SEMICONDUCTORES
INTRODUCCIN
Los semiconductores son elementos que
tienen una conductividad elctrica inferior
a la de un conductor metlico pero superior
a la de un buen aislante.
El semiconductor mas utilizado es el Silicio
debido a su existencia abundante en la
naturaleza. Otros son el Germanio y el
Selenio.
ESTRUCTURA ATMICA
De acuerdo al modelo mecano-
cuntico del tomo, existen niveles
energticos discretos en los cuales
pueden residir los electrones.
Cada uno de estos niveles est
representado por un conjunto de
nmeros cunticos:
n = Nmero cuntico principal
(niveles de energa)
l = Nmero cuntico secundario
(subniveles de energa)
m = momento magntico (orientacin
de los orbitales)
s = spin (cantidad electrones en un
orbital y sentido de giro )
ESTRUCTURA ATMICA
De acuerdo a las posibles combinaciones de nmeros
cunticos, la cantidad mxima de estados por subnivel
es:
s= 1 2 electrones
p=2 6 electrones
d=3 10 electrones
ESTRUCTURA ATMICA
ESTRUCTURA ATMICA
Enlace covalente tomo de Silicio:
NIVELES DE ENERGA
Cuanto ms alejado est un electrn del ncleo, mayor es
su estado de energa y cualquier electrn que haya
abandonado a su tomo padre tiene un estado de energa
mayor que todo electrn que permanezca en la estructura
atmica.
NIVELES DE ENERGA
Conductor es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se
encuentra inmediatamente adyacente a la energa del ltimo estado electrnico
ocupado. En otros trminos, un conductor es un material en el cual la ltima banda
ocupada no est completamente llena.
Aislador es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se
encuentra separada, por una brecha finita, de la energa del ltimo estado electrnico
ocupado.
Semiconductor es un material aislador en que el ancho de banda prohibida es menor
que 1eV.
MATERIALES EXTRNSECOS
MATERIAL TIPO N
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se
crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavalentes), como el antimonio, el arsnico y el fsforo.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como
tomos donadores.
MATERIALES EXTRNSECOS
MATERIAL TIPO P
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con tomos de
impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms utilizados para
este propsito son boro, galio e indio
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman tomos
aceptores.
FLUJO DE ELECTRONES CONTRA FLUJO HUECOS
Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para
romper su enlace covalente y llenar el vaco creado por un hueco,
entonces se crear un vaco o hueco en la banda covalente que
cedi el electrn. Existe, por consiguiente, una transferencia de
huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha.
PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS
En un material tipo n el electrn se llama portador mayoritario y el
hueco portador minoritario.
En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el
electrn el minoritario.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
UNIN PN SIN POLARIZACIN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de
tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin
PN (diodo semiconductor).
Para la figura mostrada Las nicas partculas mostradas en esta
regin son los iones positivos y negativos que quedan una vez que
los portadores libres han sido absorbidos. Esta regin de iones
positivos
y
negativos
revelados
se
llama
regin
de
empobrecimiento, debido a la disminucin de portadores libres en
la regin.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
UNIN PN CON POLARIZACIN INVERSA
El nmero de iones positivos revelados en la regin de
empobrecimiento del material tipo n se incrementar por la gran
cantidad de electrones libres atrados por el potencial positivo del
voltaje aplicado, por las mismas razones, el nmero de iones
negativos no revelados se incrementar en el material tipo p.
La corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama
corriente de saturacin en inversa y est representada por Is.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
UNIN PN CON POLARIZACIN DIRECTA
La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa V D
presionar a los electrones en el material tipo n y a los huecos en
el material tipo p para que se recombinen con los iones prximos al
lmite y reducir el ancho de la regin de empobrecimiento.
En cuanto se incrementa la magnitud de la polarizacin aplicada, el
ancho de la regin de empobrecimiento continuar reducindose
hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unin pn.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DIODO POLARIZACIN DIRECTA
Se puede demostrar por medio de la fsica de estado slido que las
caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden
definir mediante la siguiente ecuacin, conocida como ecuacin de
Shockley, para las regiones de polarizacin en directa y en inversa:
Donde:
Voltaje Trmico (VT)
APLICACIONES
Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrnicos encargados de
realizar una conversin de potencia de ac, en potencia de dc.
20V
0V
D2
V1
1k
-20V
V1(V2)
20V
0V
SEL>>
-20V
0s
1ms
2ms
3ms
4ms
5ms
6ms
7ms
8ms
9ms
10ms
V(D1:2)
Time
20V
0V
120
1k
-20V
V1(V2)
20V
0
0V
SEL>>
-20V
0s
1ms
2ms
3ms
4ms
5ms
V(R1:1)
Time
6ms
7ms
8ms
9ms
10ms
APLICACIONES
Recortadores: Tienen la capacidad de recortar una porcin de la seal de
entrada sin distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna.
20V
D2
0V
5V
1k
-20V
V(V10:+)
20V
0V
SEL>>
-20V
0s
0.5ms
1.0ms
1.5ms
2.0ms
2.5ms
3.0ms
V(R1:2)
Time
20V
10V
1k
0V
4V
-10V
-20V
0s
V(D1:2)
0.5ms
V(V1:+)
1.0ms
1.5ms
Time
2.0ms
2.5ms
3.0ms
FIN
