UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA

ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

CURSO: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

DOCENTE: DR. CELSO YSIDRO GERONIMO HUAMAN

TEMA: EJERCICIOS RESUELTOS

MELGAR BALTAZAR JESUS ANTONIO

CICLO: CUARTO

LIMA – PERÚ

2025
 1

FIG.1

Análisis en DC para la primera etapa “Q1”

FIG.2

Malla 1 :

R1(ig1) + Vgs1 + (R3)(ID1) = 0 ; ig1 ≈ 0

10MΩ(0) + Vgs1 + (0.33KΩ)(ID1) = 0 ; ig1 ≈ 0

Vgs = - 0.33ID -------------Ecuacion Autopolarizacion

 VGS(V) ID(mA)
0 0
-4 12.12mA
La ecuación de Shockley
𝑉𝑔𝑠 2
ID = IDSS( 1 − )
𝑉𝑝𝑜

−0.33𝐼𝐷𝑉 2
ID = 8mA( 1 − )
−4𝑉
8
ID = 2 ( 4 − 0.33ID)2
4

ID =0.5(16 − 2.64ID + 0.1089𝐼𝐷2 )

0.05445𝐼𝐷2 – 2.32ID + 8 = 0
ECUACION DE BHASKARA :
2.32± √2.322 −4(0.05445)(8)
ID =
2𝑋0.05445

ID1 = 38.82mA → Vgs = -12.8106V → Zona de corte

ID2 = 3.7844mA → Vgs = -1.2488V → Zona Activa

De la curva de estrangulamiento tenemos lo siguiente:

FIG.3
De la fig.3 observamos que se encuentra en la zona de amplificación y lejos del punto
critico “VPO”(ID = 0 CORTE)
De la malla 2 tenemos:
-VDD + VDS1 + R2IS1 + R3ID1 = 0; IS1 = ID1
-12 + VDS1 + (1.8kΩ + 0.33kΩ)ID1 = 0
VDS1 = 12V – (2.13kΩ)(3.7844mA)

VDS1 = 3.939V

VDS1 > Vgs – Vpo

3.939V>-1.2488V – ( -4V)
3.939V>2.7512V (En la zona de saturacion)
Análisis en DC para la primera etapa “Q2”

FIG.4
De la Malla 1:
-VCC + R4Ib2 + Vbe2 + R5Ie2 = 0
En todo transistor se cumple lo siguiente:

Ie2 = Ic2 + Ib2

Ie2=(𝛽 + 1)(Ib2)

-12V + 100kΩIb2 + 0.7V + 1kΩ(101)Ib2 = 0

12𝑉−0.7𝑉
Ib2 = = 56.2189mA
100𝑘𝛺+101𝑘𝛺

IC2 = 100(56.2189mA) =5.62189mA

De la Malla 2:
-VCC + Vce2 + R5Ie2 = 0
Vce2 = 12V – 1kΩ(5.62189mA)
Vce2 = 6.37811V
 a) Vds1 = 3.939V; Id1 = 3.7844mA ; Vce2 = 6.37811V; Ice2 = 5.62189mA

Para comprobar los valores hemos simulado en MULTISIM

Analisis en AC
 b) AVT = AV1.AV2
µ[𝑅2//𝑅4]
AV1 =
𝑅𝑑+[𝑅2//𝑅4]
µ = gm(Rd)
2 2
gm =
[𝑉𝑝𝑜]
√𝐼𝐷. 𝐼𝐷𝑆𝑆 = [−4] √(3.7844𝑚𝐴)(8𝑚𝐴) = 2.7511mA/V
µ = 2.7511mA/V (60kΩ) = 165.068711
165[1.8𝑘𝛺//100𝑘𝛺]
AV1 = = -4.72327
60+[1.8𝑘𝛺//100𝑘𝛺]
𝐼𝑒2[𝑅5//𝑅6] 𝛽[𝑅5//𝑅6]
AV2 = =
𝐼𝐵2[ℎ𝑖𝑒2+(𝛽+1)(𝑅5//𝑅6) [ℎ𝑖𝑒2+(𝛽+1)(𝑅5//𝑅6)
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
hie2 = = = 0.44469kΩ
𝐼𝑏2 56.2189µ𝐴
100[1𝑘𝛺//1𝑘𝛺]
AV2 = = 0.98145
[0.44469𝑘𝛺+(101)(1𝑘𝛺//1𝑘𝛺)
AVT = (-4.72327)(0.98145) = -4.63565

Para comprobar los valores hemos simulado en MULTISIM

𝑉𝑜 13.834𝑚𝑉
AVT = =- = -4.6563
𝑉𝑖 2.971𝑚𝑉

c) Zin = R1 = 10MΩ
ℎ𝑖𝑒2
Zout = [R5 // ]+[
𝛽
 2

Analisis en AC

𝑔𝑚(𝑉𝑔𝑠)(𝑟𝑑)[𝑅𝐷1//𝑅𝐿]
VO = ; µ = rd(gm) ≈ 1
𝑟𝑑+[(µ+1)𝑅𝑆1]+[𝑅𝐷1//𝑅𝐿]

𝑉𝑜 𝑔𝑚(𝑟𝑑)[𝑅𝐷1//𝑅𝐿] 5𝑥10−3 (∞)[2𝑘𝛺//2𝑘𝛺] ∞

= = = ≈1
𝑉𝑔𝑠 𝑟𝑑+[(µ+1)𝑅𝑆1]+[𝑅𝐷1//𝑅𝐿] ∞+[(∞+1)0.2𝑘𝛺]+[2𝑘𝛺//2𝑘𝛺] ∞

𝑉1 𝑉1
Vgs = RG = RG
𝑅𝑠𝑔+𝑅𝐺 𝑅𝑠𝑔+𝑅𝐺

𝑉𝑔𝑠 1000𝑘𝛺
= = 0.998
𝑉1 1000𝑘𝛺+2𝑘𝛺
 𝑉𝑜 𝑉𝑔𝑠 𝑉𝑜
a) AV = . = = 0.998
𝑉𝑔𝑠 𝑉1 𝑉1
b) Zin = Rsg + RG = 2KΩ + 1000KΩ = 1002KΩ
Zout = [𝑟𝑑 + [(µ + 1)𝑅𝑆1]//[𝑅𝐷1//𝑅𝐿]=[∞]//[1kΩ] = 1kΩ

Análisis en DC para la primera etapa “Q1”

Simplificando mas el circuito de la figura por thevenin en V , tenemos lo siguiente :
𝑅1
Vth = ( )VCC = 19.98V
𝑅1+𝑅7
𝑅1𝑅7
Rth = ( )= 9.99KΩ
𝑅1+𝑅7

Malla 1 :

-vg + Rth(ig1) + Vgs1 + (R3)(ID1) = 0 ; ig1 ≈ 0

-19.98V + 9.99kΩ(0) + Vgs1 + (0.39KΩ)(ID1) = 0 ; ig1 ≈ 0

Vgs = 19.98V - 0.39ID -------------Ecuacion Autopolarizacion

VGS(V) ID(mA)
0 51.23
-4 61.4871mA
La ecuación de Shockley
𝑉𝑔𝑠 2
ID = IDSS( 1 − )
𝑉𝑝𝑜

(19.98−0.39𝐼𝐷𝑉) 2
ID = 12mA( 1 − )
−4𝑉
12
ID = ( 23.98 − 0.39ID)2
42

ID =0.75(575.0404 − 18.7044ID + 0.1521𝐼𝐷2 )

0.114075𝐼𝐷2 – 15,0283ID + 431,2803 = 0
ECUACION DE BHASKARA :
15.0283± √15.02832 −4(0.114075)(431.2803)
ID =
2𝑋0.114075

ID1 = 72.5354mA → Vgs = -8.3088V → Zona de corte

ID2 = 34.2376mA → Vgs = 6.627V → Zona Activa

De la curva de estrangulamiento tenemos lo siguiente:

De la figura observamos que se encuentra en la zona de amplificación y lejos del punto

critico “VPO”(ID = 0 CORTE)
De la malla 2 tenemos:
-VDD + VDS1 + R2IS1 + R3ID1 = 0; IS1 = ID1
-20 + VDS1 + (2.2kΩ + 0.39kΩ)ID1 = 0
VDS1 = 20V – (2.59kΩ)(34.2376mA)

VDS1 = -68.6753V

VDS1 > Vgs – Vpo

-68.6753V >6.627V – ( -4V)
68.6753V >10.627V (En la zona ohmica)
Análisis en DC para la primera etapa “Q2”

Malla 1 :

R5(ig2) + Vgs2 + (R8)(ID2) = 0 ; ig2 ≈ 0

1MΩ(0) + Vgs2 + (0.39KΩ)(ID2) = 0 ; ig1 ≈ 0

Vgs = - 0.39ID -------------Ecuacion Autopolarizacion

VGS(V) ID(mA)
0 0
-4 10.2564mA
La ecuación de Shockley
𝑉𝑔𝑠 2
ID = IDSS( 1 − )
𝑉𝑝𝑜

−0.39𝐼𝐷𝑉 2
ID = 12mA( 1 − )
−4𝑉
12
ID = ( 4 − 0.33ID)2
42

ID =0.75(16 − 3.12ID + 0.1521𝐼𝐷2 )

0.114075𝐼𝐷2 – 3.34ID + 12 = 0
ECUACION DE BHASKARA :
3.34± √3.342 −4(0.114075)(12)
ID =
2𝑋0.114075

ID1 = 25.08557mA → Vgs = -9.7833723V → Zona de corte

ID2 = 4.1934mA → Vgs = -1.6354V → Zona Activa

De la curva de estrangulamiento tenemos lo siguiente:

De la figura observamos que se encuentra en la zona de amplificación y lejos del punto

critico “VPO”(ID = 0 CORTE)
De la malla 2 tenemos:
-VDD + VDS2 + R2IS2 + R3ID2 = 0; IS2 = ID2
-20 + VDS2 + (2.2kΩ + 0.39kΩ)ID2 = 0
VDS2 = 20V – (2.59kΩ)(4.1934mA)
VDS2 = 9.139V

VDS2 > Vgs – Vpo

9.139V >-1.6354V – ( -4V)
9.139V>2.3646V (En la zona de saturacion)
Analisis en AC

Zin = Rth = 9.99kΩ

µ2 = gm2(Rd)
2 2
gm2 =
[𝑉𝑝𝑜]
√𝐼𝐷2. 𝐼𝐷𝑆𝑆2 = [−4] √(4.1934𝑚𝐴)(12𝑚𝐴) = 3.5468mA/V

µ2 = 3.5468mA/V (60kΩ) = 212.808

Zout = [𝑟𝑑2 + [(µ2 + 1)𝑅8]//[𝑅4//𝑅6]= 2.16675kΩ
Av1 ≈ 0
AvT = 0
 4

Fig.1
Análisis en DC

Fig.2
𝑅9
VTH = ( )Vcc = 5.6V
𝑅9+𝑅10
𝑅9𝑅10
RTH = ( )= 2.464KΩ
𝑅9+𝑅10
 Fig.3

Del circuito de la fig.3 tenemos, de la malla 1:

-Vth + (Rth)(Ib) + Vbe + (R7)(Ie) = 0 ………………..(I)

En todo transistor se cumple lo siguiente:

Ie = Ic + Ib ……………..(II)

Ic=𝛽(Ib) ………………(III)

De las ecuaciones dadas tenemos lo siguiente:

𝑉𝑡ℎ−𝑉𝑏𝑒
Ib = = 19.032µA ………………….(IV)
(𝑅𝑡ℎ)+(𝛽+1)𝑅7

Remplazando (IV) en (III)

Ic = 50(19.032µA) = 0.9516mA …………………..(V)

Remplazando (IV) y (V) en (II)

Ie = 0.9706mA ………………..(VI)

Del circuito de la fig.3 tenemos, de la malla 2:

-Vcc + (Ic)(R8) + (Vce) + (Ie)(R7) = 0

Vce= Vcc - (Ic)(R8) - (Ie)(R7)

Vce= 10V - (0.9516mA)(2kΩ) - (0.9706mA)(5kΩ)

Vce = 3.2438V

a) Icq = 0.9516mA; Vcq = 3.2438V

SEGUNDO PASO: Analizando en AC

De la fig.1 los condensadores tanto de acople como desacople se cortocircuita y

transformando el equivalente en AC tenemos el siguiente circuito.

Fig.4
De la fig. 4 para hallar Zi y Zo, la fuente Vi y βIb se desactivan.
𝑉𝑇 𝑉𝑇 50(25𝑚𝑉) ℎ𝑖𝑒 1.313KΩ
Obs: hie = = = =1.313KΩ ; hib = = = 0.02575KΩ
𝐼𝑏 𝐼𝑐/(𝛽) 0.9516𝑚𝐴 𝛽+1 50+1

(𝑅4)(ℎ𝑖𝑏) (5𝐾𝛺)(0.02575KΩ)
Zi = R4 // hib = ( )=( ) = 0.0256KΩ
𝑅4+ℎ𝑖𝑏 5𝐾𝛺+0.02575KΩ

Zo = R5 = 2KΩ

b) Zi = 0.0256KΩ; Zo = 2KΩ

Hallando la AV y AI de la fig.4 tenemos lo siguiente:

𝑉𝑜 −(𝐼𝑐)(𝑅3𝐼𝐼𝑅5) (2𝑘𝛺𝐼𝐼2𝑘𝛺) 1𝐾𝛺)
AV = = = = = 9.94
𝑉𝑖 −(𝐼𝑒)((R4 // hib)+(R1)) (0.0256𝐾𝛺+0.075𝐾𝛺 0.1006𝐾𝛺

AV[db] = 20log(9.94) = 19.94db

𝐼𝐿 (𝑅4)(𝑅5) (5𝐾𝛺)(2𝐾𝛺)
AI = = = = 0.4974
𝐼𝑖 (𝑅4+ℎ𝑖𝑏)(𝑅5+𝑅3) (5𝐾𝛺+0.0256𝐾𝛺)(2𝐾𝛺+2𝐾𝛺)

AI[db] = 20log(36.27) = -6.065db

c) AV = 9.94; AI = 0.4974
 5

Fig.5

Análisis en DC de la primera etapa

𝑅4
VTH = ( )Vcc = 2.5V
𝑅4+𝑅5
𝑅4𝑅5
RTH = ( )= 0.75KΩ
𝑅4+𝑅5
 Fig.6

Del circuito de la fig.6 tenemos, de la malla 1:

-Vth1 + (Rth1)(Ib1) + Vbe1 + (R1)(Ie1) = 0 ………………..(I)

En todo transistor se cumple lo siguiente:

Ie = Ic + Ib ……………(II)

Ic=𝛽(Ib) ………………(III)

De las ecuaciones dadas tenemos lo siguiente:

𝑉𝑡ℎ−𝑉𝑏𝑒
Ib1 = = 52.8µA ………………….(IV)
(𝑅𝑡ℎ1)+(𝛽+1)𝑅1

Remplazando (IV) en (III)

Ic1 = 100(52.8µA) = 5.28mA …………………..(V)

Remplazando (IV) y (V) en (II)

Ie = 5.3328mA ………………..(VI)

Del circuito de la fig.6 tenemos, de la malla 2:

-Vcc + (Ic1)(R3) + (Vce1) + (Ie1)(R1) = 0

Vce1= Vcc - (Ic1)(R3) - (Ie1)(R1)

Vce1= 10V - (5.28mA)(1.8kΩ) - (5.3328mA)(0.33kΩ)

Vce1 = -1.264V
Análisis en DC de la segunda etapa

𝑅10
VTH = ( )Vcc = 0.099V
𝑅10+𝑅9
𝑅10𝑅9
RTH = ( )= 0.99KΩ
𝑅10+𝑅9

Fig.7
Del circuito de la fig.7 tenemos, de la malla 1:

-Vth2 + (Rth2)(Ib2) + Vbe2 + (R6)(Ie2) = 0 ………………..(I)

En todo transistor se cumple lo siguiente:

Ie = Ic + Ib ……………(II)

Ic=𝛽(Ib) ………………(III)

De las ecuaciones dadas tenemos lo siguiente:

𝑉𝑡ℎ2−𝑉𝑏𝑒2
Ib2 = = -3.954µA ………………….(IV)
(𝑅𝑡ℎ2)+(𝛽2+1)𝑅6

Remplazando (IV) en (III)

Ic2 = 150(-3.954µA) = -0.593mA …………………..(V)

Remplazando (IV) y (V) en (II)

Ie2 = -0.593mA ………………..(VI)

Del circuito de la fig.7 tenemos, de la malla 2:

-Vcc + (Vce2) + (Ie2)(R6) = 0

Vce2= Vcc - (Ie2)(R6)

Vce2= 10V - (-0.593mA)(1kΩ)

Vce1 = 10.593V

a) Icq1 = 5.28mA; Vcq1 = -1.264V

Icq2 = -0.593mA; Vcq2 = 10.593V

Conclusión el transistor Q1 se encuentra en la zona de “ZATURACION” y Q2 en la zona

“CORTE”
SEGUNDO PASO: Analizando en AC

De la fig.5 los condensadores tanto de acople como desacople se cortocircuita y

transformando el equivalente en AC tenemos el siguiente circuito.

Fig.8

De la fig. 8 para hallar Zi y Zo, la fuente Vi y βIb se desactivan.

𝑉𝑇 𝑉𝑇 100(25𝑚𝑉) 𝑉𝑇 150(25𝑚𝑉)
Obs: hie1 = = = =0.473KΩ ; hie2 = = = -6.323KΩ = 0Ω
𝐼𝑏1 𝐼𝑐1/(𝛽1) 5.28mA 𝐼𝑐2/(𝛽2) −0.593mA

Por estas Q1 en la zona de saturacion se comporta como un interruptor por ende R1 estara
paralelo a R3.
(𝑅𝑡ℎ1)(ℎ𝑖𝑒1) (0.75𝐾𝛺)(0.473KΩ)
Zi = Rth1 // [hie1]= ( )=( ) = 0.29KΩ
𝑅𝑡ℎ1+ℎ𝑖𝑒1 0.75𝐾𝛺+0.473KΩ

Zo = R6 = 1KΩ

b) Zi = 0.29KΩ; Zo = 1KΩ

Hallando la AV y AI de la fig.8 tenemos lo siguiente:

𝑉𝑜1 −(𝐼𝑐1)(𝑅3𝐼𝐼𝑅1𝐼𝐼𝑅𝑡ℎ2)
AV1 = =
𝑉𝑖1 −(𝐼𝑏1)(ℎ𝑖𝑒1)

𝑉𝑜2 −(𝐼𝑒2)(𝑅6𝐼𝐼𝑅11)
AV2 = = =0
𝑉𝑖2 (𝐼𝑏2)(ℎ𝑖2)

AVT[] = (AV1 AV2) = 0

𝐼𝐿 0
AI = = 𝐼1𝑅𝑡ℎ1 =0
𝐼𝑖 ( )
𝑅𝑡ℎ1+ℎ𝑖𝑒1

c) AV = 0; AI = 0