in2 observada a 100X
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Tamaño de grano ASTM (American Society for
Testing of Materials). Norma: E-112
Esta cuantificado por un sistema de numeración, los tamaños del 1
al 5 se consideran granos gruesos y del 5 al 8 el grano es fino.
F
U Es importante porque:
N Afecta las propiedades mecánicas: granos finos dan una mejor
D
A combinación de resistencia-tenacidad y granos gruesos
M proveen mejor maquinabilidad del material.
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Cálculo del tamaño de grano
Suponer que se cuentan 16 granos por in2 en una fotografía que
se toma a 250 X (aumentos). ¿Cual es el número ASTM del tamaño
F de grano?
U
N
D
Solución:
A Si se cuentan 16 granos/in2 a 250X, entonces a 100X deben ser:
M
N = (250/100)2 (16) = 100 granos/in.2 = 2n-1
D
Log 100 = (n – 1) log 2
M 2 = (n – 1)(0.301)
E
T n = 7.64
M El tamaño de grano ASTM es de 7.64
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Ejercicios:
1) Se determino en una fotografía tomada a
100 aumentos (100X) 64 granos/in2. Cual es el
tamaño de grano ASTM.
Resultado = 7
2) Si se tienen 60 granos/in2 en una fotografía
a 200X, cual es el tamaño de grano ASTM del
acero bajo carbono?
Resultado: 8.91
3) Si se tienen 450 granos/in2 para un material
cerámico en una fotografía tomada a 250X.
Cual es el tamaño de grano ASTM?
Resultado: 12.46
Fig. Fotografía del paladio
4) Calcular mediante conteo el tamaño de tomada a 100X
grano de una aleación de paladio, para la
figura mostrada en la imagen tomada a 100X.
Resultado: _________
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Relación entre el tamaño de grano y la resistencia a la cedencia
Y (Yield Strength), esta dada por la Ec. De Hall-Pech:
M
A
y 0 Kd 1/ 2
T
Cap. III. Defectos cristalinos
F
U
N
Rejilla graduada para medir tamaño de grano a 100X
D
A
M
M
E
T
M
A
T Tamaño de grano de una aleación C26000 recocida a (a) 1 hr
a 450 C, (b) 1 hr a 550 C y (c) 2 hrs a 750 C
Granos en
F diferentes
U
N
materiales
D
A
M Latón amarillo
M
E
T
M
A Acero bajo carbono
T Aluminio
Cap. III. Defectos cristalinos
Macrograno (macroestructura)
(lingotes y piezas de fundición)
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Granos columnares Granos equiaxiales grandes
Y
M
Granos equiaxiales finos
A
T
Fronteras de grano de ángulo bajo
F
U
N
D
A
M
M
Es un arreglo vertical de dislocaciones de borde que origina
E
T una frontera de ángulo pequeño. Estas fronteras son móviles.
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Fronteras de ángulo alto
F
U
N
D
A
M
M Es una frontera simple en la cual dos cristales se unen, con una
E diferente orientación de cada cristal.
T Las fronteras de ángulo alto, son sitios de segregación química
(acumulación de solutos o impurezas)
Y
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Granos gemelos
F
U
N
D
A
M
M Es una reflección de la posición de los átomos a través de un
E
plano gemelo
T
Y También se considera como una frontera gemela y coherente en la
cual los planos rotan.
M
A
T
En general se tiene cierta diferencia
en orientación entre las dos partes
del cristal que tiene la misma
F
U
estructura.
N Ley gemela: operación simétrica
D necesaria para transformar una parte
A en otra.
M En la mayoría de los casos existe
un plano espejo (ó plano gemelo).
D La gemelación se forma en general
durante el crecimiento de los
M
E
cristales.
T
Y Presentan cambios en las secuencias de apilamiento:
ABCABC -- ABCBC ó ABCBABC
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
4. Defectos volumétricos
F
U
N
D -Huecos
A
M - Segundas fases:
D • Inclusiones (indeseadas)
M
• Precipitados (deseados o indeseados)
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Los defectos volumétricos (tridimensionales)
generalmente son creados por deficiencias durante el
proceso de manufactura, entre estos están:
F
U Poros: huecos en el material, afectan las propiedades
N mecánica, ópticas y térmicas del material.
D
A
M Grietas: son líneas de fractura o separaciones en
D el material, afecta principalmente las propiedades
mecánicas.
M
E
T Inclusiones: partículas incrustadas en el material
Y con diferentes características físicas y
M
composición química. Afectan las propiedades
A mecánicas, ópticas y eléctricas.
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Poros
Se forman por atrapamiento de gases en solución, gases
atrapados mecánicamente durante el llenado de moldes
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Grietas
Se forman por tensiones en el material durante la
solidificación, esfuerzos excesivos aplicados durante
su funcionamiento, enfriamientos bruscos durante el
tratamiento térmico, laminado excesivo, condiciones
de trabajo por encima de lo normal, etc.
Cap. III. Defectos cristalinos
Inclusiones
Presencia de partículas indeseables, pueden ser:
óxidos, partículas de refractario, sulfuros, carbonatos
o sales, atrapados durante el proceso de manufactura.
F
U
N
D Silicatos Alúmina
A
M
M
E Sulfuros
T globulares
Sulfuros
alargados
Y
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Defectos por contracción
Se forman debido a la disminución de volumen
(contracción) del metal durante la solidificación, pueden
ser: microrechupes o rechupes macroscópicos
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M Microrechupes
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Rechupes macroscópicos
Huecos originados por
contracción del metal
durante la solidificación
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M Simulación para predecir localización del
A
T rechupe
Cap. III. Defectos cristalinos
F
U
N
5. Relación defectos
D
A
M
cristalinos-
D propiedades
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y
Efecto de la deformación (% de trabajado en frío) en la
M resistencia ala cedencia (YS) y la resistencia a la
A tensión (TS)
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Trabajado en frío:
Efecto del tamaño de grano en la
resistencia a la cedencia
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
Efecto de la porosidad en
la resistencia a a flexión
F
U
N
D
A
M
M
E
T
M
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
F
U
N
D
A
M
M
E
T
Y Explicar desde el punto de vista estructura cristalina
el comportamiento de los tres materiales de las
M curvas Tensión-deformación
A
T
Cap. III. Defectos cristalinos
