TRANSISTORES (Panormica)
BIPOLARES
NPN PNP CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)
TRANSISTORES
UNIN EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor
TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
N P N
C E
Emisor (E)
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado.
SMBOLO
B
C NP B N+ E
Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
IMPORTANTE !!! No es un dispositivo simtrico
ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR
Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 IC [mA] IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.
= 100
2000 1000
20 10 0 VCE
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA, que en el dispositivo ideal consideraremos cero
ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
3A = 100
12 V 36 W
I
40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital
IC
4A PF (ON) 3 A ON
IB = 40 mA OFF
VCE 12 V PF (OFF)
USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
40 mA I
= 100 3A 12 V 36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.
4A PF (ON) 3 A ON
IB = 40 mA OFF
VEC 12 V PF (OFF)
CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP
Activa
IB
VCE = 0 VCE1 VCE2
IC I
IB6 IB5
CMax
Avalancha Secundaria
Saturacin
IB3 IB2 IB1
IB4
PMax = VCEIC Avalancha Primaria
VBE
IB= 0
Caracterstica de Entrada
1V Corte
VCEMax
VCE
Caracterstica de Salida
TRANSISTOR BIPOLAR: PARMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES
IC
IC-MAX VCE-MAX PMAX VCE-SAT Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin ICMAX B
E
PMAX
SOAR
HFE
Ganancia
VCE-MAX
VCE
rea de operacin segura (Safety Operation Area)
TRANSISTOR BIPOLARES
VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20
TOSHIBA
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)
UNIN
CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)
Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor". 20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
TRANSISTORES MOSFET (MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor ) CANAL N (JFET-N) UNIN CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)
Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer MOSFET en los laboratorios Bell en 1960
TRANSISTOR MOSFET - canal N Drenador (Drain) Puerta (Gate)
Aislante (Si O2)
Fuente (Source)
Substrato (Substrate)
N P Canal (Channel)
SECCIN
VISTA SUPERIOR
TRANSISTOR MOSFET - canal N G S
Substrato
N P NOTAR:
NOTAR QUE EN PRINCIPIO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO
METAL OXIDO SEMICONDUCTOR
G SMBOLO S
De momento, vamos a olvidarnos del substrato.
Posteriormente veremos que hacer con este terminal "inevitable" para que no afecte a la operacin del dispositivo. Que no moleste!!
Substrato
MOSFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)
D
ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE
Substrato G S
ID
UGS[V]
+15 +10 +5 0
VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D G
canal
S N
Substrato
P D
Canal. Aparece entre D y S en paralelo a los diodos iniciales
Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.
Substrato S
Debemos asegurar que nunca entren en operacin.
EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del circuito.
Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S). En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin negativa
MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D G
canal
Se une con S Substrato
P D D D
G S
AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO !!!
MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D D
COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el smbolo con un diodo, tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.
G S
G S Diodo parsito (Substrato - Drenador)
ID
UGS[V]
=+15 V =+10 V =+5 V =0V
VDS
MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)
La puerta (G) es muy sensible. Puede perforarse con tensiones bastante pequeas (valores tpicos de 30 V). No debe dejarse nunca al aire y debe protegerse adecuadamente.
D ID
- 30 V
+ 30 V
VGS
G S
CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!
USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
3A
12 V 36 W
I
La puerta no puede quedar al aire (debe protegerse)
ID
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA (MUY PEQUEA) !!!
4A PF (ON) 3 A ON
UGS= 12 V OFF
VDS 12 V PF (OFF)
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
C G
E
Combinacin de MOSFET y transistor Bipolar que ana las ventajas de los dos: La facilidad de gobierno del MOSFET El buen comportamiento como interruptor de BIPOLAR Dispositivo reciente muy importante en Electrnica de Potencia
Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982
COMENTARIO: Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones (Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.
Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar corrientes elevadas, est formado por muchos transistores integrados colocados en paralelo
C NP N+
Cada punto representa un MOSFET
MOSFET DE POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET en paralelo, realmente es un "Circuito Integrado")
B E BIPOLAR DE POTENCIA
