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02-DIODO Semiconductor

El documento describe el funcionamiento y características de los diodos semiconductores. Los diodos están compuestos de materiales tipo P y tipo N que forman una unión. Permiten el flujo de corriente en una sola dirección. En polarización directa la corriente fluye fácilmente, mientras que en polarización inversa ofrece alta resistencia excepto una pequeña corriente de saturación debido al efecto térmico. Su curva característica muestra baja resistencia por encima del voltaje de barrera y alta resistencia debajo
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02-DIODO Semiconductor

El documento describe el funcionamiento y características de los diodos semiconductores. Los diodos están compuestos de materiales tipo P y tipo N que forman una unión. Permiten el flujo de corriente en una sola dirección. En polarización directa la corriente fluye fácilmente, mientras que en polarización inversa ofrece alta resistencia excepto una pequeña corriente de saturación debido al efecto térmico. Su curva característica muestra baja resistencia por encima del voltaje de barrera y alta resistencia debajo
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DIODO SEMICONDUCTOR

Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio.

Sus terminales son nodo y ctodo este ltimo, identificado con una banda en uno de sus lados). Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido.

DIODOS
Juntura P-N.- El diodo est conformado por un semiconductor tipo-P y otro tipo-N, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.7 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

Principio de operacin de un diodo


El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones) Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a travs del material P mas all de los lmites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados al lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N. En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente.

Polarizacin directa
A fin de obtener un flujo continuo, hay que superar el voltaje de la barrera de potencial, lo que puede hacerse conectando una batera externa al diodo. Cuando la batera est conectada de esta forma, suministra una polarizacin directa y origina un flujo de corriente [I ] bastante alta. En esta condicin, el diodo presenta una resistencia [R] baja al paso de la corriente. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.

Polarizacin inversa
Si las conexiones de la batera se invierten, el potencial positivo en el lado N atraer los electrones y har que se alejen de la juntura; as mismo, el potencial negativo del lado P har que los huecos se desplacen de la juntura. Con esta conexin de batera la barrera de potencial se hace ms grande. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto.

Polarizacin inversa
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin.
Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, esto quiere decir que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los casos), tanto en polarizacin directa como en polarizacin inversa.

ECUACION DEL DIODO

Ir = Corriente dada por el nmero real de portadores que atraviesan la barrera. Iro = Corriente inicial dada por el nmero de portadores que inician el camino a traves de la unin. = VoltajeTrmico[V] T = Temperatura absoluta K k = Constante de Boltzmann = 1,381016 /K = Voltajede Barrera (dependedeltipo de semiconductor Ge=0.3 V Si=0.7 V). para 300K [temperatura ambiente], se tiene:

Curva caracterstica de un diodo


De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.

Curva caracterstica de un diodo

Tensin de ruptura (VBR ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar, es producido por dos efectos de importancia: el efecto zener y el efecto avalancha (consultar). Ambos fenmenos ocurren generalmente a partir de los -5.5 voltios.

Niveles de Resistencia
A medida que el punto de operacin del diodo se mueve desde una regin a otra, la resistencia cambia debido a la forma no lineal de la curva caracterstica esto se conoce como resistencia (impedancia) dinmica. El tipo de seal o voltaje que se aplique, es el que define el nivel de resistencia de inters. Esto es de mucha importancia y se utilizar nuevamente cuando se estudien otros dispositivos semiconductores. resistencia esttica resistencia dinmica

Niveles de Resistencia

CONSULTAS
NOTACION O CODIGO ASIGNADO A LOS DIODOS COMUNES

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE UN DIODO DE SILICIO Y DE UNO DE GERMANIO


EXPLICACION DE CMO DETERMINAR SI UN DIODO ESTA BUENO O QUEMADO

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