FACULTAD DE INGENIERIA
PROGRAMA: INGENIERIA ELECTRONICA
ASIGNATURA: ELECTRNICA DE POTENCIA
PREPARADO POR: OVIDIO R. OSPINO MIELES.
SANTA MARTA 2013
TRANSISTORES DE COMPUERTA AISLADA
MOSFET o IGFET
MOS: Metal Oxide Semiconductor.
FET: Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de
efecto campo basado en la
estructura MOS. (Metal Oxido
Semiconductor)
Construido con la terminal de la
compuerta aislada del canal con
el dielctrico dixido de silicio
(SiO2)
Dispositivos de portadores
mayoritarios.
IGBT
IG: Insulated Gate.
BT: Bipolar transistor.
Consiste en un transistor
bipolar con compuerta
aislada basado en la
estructura MOS. (Metal
Oxido Semiconductor)
Construido con la terminal
de la compuerta aislada
con el dielctrico dixido
de silicio (SiO2)
Dispositivos de portadores
minoritarios
Baja disipacin de calor.
PORTADORES DE CARGA
En los semiconductores, los electrones y los
huecos son los portadores de carga.
Los ms abundantes son llamados
Portadores mayoritarios. En los
semiconductores tipo N son los electrones,
y en los tipo P son los huecos.
Los portadores de carga menos abundantes
son llamados Portadores Minoritarios; en
semiconductores tipo N corresponde a los
huecos y en los semiconductores tipo P a
los electrones
MOSFET o IGFET
MOS: Metal Oxide Semiconductor
FET: Field Effect Transistor.
FET basado en estructura MOS.
Dispositivo controlado por voltaje.
Alta velocidad de conmutacin(nano seg)
Alta impedancia entrada.(>40 Megohmios).
Dispositivos de portadores mayoritarios.
No presenta ruptura secundaria
Buena estabilidad trmica
Fcil puesta en paralelo sin resistencia de
ecualizacion.
Resistencia considerable en zona hmica
MOSFET o IGFET
MOSFET: Sustrato de material semiconductor dopado en el
que, por tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas
de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se
ensancha una capa dielctrica rematada por una capa
conductora.
Dispositivo Unidireccional.
Bloqueo de voltaje directo superior a 1000V.
No bloquea voltaje inverso.
Existen dos tipos de MOSFET:
1. De enriquecimiento (The Enhacement IGFET).
2. De empobrecimiento (The Depletion IGFET).
Segn la clase de dopaje ambos tipos de MOSFET se
clasifican en:
Canal N o NMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
Canal P o PMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
MOSFET O IGFET
,
+
,
+
,
+
,
+
NOMENCLATURA DEL MOSFET
MOSFET O IGFET
MOSFET O IGFET
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
(The Enhancement MOSFET)
MOSFET de enriquecimiento Canal N, no tiene un canal
fsico. Si VGS es positivo, un voltaje inducido atraer los
electrones del substrato P y los almacenar en la superficie
por debajo de la capa de xido. Si VGS es mayor o igual a
un voltaje conocido como voltaje de umbral, VT, se
acumular un nmero suficiente de electrones para formar
un canal virtual N y la corriente (ID) fluir del drenaje a
la fuente.
Si es un MOSFET de enriquecimiento canal P, se invierten las
polaridades de VDS, IDS y VGS
MOSFET DE AGOTAMIENTO
(The Depletion MOSFET)
Un MOSFET tipo agotamiento de canal N, se forma en un
substrato de silicio tipo P con dos silicios N+ fuertemente
dopados para tener conexiones de baja resistencia. La
compuerta est aislada del canal mediante capa de xido.
3 terminales: Compuerta, drenaje y fuente.
Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El voltaje
entre compuerta fuente, VGS, puede ser positivo o negativo; si
es negativo algunos electrones del rea del canal N sern
repelidos y se crear una regin de agotamiento por debajo de
la capa de xido, que resultar en un canal efectivo ms angosto
y en una alta resistencia de drenaje a fuente, RDS.
Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se
agotar totalmente, ofreciendo un alto valor RDS, y no
habr flujo de drenaje a fuente, IDS = 0. Cuando esto ocurre
al VGS se le conoce como voltaje de estrechamiento Vp.
Si VGS se hace positivo, el canal se ensancha, e IDS
aumenta debido a la reduccin de RDS.
Con un MOSFET tipo agotamiento de canal P se invierten las
polaridades de VDS, IDS y VGS.
e
MOSFET DE DEPLEXION O
EMPOBRECIMIENTO
MOSFET DE ACUMULACION O
ENRIQUECIMIENTO
SIMBOLOGIA PARA LOS MOSFET
POLARIZACION DE MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
POLARIZACION DE MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
SENTIDO DE POLARIZACION DE MOSFET
EMPOBRECIMIENTO
1. Existe continuidad
elctrica entre fuente
y sumidero si no hay
tensin de puerta.
2. La puerta puede
polarizarse positiva o
negativamente.
ENRIQUCIMIENTO
1. No existe continuidad
elctrica entre
sumidero y fuente sin
tensin de puerta.
2. El sentido de
polarizacin de
puerta y sumidero
son iguales.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DE UN MOSFET
CARACTERISTICAS DE SALIDA Y DE
TRANSFERENCIA DE UN MOSFET
:
= (
=
:
= (
=
CARACTERISTICAS DE SALIDA DE UN MOSFET
Las caractersticas de salida se obtienen manteniendo
constante la tensin de puerta
y encontrando pares de
valores de
. Para formar la familia de curvas se repite
el proceso para valores distintos de
.
Para los MOSFET de Empobrecimiento existen curvas para
valores positivos y negativos de tensin de puerta. Y para los
de Enriquecimiento la curvas solo son para valores positivos
de tensin de puerta.
Cuando
<
El MOSFET responde como una
resistencia de silicio, creciendo
casi lineal con
.
Cuando |
| se acerca a |
| la resistencia del canal
aumenta y la relacin entre
es cada vez menos lineal.
Cuando |
| >
, El MOSFET estar en la regin
de saturacin, trabajar en la regin normal de las
caractersticas y la
se hace casi independiente de
. La
poca dependencia se debe al efecto campo elctrico
longitudinal el cual aumenta con
.
Si
Excede un determinado se produce la ruptura por
avalancha y,
crecer sbitamente, condicin que debe
evitarse
CARACTERISTICAS DE SALIDA DE UN MOSFET
EMPOBRECIMIENTO ENRIQUECIMIENTO
CURVA DE SALIDA
CARACTERISTICAS DE SALIDA DE UN
MOSFET
La pendiente de la zona de trabajo de la caracterstica de
salida es una medida de la admitancia de salida que est
definida como:
.
El reciproco de la admitancia de salida es la impedancia de
salida
, que depende de
,
CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA
DE UN MOSFET
Las caractersticas de transferencia se obtienen manteniendo
constante la tensin drenador fuente
y encontrando
pares de valores de
.
Estas caractersticas indican el control que
ejerce sobre la
corriente y tensin de salida.
Para baja frecuencia (1Khertz) se tiene la transadmitancia
directa
de dispositivo o transconductancia directa
o
conductancia mutua
.
O sea a 1Khertz se tiene
)
CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA DE
UN MOSFET
IGFET ENRIQUECIMIENTO
IGFET EMPOBRECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET B DE EMPOBRECIMIENTO
CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA DE
UN MOSFET
EMPOBRECIMIENTO
1. El VT (voltaje umbral) es
la tensin de puerta
necesaria para reducir a
cero corriente de
drenador o sumidero ID
ENRIQUCIMIENTO
1. Puede aplicarse una
pequea tensin menor a
VT (voltaje umbral) sin
que aparezca corriente de
drenador o sumidero ID
CIRCUITOS EQUIVALENTES DE UN
IGFET
PARA BAJS FRECUENCIAS
SUPERPUESTO A LA
ESTUCTURA FISCA
CIRCUITO EQUIVALENTE USUAL
FUENTE COMUN
SUMIDERO COMUN
PUERTA COMUN
CARACTERISTICAS DE SALIDA Y REGION SEGURA
AMPLIFICADOR CON MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO
CARACTERISTICAS DE SALIDA Y RECTA DE CARGA
CARACTERISTICAS DE SALIDA Y RECTA DE CARGA
El valor de la resistencia de carga
se escoge de tal forma
que la recta de trabajo dibujada sobre las caractersticas de
salida pase por los puntos
= y adems,
que corte la lnea donde
para una
aproximadamente igual a la mitad del valor de la corriente de
sumidero mxima permisible.
La pendiente de la recta de carga: =
PARAMETROS MAS SIGNIFICATIVOS DEL MOSFET
DE ENRIQUECIMIENTO
I
D(on)
V
GS(on)
V
DS(on)
R
DS(on)
Vt=V
GS th
}
Valores suministrados por el fabricante
correspondientes al punto ON de
funcionamiento, que normalmente se toma
el de mxima conduccin del transistor,
cuando trabaja como interruptor
Tensin de umbral, mnima necesaria para
la conduccin del canal
= (
: |
| > |
|
Las intensidades de corriente de saturacin para cada
se llaman
, y satisfacen:
Al incrementar la tensin V
DS
se
crea un gradiente de voltaje en el
interior del canal
El canal sufre una deformacin
progresiva y hace a la R
DS
no
constante
Finalmente, para una tensin
V
DS
=V
DS sat
, el canal se estrangula
por el lado del drenador,
saturndose, y manteniendo
constante la I
D
V
DS sat
= V
GS
- Vt
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
PARAMETROS MAS SIGNIFICATIVOS DEL MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO
I
DSS
=I
DSo
V
DSsat
Vt=V
GS th
R
DS(on)
Tensin de umbral, V
GS
que corta el canal o la mnima
necesaria para la conduccin del canal
Corriente de saturacin para V
GS
=0
Tensin V
DS
necesaria para entrar en saturacin para V
GS
=0
Resistencia del canal para la mxima conduccin del transistor
V
DS sat
= V
GS
- Vt
Las ecuaciones de funcionamiento en la zona de saturacin son las
mismas que las del transistor JFET:
2
1
|
.
|
\
|
=
Vt
V
I I
GS
DSo DSsat
Si V
GS
es positiva el canal se enriquece
de electrones y aumenta la conduccin.
Se comporta como el MOSFET de
enriquecimiento.
Si V
GS
es negativa el canal se vaca de
electrones disminuyendo la intensidad
de drenador se comporta como un JFET
de canal N.
2
1
|
.
|
\
|
=
Vt
V
I I
GS
DSo DSsat
MOSFET DOBLE
ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO DEL MOSFET
Estado de corte: Tensin de puerta es idntica a la del sustrato,
no fluye corriente entre fuente y drenador aunque se aplique una
diferencia de potencial entre ambos.
Conduccin lineal: Puerta con polarizacin negativa para canal
P (PMOS) o positiva para canal N (NMOS), se crea una zona de
deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta
tensin se incrementa lo suficiente, aparecern portadores
minoritarios (electrones en canal P, huecos en canal N) en la
regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin.
Circulara corriente entre fuente y drenador.
El MOSFET se comportar como una resistencia controlada por la
tensin de puerta.
Saturacin: Si la tensin entre drenador y fuente supera cierto
lmite, el canal de conduccin bajo la puerta desaparece por
estrangulamiento. La corriente entre fuente y drenador no se
interrumpe, porque es debida al campo elctrico entre ambos,
pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre los
dos terminales.
MOSFET COMO INTERRUPTOR
En esencia, un MOSFET es un interruptor que se activa electrnicamente.
Si el voltaje aplicado a la puerta est por debajo del umbral, el interruptor
se abre (Corte).
Si el voltaje aplicado a la puerta est por encima del umbral, el interruptor
se cierra (Saturacin).
Un MOSFET puede estar normalmente cerrado (Tipo empobrecimiento).
Un MOSFET puede estar normalmente abierto (Tipo enriquecimiento)
El MOSFET puede ser utilizado como amplificar seal elctrica. Existen
amplificadores de potencia basados en MOSFET.
La distancia entre placas del capacitor de G es de algunos pocos micrones lo
que hace al G sumamente frgil a tensiones estticas. Por ello se obtienen
los mejores resultados de los MOSFET evitando las tensiones estticas
excesivas.
MOSFET COMO INTERRUPTOR
ENCENDIDO DE LAMPARA
MANEJ O DE UN MOTOR DC
MOSFET ENRRIQUECIMIENTO CANAL P
CONTROL DE GIRO MOTOR DC
CIRCUITO TIPICO DE COMPUERTA
PUENTE H CON MOSFET
ESPECIFICACIONES DE UN MOSFET
CARACTERISTICAS DE TRABAJO
ESPECIFICACIONES DE UN MOSFET
ESPECIFICACIONES DE UN MOSFET
IMPEDANCIA TERMICA POR TRANSIENTE
TIEMPOS DE CONMUTACION
EJERCICIO
EJERCICIOS
Si
presenta un voltaje bajo, la salida
ser igual a
(20 v)
Si
presenta un voltaje alto, el MOSFET
inferior se comportar como una
resistencia
()
= .
Y
()
=
()
()
=
+
=
EJERCICIOS
Si
presenta un voltaje bajo, la salida
ser igual a
(10 v)
Si
presenta un voltaje alto, el MOSFET
inferior se comportar como una
resistencia
()
= .
Y
()
=
()
()
=
+
=
EJERCICIOS
EJERCICIOS
Calcule
Para un MOSFET con las siguientes
caractersticas:
()
= ,
()
= .
Calcule
()
Para un MOSFET con las siguientes
caractersticas:
()
=
()
= .
Un MOSFET que se encuentra en la regin hmica, tiene una
()
= . Si la corriente de drenador
()
= 100mA.
Calcule la tensin
. Resp: 0.2 V
EJERCICIOS
Para el circuito de la figura:
Calcule
para cada una de las posiciones del
interruptor de gate si:
()
= ,
()
=
()
= ,
()
=
()
=
()
=
Respuesta: 20V y 0,5V
EJERCICIOS
Respuesta: 15V y 0,23V
EJERCICIOS
En el siguiente circuito tome los dos MOSFET como
idnticos. Segn las caractersticas de salida mostradas:
Cul es el voltaje de compuerta para que Q2 trabaje en la
regin hmica?
Calcule
()
para Q2, sabiendo que
para Q2 nunca
sobrepasa 3V cuando el conmutador este en alto.
Cul es el valor de
para Q1si
=
Cul es el valor de
para una
=2mA cuando el
conmutador est en alto.
Calcule la tensin de salida
para ambas posiciones del
conmutador.
Respuestas:
)
= . )
()
= . )
= , . )
= , .
)
= , ,
EJERCICIOS
EJERCICIOS
()
=
=
.
: ,
EJERCICIOS
El MOSFET de la figura es de enriquecimiento canal N y
tiene
()
=
()
= . .
Qu valor debe tener la resistencia R para que cuando se
apague la luz del recinto se encienda automticamente la
lmpara?
Respuesta: =
EJERCICIOS
Tome los datos del transistor
dados en el ejercicio anterior.
La lmpara alcanza su mximo
brillo cuando el transistor
MOSFET entra en la regin
hmica. Calcule el valor de C
para que el mximo brillo se
logre en 15 segundos
aproximadamente.
Respuesta: C=13,65F.
Ejercicio
.
:
= , , =
= ,
= . ,
=
:
= (
, )
+ +
() +
, )
Ejercicio
(, )
() +,
(, )
+,
() +,
() + ,
() + ,
+, =
,
+, =
, ,
+ ,
() =
Ejercicio
:
:
= ,
,
:
= ,
:
= ,
:
= (
(, , )
(, )
(, )
= ,
Ejercicio
EJERCICIOS
EJERCICIOS
MPT50N05E
SMM70N06
MTW10N100E
SFF10N100N
CIRCUITO CEKIT
IGBT
IG: Insulated Gate.
BT: Bipolar transistor.
IGBT
IG: Insulated Gate.
BT: Bipolar transistor.
Consiste en un transistor bipolar con compuerta aislada.
Dispositivos de portadores minoritarios
Baja disipacin de calor.
Circuito de control sencillo
Soporta grandes picos de corriente elevados
Han desplazado a los MOSFET y BJT
Baja tensin colector emisor en plena conduccin
Tiene limitaciones de funcionamiento dentro de SOA idnticas
al MOSFET:
Corriente mxima directa
Temperatura de unin mxima usualmente 150C
VDSM depende de la tensin de ruptura del transistor PNP.
Los datos tcnicos siguen nomenclatura similares a los BJT y
MOSFET
IGBT
Combina las ventajas del BJT y el MOSFET.
Tiene alta impedancia de entrada, como un MOSFET, y pocas
perdidas por conduccin en estado activo, como los BJT.
No tiene problemas por avalancha secundaria, como los BJT.
Tiene menores perdidas de conmutacin que un BJT y es ms
rpido.
Presenta menores perdidas por conduccin que un MOSFET.
SIMBOLOS DE IGBT
SIMBOLO DE IGBT
MODELOS EQUIVALENTES DEL IGBT
CIRCUITO CON IGBT
CARACTERISTICAS DE SALIDA Y TRANSFERENCIA
DEL IGBT
OPERACIN DE UN IGBT
Dependiendo de su polaridad existen IGBT NPN o PNP.
Consideremos un circuito equivalente NPN.
Si VGE = 0, El IGBT esta cortado.
A medida que se incrementa VGE (positivamente) y se supera el
voltaje umbral VGE(th) el IGBT entra en conduccin permitiendo la
circulacin de corriente de colector (IC). A partir de ese
momento una pequea variacin en la tensin de compuerta
causa un gran incremento en la corriente de colector.
Existe un VGE para el cual el IGB se satura.
CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL IGBT
IGBT
IGBT
IGBT
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del
sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las
uniones del transistor pueden ser :
Estado Regin activa directa: Corresponde a polarizacin directa de la
unin emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin colector
- base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para
amplificacin.
Estado Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa
de la unin emisor - base y a una polarizacin directa de la unin
colector - base. Esta regin es usada raramente.
Estado de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas
uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un
interruptor abierto (I C = 0).
Estado de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de
ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a
aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor
acta como un interruptor cerrado (VCE =0).
ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO DEL IGBT
LOS IGBT
Presentan alta impedancia de entrada y baja resistencia de
salida,
Tienen reas de operacin segura muy amplia, no presentan el
fenmeno de avalancha trmica,.
Son fciles de controlar porque prcticamente no requieren
corriente de entrada,.
Toleran picos de corriente, funcionan bien conectados en
paralelo para aumentar capacidad de manejo de corriente.
Tiene caractersticas de conduccin superiores y actualmente
no son tan rpidos como los MOSFET de potencia, sus
caractersticas de conmutacin tienden a ser muy parecidas.
Ofrecen resistencia de conduccin [Rce(on)] tpicamente
inferior a 10mO, mucho menor que los MOSFET bajo iguales
condiciones de trabajo. Por lo tanto, tiene una mayor
capacidad de corriente, baja disipacin de calor para altas
corrientes y alto factor de amortiguamiento con cargas
inductivas.
CORRIENTE DE COLA EN IGBT
La corriente de cola se presenta
porque la conmutacin del BJT
es ms lenta, debido a la carga
de huecos en la regin n-
almacenada en su base.
Provoca prdidas considerables
con corriente relativamente alta
y tensin muy elevada adems,
limita la frecuencia de
funcionamiento.
SIT o STATIC INDUCTION TRANSISTOR
SIT = STATIC INDUCTION TRANSISTOR.
Dispositivo de alta potencia y alta frecuencia (Microondas y amplificadores
de Audio, de DHF/UHF)
Alta capacidad de potencia en audiofrecuencias.
Capacidad de corriente 300A a los 1200 Volt.
Baja resistencia en serie de compuerta.
Baja capacitancia compuerta fuente
Baja Resistencia trmica.
Bajo ruido.
Baja distorsin
Tiempos de activacin y desactivacin menor de 0.25 microsegundos)
Debido al incremento exponencial de la corriente como respuesta de la
disminucin de la barrera, las caractersticas de salida del SIT son no
saturadas.
Es similar al JFET.
El SIT es un dispositivo importante porque entrega potencia
extremadamente alta por unidad de rea.
Desventajas: Alta cada de voltaje en estado activo,
(tpicamente de 90v para dispositivo de 180 A y de 18V para uno
de 18 A).
Limitada aplicacin en conversiones de potencia.
SIT o STATIC INDUCTION TRANSISTOR
SIMBOLO DEL SIT
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL SIT
CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL SIT
SID o DIDO SIT
y SITL o SITL
(Static Induction Transistor Logic)
PROTECCION DE UN BJT POR SIT
(SATURACION)
