DIODOS
UNFV - FIEI 2015-II
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Semiconductores
Un semiconductor es una sustancia que
se comporta como conductor o como
aislante dependiendo del campo elctrico
en el que se encuentre.
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Tipos de Semiconductores
Intrnsecos
Con propiedades semiconductoras, por su composicin natural
Extrnsecos
Son semiconductores intrnsecos, a los que se aaden impurezas
(en un proceso llamado dopado), para mejorar sus propiedades.
Tipo N
El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material (los electrones son portadores de
carga negativos)
Tipo P
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos (los
huecos son portadores de carga positivos)
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TABLA CON MATERIALES
SEMICONDUCTORES
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Diodos
Un DIODO se obtiene de la
Semiconductor Tipo P y uno Tipo N.
unin
de
un
La principal caracterstica de un DIODO es que slo
permite el paso de corriente en un sentido.
El diodo en un dispositivo electrnico
terminales, llamados nodo y Ctodo.
Cmo se obtiene
Smbolo
Foto
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de
dos
Diferentes modelos de diodo
Tipos de diodos
Diodo rectificador
En P.D. conduce corriente. En P.I. no conduce.
Diodo LED
En P.D. conduce corriente y emite luz.
En P.I. no conduce corriente y no emite luz.
Fotodiodo
Opuesto al anterior. En P.I. absorbe luz detectada
y conduce corriente
Diodo Zener
En P.D. como el diodo rectificador
En P.I., si se supera cierta tensin (tensin Zener)
conduce tambin.
CARACTERSTICA DEL DIODO
Idealmente, permite el paso de la corriente directa (se comporta como un cable)
y bloquea o no permite el paso de la corriente inversa (se comporta como un
cable roto o abierto)
I
+
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
V
-
EJEMPLO:
Un smil hidrulico (sistema elctrico para el paso de agua) podra ser una
vlvula anti-retorno, permite pasar el agua (corriente) en un nico sentido.
Funcionamiento de una vlvula antiretorno
h1
h2
Caudal
h1 - h 2
Introduccin a la fsica de estado slido:
semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO N
+
+
+
Electrones libres
+
+
+
+
+
+
Impurezas grupo V
300K
tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son
electrones libres
Semiconductor extrnseco : TIPO P
Huecos libres
300K
tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son
huecos. Actan como portadores de carga positiva.
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
Semiconductor tipo P
+
+
Semiconductor tipo N
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
Zona de transicin
Semiconductor tipo P
+
+
Semiconductor tipo N
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de
carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay
circulacin de corriente.
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a
circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica
DIODO SEMICONDUCTOR
DIODO REAL
nodo
p
ctodo
i [mA]
Ge
Si
V [Volt.]
Smbolo
-0.25
Silicio
Germanio
I D I S e
V D q
K T
0.25
0.5
IS = Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo
DIODO REAL (Distintas escalas)
Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo
i [mA]
i [mA]
30
Ge
Si
Si
Ge
V [Volt.]
-0.25
0.25
V [Volt.]
0
-4
0.5
i [A]
i [pA]
V [Volt.]
0
-0.5
Ge
V [Volt.]
0
-0.5
Si
-0.8
-10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I
I
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
Ideal
I
Tensin de codo y
Resistencia directa
V
Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V
DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
Tensin inversa
mxima
I
Lmite trmico,
seccin del conductor
Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
id
IOmax
VR = 1000V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 1A Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 50 nA
Corriente inversa
VR = 100V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 150mA
Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 25 nA
Corriente inversa
VR
iS
Vd
NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
1N4007). Normalmente aparecern varios
fabricantes para el mismo componente.
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
Tiempo de recuperacin inversa
iS
Bajafrecuencia
frecuencia
Alta
iS
trr = tiempo de recuperacin inversa
A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce
corriente inversa.
Una aplicacin del diodo: el rectificador
Generador de tensin continua o fuente de alimentacin
Regulador
50 Hz
Filtro
6V
Rectificador
220 V
50 Hz
Transformador
Fuente de alimentacin
5V
1. Transformador
Transformador
seal de
c.a.
vE
vS
seal de c.a.
ms pequea
2.a Rectificador de media onda
Rectificador
c.a.
(positiva y
negativa)
vE
vS
Entrada
+
vE
c. pseudocontinua
vS 0
D
RL
Rectificador
Salida
+
vS vR
vE
T
2
vS
t
2.b Rectificador de onda completa: Primera opcin
DA
vEA vE
vEA
vEB vE
vEB
RL
v +
S
+
DB
Segunda opcin:
+
v EA
v EB
+
DA
RL
+
vS
DB
[Link]>0yVEB<0
DA
vEA
[Link]<0yVEB>0
RL
EB
vS
+
v
+
D
vE
vEA
vEB
t
vS
t
3. Filtro
Entrada
+
vE
Filtro
Salida
Rectificador
vS vR
Filtro con rectificador de media onda
vS
t
T
4
5T
4
vE
vE vC
vE vC
Filtro con rectificador de onda completa
T
4
t
3T
4
EA
v v v v
EB
C
EA
EB
4. Regulador
Entrada
Regulador
+
vE
RL
Salida
vS vR
Regulador con rectificador de media onda
vS
Vmin
VZ
Regulador con rectificador de onda completa
vS
Vmin
VZ
Curva caracterstica corriente/tensin
Diodo Zener
Peculiaridad en P.I: superada Vz, ruptura Zener
conduce corriente sentido inverso
ID
ID
+ VD
ID
I.P.
D.P.
V Z
0,7V
VD
Aproximaciones lineales del diodo Zener
Slo una aproximacin (se pueden hacer ms)
Similar a la 2 aprox. del diodo rectificador
En P.D. se comporta igual, tambin a partir de 0.7V
En P.I. al llegar a la tensin Zener, conduce corriente en sentido contrario
ID
I.P.
D.P.
VZ regin normal
0,7 V
regin Zener
VD
ID
ID
IZ
VZ
+ VD
D. P. :
I. P. :
regin normal:
ID 0,7 V
Ecuacin Condicin
VD 0,7 V ID 0 IZ 0
+VD 0,7 V
ID 0
ID 0
IZ
VZ
+ VD VZ
VZ VD 0,7 V
conocido
Vparmetro
Z
+ VD
regin Zener:
IZ
IZ
VD VZ
IZ 0 I D 0
