LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I EXPERIENCIA N°4

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

EXPERIENCIA N° 4
ELTRANSITOR BIPOLAR [Link] BASICAS

I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

 Comprobar las características de Funcionamiento de un
transistor bipolar NPN

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Multímetro
 Microamperímetro
 Miliamperímetro
 Cables de conexión diversos
 01 transistor 2N4646 o 2N3904
 Resistores: Re=220 Ω, Rc=1K Ω,R1=56K Ω, R2=22K Ω
 Condensadores: Ci=0.1µF, Co=0.1µ, Ce=3.3µF.
 Potenciómetro de 1MΩ (p1)
 01 computadora con Multisim

III. INFORME PREVIO

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de

funcionamiento de un transistor bipolar.
2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares:
2N3904, AC127, 25C784Y, TR59 y 2N2222.
3. Realizar el análisis teórico de los circuitos mostrados Determinar el
punto de operación del circuito del experimento.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados, realizar

la simulación del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere todos los
casos indicados en el paso 3. Llenar los valores correspondientes en las
tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5

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2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función ohmímetro del
multímetro. Llene la tabla 5.1
Tabla 5.1
Resistencia Directa Inversa
Base – Emisor 1.2Kohm 0ohm
Base – Colector 2.84Mohm 0ohm
Colector – Emisor 2.68Mohm 0ohm

3. Implementar el circuito de la figura 5.1

Figura 5.1

a. Medir las corrientes que circulan por el colector (I c), el emisor (Ie) y la base
(Ib) cuando el potenciómetro P1 está ajustado para tener una resistencia de
0Ω.
b. Medir las tensiones entre el colector–emisor (Vce), entre base–emisor (Vbe)
y entre emisor–tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la
tabla 5.3
e. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. Observar
lo que sucede con las corrientes Ib y con la tensión Vc (usar Re=0) llenar la
tabla 5.4.
f. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar
la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5.

Tabla 5.2
Valores (R1=56KΩ) (mA) (mA) (uA) Vce Vbe Ve
Teóricos 8.95 8.99 44.7 1.08 0.70 1.98
Simulados 8.89 8.93 43.4 1.15 0.735 1.97
Medidos 8.75 8.80 45.0 1.31 0.73 1.94

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Tabla 5.3
Valores (R1=68KΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos 7.34 7.38 36.7 3.04 0.70 1.62
Simulados 7.26 7.29 36.3 3.14 0.725 1.60
Medidos 7.15 7.20 35.5 3.22 0.72 1.58

Tabla 5.4
Valores para 68k ohm Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos 2.14 2.14 10.7uA 9.39V 0.70V 0.47V
P1 = 100KΩ Simulados 2.11 2.12mA 10.5uA 9.42V 0.71V 0.46V
Medidos 2.05 2.06mA 10.1uA 9.50V 0.71V 0.45V
216uA 217 1.08 11.73V 0.70V 0.047V
P1 = 250KΩ 205uA 206 1.03 11.75V 0.69V 0.045V
198uA 199 1.00 11.76V 0.69V 0.044V
0A 0A 0A 12.0 0.44 0
P1 = 500KΩ 1.2 nA 1.5 nA 2.5 pA 11.99 0.44 0
5.0 nA 5.1 nA 10 pA 11.99 0.45 0
0 0 0 12 0.24 0
P1 = 1MΩ 0.5 nA 0.6 nA 0.8 pA 11.99 0.24 0
2.0 nA 2.1 nA 5.5 pA 11.99 0.25 0

Tabla 5.4
Valores para 56k ohm Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos 2.45mA 2.46mA 12.3 9.01 0.70 0.54
P1 = 100KΩ Simulados 2.42mA 2.43mA 12.1 9.04 0.71 0.53
Medidos 2.38mA 2.39mA 11.9 9.15 0.72 0.52
308uA [Link] 1.54uA 11.62 0.70 0.068
P1 = 250KΩ 295 296uA 1.48uA 11.64 0.69 0.065
280 281uA 1.4uA 11.68 0.69 0.062
0 0 0 12.0 0.45 0
P1 = 500KΩ 1.3 nA 1.6nA 2.8pA 11.99 0.45 0
5.5 nA 5.6nA 12pA 11.99 0.46 0
0 0 0 12.0 0.24 0
P1 = 1MΩ 0.5nA 0.6nA 0.8pA 11.99 0.24 0
2.2 nA 2.3nA 5.5pA 11.99 0.24 0

Tabla 5.5
Vi Vo Av Vo(Sin Ce) Av(sin Ce)
Teóricos 50mV 2.14 Vpp 346 224.5 4.49
mVpp
R1=56KΩ
Simulados 50mV 2.14 Vpp 335 222 mVpp 4.44
Medidos 50mV 2.1Vpp 310 220 mVpp 4.40
Teóricos 50mV 6.08 Vpp 284 223.5 4.47
mVpp
R1=68KΩ
Simulados 50mV 6.08 Vpp 275 220 mVpp 4.41
Medidos 50mV 6.0 Vpp 265 218 mVpp 4.35

V. CUESTIONARIO
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1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa con

el multímetro en función ohmímetro.

Durante la verificación del transistor con la función ohmímetro del

multímetro, se analizan las resistencias entre sus terminales para
comprobar el estado de las uniones internas. En un transistor NPN, las
uniones base–emisor y base–colector deben comportarse como diodos,
conduciendo en un solo sentido: presentan una resistencia baja en
polarización directa y una resistencia muy alta o circuito abierto en
polarización inversa. Entre colector y emisor no debe existir conducción en
ningún sentido.

En la medición realizada, la resistencia directa entre base–emisor fue de

aproximadamente 1.2 kΩ, lo cual corresponde a una conducción normal.
Sin embargo, en la polarización inversa y en las demás mediciones se
obtuvieron valores de 0 Ω, lo que indica cortocircuito entre las uniones del
transistor. Este comportamiento no es propio de un dispositivo en buen
estado, ya que debería presentar alta resistencia en esas condiciones.

Por tanto, los resultados obtenidos muestran que el transistor 2N3904 se

encuentra dañado, probablemente por un cortocircuito interno entre sus
uniones base–colector y base–emisor, lo que impide su correcto
funcionamiento.

2. Representar la recta de carga en un grafico Ic vs Vce del circuito del

experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y 5.4.
Tabla 5.2

Tabla 5.3

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Tabla 5.4(100K) 68K

Tabla 5.4 (250k) 68K

Tabla 5.4 (100k) 56k

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Tabla 5.4 (250k) 56K

¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?

-El transistor 2N3904 se encuentra en la región activa (o región activa directa).

3. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 150KΩ? Explicar
los valores e indicar el valor teórico.
-Efecto de cambiar R1 a 150K
Si cambiamos R1 de 56K (o 68K) a un valor mucho más grande como 150K, el
punto de operación (Punto Q) cambiará drásticamente.

En resumen: La corriente IC disminuirá mucho, y el voltaje VCE aumentará

mucho, moviendo el punto de operación más cerca de la región de corte.
Voltaje de Base (VB): R1 y R2 forman un divisor de voltaje. Al aumentar R1, la
resistencia en la parte superior del divisor es mucho mayor. Esto causa que el
voltaje en el punto medio (la base del transistor) disminuya.
22 K
Vb= .12 V =1.53 V
150 K +22 K
Compara esto con el VBoriginal de 3.38V cuando R1=56K

Voltaje de Emisor (VE): El voltaje del emisor sigue al de la base (VE = VB -

0.7V). Como VB bajó, VE también baja:

Ve=1.53 V −0.7 V =0.83 V

Corriente de Emisor (IE) e IC: La corriente IE (que es casi igual a IC) depende
de VE. Como VE disminuyó, la corriente que fluye por Re también debe
disminuir.
0.83V
IE= =3.77 mA
220 Ω
Voltaje de Colector (VC): Con menos corriente IC (asumimos IC /IE), hay
menos caída de voltaje en Rc.
VC =12V −3.77 V =8.23 V

Voltaje VCE: El voltaje colector-emisor es la diferencia entre VC y VE.

VCE=8.23 V −0.83 V =7.4 V

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Valor Teórico (Punto Q):

IC ≈3.77 mA VCE ≈ 7.4 V
4. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento
(transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).
La principal diferencia entre un amplificador con transistor NPN y uno PNP radica
en sus polaridades de operación. Un NPN, como el de tu circuito, usa una fuente
de voltaje positiva (VCC) y la corriente convencional fluye hacia adentro del
colector y la base; se enciende cuando la base es 0.7V más positiva que el emisor
(VBE). Por el contrario, un PNP funciona con voltajes y corrientes opuestos: la
corriente fluye hacia afuera del colector y la base, y se enciende cuando la base
es 0.7V más negativa que el emisor (VEB). Esto también significa que un circuito
PNP típicamente se alimenta con una fuente negativa (VEE) o se "invierte" en el
diseño para usar una fuente positiva. Esta diferencia fundamental se visualiza en
sus símbolos: la flecha del emisor en el NPN apunta hacia afuera, mientras que
en el PNP, apunta hacia adentro.

VI. OBSERVACIONES

 Anote sus observaciones o recomendaciones (si las tuviera)

VII. BIBLIOGRAFÍA

 Listar la bibliografía considerada para el desarrollo de la

experiencia

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