DIODO GUNN
Los diodos Gunn son unos dispositivos electrnicos que
emiten radiacin electromagntica en el rango de las
microondas. Los que estn disponibles hoy en da emiten
radiacin de una frecuencia de entre 10 y 100 GHz ms o
menos.
este tipo de dispositivos recibe bastante atencin por
parte de la comunidad cientfica y tecnolgica, porque
son unos buenos candidatos para emitir radiacin a
frecuencias an mayores, en el rango de los terahercios.
SIMBOLOGA:
ESTRUCTURA
Este diodo contiene tres
semiconductores tipo N.
Los semiconductores externos deben
estar mayormente dopados a
comparacin del semiconductor
interno y su espesor de este debe ser
de 10 Mm formados todos por el
mismo compuesto.
GaAs
GaN
InN
La energa que los electrones deben ganar para pasar de un valle
gamma a un valle L es aproximadamente 0.36 eV en el caso de GaAs,
esto les permite moverse de un valle a otro y generar as domonios
Gunn, y por tanto corrientes de oscilacin de las microondas
EFECTO GUNN
El efecto fue descubierto por John B. en 1963. El efecto Gunn es un
instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el rango de las
microondas en los materiales semiconductores.
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores
y no depende de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de
los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnticos.
Gunn observ esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el
Fsforo de Indio (InP)
Este efecto solo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones)
y las oscilaciones se dan solo cuando existe un campo elctrico.
Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los
electrones necesitan para atravesar la placa de material tipo N cuando se
aplica la tensin continua.
COMPORTAMIENTO DE LOS ELECTRONES
V=0 1 MV/masa
OSCILADORES
La resistencia diferencial negativa combinada con las
propiedades del tiempo de la capa intermedia, es
responsable del uso mas grande del diodo. En osciladores
electrnicos a frecuencias de microondas y superiores
TIPO DE OSCILADORES
Existen 3 tipos de diseos de osciladores Gunn, a los que
comnmente se les aplica un campo (para producir el
movimiento entre valles)
Oscilador por corrimiento de fase
Oscilador Hartley
Oscilador Colpits
OSCILADOR POR CORRIMIENTO DE FASE
Vi = Tensin de entrada
Vo = Tensin de salida
B = Ganancia del circuito de
realimentacin
Ao = Ganancia del amplificador
con lazo abierto Ao = Vo/Vi (no se
toma en cuenta la
realimentacin). Ver el grfico.
Vf = Tensin de realimentacin
Ac = Ganancia en lazo cerrado
BAo = Este producto (B x Ao) se
llama ganancia de lazo
OSCILADOR HARTLEY
OSCILADOR COLPITS
APLICACIONES
Mediciones de distancia
Detectores de movimiento (no muy rpidos)
Radares de velocidad
Cierre de puertas
Imgenes biomdicas
Escneres de los aeropuertos
